Температура электронная силы тока

Рис. 1.76. Зависимость электронной Те и газовой Tg температур от силы тока /. Дуга в аргоне. Р = I атм.

Регистратор (рис. 148) — автоматический электронный потенциометр ЭПП-09 с пределами измерений от О до 10 мВ. Время пробега каретки по всей шкале 8 с, питание 220 В, частота 50 Гц. Шкала прибора имеет следующие значения температура 20— 140 напряжение регистрации сигнала детектора О—20 мВ, сила тока О—20 мА. [c.200]

Многие молекулы либо не обладают достаточной летучестью, либо недостаточно устойчивы по отношению к электронной бомбардировке, чтобы можно было определить молекулярную массу с помощью масс-спектрометрии, если только не применять метод ионизации полем. Если молекулярные ионы нельзя зарегистрировать при температуре испарения вещества и бомбардировке электронами с энергией 70 эВ, то они обычно не наблюдаются и при более низкой энергии электронов. Хотя снижение энергии электронов приводит к у-величению интенсивности пика молекулярного иона по сравнению с пиками фрагментов, абсолютная интенсивность пика молекулярного иона снижается. В методе ионизации полем в зазоре между двумя металлическими электродами создается электрическое поле напряженностью 510 В/см. Как только газообразная молекула попадает в такое поле, она ионизуется. Этот процесс носит название ионизации полем. На силу тока образующихся [c.325]

Прн повышении давления и увеличении силы тока молекулярная температура повышается, а электронная понижается, т, е. разница между этими температурами постепенно исчезает. При таких условиях формируется дуговой разряд. [c.242]

Другой метод заключается в добавке соли к манометрической жидкости для придания ей электропроводности. Сила тока при напряжении 6—8 в составляет около 10 в уси.яения до 10—15 а (ири 220 в) достигают посредством включения в схему промежуточного электронного реле (см. главу 8.22). Для регулирования давления в сосуде, который термостатируют для исключения влияния изменений температуры, создают заданное давление (рис. 402). При равенстве давлений в термостатированном сосуде и в установке уровень манометрической жидкости в обоих коленах одинаков. При повышении давления в установке уровень жидкости в правом колене понижается. Контакт в левом колене в результате повышения уровня жидкости замыкается, и через электронное реле включается вакуум-насос, который откачивает систему до выравнивания давлений. При помощи автоматизированного стенда (рис. 399) во время испытаний с чистыми веществами в интервале давлений 300—1 мм рт. ст. была достигнута точность регулировки + 0,1 мм рт. ст. Для фенола это соответствует при 20 мм рт. ст. разнице температур кинения 0,1°. Если, например, при разделении изомеров ксилола при 70 мм рт. ст. необходимо измерять температуру с воспроизводимой точностью 0,1°, то для этого требуется регулировать давление с точностью не ниже 0,15 мм рт. ст. [40]. [c.499]

Для дуговых плазмотронов характерна высокая пространственно-временная стабильность плазменной струи и ее физических параметров (распределения температуры, электронной концентрации и др.). Диаметр плазменного шнура ограничен струей холодного газа и пинч-эффектом, вследствие чего увеличение силы тока не приводит к значимому расширению поперечного сечения шнура это создает возможность эффективно регулировать температуру плазмы путем вариации силы тока. При изменении силы тока от единиц до десятков [c.367]

Пусть для реакции с участием двух электронов температурные коэффициенты потенциала полуволны и коэффициента диффузии равны 1 мв и 2% соответственно, а потенциал вспомогательного электрода не изменен. Для этого случая расчеты приводят к величинам температурных коэффициентов силы тока —1,6 и +1,3% соответственно при уменьшении и увеличении температуры [c.59]

Механизм прохождения постоянного электрического тока через проводники первого рода может быть описан в основных чертах следующим образом. Положительные ионы кристаллической решетки металла слабо связаны со своими валентными электронами и последние являются в значительной степени свободными (стр. 91). Однако электроны в металле не движутся между ионами, а как бы непрерывно передаются от одного атома к другому. При отсутствии внешних электрических воздействий эта передача происходит беспорядочно по всем направлениям. При наложении же электрического поля извне, например при присоединении концов проволоки к двум полюсам аккумулятора или батареи, одно из направлений перемещения электронов — в сторону положительного полюса — становится преобладающим.. Этим и обусловливается появление электрического тока в металле. Когда температура повышается и тепловое движение атомов металла усиливается, то правильность передачи электронов нарушается, сила тока падает, что и соответствует наблюдаемому уменьшению электропроводности (повышению сопро тивления). [c.251]

Влияние параметров разряда на концентрацию возбужденных атомов. Концентрация возбужденных атомов зависит от силы тока. Характер этой зависимости исследовался в ряде работ 33-137]. В частности, в рабо-тах [ 33-137] было показано, что, начиная с определенного значения силы тока, концентрация возбужденных атомов может достигать насыщения. Этот результат был истолкован рядом авторов как наличие равновесия между ударами первого и второго рода. Насыщение, по мнению В. А. Фабриканта [з , объясняется падением электронной температуры с ростом тока. При увеличении силы тока одновременно могут действовать два фактора с одной стороны, концентрация возбужденных атомов должна увеличиваться, с другой стороны, она падает в связи с уменьшением при этом электронной температуры, но, по-видимому, не только это обуславливает насыщение в условиях разобранных В. А. Фабрикантом. [c.28]

Если предположить далее, что основными процессами возбуждения в плазменной струе являются соударения с электронами, и учесть, что эффективность ударных процессов растет пропорционально концентрации электронов, то можно объяснить расхождение в измеренных значениях температуры недостаточной концентрацией электронов, которая не превышает 10 см . Такое объяснение, например, предложено в работах [30, 31] при обсуждении результатов измерений температуры дуг в инертных газах и водороде, в которых наблюдается значительное расхождение в величинах температур, измеренных различными методами при малых силах тока дуги (т. е. при малых концентрациях электронов в плазме дуги). Авторы этих работ установили, что вследствие малости сечений возбуждения атомов инертных газов и водорода (на один — два порядка меньше сечений возбуждения атомов металлов или азота) температуры, измеренные различными методами, начинают совпадать только при больших силах тока дуги, когда концентрация электронов становится равной —10 см . Таким образом, указанные авторы пришли к выводу, что дуги в инертных газах и водороде не являются равновесными системами при малых концентрациях электронов. Измерения, проведенные нами в водородной плазменной струе, показали, что и в этом случае имеется расхождение в значениях температуры, измеренной методом относительных интенсивностей по линиям меди и методом, основанным на зависимости уширения линии водорода Нр от концентрации заря- [c.219]

ДЛЯ оценки яркости пламени в зелено-желтой полосе видимого спектра с нуль-индикатором и индикатором силы тока системы термопар для замера температуры газов над пламенем усовершенствованной стандартной фитильной лампы, оборудованной полуавтоматическим поджогом фитиля и механизмом вертикального перемещения горелки электронного самопишущего потенциометра стабилизатора напряжения комплекта горелок для топлива калибров 25 и 50 мм [c.335]

Влияние параметров разряда на электронную температуру. Электронная температура зависит от силы тока в разрядном промежутке 9о-э5] давления р от диаметра разрядной трубки Р ° ] и от состава светящейся смеси ]° 100-10-1], Большинство работ посвящено исследованиям разряда в чистых газах. [c.23]

Таким образом, условия разряда в смеси газов при изменении концентрации легковозбудимого компонента не остаются постоянными. Однако прибавление аргона к неону не всегда приводит к уменьшению электронной температуры. Так, например, Н. П. Пенкин[" ] наблюдал, что прибавление 0,5% аргона к неону не изменяет заметно. электронной температуры в разряде при р = = 0,9 Jчм рт. ст. и силе тока 60 ма. [c.24]

Отношение интенсивностей двух спектральных линий различных газов меняется с изменением электронной температуры. Из двух компонентов смеси большие изменения при изменении Те наблюдаются для компонента с более высоким потенциалом ионизации. Отсюда следует, что рост электронной температуры вызывает относительное усиление линий трудновозбудимого компонента. Поэтому, например, в смеси аргон — гелий с уменьшением давления и диаметра разрядной трубки наблюдается усиление линий гелия. Увеличение силы тока л концентрации электронов также должно вызывать усиление линий трудновозбудимого компонента ). Отношение интенсивностей спектральных линий в смеси газов в разряде постоянного тока сильно искажается разделением компонентов смеси (см. 4). [c.35]

Определение неона в гелии. Количественный спектральный анализ смеси гелий — неон может быть осуществлен в интервале концентраций от 0,001 до 99,9%нео-на в гелии. Средне-квадратичная ошибка отдельного определения, в зависимости от концентрации,колеблется от 3,5 до 7,5%. На рис. 71, а и б изображены градуировочные кривые для анализа малых концентраций неона в гелии (от 0,002 до 0,01%). Условия съемки высокочастотный разряд в капилляре диаметром 8 мм при давлении = 10 мм рт. ст., силе тока г = 200 ма. В качестве аналитической пары была выбрана пара Ке X 6402 А — Не Л 6678 А. На рис. 71, в приведены градуировочные кривые, построенные по разным аналитическим парам для интервала концентраций от 18 до 75% неона в гелии. Как видно из градуировочной кривой на рис. 71,6, изменение электронной температуры с изменением состава смеси ведет к тому, что и в спектре одного из компонентов меняется отношение интенсивностей [c.190]

В дуге между чистыми угольными электродами ( = 10 мм), изменение силы тока на 1 а вызывает изменение темаературы примерно на 50 град. Изменения температуры такого же порядка наблюдались и в случае испарения из канала угольного анода проб различного состава [980, 432, 1031]. Электронная концентрация Пе меняется с изменением силы тока сильнее, чем температура дуги, хотя относительные изменения Пв в общем, тоже невелики ( 10—20% на 1 с). . . [c.133]

Температура и электронная концентрация в плазменной струе значительно выше, чем в обычной дуге, горящей в атмосфере того же газа. Так, осевая температура в аргоновой плазменной струе достигает 11 ООО—15 000° К, а концентрация электронов составляет 10 —W см [850, 169 662, стр. 35] (соответствующие данные для обычной дуги см. 4.1.2). Как температура, так и электронная концентрация зависят от рода охлаждающего газа, скорости его потока и давления, диаметра отверстия в эЛектроде-сопле и его полярности, силы тока дуги. [c.163]

Если приложенное напряжение медленно увеличивать, начиная от нуля, то сила тока сначала будет пропорционально возрастать, а затем (если вести опыты с гелием, то нри напряжении 19,75 в) сила тока резко упадет до пуля. Сила тока определяется числом и скоростью электронов. Если температуру накала нити поддерживать постоянной, то число испускаемых ею электронов будет также постоянным. Начальное увеличение силы тока объясняется, таким образом, ускорением электронов при увеличении напряжения. Отсюда следует, что электроны, сталкиваясь с атомами гелия, сначала отражаются от них, не претерпевая при этом заметного изменения в скорости, но только до тех пор, пока их скорость не достигнет некоторого определенного, значения, отвечающего напряжению поля 19,75 в. Как только это произойдет при столкновении с атомами гелия, эти электроны теряют сразу всю скорость, на что указывает внезапное уменьшение силы тока, т. е. теперь они всю свою энергию передают атомам гелия, с которыми сталкиваются Если и дальше увеличивать напряжение, то сила тока начинает снова возрастать пропорционально разности между приложенным напряжением и величиной 19,75 в, т. е. электроны отдают атомам гелия энергию, точно соответствующую напряжению 19,75 в. Спустя некоторое время (в случае гелия) уже при напряжении 20,55 в сила тока еще раз резко падает до нуля. Далее для гелия такие скачки отмечены при 21,2 и 22,9 в. [c.137]

Если к кристаллу галогенида щелочного металла или серебра приложить разность потенциалов, измерительный прибор покажет, что через кристалл протекает электрический ток. Сила тока оказывается слишком большой, чтобы объяснить его подвижностью электронов, так как для рассматриваемых температур число электронов в областях проводимости слишком мало. Но так как выполняется закон Фарадея, ток, очевидно, обусловлен движением ионов под действием поля. [c.91]

Пользуясь графиком 27, можно оценить, каковы должны быть потенциал ионизации легкоионизуемой добавки и ее концентрация в плазме воздушной угольной дуги (при постоянной силе тока), чтобы получить те или иные требуемые значения Т и Пе, оптимальные для возбуждения аналитической линии определяемого элемента. При этом надо иметь в виду, что путем замены одного легкоионизуемого элемента соответствующим количеством другого (с учетом различий в энергии ионизации этих элементов) нельзя получить полностью тождественной дуговой плазмы, т. е, с теми же значениями Т и Пе- Это значит, что, введя, например, в плазму 1% кальция вместо 0,1% натрия, можно получить примерно ту же осевую температуру, но при этом электронная концентрация увеличится более чем в 5 раз. И, наоборот, заменив 0,1% натрия на 0,2% магния, можно сохранить ту же электронную концентрацию, но при этом температура увеличится на 500—600° К. [c.98]

При рассмотрении особенностей изменения Т и Пе с силой тока в случае испарения из электрода пробы, содержащей элементы с низким и средним потенциалом ионизации (Fi< 9 эв), следует учитывать также влияние изменений мощности дуги на температуру электрода и помещенной в него пробы. Так как значительная доля электрической энергии дуги рассеивается в приэлектродных областях и, в первую очередь, в прианодной области, то увеличение силы тока и мощности ведет к более сильному нагреву электрода и пробы и, следовательно, к возрастанию скорости испарения пробы. В результате концентрация легкоионизуемых элементов в разряде увеличивается, что при неизменности всех остальных условий должно сопровождаться снижением температуры плазмы, уменьшением напряженности осевого электрического поля и увеличением электронной концентрации (см. 4.1.2). — [c.133]

Катод лампы нагревается электрическим током от специальной батареи. При достижении определенной температуры катод испускает электроны, имеющие самые разнообразные скорости. Электроны создают у катода так называемое электронное облако , образующее пространственный заряд, который своим отрицательным полем уменьшает дальнейшую эмиссию электронов. Если присоединить батарею положительным полюсом к аноду, а отрицательным—к катоду, то электроны полетят на анод, в цепи возникнет электронный ток. С увеличением напряжения на аноде все большее количество электронов будет достигать анода—сила электронного тока будет расти. Увеличение силы тока будет про- [c.76]

Увеличение проводимости полимерных пленок ускоряет релаксацию электретного заряда и изменяет характер спектров токов ТСД. Эти закономерности были получены при изучении электретных свойств полимерных пленок, предварительно подвергнутых действию ионизирующих излучений. Исследовалась зависимость Uэ = Ht), температурная зависимость проводимости и спектры токов ТСД пленок ПЭТФ, ПК, Ф-4-МБ-2, облученных разными дозами электронного и -излучения. Увеличение дозы приводит к росту проводимости пленок, особенно в области невысокой температуры (рис. 138, а), уменьшению времени релаксации электретной разности потенциалов т (рис. 138,6) и изменению спектров токов ТСД (рис. 138, в) [185]. В спектре появляется дополнительный низкотемпературный максимум, а основной максимум резко снижается по силе тока. Спектры токов ТСД исходных и облученных пленок были получены расчетным путем с помощью соотношений (201) и с учетом зависимости Т2 = /( ) (рис. 136). Соответствие экспериментально измеренных и рассчитанных кривых еще раз свидетельствует о том, что процесс разрядки электретов обусловлен проводимостью пленки. [c.204]

Эмиссия электронов с горячего катода вызывает эффект охлаждения, поскольку энергия для эмиссии полностью поставляется катодом величина эффекта охлаждения в расчете на один излучаемый электрон равна сумме работы выхода и средней кинетической энергии электрона. Если распределение энергии излученных электронов описывается уравнением Максвелла, то средняя энергия составляет 2кТ, где Т — температура катода (а, следовательно, и электронов) эта энергия включает величину кТ в направлении, перпендикулярном поверхности, и по 1/2 кТ в каждом из параллельных направлений [51, 79]. Поэтому метод заключается в измерении дополнительной теплоты, необходимой для поддержания температуры катода строго постоянной в условиях, когда эмиссия электронов происходит и когда она не происходит. Если эту разность энергий обозначить символом Р, а силу тока эмиссии — символом /. то работу выхода можно определить как [c.116]

Хашимото, Танака и Иода [47] в качестве объектов исследования применили тонкие нити из вольфрама, молибдена, железа и меди, накаливаемые непосредственно пропускаемым через них электрическим током. Температура нити может быть повышена до точки, находящейся вблизи температуры плавления металла, например, в случае вольфрама до 3000°. Так как проволока берется очень тонкой и общее количество выделяющегося тепла невелико, то можно достигнуть высокой температуры без повреждения окружающей аппаратуры. Применявшееся авторами устройство схематически показано на рис. 9. Образец в виде тонкой нити 7 посредством медного наконечника 2 соединен с проводом 3, подводящим ток для нагревания. Электронный пучок может проходить через отверстие 4 в центральной части держателя объекта. Объект окружен медным защитным экраном 6. Держатель объекта 5 можно перемещать извне в двух направлениях перпендикулярно траектории пучка посредством сильфона 7 и уплотнения 8. В держателе имеется канал 9 для впуска газа в камеру объекта для действия на образец. Для накаливания нити применяется иостоянный ток 0,3—1 а. При применении, например, вольфрамовой проволоки, диаметром 0,08 для ее нагревания в интервале температур от 700 до 3000° требовалось 0,6—6 вт. Перед помещением в микроскоп нить калибровали и на основании установленной зависимости температура нити — сила тока можно было определить температуру нити во время исследования в электронном микроскопе. Искажение изображения, вызванное магнитным полем нагревающего тока, было незначительным и легко устранил1ьга. [c.41]

Рассмотрим, как это осуществляется, на примере получения металлического алюминия. Так как у атомов алюминия на внешнем уровне малое число электронов, то он по химическим свойствам подобен металлам, образованным -элементами. При электролитическом получении алюминия специальная электролитическая ванна, выложенная графитом, заполняется чистыми АиОз и К азА1Ре, которые расплавляются при температуре >1200°. Графитовые (или угольные) плиты, которыми выложена ванна, служат катодом, а анодом являются опущенные в расплав графитовые пластины. Сила тока составляет около 35 ООО А, напряжение 4—5 В. В результате электролиза на катоде образуется алюминий (собирается на дне ванны), на аноде выделяется кислород [c.104]

Оценка числа носителей заряда в прианодном слое показывает, что оно превышает на 1—2 порядка концентрацию А1-де-фектов. Это означает, что имеет место удержание электронов в прианодном слое на уровнях захвата, характерных для поверхностных дефектов. Глубина такого слоя зависит от величины внешнего электрического поля, и понижение напряжения приводит к перераспределению как электронов в прианодной части, так и щелочных катионов в прикатодной. Следствием этого является обратный ток. Окончательное равновесное состояние распределения носителей заряда устанавливается по завершении окрашивания. В этом случае даже с увеличением температуры сила тока уменьшается и имеет тенденцию слабого падения во времени. В этой стадии перенос заряда протекает главным образом по электронным дефектам в валентной полосе, а его величина определяется относительным положением уровня Ферми. Необходимо также учитывать эффект инжекции электронов с электродов. Если спектры ЭПР А1-центров в облученном (при 7 300 К) и электролизованном в вакууме кристаллах идентичны, то спектры оптического поглощения этих образцов имеют характерные отличия (рис. 44). [c.143]

Электронная температура смеси газов, как показали исследования А. А. Зайцева, Доргело и других, понижается с возрастанием процентного содержания легковозбудимого компонента. А. А. Зайцев исследовал смесь неона с аргоном при давлении р = 3 мм рт. ст., силе тока г = 7,5 ма и получил следуюпще результаты [c.24]

Исследование этой формулы произведено Б. Н. Кляр-фельдом [ ]. Фактор обхода равен отношению длины пройденного электроном пути к его смещению в направлении поля. Он определяется отношением плотностей беспорядочного и направленного электронных токов. Экснериг/1ентально доказав рост величины В с увеличением давления при постоянной силе тока, Б. Н. Кляр-фельд установил, что концентрация электронов растет с ростом давления, во-первых, из-за увеличения В и, во-вторых, из-за уменьшения электронной температуры. Из формулы (1.3) также следует, что концентрация электронов растет быстрее, чем плотность тока, так как с ростом плотности тока увеличивается фактор обхода и уменьшается электронная температура. Таким образом, закон о прямой пропорциональности тока и концентрации электронов справедлив только в первом приближении, если не учитывать изменения электронной температуры и фактора обхода. [c.25]

На рис. 61 приведена зависимость относительной интенсивности линий неона > 6402 А и аргона Я6416 А от силы тока при следующих условиях съемки давление в разрядной трубке 0,7 мм рт.ст., диаметр трубки 20 мм, состав смеси 10% аргона в неоне. Наблюденный немонотонный характер зависимости легко понять, если вспомнить, что даже абсолютная интенсивность спектральной линии может убывать при увеличении силы тока [ ]. Закон убывания у разных линий различен, так как интенсивность линии зависит от концентрации электронов и от электронной температуры (формула (1,9)), [c.135]

Рис. 43. Зависимость мощности W, температуры Го дуги, электронного давления ре в среднем сечении столба и температуры Та анода от силы тока I дуги при испарении пробы, сме-ша ной с буфером ВаРд (1 1), из канала анода (/ = 9 мм) 1Ш31].

Кроме описанных селеновых фотоэлементов с фронтальным фотоэффектом имеются также селеновые фотоэлементы с тыловым фотоэффектом, у которых электроны выбиваются под действием света на границе между селеном и железом. Эти фотоэлементы обладают большим внутренним сопротивлением, вследствие чего дают меньшую силу тока во внешней цепи. Однако они обладают более постоянными характеристиками. К тому же типу фотоэлементов с запирающим слоем относятся и меднозакисные (запирающий слой — закись меди), серносеребряные (запирающий слой — сернистое серебро) и серноталлиевые (запирающий слой — сернистый таллий). Первый из названных фотоэлементов не выдерживает сравнения с селеновым ввиду большой чувствительности к изменениям температуры и малой интегральной чувстви- [c.120]

Эксперименты, которые имеют большое значение для практики, касаются измерения электропроводности стекол при низких температурах, например при тем-гературах ниже ilOO° , в поле высокого напряжения порядка ll 10 в. Куитнер показал, что даже в этих условиях имеется лишь строго электролитическая проводимость, а не электронный перенос, как предполагал Пул . . Этот автор допускал определенные отклонения от закона Ома в полях высокого напряжения. Он нашел связь между силой тока I и напряжением поля X в виде 1=аХе . Согласно Килу , эти отклонения обусловливаются главным образом химически измененными слоями с большим анодным сопротивлением. Кил подтвердил применимость уравнения I=AV в случае полей с напряжением до 10 в. В приведенном уравнении N равно ] при 22°С и 1,4 — при повыщенных температурах. Выше 10 в с увеличением температуры появляются аномалии. [c.887]

Методу термического высвечивания аналогичен также метод изучения зависимости силы тока от температуры в процессе нагревания исследуемого образца [134, 175—178]. Вместо пиков термовысвечивания или термообесцвечивания в этом случае получаются максимумы тока, которые, как и первые, также обусловлены Высвобождением электронов из центров захвата. [c.75]

Даттон и Маурер [134] исследовали термическое высзечивание кристаллов КС и КВг, рентгенизованных при низкой температуре. Одновременно ими проводились также измерения зависимости силы тока от температуры в этих кристаллах и изменение их спектров поглощения во время нагревания. В случае КС1 авторы обнаружили два основных пика для силы тока при—145°С и—68°С, т. е. при тех же температурах, при которых наблюдаются максимумы пиков термовысвечивания. Они полагают, что первый пик обусловлен освобождением положительных дырок из V,-центров и их рекомбинацией с электронами, локализованными в f-центрах, а второй пик вызван освобождением электронов из / -центров и их рекомбинацией с локализованными дырками, т. е. в обшем свечение приписывается рекомбинации электронов и положительных дырок. [c.140]

Оч надежд на техническое использование высоковольтных аккумуля-( торов с малыми габаритами. Однако оно привело к ряду важных открытий и изобретений, в частности к открытию нового весьма ценного изолирующего материала — стирола. Изучение пробоя твердых диэлектриков при сравнительно высоких температурах (Н. Н. Семенов, А. Ф. Вальтер) привело далее к созданию теории теплового пробоя их (В. А. Фок, Н. Н. Семенов) вследствие разогрева под влиянием прохождения электрического тока и возрастания электропроводности, т. е. силы тока за счет этого разогрева. Абрам Федорович показал, однако, что при обычных и низких температурах пробой осуществляется другим механизмом электронного характера. [c.17]