Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Индуцированные переходы

    Почему для индуцирования переходов между зеемановскими энергетическими уровнями осциллирующий вектор радиочастотного поля должен быть перпендикулярен направлению постоянного магнитного поля  [c.85]

    В классическом приближении это просто означает взаимодействие прецессирующих с ларморовской частотой около направления постоянного поля магнитных моментов электронов с поляризованными по кругу колебаниями магнитной компоненты высокочастотного поля, происходящими с частотой, равной ларморовской. При этом обе группы спинов, различающиеся направлениями прецессий, будут взаимодействовать с линейно поляризованным высокочастотным полем, так как последнее представляет собой сумму двух противоположно поляризованных круговых колебаний. Именно это взаимодействие вызывает индуцированные переходы спинов между уровнями. [c.10]


    В соответствии с правилами отбора Ат5 = 1 и А/П = 0 возможны два индуцированных перехода  [c.59]

    Следует заметить, что хотя сами квадрупольные энергетические уровни обусловлены взаимодействием электрического квадрупольного момента ядра с неоднородным электрическим полем, индуцированные переходы между ними связаны с взаимодействием магнитного момента ядра с переменным (радиочастотным) магнитным полем, так как энергия взаимодействия квадрупольного момента с электрическим полем в 10 раз меньше энергии магнитного дипольного взаимодействия. [c.97]

    Л п + рб J, где Атп и Л — вероятности спонтанных самопроизвольных переходов, и Вп — вероятности индуцированных переходов, Л т и — заселенности двух состояний. Согласно закону распределения Больцмана, = общему принципу квантовой механики Впт — тп  [c.434]

    Выше было сделано предположение, согласно которому время, необходимое для выстраивания спинов в магнитном поле или для нарушения их ориентации при снятии поля, мало. Эти быстрые процессы называются процессами релаксации и характеризуются временем релаксации, определенным в разд. 10.2. Релаксация ядерных спинов определяется двумя различными процессами. В процессе спин-решеточной релаксации (время релаксации Т,) избыточная спиновая энергия превращается в тепловую энергию решетки. Под решеткой понимается окружение спинов. Колебательные, вращательные и поступательные движения атомов и молекул решетки вызывают появление флуктуирующего магнитного поля на ядре или неспаренном электроне. Это поле, обусловленное магнитными моментами ближайших атомов и молекул, имеет компоненты с частотой, необходимой для индуцирования переходов между состояниями аир. Величина Тг может быть определена в эксперименте со спиновой системой, выведенной из равновесного состояния действием внешнего электромагнитного поля, путем снятия поля и измерения времени, за которое отклонение заселенности уровней от их равновесных значений уменьшается в е раз. Значение Т1 изменяется от 10 до 10 с для твердых тел и от 10-- до 10 с для жидкостей. [c.503]

    Возникновение ОИ связано с движением электрически заряженных частиц (электроны, атомы, ионы, молекулы). Дискретные спонтанные или индуцированные переходы носителей зарядов с более высоких на более низкие уровни энергии сопровождаются испусканием световых квантов (фотонов) с энергией, равной разности энергий этих уровней. Энергия фотона Е = км, где к = 6,626 Ю" Дж с - постоянная Планка v - частота излучения, Гц. [c.486]


    Индуцирование переходов происходит наиболее эффективно, если направление переменного магнитного поля перпендикулярно постоянному полю, и переходы не происходят, если направление переменного поля параллельно направлению постоянного поля. Причина такого поведения становится ясной, если про  [c.14]

    Вероятность индуцированного перехода между уровнями с собственными функциями иг г пропорциональна величине [c.96]

    Здесь A k И Bnk — вероятности спонтанных и индуцированных переходов, Р i nh) — плотность излучения, отнесенная к единичному интервалу частот. Подставляя из (10.5), получаем [c.260]

    Если индуцированные переходы не играют существенной роли, то выражение (10.7) можно соответственно изменить, отбросив второе слагаемое в скобках. Тогда [c.260]

