Температура и электронная плотность

I. Законы фотохимии. В фотохимии рассматриваются закономерности влияния электромагнитных колебаний видимого и ультрафиолетового участков спектра на реакционную способность химических систем. Общая реакционная способность химической системы характеризуется значениями стандартного сродства реакций АО (Т) и стандартного сродства в процессе образования переходного состояния Значения А0 (7 ) и АС (7) изменяются с изменением температуры. При повышении температуры в системе изменяется кинетическая энергия поступательного и вращательного движения молекул и энергия колебательного движения ядер атомов. В области средних температур энергия движения электронов при изменении температуры практически остается постоянной. Чтобы перевести электроны на более высокие электронные энергетические уровни, надо нагреть систему до высоких температур, при которых многие реагенты разлагаются. При воздействии на химическую систему электромагнитными колебаниями с частотой видимого и ультрафиолетового участков спектра изменяется энергия движения электронов. Поглощая квант энергии, электроны переходят с ВЗМО на НО Ю. Образуется возбужденная молекула, обладающая избыточной энергией. Распределение электронной плотности в возбужденных молекулах существенно отличается от распределения электронной плотности в исходных молекулах. Повышается энергия колебательного движения ядер. Физические и химические свойства возбужденных молекул отличаются от свойств молекул в невозбужденном состоянии. Появляется возможность получения новых веществ, синтез которых невозможен при термическом воздействии на систему. [c.610]

Структура пор. В СУ имеются микро- и переходные поры. Их размеры определяются методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей по перепадам электронной плотности [8-32]. Обработка экспериментальных данных позволила получить следующие значения радиусов пор сферической формы в зависимости от температуры обработки. [c.491]

О наличии положительного мезомерного эффекта у галогенов свидетельствует также отношение полигалогенпроизводных к гидролизу. Казалось бы, увеличение числа атомов галогена у одного атома углерода, если принимать во внимание только —/-эффект атома галогена, должно было бы приводить к увеличению дефицита электронной плотности на атакуемом атоме углерода и, следовательно, к повышению реакционной способности в реакциях нуклеофильного замещения атома галогена по механизму 5ы2. Однако это наблюдается только для первых членов ряда. Так, метилхлорид гидролизуется водяным паром при 250 °С под давлением, образуя метиловый спирт, а из ди-хлорметана получается формальдегид при 140—170 °С. Однако хлороформ гидролизуется при более высокой температуре (225 С), а четыреххлористый углерод — в тех же условиях, что и метилхлорид. [c.118]

В простых эфирах дефицит электронной плотности на атоме углерода, непосредственно связанном с атомом кислорода, меньше, чем в алкилгалогенидах, поэтому реактивы Гриньяра очень. медленно и лишь при температурах выше 200 °С реагируют с некоторыми простыми эфирами. Фактически известны лишь единичные случаи такого взаимодействия. Например, при 200—220 °С метилмагнийбромид расщепляет связь О—СНз в анизоле (выход этана 85%) [c.272]

Решение. Радиус 1 и, следовательно, его поляризуемость существенно больше, чем у Р. Поэтому электронная плотность в кристалле К1 частично сместится от аниона к катиону, что уменьшит их эффективные заряды и прочность связи. Температура плавления у К1 будет ниже, чем у КР [c.35]

Электронная плотность и температура типичных видов плазмы [c.246]

Атомы и ионы нельзя рассматривать как несжимаемые шары, лежащие неподвижно, соприкасаясь друг с другом. Мы знаем (стр. 31, 150), что даже при температуре абсолютного нуля происходят колебания ядер в молекулах и кристаллах. Во многих случаях электронная плотность падает практически до нуля на расстояниях, меньших, чем радиусы атомов и ионов с Другой стороны, расстояние, на котором проявляется действие атома или иона на другие частицы, может быть значительно большим его условного радиуса. Наконец, размеры атомов и ионов зависят от их взаимодействия со своими соседями. [c.80]

Реакционная спосо бность простых веществ — склонность вступать с большей или меньшей скоростью в различные реакции — зависит от их электронной структуры, т. е. от числа валентных электронов, размеров атомов, формы электронных облаков, электронной плотности и т. д. Большое влияние на реакционную способность оказывают такие условия реакции характер среды, температура, давление, катализатор и др. [c.118]

Температура и электронная плотность [c.47]

