Атомы галогенов в ядре

Na, К, КЬ, Сз.Рг, то и водород должен стоять в 1А-подгруппе. С другой стороны, поскольку на ближайшем к ядру уровне могут находиться два электрона, атом водорода обладает способностью, подобно атомам галогенов, присоединять один электрон (Н+б =Н ). Так как в этом случае водород проявляет неметаллические свойства, он должен находиться в УПА-подгруппе. Эта двойственность в химическом поведении водорода заставляет помещать его в двух группах периодической системы элементов. При это.м в одной из групп символ элемента заключают в скобки. [c.55]

С этих же позиций легко объяснимо и положение водорода в периодической системе. Атом водорода имеет один внешний электрон, который может отдавать атомам других элементов. Поскольку это свойство проявляют атомы всех элементов, начинающих периоды — Li,Na, К, Rb, s, Fr,— то и водород должен стоять в главной подгруппе I группы. С другой стороны, поскольку на ближайшем к ядру уровне могут находиться 2 электрона, атом водорода обладает способностью, подобно атомам галогенов, присоединять один электрон (Н+е = Н ). Так как в этом случае водород проявляет неметаллические свойства, он должен находиться Б главной подгруппе VH группы. Эта двойственность в химическом поведении водорода заставляет помещать его в двух местах таблицы элементов. При этом в одной из подгрупп символ элемента заключается в скобки. [c.191]

Наиболее часто используемой шкалой электроотрицательностей является шкала, рассчитанная Полингом из термохимических данных. Значения электроотрицательностей по шкале Малликена (в электрон-вольтах) могут быть переведены в шкалу Полинга путем деления на коэффициент 3,17. При этом полного согласия данных не достигается, но соответствие обеих шкал вполне удовлетворительное. Фтор представляет собой наиболее электроотрицательный атом (4,0 по шкале Полинга), а цезий — наименее электроотрицательный атом (0,7 по шкале Полинга). Электроотрицательность для ряда элементов приведена на рис. 14.10, который показывает, что эта величина зависит от положения элемента в периодической таблице. Так, в группе галогенов сверху вниз электроотрицательность убывает, так как возрастает эффективное экранирование заряда ядра внутренними электронами. Атомы щелочных металлов обладают в значительной мере тенденцией терять внешние электроны и, следовательно, имеют низкую электроотрицательность. При переходе сверху вниз в подгруппе щелочных металлов электроотрицательность уменьшается вследствие увеличения эффективного экранирования заряда ядра внутренними электронами. [c.443]

Исследование реакций замещения галогена в ароматическом ядре с помощью меченого углерода показало, что замещающая группа становится не только к атому углерода, с которым был связан галоген, но в равной степени и к соседнему атому [c.157]

Для качественного сравнения соединений заместители в них разделяют на 1) сильные доноры электронов 2) заместители с насыщенным атомом углерода, непосредственно связанным с ядром (обычно слабые доноры) 3) сильные акцепторы электронов, содержащие карбонильную, либо нитрогруппу, непосредственно связанную с ядром. Средние значения кажущихся коэффициентов экстинкции для соединений с различными типами заместителей (взяты из [451, 452, 465]) даны в табл. L. В таблицу не включены соединения, содержащие галоген или ненасыщенный атом углерода, непосредственно связанные с ядром, так как эти заместители могут быть как донорами, так и акцепторами. [c.589]

При внимательном рассмотрении приведенных выше экспериментальных данных видно, что отклонение зависимости свойств соединений от индуктивного эффекта групп, замещающих атомы водорода, наблюдается тогда, когда атомы галогенов, кислорода или нитрогруппа находятся при ароматическом ядре или около ненасыщенного атома углерода. Во всех этих случаях (стр. 106 и сл.) в соединениях имеется система сопряженных связей или около ненасыщенного углеродного атома находится атом с неподеленной электронной парой. [c.144]

В некоторых других реакциях (например, с магнием в эфире, с металлическим натрием) атом галогена при атоме углерода ядра оказывается достаточно подвижным. У ароматических галогенпроизводных с галогеном в боковой цепи в а-положении к ядру галоген отщепляется (например, при гидролизе) еще легче, чем у большинства галогенпроизводных алканов. [c.198]