    Пусть теперь на образец действуют электромагнитные колебания, частота которых соответствует резонансным условиям для спинов 1. В результате будут происходить переходы этих спинов с нижних уровней на верхние до тех пор, пока все зеемановские уровни в системе 81 не будут заселены равномерно ). При этом система 1 1 достигнет насыщения и больше не сможет поглощать СВЧ-мощность. В терминах квантовой механики это означает, что эйнштейновский коэффициент индуцированных переходов одинаков для излучения и поглощения у каждой пары уровней. В терминах термодинамики это означает, что система спинов 51 находится при бесконечной температуре (01 = оо). Для спонтанного излучения в области СВЧ коэффициент Эйнштейна пренебрежимо мал. [c.377]

    Коэффициенты Эйнштейна для индуцированных светом переходов, скорость индуцированных переходов. Связь между вероятностью перехода атома с одного уровня на другой с плотностью излучения и характеристиками атомного перехода была установлена А. Эйнштейном в 1917 году. Далее этот вопрос мы излагаем в соответствии с [21, 23, 25]. [c.391]

    В формулах (35.3), (35.4) подразумевается, что на атом не падает излучение, которое он способен поглощать. Если интенсивность падающего на атом излучения достаточно велика, то при вычислении формы линии надо учитывать поглощение и вынужденное излучение. В этом случае, например, время жизни атома в основном состоянии конечно (оно определяется поглощением). Надо отметить, что уширение линии, связанное с индуцированными переходами, в общем случае не определяется простой дисперсионной формулой (35.3). Например, в сильном монохроматическом поле [c.454]

    Следует отметить, что наличие энергетических уровней квадрупольного взаимодействия обусловлено взаимодействием неоднородного электрического поля с электрическим квадрупольным моментом ядра, но индуцированные переходы связаны с взаимодействием магнитного момента (х ядра с магнитным вектором радиочастотного поля. Энергия взаимодействия электрического квадрупольного момента с электрической компонентой электромагнитной волны в 101 раз меньше энергии магнитного дипольного взаимодействия. [c.12]

    Линейная зависимость от интенсивности выполняется лишь при малых значениях I, когда концентрация возбужденных атомов С мала но сравнению с концентрацией тех же атомов, находящихся в нормальном состоянии С . По мере роста I увеличивается С по отношению к Со- При этом растет роль индуцированных переходов. В пределе, когда [c.45]

    Мы видим, что она пе зависит от индивидуальных свойств атома и очень сильно возрастает с уменьшением К. Разумеется, нри наличии тушения она также растет. Это следует из того, что в условиях насыщения число актов распада возбужденного состояния в результате индуцированных переходов должно превалировать над числом актов распада, обусловленных спонтанным излучением, тушением и другими причинами (рис. 2). В условиях насыщения среда практически прозрачна для возбуждающего света. Общее число фотонов флуоресценции ТУ, излучаемых единицей объема в секунду, в этих условиях определяется выражением  [c.45]

    Получение когерентного, узконаправленного и монохроматического излучения стало возможным только с открытием и использованием свойств так называемых стимулированных или индуцированных переходов. Сущность этих переходов заключается в следующем. [c.72]

    В-четвертых, в спектрах могут наблюдаться индуцированные переходы при наличии сильных электрических и магнитных полей. Роль такого поля может играть поле межмолекулярных взаимодействий в конденсированном состоянии. Поэтому в жидкостях часто наблюдаются полосы, запрещенные в парах. В этом случае запрет по симметрии снимается вследствие искажения электронной оболочки молекулы внешним полем. [c.32]

    Необходимо отметить также, что под воздействием внешних электрических и магнитных полей, в частности, возникающих в результате межмолекулярных взаимодействий, возможны так называемые индуцированные переходы. Эти переходы дают, например, слабые полосы в спектрах жидкостей, которые не наблюдаются в парах, что связано с частичным снятием запрета по симметрии из-за искажения электронной оболочки молекул в конденсированной фазе. [c.319]

    Полную вероятность (в секунду) для индуцированного перехода теперь можно получить путем интегрирования формулы (23) по всем длинам волн. Если используется источник непрерывного спектра, а результирующая спектральная плотность падающего излучения постоянна во всем диапазоне длин волн, в котором атом может поглощать, то полная вероятность [c.163]


    В ЭТОЙ частной модели эффект влияния отличных от нуля корреляций (7 С сх>) увеличивает то значение интенсивности шума, которого необходимо достичь для индуцирования перехода. [c.271]

    Для того чтобы случайное возмущение 3 i(t) вызывало переходы между состояниями системы, важен не весь шум , а лишь его компоненты на частотах индуцированных переходов. Это значит, что для релаксации в спиновой системе важна не функция корреляции G(t), а ее Фурье-компонента на частоте со  [c.78]

    Чаще всего плотности излучения настолько малы, что число вынужденных актов испускания мало по сравнению с количеством спонтанно испущенных фотонов. Этим объясняется то, что индуцированное излучение так долго не было обнаружено, а, тем более — использовано. По мере роста плотности излучения роль индуцированных переходов возрастает и их число начинает превы- [c.16]

    Для характеристики излучательных индуцированных переходов при рассмотрении основных свойств ОКГ удобнее пользоваться не вероятностью, [c.17]

    Еще в 1917 г. А.Эйнштейн выдвинул гипотезу о существовании не только спонтанных, но и вынужденных (стимулированных или индуцированных) переходов в атомах, сопровождающихся излучением. Попытка обнаружения стимулированного излучения в газовом разряде была предпринята Р.Ландебурном в 30-е годы, а в 1М0 г. В.А.Фабрикант сформулировал необходимые для этого условия. После второй мировой войны многие физики вернулись в лзбор атории, привнеся в работу опыт, полученный с радиолокационной техникой СВЧ. Одним из таких физиков, занявшихся СВЧ-спектроскопией, — как пишет Дж. Пирс [7], — был Чарльз Таунс. .. В 1951 г., сидя на парковой скамейке в Вашингтоне перед деловой встречей, Таунс впервые представил себе принцип, на котором сейчас базируется действие лазера . В 1954 г., почти одновременно, Н.Г. Басовым и А.М. Прохоровым в СССР (в Физическом институте им. П.Н. Лебедева) и Ч. Таунсом с сотрудниками в США (в Колумбийском университете) был создан первый молекулярный генератор на аммиаке, излучающий радиоволны с длиной волны около 1 см. Эта работа была отмечена Нобелевской премией. В 1960 г. Т. Мейман (фирма Хьюз , США) создал первый в мире рубиновый оптический квантовый генератор. Дальнейшее развитие квантовой электроники и нелинейной оптики — результат работы многих отечественных и зарубежных ученых [8]. [c.96]

    Если через такую систему ориентированных спинов пропускать радиоизлучение с частотой, удовлетворяющей условию резонанса hv = glilf о> происходят индуцированные переходы с одного уровня на другой .  [c.22]

    Наличие электронного спина и связанного с ним магнитного момента lie обусловливает возможность снятия вырождения спиновых состояний внешним магнитным полем и индуцирования переходов между ними. Эти переходы происходят с поглощением энергии электромагнитного излучения в микроволновой (30...2 мм) области (СВЧ диапазон 9...35 ГГц интервал значений индукции постоянного магнитного поля 0,34—1,25 Т), что и называют электронным парамагнитным резонансом. В зарубежной литературе используется термин электронный спиновый резонанс (ESR), однако в рассматриваемом методе радиоспектроскопии состояния из-за спинорбитальной связи не являются чисто спиновыми, поэтому более адекватно название ЭПР или даже парамагнитный резонанс. [c.54]

    Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) [199—203] обусловлен индуцированными переходами между зеемановски-ми уровнями энергии парамагнитной частицы (электрона, атома или молекулы), находящейся во внешнем постоянном магнитном поле. Атом или молекула, несущие неспаренный электрон, имеют магнитный момент р, в том случае, если отличен от нуля их угловой момент I, который складывается из собственного углового момента электрона (спина) 5 и орбиталь- [c.278]

    Обнаружение индуцированных переходов между ядер-ныт магнитными уровнями с помощью облучения пере- менньга магнитным полем называется ядерным магнитным резонансом. Его впервые наблюдали Пурселл и Блох в 1946 г. Этим ученым в 1952 г. была присуждена Нобелевская премия в области физики. [c.13]

    Снектр раствора в общем соответствует спектру, ожидаемому по аналогии со спектром перехода Вги —> - 18 при 2600 А самого бензола. Наблюдаемые полосы имеют главным образом ложные начала, соответствующие переходам на подуровни неполносимметричных колебаний верхнего состояния с частотами 271, 382, 407 и 1355 см . Спектры кристалла в поляризованном свете удобнее всего измерять при направлении электрического вектора вдоль оси Ь и вдоль другого направления, перпендикулярного первому в плоскости Ьс, а именно вдоль направления с. Поглощение вдоль оси Ь соответствует поглощению только в плоскости молекулы, а поглощение вдоль оси с содержит компоненты поглощения как в плоскости, так и вне плоскости в отношении 3 97. Ложные начала полос для вышеприведенных частот появляются, как и следовало ожидать, в спектре высокотемпературной формы, поляризованном вдоль оси Ь, с интенсивностью, превышающей приблизительно в 30 раз интенсивность спектра, поляризованного вдоль направления с [82]. Ясно также, что полоса перехода О—О, запрещенного правилами отбора для электронных спектров, и полосы в начинающихся с нее прогрессиях появляются в спектре кристалла с гораздо меньшим поля-зизационным отношением за счет усиления спектра поглощения вдоль оси Ь. 1о оценке Вольфа [102], в начале электронной полосы поглощение вдоль оси Ь только в 10 раз сильнее, чем поглощение вдоль направления с. Данн и др. в работе, проведенной при 4° К с высокотемпературной формой, подтвердили, что полоса 0—0 гораздо сильнее в поглощении вдоль оси Ь, чем с. Они указывают, что к различным поляризационным отношениям наблюдаемых типов могло привести искажение плоского строения молекулы в верхнем состоянии, дающее разные распределения интенсивности чисто электронного и колебательно индуцированного переходов вдоль осей, лежащих в плоскости. [c.560]

    Под действием электрического поля в молекуле водорода может быть индуцирован переход, вызывающий ноявление полосы поглощения в инфракрасном спектре. В отсутствие электрическо- [c.487]

    Имеются два других способа формулировки проблемы скоростей реакции, которые полезней для некоторых целей. На практике получить точные собственные функции для системы из п тел, когда п больше 2, невозможно по той причине, что уравнения движения не разделяются. Их можно, однако, вычислить приближенно, рассчитывая сначала собственные функции для приближенного уравнения Шредингера, которое разделяется, и рассматривая потом члены, которыми пришлось пренебречь для того, чтобы произвести разделение переменных, как возмущение для этих приближенных решений. Тогда находят, что плотность систем, соответствующая какому-либо невозмущенному уровню, является периодической функцией времени. Возмущение вызывает переходы с одного приближенного уровня на другой, Для мономолекулярных разложений приближенными уровнями будут уровни молекулы, подвергающейся разложению. Продолжительность жизни богатой энергией молекулы определяется вероятностью индуцированных переходов на непрерывные уровни (соответствующие диссоциацин). Розен [72] применил этот метод для р1асчета средней про- [c.414]

    В докладе сообщаются результаты весьма общего теоретического рассмотрения условий самовозбуждения и к.п.д. для гипотетического генератора, работающего на газовой реакции и переходе между электронно-воз-бужденными уровнями. Вывод проведен в терминах химической кинетики цепных реакций. Рассмотренная система изображена на рисунке. Здесь X, X — продукты в состояниях, между которыми происходит индуцированный переход А н —константа скорости процесса возбуждения в см 1сек Ье—константа скорости процесса индуцированного излучения а — суммарная константа скорости спонтанного излучения и потери возбуждения при соударениях X с другими частицами или со стенкой с превращением X в Х W — скорости образования продуктов X и X ( ,= 1 4-117 ) кх—суммарная константа скорости превращения X не в X, а в другие продукты — суммарная констам- [c.297]

    В спектре испускания некоторых систем окиси азота не обнаруживаются линии с V больше определенного значения. Резкий обрыв излучения при достижении определенного значения и, вероятно, соответствует началу предиссоциации, хотя возможны и другие объяснения этого явления. Основное состояние N0 — дублетное (имеется один неспаренный электрон), поэтому и возбужденные состояния, образовавшиеся в результате прямого поглощения, будут дублетными. Известны также возбужденные квадруплетные состояния (три неспаренных электрона). Они имеют более низкую энергию, чем возбужденные дублетные состояния, при одинаковых электронных распределениях. В отсутствие внешних полей возмущения, которые приводили бы к переходам из дублетных в квадруплетные состояния, должны быть очень слабыми для молекул, состоящих из таких легких атомов, как азот и кислород. Таким образом, столкновения могут быть эффективными в индуцировании переходов, тем более, что молекула окиси азота парамагнитна. Несомненный интерес могло бы представить подробное изучение влияния давления на- уменьшение флуоресценции при больших значениях и в некоторых системах полос окиси азота. [c.39]

    С рассматриваемой точки зрения суть радиационного индуцирования перехода состоит в том, что за счет запасенной энергии Ьигне-ра внутренняя энергия кристалла ВаТЮ возрастает до критического для тетрагональной фазы значения, после чего кристалл спонтанно, как и при обычном нагревании, переходит в кубическую фазу за счет тепла окружающей среды. [c.72]

    В наибольшей степени активированные кристаллы раскрыли свои свойства после того, как Джонсон и Нассау вскоре создали ОКГ на основе aWOi — Nd +, излучающий при комнатной температ/ре в области 1 мкм с чрезвычайно низким порогом возбуждения [17]. Последнее обусловливалось тем, что конечный для индуцированного перехода уровень иона Nd + расположен примерно на 2000 над основным и при рабочей темпера- [c.9]

    Методы спектроскопии стимулированного излучения, базирующиеся на использовании принципов, заложенных в работе ОКГ перечисленных выше типов, помогают решать одну из основных задач квантовой электроники, а именно — расширение списка частот, на которых по.тучена генерация и освоение новых спектральных диапазонов. Высокотемпературные методы спектроскопии стимулированного излучения [23, 32] позволяют анализировать поведение индуцированных переходов в широком интервале температур, что особенно важно для исследования электрон-фопонного взаимодействия в активированных кристаллах. Первые обнадеживающие исследования в этом плане уже проведены с кристаллами ЬаГд и зА15012, активированными ионами N(1 + [37, 38]. [c.13]

    Примесный ион, введенный в кристаллическую матрицу, обладает характерной только для него системой дискретных (штарковских) энергетических уровней, являющейся своеобразным мостом, который обеспечивает физическую связь протекающих в активированной среде разнообразных квантовых процессов с полем излучения. В основе этой связи лежат энергетические переходы между отдельными уровнями активатора, которые и обусловливают поглощение или излучение средой электромагнитной энергии. В своей знаменитой работе Эйнштейн [1] с термодинамических позиций постулировал существование следующих элементарных процессов в квантовой системе с дискретным спектром состояний спонтанное излучение, индуцированное или стимулированное поглощение и излучение. Последние два процесса возможны только при наличии надаюп ,его на вещество электромагнитного излучения. В связи с тем, что все переходы между энергетическими уровнями системы являются случайными, Эйнштейн ввел три коэффициента, которые характеризуют вероятность их возникновения в единицу времени, а именно вероятность спонтанного перехода Ал и вероятности индуцированных переходов в поглощении Bji U vji) и излучении Здесь U vji) — плотность энергии излучения на часто1е [c.16]


Смотреть страницы где упоминается термин Индуцированные переходы: [c.343]    [c.294]    [c.440]    [c.62]    [c.12]    [c.65]    [c.263]    [c.222]    [c.215]   
Ядерный магнитный резонанс в органической химии (1974) -- [ c.12 ]

Химия несовершенных ионных кристаллов (1975) -- [ c.220 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Высокотемпературные индуцированные переходы ионов

Динамика переходов, индуцированных шумом

Индуцированное

Переходы индуцированные шумом

Переходы, индуцируемые светом

Реакции индуцированные перехода

Сдвиг перехода, индуцированный шумом

Спиновый переход, индуцированный

Фазовый переход индуцированный механическим

Химические изменения, индуцируемые процессами изомерного перехода Нефедов, Е, Н, Синотова, А. С. Кривохатскт Основные свойства и методы получения ядерных изомеров



© 2024 chem21.info Реклама на сайте