Температура электродов ниже, чем в дуге постоянного тока, скорость поступления исследуемого вещества в плазму меньше, поэтому активизированная дуга переменного тока реже применяется для анализа следов элементов. Температура в разряде и электронная плотность зависят от состава плазмы и режима ра- боты генератора. Так, например, дуга, работающая в жестком режиме, имеет более высокую температуру, и в спектрах элементов усиливаются ионные линии. Методы определения температуры и электронной плотности, описанные ранее для случая дуги постоянного тока, применимы и для дуги переменного тока. [c.47]

Плавление полимера можно назвать ориентационным. В результате его молекулы приобретают способность к раздвижению и вращению, что приводит к утрате характерных черт кристаллической дифракции. В то же время расплавы полимеров сохраняют черты, характерные для кристаллического состояния (чередование электронных плотностей кристаллических и аморфных областей). Электронные плотности упорядоченных и неупорядоченных областей с повышением температуры становятся равными. [c.225]

Возвратитесь к рис. 7.6 и 7.16. Видно, что температура плавления и энтальпии сублимации изменяются параллельно и связаны с размером атома (см. рис. 7.3). Чем меньше радиус атома щелочного металла, тем. .. (слабее, сильнее) происходит перекрывание электронных оболочек, тем. .. (ниже, выше) электронная плотность в зоне перекрывания, тем. .. (слабее, сильнее) металлическая связь между атомами. [c.342]

Поскольку плазма не находится в равновесии, ее характеристики отвечают лишь определенным стационарным процессам. Непрерывно происходит ионизация и нейтрализация зарядов, выделение энергии внутри плазмы и охлаждение вследствие взаимодействия с окружающей средой. При этом наиболее трудно происходит обмен энергией между ионами и электронами, что обусловлено большим различием в их массах. Поэтому отсутствует термическое равновесие между ионами и электронами, а также и нейтральными частицами (молекулами). Энергию от электрических источников (например, дуг) непосредственно получают электроны. Вследствие этого 7 а>7 и>7 м, где Тэ, Ти, 7 м — температуры электронов ионов и молекул (или атомов). В газоразрядных трубках Гэ имеет порядок 10 С, а Та и Ты лишь (1—2)-10 °С. В дуговом разряде, где плотность газа выше и число столкновений больше, величины Та, Тя и Та сближаются. При этом Т и Тм достигают около 6000° С. [c.357]

Уровень легирования велик (содержание примесей может доходить до Ю см ). Возникшая в таком кристалле большая плотность свободных носителей заряда вызывает уже необходимость пользоваться статистикой Ферми—Дирака. А так как газ частиц, подчиняющихся этой статистике, называется вырожденным, то часто термин сильно легированный полупроводник отождествляют с названием вырожденный полупроводник . Однако это не совсем правильно, ибо, например, кристалл может содержать такое количество примесей, что при комнат ной температуре электронный газ вырожден, а при высокой температуре вырождение снимается вследствие появления собственной проводимости в полупроводнике. [c.245]

Атомы азота, кислорода и фтора являются самыми электроотрицательными атомами. Они сильно смещают электронную плотность в молекуле на себя. В результате этого у водорода образуется практически свободная орбиталь, а, например, у атома фтора имеется свободная электронная пара. Появляется возможность образовывать между молекулами дополнительные связи по донорно-акцепторному механизму, что приводит к существованию не только в жидкой, но и газовой фазе молекул состава (НР) и (НгО) . Наличие таких молекул приводит к повышению температур кипения и плавления по сравнению с теми же величинами у аналогов. [c.46]

Рассматривались также и другие граничные условия, отличающиеся от обсуждавшихся в предшествующих разделах, которые имеют место в практических приложениях. Автомодельность реализуется редко, и решения получаются разложением в ряды и другими приближенными методами. Имеющее важное значение неавтомодельное течение возникает в условиях, когда температура или плотность теплового потока на вертикальной поверхности заданы только на участке ограниченной высоты. Такое течение образуется во многих практических случаях, например при охлаждении электронных схем. Приборы, рассеивающие энергию, идеализируются в виде источников тепла, расположенных на вертикальных адиабатических поверхностях. В разд. 3.7 рассмотрен пристеночный факел, возникающий над линейным источником тепла на вертикальной адиабатической поверхности. В разд. 5.7 обсуждается взаимодействие следов от множества нагретых элементов поверхности. Изучен также свободноконвективный след над конечной вертикальной нагретой поверхностью и течение, образующееся около вертикальной поверхности со ступенчатым разрывом температуры стенки. [c.153]

Силы притяжения, действующие на близких расстояниях между молекулами, названы в честь Ван-дер-Ваальса, который исследовал эти силы в газах и жидкостях (разд. 3.4). Вандерваальсовы силы проявляются в отклонении поведения газов от идеального газа и при достаточно высоких давлениях и низких температурах сказываются на конденсации в жидкую фазу. Происхождение этих сил было объяснено в 1930 г. Лондоном. Межмолекулярное притяжение возникает вследствие флуктуаций заряда в двух атомах или молекулах, находящихся близко друг от друга. Поскольку электроны движутся, каждая молекула обладает мгновенным дипольным моментом, отличным от нуля. Если бы флуктуации электронной плотности в двух атомах или молекулах были бы несогласованными, то не было бы результирующего притяжения между молекулами, так как отталкивание компенсировалось бы притяжением. Однако мгновенный диполь на одном атоме или молекуле наводит противоположно направленный диполь в соседнем атоме или молекуле. Эти диполи притягиваются друг к другу за счет возникновения силы притяжения, которая называется дисперсионной силой. [c.453]

Измеренные при комнатной температуре величины и 5 для большого числа комплексов железа [1] представлены в табл. 15.3. Для комплексов железа изомерные сдвиги в положительном направлении соответствуют снижению электронной плотности вблизи ядра. Для высокоспиновых комплексов существует корреляция между изомерным сдвигом и х-электронной плотностью. Увеличение 5 на 0,2 мм/с эквивалентно снижению х-электронной плотности заряда на ядре на 8% [8]. Отрицательные величины, полученные для низкоспиновых феррицианидных комплексов по сравнению с высокоспиновыми комплексами железа(ПЛ, свидетельствуют о большей электронной плотности на ядре феррициа-нид-иона. Этот результат объясняли интенсивным я-связыванием в ферри-цианидах, которое удаляет - -электронную плотность от иона металла, что в свою очередь снижает экранирование х-электронов. Указанный эффект приводит к увеличению электронной плотности на ядре и уменьшению 5. Как сильные <т-доноры, так и сильные тг-а (гценторы снижают 5. [c.299]

Н KNOa ионы К" " и ЫОз" изолированы друг от друга. В ковалентных НЫОз м [ ЫО, за счет образования связи Н—О и Р—О в ионе МОз нарушается прежнее ьчоирсделение электронной плотности (я-связывание), что приводит к снижению I го устойчивости. Так, если ионное соединение КМОз разлагается лишь выше К(0 ч , то ковалентное НМОз начинает заметно разлагаться уже при обычной тем-, с и1туре и освещении, а РМОз существует лишь прн температурах ниже —5°С. [c.204]

При обычной температуре в темноте хлор на толуол не действует, так как нет условий для возникновения цепного радикального процесса. Электрофильное замещение в ядре в этих условиях тоже происходить не мокет сначала надо перевести молекулу хлора в активную электрофильную частицу. Это достигают добавлением катализаторов, например безводного хлорида алюминия. Атом алюминия имеет в хлориде алюминия лишь шесть электронов на внешней оболочке. Для покрыгия своего электронного дефгщита он оттягивает часть электронной плотности от молекулы хлора и создает тем самым на другом конце этой молекулы частичный положительный заряд, необходимый для электрофильного воздействия на ароматическое ядро [c.264]

Структура -парафинов при комнатной температуре. Применяя современную методику эксперимента, А. Ф. Скрышевский, А. 3. Голик, И. И. Адаменко и Л. П. Кондратенко исследовали при комнатной температуре структуру жидких н-парафинов от гексана СеНи до гептадекана С17Н38. Использовалось монохроматическое излучение молибдена. Угловое распределение интенсивности рассеяния измерялось в интервале 5 =0,7 12 А . Регистрация рентгеновского излучения осуществлялась с помощью сцинтилляционного счетчика. Расчет функций распределения электронной плотности производился на электронно-вычислительной машине при различных значениях параметра 5. Исследования показали, что жидкие н-парафины дают однотипные кривые интенсивности. Угловое положение их максимумов в пределах точности измерения углов рассеяния соответствуют значениям 5, равным 1,37 3,01 5,25 А Ч Отличие кривых заключается в числовом зна- [c.217]

Характерно, что на кривых распределения электронной плотности для водных растворов Ы1С1г, СоС1г и СиОг первый максимум менее изолирован, чем аналогичный максимум на кривой распределения для водных растворов МдОг и СаС1г. Эго указывает на то, что окружение Со , Си " менее симметрично, чем ионов и Са +. Эта асимметрия наибольшая у катионов При комнатной температуре ближайшее окружение катиона Си состоит из четырех молекул [c.287]

Съемка производилась при комнатной температуре в монохроматическом излучении молибдена. На рис. 11.10 приведены кривая интенсивности рассеяния и рассчитанная по ней кривая распределения электронной плотности для HN0з ЗH20. [c.289]

Вблизи атомов растворенного вещества в результате различия объемов атомов этого вещества и растворителя или различия электронной плотности возникают значительные области повышенной подвижности растворителя. На диффузионную подвижность особенно влияю р наследственные дефекты и, следовательно, структура металла. Границы зерен, трубки дислокаций являются путями повышенной подвижности. Таким образом, металл пронизан подобными путями. Существенно, что границы зерен соединены друг с другом и образуют в металле как бы сеть путей повышенной подвижности. Энергии активации диффузии по таким путям, естественно, заметно меньше, чем в объеме зерна. Однако в предэкспоиенциаль-ный фактор Оо входит лишь определенная доля сечения этих путей от всего сечения металла. Поэтому и Е, и Оо в областях повышенной подвижности меньше. Так как в этих областях Е имеет меньшую величину, то вклад в общий поток диффузии по ускоренным путям будет более значительным при низких температурах, когда скорость диффузии в середине зерна мала. Вследствие этого при достаточно высоких температурах суммарный процесс диффузии определяется диффузией по объему зерен, а при низких — по границам зерен. Это проявляется на температурной зависимости коэффициента диффузии. При больших значениях 1/Т (область низких температур) угол наклона прямой линии в координатах [c.204]

Из того, что температура и плотность тока эмиссии в катодных пятнах цостоянны и не зависят от тока печи, следует вывод, что и напряженность электрического поля в области катодного падения Е также постоянна для данного металла. Тогда электронный ток дуги в области катодного падения /в должен быть пропорциональным току дуги /д. [c.192]

Так, в комплексе I ацилий-ион СН3СО мэжет отделяться и атаковать пара-положение с повышенной электронной плотностью, по всей вероятности другой молекулы, или он может просто перемещаться внутри молекулы в ор/по-положение с повышенной электронной плотностью. Соотношение орто — /гара-производных несколько возрастает при увеличении температуры или при избытке хло-ристого водорода либо хлористого алюминия. [c.127]

Присоединение катиона к мономеру происходит по месту максимальной электронной плотности в молекуле, например протон присоединяется к наиболее гидрогенизированному атому (правило Марковникова). Строение образовавшегося активного центра, а следовательно, и его активность определяются не только природой катализатора, сокатализатора и их капиче-ственным соотношением, но и свойствами реакционной среды и температурой. [c.126]

Мы уже отмечали в разд. 1.3 гл. II, что резонансным сигналам обменивающихся протонов нельзя приписать какую-либо область в 6-шкале, поскольку положение этих сигналов сильно зависит от среды и температуры. В общем образование водородных связей приводит к значительному сдвигу в слабое поле, хотя формально оно должно сопровождаться повышением электронной плотности на протоне за счет взаимодействия со свободной электронной парой акцепторного атома, а следовательно, приводить к росту экранирования. Но если рассматривать водородную связь как чисто электростатическое притяжение, то поле возникающего электрического диполя приведет к дезэкранированию. Как показано на рис. IV. 18, существует линейное соотношение между экранированием протона хлороформа и дипольным моментом несвязывающих орбиталей различных акцепторных атомов в разных классах соединений. [c.105]

Смотреть страницы где упоминается термин Температура и электронная плотность: [c.103] [c.173] [c.141] [c.281] [c.118] [c.127] [c.349] [c.243] [c.292] [c.94] [c.83] [c.236] [c.95] [c.394] [c.618] [c.249] [c.281] [c.128] [c.267] [c.174]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология