Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Смещение атома

    Если решено вековое уравнение и найдены частоты, может быть решена система дифференциальных уравнений с целью получения выран ений для относительного смещения атомов как функции времени и набора частот.. В общем слз чае эти выражения очень сложны в соответствии сс сложностью движения отдельных атомов. [c.297]

    Торпе и Юнг [531 первыми предложили теорию прямой молекулярной перегруппировки, т. е. первичного разрыва углеводородной цепи, сопровождающегося одновременным смещением атомов водорода с образованием олефииа и предельного углеводорода с меньшим числом атомов углерода или молекулы водорода. Согласно представлениям Габера [15] этот первичный разрыв должен происходить по месту крайней связи С—С с обязательным образованием метана. Одиако последующие работы показали, что разрыв углеводородной цени может произойти в любом положении и что общая реакция представляет собой сумму таких различных расщеплений. [c.7]


    Простая модель металлической связи, основанная на представлении об электронном газе , согласуется также с двумя другими характерными свойствами металлов их ковкостью и пластичностью. Ковкое вещество легко поддается расплющиванию молотом в тонкие листы пластичное вещество можно вытягивать в тонкую проволоку. Для того чтобы такая обработка металлов с изменением формы происходила без разрущения, атомные плоскости кристалла должны легко скользить одна по другой. Такое смещение атомов не вызывает появления больших сил отталкивания в металлах, потому что подвижный электронный газ постоянно смягчает перемещение положительных ионов, экранируя их друг от друга. Совсем [c.624]

    Следует напомнить, что эти превращения осуществляются при очень малом смещении атомов углерода по отношению к их начальному положению этим подразумевается, что можно достичь графитного упорядочения только в том случае, если оно будет приблизительно реализовано до затвердевания в жидкой анизотропной фазе. [c.125]

    Рассмотрим пример, когда в реакции происходит разрыв и образование нескольких связей (назовем их реагирующими связями). Предположим, что заместитель связан с атомом, который принадлежит реагирующим связям. Ниже изображена схема смещений атомов в системе А...В...С, соответствующей реакции замещения А + ВС АВ + С (деформационные колебания здесь не рассматриваются)  [c.29]

    При атомной поляризации (рис. 23, б) происходят смещения атомов в молекулах друг относительно друга. Это возможно потому, что образование молекул обычно сопровождается перераспределением электронов между атомами, из которых построены молекулы. В результате перехода электронов от одних атомов к другим одна часть атомов оказывается заряженной относительно нейтрального состояния в изолированном виде более положительно, а другая часть — более отрицательно. Продолжительность установления атомной поляризации составляет 10 "—10 с. [c.131]

    Молекулы сложных веществ построены из атомов различных типов, и эти атомы сдвигают свои электроны несимметрично. Такое смещение происходит. в сторону атомов с более сильными связями. Таким образом, атомы могут приобретать заряды противоположной полярности, и внешнее электрическое поле, действуя на эти заряды, будет стремиться к нарушению состояния равновесия этих атомов. Такое смещение атомов или групп атомов относительно друг друга носит название атомной поляризации. [c.43]

    Смещение атомов в кристаллической решетке вследствие термической активации [c.137]


    Она характеризует нарушения периодичности пространственного расположения атомов углеродных материалов, микроискажения, дефектность структуры. Величина среднеквадратичных смещений атомов определяется либо тонким исследованием профилей различных дифракционных отражений [ 1-3 J, либо привлечением функции радиального распределения атомной плотности (р.р.а) [ 4 ].  [c.96]

    Проникая в твердое вещество, излучение в зависимости от величины его энергии может затрагивать только валентные электроны, всю электронную оболочку атомов или же, при достаточно высокой энергии, и атомные ядра. В последнем случае оно производит не только возбуждение электронов, ионизацию, но и смещение атомов данного вещества из их нормальных положений. Зто относится как к электромагнитному излучению (видимому свету, ультрафиолетовым и рентгеновским лучам, 7-излучению), так и к потокам частиц (электронов, ионов, например, протонов или а-частиц и др.). При этом энергия излучения трансформируется частично в тепловую, вибрационную энергию твердого вещества, которая передается соприкасающимся с ним веществам, а частично в электромагнитное излучение сниженной частоты по сравнению с частотой поглощенной лучистой энергии. Местные изменения структуры твердого вещества, возникающие при его взаимодействии с излучением высоких энергий, принято называть радиационными дефектами. Радиационные дефекты, равномерно распределенные по всему сечению луча, проникающего в твердое вещество, создаются фотонами, электронами, а-частицами и т. д. [c.121]

    Смещение атомов под действием электронов, в том числе вторичных, образующееся при облучении вещества рентгеновскими лучами и у-квантами, вычисляется по формуле [c.142]

Рис. 18.4. Примеры колебательного и вращательного движения молекул воды. Колебательные движения происходят в результате периодического смещения атомов относительно друг друга это явление сходно с колебаниями ножек камертона. Вращательные движения происходят в результате веретенообразного вращения молекулы вокруг некоторой оси. Рис. 18.4. Примеры колебательного и <a href="/info/462982">вращательного движения молекул</a> воды. <a href="/info/12255">Колебательные движения</a> происходят в результате периодического смещения атомов <a href="/info/1623378">относительно друг друга</a> это явление сходно с колебаниями ножек камертона. <a href="/info/50431">Вращательные движения</a> происходят в результате веретенообразного <a href="/info/3617">вращения молекулы</a> вокруг некоторой оси.
    Все молекулы могут быть разделены на два типа полярные и неполярные. Однако, если даже неполярная молекула помещена во внешнее электрическое поле или в электрическое поле соседней полярной молекулы или иона, то легко подвижные электроны претерпевают некоторое смещение, в результате чего появляется наведенный или индуцированный дипольный момент. Смещение в электрическом поле претерпевают и атомы, входящие в состав молекул. Полярные молекулы ориентируются в электрическом поле и в них также происходит смещение атомов и электронов. [c.82]

    Различают несколько видов поляризации. Электронная поляризация а,л обусловлена смещением в поле электронных орбиталей относительно атомных ядер атомная поляризация а т — смещением атомов разного типа в молекулах ориентационная поляризация а р — стремление молекулы ориентировать свой постоянный диполь в направлении силовых линий поля  [c.252]

    На рис. VI.12 изображена Рис. VI. 12. Смещение атомов в двух атом- МОДель ДВухатомнОЙ МОЛекуЛЫ ной молекуле относительно положения с равновесным расстоянием равновесия г между ядрами г . В нижней [c.224]

    В дифракционном структурном анализе принято разделять всевозможные искажения кристаллической структуры на две группы искажений динамические и статические. Искажения правильной периодической структуры, обусловленные тепловыми колебаниями атомов, называют динамическими, а искажения, связанные со статическими смещениями атомов из узлов средней решетки (нанример, нри образовании твердых растворов, выделении новых фаз, образовании дислокаций и т. п.) называют статическими. [c.99]

    Выражение для интенсивности дифракционного спектра кристалла с динамическими искажениями аналогично выражению (У.б), в котором усреднение проведено по всем возможным конфигурациям смещений атомов из положений равновесия и -  [c.101]

    О и с ростом величины среднеквадратичных смещений атомов из положения равновесия. Он описывает диффузный фон на рентгенограммах, обусловленный независимыми тепловыми колебаниями атомов. [c.102]

    Для вычисления величины среднеквадратичного смещения атомов в кристалле и) необходимо знание спектра колебаний, т. е. фононного спектра кристалла. Вычисление фононного спектра кристалла проводилось как в приближении теории решетки (Борн и фон Карман), так и с помощью теории континуума, в которой кристалл рассматривается как сплошное твердое тело (Дебай) [см., например, 5]. [c.103]


    Расчет величины среднеквадратичных смещений атомов в кристалле, проведенный в дебаевском приближении, показал, что [c.103]

    Для расчета дифракционных эффектов в стареющих сплавах обычно используют два теоретических подхода. В одном из этих подходов рассматривав т рассеяние рентгеновских лучей на отдельном нарушении, а затем рассчитывают интерференционную картину, обусловленную вторичными волнами, идущими от этих нарушений, и производят усреднение по всем конфигурациям распределений нарушений по кристаллу матрицы. В другом подходе кристалл снлава рассматривается как периодическая структура, состоящая из средних атомов, образующих кристаллическую решетку. В такой модели все возможные нарушения правильной периодичности описываются с помощью флуктуационной волны, искажающей правильную кристаллическую решетку среднего сплава. Такая флуктуационная волна может описывать либо изменение концентрации сплава, либо распределение статических смещений атомов, либо то и другое одновременно. В этом случае периодиче- [c.105]

    Прочность металлов в среднем на два порядка меньше теоретической прочности бездефектного кристалла сТтеор (сгтеор 0,1 Е). Такое различие обусловлено тем, что термодинамически вероятно наличие в металле достаточно высокой плотности дефектов кристаллического строения еще до деформации. Пластичность - как свойство подвергаться остаточному формоизменению - реализуется при деформации путем скольжения (трансляционного и зернограничного) и двойникования структурных элементов. Причем процесс скольжения не является результатом одновременного смещения атомов соседей. Процесс скольжения осуществляется путем последовательного смещения отдельных групп атомов в областях с искаженной решеткой. Нарушение кристаллической ре-ше йси означает, что их атомы выведены из положения минимума потенциальной энергии. Поэтому для их смещения требуется меньше энергии и напряжения. Наиболее распространенными дефектами кристаллической решетки являются линейные дефекты - дислокации (винтовые и краевые). Под действием приложенных напряжений про- [c.77]

    Изучение колебател1)Ных спектров дает значения силовых постоянных /г, характеризуюииьх силу /, которая возникает при смещении атомов из равновесного положения иа расстояние Д/- / = —ЬАг. Силовая постожшая является важной характеристикой химической связи, она возрастает с увеличением интенсивности взаимодействия атомов. [c.65]

    Особо интересный случай представляют тощие угли и антрациты. Геологический метаморфизм сопровождался такими преобразованиями, которые немного напоминают организацию графитизирован-ного полукокса, углеродные плоскости которого почти перпендикулярны к направлению давления. Углерод образуется в виде негра-фитизированного, но при температуре ниже 1800° С быстро графи-тируется. Можно предположить, что напластование почти в твердом состоянии, образованное в течение геологических эпох, дало ароматическим звеньям угля ориентацию такого же характера, как и ориентация, образованная в жидкой анизотропной фазе, но, однако, менее хорошо организованную. Смещение атомов углерода для входа в графитную сетку бывает тогда большим и происходит только при высокой температуре. [c.125]

    По данным р.р.а. рассчитывались среднеквадратичные смещения атомов, межатомные расстояния для сернистого и малосернистого коксов, прокаленных в печи Таммана при 1100-1500°С (рис.4). Микродеформации в структуре малосернистого кокса остаются почти на одном уровне, для сернистого кокса их резкое изменение наблюдается уже с.1100°С. Максимум микродеформаций наблюдается при 1200-1300°С. Впервые показано, что изменения в тонкой структуре сернистого кокса происходят уже в период, предшествующий десульфуризации и, вероятно, связаны с разрывом и образованием новых связей и перемещением атомов серы внутри решетки. Установленный факт подтверждает диффузионный механизм термообессеривания накоплением паров серы в замкнутых порах с последующим разрушением стенок пор и выбросом серы за пределы коксовой малрицы. [c.118]

    Представление об ячеистой, или мозаичной, поверхности базируется на современных представлениях о строении кристаллов. Еще в 1914 г. было показано и подтверждено дальнейшими работами, что кристаллы представляют мозаику из блоков с линейными размерами в Ю- —10 см. Следствием объемной мозаики является представление и о поверхностной мозаике, примерно с теми же размерами. Рельеф поверхности катализатора или кристалла показан на рис. 32, где приведены энергетические (о) и геометрические (б) барьеры и энергетические ямы (в). Таким образом, предположение Н. И. Кобозева о наличии замкнутых областей миграции атомов является реальным фактом. Любая энергетическая или геометрическая неоднородность поверхности приводит к ограничению латеральных смещений атомов и препятствует скучиванию их в крупные arpe- [c.145]

    Даже при таких малых деформациях кажущийся модуль Юнга зависит от скорости деформирования. Это указывает, что Е неоднозначно определяется энергией упругого деформирования угловых связей в цепях, длиной связей и межмолеку-лярными расстояниями, но, кроме этого, характеризуется чувствительностью ко времени смещений атомов и небольших атомных групп. В следующей области деформации (1—5%) напряжение и деформация уже не пропорциональны друг другу. Здесь происходят структурные и конформационные перестройки, которые обратимы механически, но не термодинамически. В этом случае говорят о неупругом (вязкоупругом в узком смысле), или параупругом, поведении. За пределом вынужденной эластичности начинается сильная переориентация цепей и ламеллярных кристаллов, а сам процесс обычно носит название пластическое деформирование . Под чисто пластическим деформированием можно понимать переход от одного равновесного состояния к другому без внутренних напряжений. Последнее особенно важно в связи с тем, что следующая после предела вынужденной эластичности деформация связана главным образом с механически обратимыми неупругими конфор-мационными изменениями молекул, а не с их перемещением друг за другом. До тех пор пока не достигнуто состояние равновесия с помощью соответствующей термообработки, сильно вытянутые образцы могут в значительной степени возвращаться в исходное состояние после снятия напряжения. Исходя из содержания настоящей книги, основное внимание следует уделять не процессам, вызывающим или сопровождающим молекулярную переориентацию (которая в основном понимается как эффект упрочнения), а процессам повреждения, т. е. разрыва цепи, образования пустот и течения. Последние процессы постепенно нарастают в области деформаций сразу же за пределом вынужденной эластичности вплоть до окончательного разрушения. К числу процессов, вызывающих повреждения, следует также отнести явление вынужденной эластичности при растяжении или образование трещины серебра в стеклообразных полимерах, которые будут рассмотрены в гл. 9. [c.38]

    Наиболее полно тонкая структура характеризуется рентгенострук-турным методом. Более чувствительным к структурным превращениям параметром является величина среднеквадратичных смещений атомов. [c.96]

    По максимумам кривой р.р.а возможна оценка среднеквадратичных смещений атомов ( Ai f ), количества углерода, упорядоченного в кристаллиты (С%), межатомных расстояний в различных коощцша-ционных сферах ( 2 ). У аморфных и турбостратннхс материалов 96 [c.96]

    Волны заряженных частиц, более тяжелых, чем электроны, а именно ионов высоких энергий — протонов, дейтронов, а-частиц, мезоБОв и др., по мере их проникновения в глубь вещества и торможения в нем производят различное де11 твие. В начале своего пути они, главным образом, ионизируют вещество, затем, потеряв часть своей энергии, вступают во взаимодействие с атомными остовами и смещают их, пока энергия частиц не снижается ниже уровня определяемого выражением (1Х.2), и они не заканчивают свой путь, произведя смещение атомов в некотором объеме вещества радиусом 10 см. Такое действие излучения представляет собой локальное, т. е. местное расплавление твердого вещества. Нейтроны, не взаимодействующие с электронами, почти всю свою энергию растрачивают на смещение атомов, которые на своем пути, в свою очередь, производят ионизацию. Осколки ядер при их делении внутри твердого вещества производят в нем смещение десятков тысяч атомов и тем самым местную ионизацию. [c.142]

    Атомы в комплексе соверщают колебания по различным направлениям, но, как сказано, существенны колебания вдоль линии валентных связей (это направление колебаний называют координатой реакции). Можно рассмотреть относительное смещение атомов, представив, что первый и третий атом неподвижны, а второй приближается то к первому, то к третьему. В конце одного колебания при сближении атомов Вг и Н комплекс распадается. Время жизни комплекса обратно пропорционально частоте колебаний V. В течение этого времени комплекс находится в квазистационарном равновесии с исходными частицами. Рассмотрим такое равновесие в общем виде А + В 5 Х+, где А и В — исходные частицы Х+ — активированный комплекс. [c.239]

    Проведенные выше расчеты базировались на допущении о независимости тепловых колебаний атомов в кристалле, что в действительности несправедливо. Тепловые колебания атомов в кристалле зависят друг от друга и их смещения и - и и - связаны между собой. Поэтому при усреднении выражения (У.6) для расчета интенсивности дифракционного спектра искаженного кристалла нельзя использовать условие ищи и = 0. Тепловые колебания атомов в кристалле представляют собой спектр упругих стоячих волн, и амплитуды смещений атомов и иуп связаны между собой, т. е. среднее по времени значение, величины ищпун =/= 0. [c.102]


Смотреть страницы где упоминается термин Смещение атома: [c.538]    [c.102]    [c.153]    [c.13]    [c.5]    [c.6]    [c.152]    [c.135]    [c.139]    [c.142]    [c.158]    [c.167]    [c.81]    [c.217]    [c.229]   
Физическая механика реальных кристаллов (1981) -- [ c.27 , c.81 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Смещение



© 2025 chem21.info Реклама на сайте