Присоединение электрона к электрически нейтральному атому приводит к образованию отрицательно заряженного иона, например, С1 + е— 01 . Энергия, которая при этом освобождается, является мерой связи между атомом и присоединенным электроном. Чем меньше атом, тем сильнее связан присоединенный электрон, так как он находится ближе к положительно заряженному ядру. Поэтому среди галогенов наибольшим сродством к электрону обладает фтор (табл. 5.17). [c.157]

Наиболее полно методом ЯКР исследованы комплексы галогенидов металлов. В подавляющем большинстве исследованы частоты галогенов, связанных с центральным атомом. Как правило, их сдвиги направлены в низкочастотную область и интерпретируются как увеличение ионности связи М—Hal. В тех случаях, когда и центральный атом обладает квадрупольным ядром, имеется возможность более полного изучения изменений электронной структуры молекулы акцептора в результате комплексообразования. Обсуждаемый материал удобно расположить в порядке увеличения номера группы центрального атома в периодической системе элементов Менделеева. [c.138]

Фтор — элемент из семейства галогенов, в которое входят также хлор, бром, иод и искусственно полученный радиоактивный астат. Фтору свойственны все особенности собратьев по подгруппе, однако он подобен человеку без чувства меры все увеличено до крайности, до предела. Это объясняется прежде всего положением элемента № 9 в периодической системе и его электронной структурой. Его место в таблице Менделеева — полюс неметаллических свойств , правый верхний угол. Атомная модель фтора заряд ядра 9-Ь, два электрона расположены на внутренней оболочке, семь — на внешней. Каждый атом всегда стремится к устойчивому состоянию. Для этого ему нужно заполнить внешний электронный слой. Атом фтора в этом смысле — не исключение. Захвачен восьмой [c.144]

В алкилгалогенид ах атом или атомы галогенов связаны с атомом или атомами углерода, не входящими в ароматическое ядро, Б то время как в арилгалогенидах по крайней мере один атом галогена связан с ароматическим кольцом. Свойства га-логенопроиз водных сильно зависят от типа углеродного скелета и природы галогена. Реакционная способность галогенидов с одинаковым углеводородным остатком уменьшается от иода к фтору. Связь С—Р в алкилфторидах хотя и очень полярна, но поляризуется очень слабо, что объясняет ее малую реакционную способность. [c.138]

АКТИНОИДЫ (актиниды), семейство иэ 14 радиоакт. элем. 7 периода периодич. сист. торий Th, протактиний Ра, ураи и, нептуний Ыр, плутоний Ри, америций Ат, кюрий m, берклий Вк, калифорний f, эйнштейний E.s, фермий Fm, менделевий Md, нобелий No н лоуренсий Lr. Наиб, долгоживущие изотопы имеют Th и U. Эти элем, встречаются в прир. минералах, преим. в рассеянном состоянии. Кроме того, в природе встречаются изотопы Ра и следовые кол-ва изотопов Np н Ри, к-рые обра.зуются в ядерных р-циях изотопов U с нейтронами. Другие А. в природе не обнаружены они получ. облучением U и нек-рых трансурановых элем, в ядерных реакторах нейтронами или на ускорителях ядрами легких элементов. Ми. изотопы образуются при подземных ядерных взрывах и м. б. выделены иэ грунтов. Серебристо-белые металлы очень высокой плотности (до 20,5 г/см ). Наиб, легкоплавки Np н Ри ((пл ок. 640 °С). Для остальных А. до Es включительно пл > 850 С. Fm, Md, No и Lr не получ. в металлич. состоянин. А.— очень сильные электроположит. элементы легко реаг. с Нз, О2, N2, S, галогенами и др. Однако в компактном состоянин сравнительно устойчивы на воздухе. В мелкодисперсной форме пирофорны. [c.20]

Электрофильное введение функциональных групп (например, нитро- или сульфогрупп) в ядро для рассматриваемых соединений не характерно. Однако электрофильное замещение происходит в арильных заместителях. Галогенирование также протекает с трудом, но 2,5-диарил-1,3,4-оксадиазолы образуют с галогенами комплексы [146]. Для гидрокси-, меркапто- и амино-1,3,4-оксади-азолов известен ряд реакций алкилирования и ацилирования по атому азота гетероцикла (см., например, схемы 175, 176) и по потенциально таутомерной функциональной группе (схема 177) [147]. [c.524]

Если в геминальном положении с атомами галогена находятся атомы водорода, то в спектрах ПМР сигналы этих протонов с повышением электроотрицательности галогенов сдвигаются в область более слабых полей. Атом Р, как и атом Н, обладает спином ядра, так что возможно наблюдать спин-спиновое расщепление на этих ядрах, напрИ мер сигнал протонов метильной группы в спектре ПМР фторметана расщеплен в дублет. [c.298]

Взаимодействие свободных галогенов (хлора, брома, иода) с ароматическими углеводородами в зависимости от условий реакции может привести к образованию различных соединений. При нагревании в неполярных средах или при освещении смеси галогена и ароматического углеводорода происходит замещение на галоген водорода боковой цепи. Эти реакции имеют свободнорадикальный механизм и будут подробно рассмотрены в главе четвертой . При взаимодействии ароматических углеводородов с галогеном в присутствии кислот Льюиса (А1С1з, 2пС12, РеВгз) при невысокой температуре происходит реакция электрофильного замещения атома водорода в ядре на галоген. Действующим агентом этой реакции является положительно заряженный атом галогена (или положительно поляризованный конец диполя Х ). Роль катализатора в этой реакции и состоит в поляризации (ионизации) молекулы галогена [c.108]

Согласно схеме вещество Н получается по внутримолекулярной реакции Фриделя — Крафтса, т. е. путем внутримолекулярного замещения водорода в орто-положении к заместителю. В результате таких реакций С-атом концевой группы заместителя оказывается присоединенным в ор го-положен не ароматического ядра. При этом концевая группа содержит легко отщепляемый галоген, например O I эта группа образуется в реакции соответствующей кислоты с тиоиилхлоридом. [c.133]

В полигалогентиофене только один атом галогена, связанный с ядром, способен реагировать с магнием как и в других случаях, значительно более реакционноспособным является а-галоген. Весьма необычным является поведение 2,5-дихлор-3,4-дииодтиофена в том отношении, что в этом соединении в реакцию с магнием, повидимому, вступают оба атома иода, находящиеся в р-положении после карбонизации полученного реактива Гриньяра образуется 2,5-дихлортиофен-3,4-дикарбоновая кислота [191]. [c.188]

Нуклеофилами (от латинских пис1еа — ядро, jllls — любить) называют частицы, являющиеся донорами электронов Донорами электронов могут служить отрицательно заряженные ионы и нейтральные частицы, имеющие атом с неподеленной парой электронов (основания Бренстеда, Льюиса) Отрицательный заряд отрицательно заряженной частицы может локализоваться на атоме углерода или гете-роатоме (водороде, азоте, кислороде, галогене) Если заряд (-) локализован на атоме углерода, то такая частица называется карбанионом [c.174]

Изучение электрофильного замещения в нейтральной молекуле пиридина осложняется тем обстоятельством, что неподеленная пара электронов атома азота часто оказывается более реакционноспособной по отношению к электрофильным реагентам, чем я-электроны ядра. Так, при взаимодействии пиридина с азотным ангидридом в нейтральных средах образуется нитрат Ы-нитропи-ридиния [51]. Подобная реакция с серным ангидридом также направляется на атом азота, а взаимодействие пиридина с галогенами при комнатной температуре ведет к образованию комплексов, а не продуктов замещения. Известно, что в комплексе с бромистым иодом существует донорная сг-связь с атомом азота [61]. [c.138]

Под реакциями электрофильного замещения, как обычно, понимаются те реакции, которые заключаются в атаке электрофнль-ными реагентами С-атома ядра с одновременной заменой атома водорода или другой, находившейся при нем группы, на новый заместитель. Как таковые, реакции электрофильного замещения протекают с трудом и не часто применимы к я-обедненным гетероароматическим системам. Однако в широком смысле слова, мы можем рассматривать замену неподеленной пары электронов атома азота ядра новой группой как результат атаки электрофилом (электрофильное замещение). Некоторые соображения относительно сопоставления атаки протона уже были сделаны ранее (см. разд. 16.7.3.1), и высказанные там принципы полностью применимы к процессам кватернизации [85] и образования N-окси-дов [85] обе эти темы хорошо освещены в цитированных статьях. Для конденсированных ниридиновых систем, вполне возможно также образование комплексов по атому азота цикла с галогенами, кислотами Льюиса и металлами. Широко применяемой реакцией замещения, рассмотренной в разд. 16.7.4.6, является замена N—Н на N—алкил при обработке 2- или 4-оксопроизводных алкилгалогенидами. [c.313]

Токсичность галогенопроизводных сильно и характерно меняется в зависимости от природы связанного с галогеном органического радикала. Например, высокой токсичностью обладают те галогенопроизводные алканы, у которых атом галогена не связан непосредственно с одним из атомов углерода двойной связью (СНг = СН—СНгС1 более токсичен, чем СН2 = СНС1) в ароматических галогенопроизводных наличие галогена в боковой цепи и его положение по отношению к бензольному ядру и определяет их токсичность. [c.58]

Нуклеофильное аминирование наряду с восстановлением азотсодержащих заместителей является наиболее распространенным способом введения аминогрупп в ароматическое кольцо. В качестве реагентов используют аммиак, первичные и вторичные амины, их соли с щелочными металлами, ацильные производные, мочевину, гидроксиламин. При аминировании из ароматического ядра могут вытесняться самые разнообразные атомы и группы атомы галогенов, нитро-, амино- и аммонийные, гидрокси-, алкокси-, арилокси-, ацилокси-, сульфо-, алкил- и арил-сульфонильные, алкил- и арилтио-, тригалогёнметильные группы, атом водорода. Их способность подвергаться замещению [c.302]

Прочность связи галогена в галогенированных ароматических углеводородах сильно зависит от их строения. Связь С—галоген в них имеет значительно меньшую полярность, чем в галогенпроизводных алканов. В результате связанный с галогеном углерод ароматического ядра менее положителен, атака на него нуклеофильных реагентов затруднена и атом галогена, связанный с атомом углерода бензольного ядра, не отщепляется ни щелочью (водной или спиртовой), ни спиртовым раствором нитрата серебра. Столь малая реакционная способность галогена сближает галогенпроизводные этого типа (например, хлорбензол) с соединениями жирного ряда, содержащими галоген у атома углерода, связанного с другим атомом углерода двойной связью, например с хлористым винилом СН2 = СНС1. [c.198]

Относить увеличение угла за счет ван-дер-ваальсова отталкивания атомов галогенов просто неверно. Хотя ван-дер-ваальсовы радиусы возрастают в ряду Р — С1 — Вг—I, ковалентные радиусы и, следовательно, длины связей Р—X также увеличиваются и в том же порядке, так что увеличение угла происходить не должно. В данном случае фактором, определяющим валентный угол, является ионность связи Р—X. Более электроотрицательный атом фтора оттягивает связывающиг электронные пары от ядра фосфора и тем самым позволяет занять больший объем свободной паре электронов, что приводит к большему уменьшению валентного угла Р—Р—Р, чем углов X—Р—X в других галогенидах. Другой пример увеличения валентного угла фториды азота и кислорода имеют меньшие валентные углы, чем у их водородных соединений (НРз 102, Г МНз 107,3° ОРг 103,8° Н2О 104,45°). Как показал Гиллеспи [6], увеличение объема пространства, занимаемого неподеленными парами, легко объяснить, если предположить, что в позиции неподеленной пары находится заместитель с нулевой электроотрицательностью (рис. 6.9). [c.154]

Распределение электронов в ионах щелочных элементов и ионах галогенов показано на рис. 6.20. Не трудно заметить, что эти ионы очень схожи с соответствующими аргоноидами, показанными в несколько большем масштабе на рис. 5.8. С увеличением заряда ядра от -Ь9е для иона фтора до -f-He для иона натрия соответствующие электронные оболочки сильнее притягиваются к ядру, в результате чего ион натрия оказывается примерно на 30% меньше иона фтора. Атом неона по своим размерам занимает среднее положение между ионами F" и Na . [c.161]

Галогенопройзводные ароматических углеводородов с галогеном в ядре — тяжелые жидкости или кристаллические вещества. Галоген, находящийся в ароматическом ядре, в противоположность галогену в боковой цепи,связан с углеродом ядра очень прочно и мало подвижен. Хлорбензол и бромбензол являются, так же как хлористый винил, соединениями с по-ниженнойреакционнойспособностью. Атом галогена у этих соединений сопряжен при помощи своих неподеленных электронов с и-электронами ароматического ядра, что приводит к усилению связи между галогеном и углеродным атомом ядра. Поэтому галогенопройзводные с галогеном в ядре не дают многих реакций, характерных для галогеналкилов. Так, гидролиз хлорбензола осуществляется лишь в исключительно жестких условиях (при нагревании до 380°С с концентрированным раствором,едкого натра под давлением 350 атм) [c.139]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология