Кристаллы скорость переноса поверхности

В кристаллической решетке дефекты обычно не остаются на месте, они перемещаются в результате разности их концентраций АС, температуры ДГ, теплового движения, напряжения и т. д. Из кристалла дефекты переносятся на его поверхность, и наоборот, внутри кристалла за счет окружающей среды их число может возрастать. При наличии дефектов в кристаллах происходит массоперенос, перемещающиеся дефекты обусловливают движение атомов в кристаллической решетке и дырочную электропроводность в полупроводниках. Скорость движения точечных дефектов сильно зависит от температуры, однако при нормальных условиях она имеет значение 10 см/с. В природных кристаллах заметного движения макродефектов — двойниковых швов, границ раздела макроблоков, залеченных трещин — не отмечено. [c.26]

Испытания катализаторов. При испытаниях на сравнительную активность катализаторы могут различаться по свойствам, которые влияют на транспорт реагирующих веществ к активной поверхности и продуктов реакции от нее. Отличительные свойства — размер гранул катализаторов, размер пор, теплопроводность и расположение каталитически активного материала. Даже если сохраняются основа катализатора и размеры кристаллов и пор, распределение активного компонента в таблетках может меняться от катализатора к катализатору, изменяя степень его доступности при проведении реакции. В условиях испытаний скорость реакции может определяться скоростями переноса (транспортными свойствами), а не каталитической активностью. В этом случае результаты определения активности окажутся не видоизмененными, а ошибочными. [c.105]

Рост кристаллов. Процесс кристаллизации, в результате которого растворенное вещество выделяется на поверхности растущих кристаллов, обычно рассматривается происходящим в два последовательных этапа перенос кристаллизующегося вещества из основной массы раствора к поверхности и собственно процесс кристаллизации, т. е. включение молекул вещества в кристаллическую решетку [10]. Как и в большинстве аналогичных случаев массообмена, итоговая скорость переноса массы целевого компонента здесь обратно пропорциональна сумме сопротивления переносу массы от раствора к твердой поверхности и сопротивления процессу собственно кристаллизации. [c.152]

Поскольку относительные размеры отдельных граней кристалла колеблются в широких пределах, можно полагать, что различные поверхности должны иметь разные скорости переноса. Геометрический закон роста кристаллов, известный под названием принципа перекрывания, может быть сформулирован так во время роста кристалла сохраняются только те грани, которые (по сравнению с прилегающими к ним соседними гра-нями) имеют низкие скорости переноса, при растворе- [c.589]

Для примера рассмотрим поперечные срезы растущего кристалла (рис. IX-15). Многоугольники, показанные на рисунке, выражают различные стадии роста кристалла. Поверхности, обозначенные буквой Л, являются медленно растущими гранями (низкие скорости переноса), а поверхности, обозначенные буквой В, — быстро растущими гранями (высокие скорости переноса). Быстро растущие поверхности В стремятся исчезнуть, так как они перекрываются медленно растущими поверхностями А. [c.589]

Скорости роста, определенные для бензена и фосфора, требуют скорости переноса соответственно в 2500 и 10 раз большей, чем в случае салола. Трудно понять, каким образом тепло может транспортироваться от поверхности кристалла с такими высокими скоростями. В литературе приводятся результаты многих экспериментов по росту в капиллярах, где использовались большие значения ДГ и наблюдались очень высокие скорости роста. Кажется наиболее вероятным, что в этих случаях мы имеем дело не с ростом монокристаллов, а с процессом поликристаллического роста. Очень может быть, что происходит образование и рост очень тонких кристаллических волокон, и это может объяснить чрезмерно высокие скорости теплоотвода. [c.282]

Экспериментальное исследование миграции адсорбированной воды и аммиака в кристаллах цеолитов показало, что энергия активации поверхностной диффузии составляет от 40 до 90% теплоты адсорбции. Простой расчет показывает, что если -значение энергии активации поверхностной диффузии достигает <д ккал моль, что вполне вероятно для большинства контактных реакций, то скорость поверхностного перемещения адсорбированного вещества даже в самых тонких порах (10- см) будет меньше скорости объемной диффузии. Поверхностную диффузию поэтому не принимают во внимание при расчетах скорости переноса реагирующих веществ внутри зерен катализатора при контактных реакциях. Надо, однако, иметь в виду, что до сих пор нет прямых экспериментальных доказательств малой скорости поверхностной диффузии реагирующих веществ, адсорбированных на поверхности катализаторов. [c.74]

По-видимому, для образцов, содержащих большую долю палладия внутри цеолитных пор, при определенных температурах скорость процесса окисления начинает лимитироваться скоростью переноса по цеолитным каналам. В образце PdY, прокаленном при 400°С, палладий расположен ближе к внешней поверхности кристаллов, что сокращает длину каталитически активной зоны. Вследствие этого процесс переходит в диффузионную область при более высоком значении скорости реакции, чем для образца PdY (300°), и излом на аррениусовской зависи- [c.89]

Скорость, с которой поверхность кристалла передвигается в направлении, перпендикулярном к ее первоначальному положению, называется скоростью переноса этой поверхности. [c.374]

Неизменяемые кристаллы. Хотя в настоящее время невозможно определить, какой вид кристаллов образует то или иное определенное вещество, однако вполне допустимо, что при постоянных внешних условиях относительная скорость переноса (см. выше) различных поверхностей кристаллов в процессе их роста остается неизменною. Подобный кристалл известен под названием неизменяемый кристалл. Наиболее важным свойством неизменяемого кристалла является то, что при его росте и при его растворении он всегда остается геометрически подобным своей первоначальной форме. [c.374]

Различные поверхности одного кристалла обычно имеют различные скорости переноса. [c.381]

К третьему уровню иерархии относятся явления, связанные с процессом взаимодействия системы кристалл — несущая (сплошная) фаза. Наглядную картину структуры связей ФХС демонстрирует обычно диаграмма взаимных влияний физических и химических явлений системы. При построении такой диаграммы ФХС представляем в виде набора элементов и их связей. При этом узлам диаграммы ставятся в соответствие отдельные явления или эффекты в системе, а дугам — причинно-следственные связи между ними (рис. 1). Растущая кристаллическая частица движется в объеме сплошной фазы под действием сил сопротивления, инерционных, тяжести, подвергаясь одновременно воздействию механизма переноса массы ПМ, энергии ПЭ и импульса ПИ через границу раздела фаз в направлении 1- 2 (где 1 означает принадлежность к сплошной фазе, 2 — к кристаллу). Процесс кристаллизации на частице идет при неравновесии химических потенциалов вещества в несущей фазе и в частице Д , неравновесности по температурам фаз Ат скоростной неравновесности А , т. е. при несовпадении скоростей фаз. Поэтому естественно принять, что рассматриваемая неравновесность гетерогенной системы и обусловливает совокупность явлений, составляющих механизм межфазного переноса при кристаллизации. Причем неравновесность гетерогенной системы в целом (по Ац, Ат, А ) обусловливает в качестве прямого эффекта (сплошные дуги) перенос массы через поверхность в направлении 1- 2 (дуги 1, 2, 3). Каждый вид неравновесности обусловливает прежде всего перенос соответствующей субстанции (дуги 4, 5) и одновременно оказывает перекрестное или косвенное влияние (пунктирные дуги) на перенос других субстанций (для ПЭ — дуги 6, 9 для ПИ — дуги 7, 8). [c.8]

Первые слагаемые в правых частях уравнений (1.480), (1.485) характеризуют приток тепла в соответствующую фазу через поверхность выделенного объема dS, через дисперсные частицы, граничащие с поверхностью dS, и за счет пульсационного переноса тепла по потоку вторые характеризуют обмен тепла между целой дисперсной частицей и несущей фазой третьи — перенос тепла за счет фазового перехода четвертые характеризуют работу внутренних сил по изменению объема фазы пятые — изменение внутренней энергии за счет пульсаций скорости роста кристалла и распределения частиц по размерам. [c.126]

Когда сопротивление подводу кристаллизующегося вещества из раствора к поверхности растущей грани велико, а собственно кристаллизация происходит быстро, то пересыщение раствора у поверхности может быть близким к нулю (ДСа=0) [27]. В этом слу чае движущая разность концентраций диффузионного переноса равна пересыщению основной массы раствора, а скорость линейного роста кристалла сферической формы находится следующим образом [c.175]

Анализ промежуточной кинетики представляет известные трудности, так как в этом случае пересыщение у поверхности кристалла устанавливается из соотношения между сопротивлениями внешнего диффузионного переноса и процесса собственно кристаллизации подведенного к поверхности вещества. В статистической теории образования двумерных кристаллов выводится следующая зависимость скорости роста от пересыщения в кинетической области процессов [c.176]

Спекание может быть замедлено путем диспергирования частиц активной фазы на развитой поверхности другого тугоплавкого инертного вещества (акция нанесения) или путем разделения их тугоплавкими блоками (стабилизация). Но спекание последних на практике не может быть проконтролировано. Миграция компонентов катализатора облегчается, если они растворимы в реакционном потоке или могут образовывать раствор в самом катализаторе. Например, некоторые переходные металлы могут переноситься в виде летучих карбонилов, галогенидов и окислов, многие другие — нерастворимые окислы и соли имеют достаточную растворимость в жидкостях (особенно в полимолекулярных слоях воды) или стабильны в виде газообразных гидратов. Эти свойства ускоряют спекание кристаллитов активной фазы. Особенно опасно указанное явление потому, что оно может произойти при малых парциальных давлениях случайных примесей, вполне достаточных для воздействия на рост кристалла и для движения вещества вдоль температурных градиентов, хотя не может быть причиной их выноса из реактора [1]. Наконец, поверхность может покрываться посторонними загрязнениями (пыль, ржавчина) или блокироваться такими продуктами побочных реакций, как жидкие полимеры или твердый кокс . Если вследствие этого изменяется распределение объема пор по величинам их радиусов, а скорость реакции определяется диффузией, то можно ожидать ухудшения селективности или активности. [c.18]

Скорость протекания всего процесса в целом контролируется стадией, сопровождающейся наибольшими торможениями. Причинами торможения могут быть замедленная доставка разряжающихся ионов к катоду — концентрационное перенапряжение (1-я стадия) замедленный разряд ионов, который обусловлен медленным переносом заряда через двойной электрический слой и связанным с этим изменением физико-химического и энергетического состояния ионов (дегидратация, десольватация, распад комплексных ионов и др.) — электрохимическое перенапряжение (2-я стадия) трудности, связанные с построением кристаллической решетки замедленная диффузия ад-атомов (ад-ионов) по поверхности катода к местам роста кристаллов, задержка при вхождении атомов в кристаллическую решетку или при образовании двух- или трехмерных кристаллических зародышей, т. е. то, что характеризует так называемое кристаллизационное перенапряжение (3-я стадия). Величина последнего сравнительно невелика и зависит от природы металла и от состояния поверхности катода, которое в ходе электролиза меняется в результате адсорбции посторонних ионов, молекул и органических веществ. [c.335]

Коэффициент К учитывает сопротивление процессу при доставке растворенного вещества к поверхности растущего кристалла (точке роста), сорбции этого вещества на поверхности, построении кристаллической решетки. При агломерации процесс можно рассматривать как формально аналогичный прямому межфазовому переносу и описывать уравнением (6.37) в этом случае коэффициент К зависит от концентрации твердых частиц, гидродинамики и других факторов. Размерность К будет различной в зависимости от значений показателей степени пит. При отсутствии агломерации и линейной зависимости скорости линейного роста от пересыщения (п = 1) К + (брт) 0 , где /Ср — константа скорости построения кристаллической решетки — сорбции растворенного вещества из области непосредственно вблизи растущей по- [c.332]

Процесс, в результате которого растворенное вещество из первоначального состояния равномерного распределения в объеме раствора оказывается выделившимся на поверхности растущего кристалла, обычно рассматривается как происходящий в два последовательных этапа перенос вещества из основной массы раствора к поверхности растущей грани и собственно процесс кристаллизации, т. е. включение структурных частиц растворенного вещества в кристаллическую решетку [10]. Первый этап является задачей массопереноса, и в инженерных приложениях скорость такого процесса переноса записывается в виде уравнения внешней массоотдачи [c.138]

Присутствие в растворе малых количеств примесей может оказать существенное влияние на скорость роста отдельных граней и конечную форму кристаллов. Однако до настоящего времени механизм влияния примеси на скорость роста кристаллов не установлен. Реальный процесс кристаллизации осложнен еще двумя параллельными процессами диффузионным переносом молекул растворителя от поверхности грани в раствор и отводом тепла, выделяющегося при кристаллизации. [c.140]

При анализе массовой кристаллизации кинетические характеристики процесса — скорость роста линейного размера кристаллов к и скорость образования зародышей / — полагаются известными как некоторые функциональные зависимости от определяющих параметров. Так, скорость роста в общем случае считается зависящей от пересыщения раствора и размера кристалла dr/dx = Я(со, г), а скорость образования зародышей — от пересыщения раствора /(ш). Обычно зависимость X от а обусловливается скоростью процесса собственно кристаллизации на гранях кристалла, а зависимость скорости роста от размера кристалла следует из характера сопротивления диффузионному переносу вещества от раствора к поверхности. Интенсивность перемешивания раствора и некоторые другие факторы, влияющие на кинетику образования и роста кристаллов, считаются неизменными. [c.141]

Для осуществления целенаправленного процесса гидротермального синтеза кристаллов кварца выбор растворителя в сочетании с определением оптимальных термодинамических параметров кристаллизации имеет определяющее значение. Прежде всего для получения пересыщений, обеспечивающих необходимые скорости роста кристаллов, необходимо подобрать растворитель и такую область термобарических параметров, при которых кристалл термодинамически устойчив и достаточно растворим. Для того, чтобы растворение шихты не ограничивало скорости роста затравок, необходимо обеспечить такую величину поверхности кварцевой шихты, которая в достаточной мере (не менее чем пятикратно) превышала бы величину общей поверхности всех кварцевых затравок. Величина температурного перепада между значениями температур камер растворения и роста должна обеспечивать достаточную интенсивность свободного конвективного массообмена раствора в объеме автоклава, причем интенсивность конвективного переноса не должна лимитировать скорость роста кристаллов. [c.30]

Свободная конвекция характеризуется потоком расплава от стенок тигля к кристаллу, затем, в связи с охлаждением, расплав под кристаллом опускается вниз ко дну тигля, далее, нагреваясь, поднимается вверх вдоль стенок тигля (рис. 81). Задача принудительной конвекции в расплаве при выращивании монокристаллов методом Чохральского близка к задаче о действии центробежного насоса, в котором слой жидкости около торца кристалла переносится параллельно его поверхности силами трения, а затем выбрасывается наружу под действием центробежной силы. На место отброшенной жидкости поступает другая, подтягиваемая к вращающемуся кристаллу вдоль оси системы [18]. Скорость осевого потока, направленного к кристаллу, быстро спадает вблизи его, так как здесь возникают радиальное и касательное течения. [c.210]

Механизм диффузии реагента из толщи раствора к поверхности твердого тела и состояние диффузионного слоя рассматривает физико-химическая гидродинамика. Перенос растворителя и продуктов реакции в объеме раствора происходит за счет конвекции, а на границе с минералом — под влиянием тепловой молекулярной диффузии. В диффузионном слое, непосредственно у растворяемого кристалла, концентрация растворенного вещества прибли-жается к концентрации насыщенного раствора Снас и может быть принята ей равной. Если в толще выщелачивающего раствора концентрация растворенного вещества будет С, то скорость диффу- [c.26]

Было доказано [V а 1 е t о п, Z. Kryst. 59, 135—169 (1923)], что принцип перекрывания в соединении с принципом параллельного перемещения поверхностей позволяет предвидеть конечную форму кристалла при условии, если известны его первоначальная форма, и относительные скорости переноса поверхностей. [c.375]

Если скорость процесса встраивания в кристаллическую решетку (уравнение (6.605)) знаадтельно превышает скорость переноса вещества к поверхности кристалла, то лимитирующей процесс роста кристалла стадией является диффузия растворенного вещества к поверхности кристалла и процесс роста кристаллов может быть огасан с помощью уравнения (6.60 , [c.348]

Если теперь увеличивать р, так что р > Роо, конденсирующихся молекул будет больше, чем испаряющихся, и возникнет результи-рующи11 диффузионный ноток молекул к ступеням, где они будут встраиваться в решетку. При этом считается, что молекулы способны присоединяться к ступеням с обеих сторон. Далее предполагается, что скорость обмена молекул между ступенями и прилегающей поверхностью настолько велика по сравнению с результирующей скоростью переноса молекул но поверхности путем диффузии, что концентрация молекул на поверхности около ступени всегда под-дерн ивается равновесной. Эта ситуация аналогична случаю диффузионного контроля при росте кристаллов из раствора, который обсуждался в разделе 1.18. Когда процесс присоединения частиц к поверхности протекает очень быстро по сравнению с диффузионным процессом, концентрация на поверхности приближается к концентрации насыщения, и все сопротивление росту сосредоточено в процессе диффузии, скорость которого и контролирует рост. Благодаря диффузионному потоку на ступени они будут продвигаться по грани, и кристалл будет расти. [c.174]

Трудно найти объяснения кажущейся чрезмерно большой величине скоростей теплопереноса в описанных выше экспериментах. Но когда кристаллы растут нри очень высоких пересыщениях, они часто растут в форме очень тонких игл или волокон. Скорость переноса тепла от конца иглы обратно иропорциональна ее диаметру, и следовательно, такие волокна могут расти с повышенной скоростью. Измеренная скорость роста фосфора, например, могла на самом деле быть скоростью роста тонких волокнообразных кристаллов. Кинетика роста на поверхности при росте таких игл должна, по-в1щимому, быть совершенно иной, чем нри росте обьганых кристаллов [c.243]

Скорость роста кристаллов из неперемешиваемого раствора обычно полностью или частично контролируется скоростью переноса растворенного вещества к поверхности кристалла. Если раствор перемешивается, скорость массопереноса возрастает, и иногда при высоких скоростях перемешивания диффузионное сопротивление может быть полностью снято. Этот факт подтверждается тем, что скорость роста перестает зависеть от скорости перемешивания. В таких условиях может быть определен истинный закон реакции на поверхности. Небольшое количество данных по росту при почти исключенном диффузионном сопротивлении собрано в табл. VII.5. [c.280]

В соответствии с законом Коновалова—Гиббса (см. П1.24) упругость пара в испарителе Тг должна быть выше, чем в зоне кристаллизации Ti АТ = Тг— Ti позволяет управлять разностью упругостей пара, а значит скоростью переноса вещества к зоне Т и скоростью роста кристалла. При этом температура Ti обычно должна быть строга уточнена, ибо она в первую очередь определяет качество кристалла. При слишком низкой Т скорость переползания атомов недостаточна для уничтожения дефектов. Ориентировочно можно принять вместе с Тамманном, что скорости переползания атомов по поверхности кристаллов, достаточные для активной рекристаллизации, достигаются при абсолютных температурах, равных примерно 50—60% от абсолютной температуры плавления вещества (в зависимости, добавим, и от характера химической связи более ковалентная связь с направленными валентностями требует более высоких температур Ti). Обозначим такую оптимальную температуру Тот К. Увеличивая Тг при Т = onst, можно повысить скорость переноса вещества кристалла и значит скорость роста. Однако с увеличением скорости переноса вещества в зону T l наступает предел, когда дальше скорость переползания атомов при Tj снова оказывается недостаточной для устранения дефектов в растущем кристалле и их концентрация начнет резко увеличиваться. С этого момента неминуемо увеличение Tj, что схематически показано на рис. VHI.59. Температура Ti важна не только с точки зрения получения бездефектного кристалла, но и в связи с про- [c.619]

До сих пор при изучении диффузии нами учитывалось только влияние взаимодействия дефектов внутри кристалла. В реальных системах заметную роль могут играть и поверхностные эффекты. Два таких эффекта были рассмотрены Смитсом с сотр. [71]. Первый эффект обусловлен ограничениями поверхностной концентрации, которые возникают из-за малой скорости переноса между кристаллом и соседней фазой. Этот эффект необходимо учитывать при диффузии вещества из кристалла в газовую фазу или наоборот. Авторы работы [71] приводят формулы, с помощью которых можно определить как коффи-циент диффузии, так и скорость переноса вещества на поверхность. Эта теория была применена для объяснения диффузии калия из газовой фазы в КС1 [34а]. Второй эффект, возникающий у кристаллов, находящихся в контакте с газовой фазой (или вакуумом), связан с испарением самого кристалла. Этот эффект обусловливает стационарную диффузию с такой глубиной проникновения в кристалл, при которой скорость внедрения примесного атома равна скорости испарения поверхностных слоев. [c.586]

Принцип перекрывания. Так как относительные величины отдельных поверхностей кристалла колеблются в широких пределах, то отсюда следует, что различные поверхности должны иметь различные скорости переноса. Геометрический закон роста кpи тaл чa, известный как принцип перекрывания, основан на этих разницах скоростей и может быть сформулирован следующим образом во время роста кристалла сохраняются лишь те поверхности, которые по сравнению с прилегающими к ним соседними поверхностями имеют низкие скорости переноса, а при растворении, наоборот, сохраняются лишь те поверхности кристалла, которые имеют наиболее высокие скорости переноса по сравнению с соседними поверхностями. [c.374]

Неравномерные скорости переноса. Скорости itepeHo a поверхностей неизменяемого кристалла не все равны друг другу, если только кристалл не является правильно построенным геометрическим телом. Меньшие поверхности имеют большие скорости роста (измеренные приростом веса на единицу поверхности в единицу времени), чем большие поверхности. Эта разница в скорости роста была найдена экспериментальным путем. [c.375]

Для этих явлений еще не найдено общего закона. Количество адсорбируемых примесей зависит не только от их природы, но и различно для разных поверхностей одного и того же кристалла. Поверхности, адсорбирующие наибольшие количества примесей, будут иметь наиболее низкие скорости переноса и следовательно будут увеличиваться в своих размерах по отношению к остальным поверхностям согласно с принципом перекрывания (Fran erl. с.) [c.377]

Растворение металла, идущее одновременно с образованием Нг из ионов Н в растворе, представляет собой случай, в котором анодный и катодный процессы протекают на одном и том же электроде. (Эти процессы называются полиэлектродными.) При этом как диффузия, так и химические процессы могут стать лимитирующими. Ранние работы по растворению амальгам натрия [7-6] в кислотах и основаниях указывают на то, что скорость реакции имеет первый порядок по Н" и приблизительно порядок /2 по концентрации натрия. Для кислых растворов эти факты объяснялись тем, что процесс лимитируется диффузией. Однако, как показали более поздние исследования [77—80], скорость растворения металлов в различных кислотах и растворителях пропорциональна концентрации недиссоциированной формы кислоты и относительные константы скорости в различных кислотах хорошо ложатся на прямую Бренстеда. По-видимому, в этом случае лимитирующей стадией является перенос протона от молекулы недиссоциированной кислоты к поверхности металла , причем реакция подвергается специфическому катализу кислотами. При растворении солей, таких, как Na l, в системах с перемешивающим устройством предполагается, что скорость реакции лимитируется диффузией, причем диффузия происходит через пограничный слой насыщенного раствора соли на поверхности кристаллов соли. Хотя подобная картина, по-видимому, является правильной для простых солей, таких, как галогеииды щелочных металлов, в случае солей металлов переменной валентности картина может быть другой. Так, например, безводный СгС1з очень медленно растворяется в воде, при этом скорость реакции не зависит от перемешивания. Было обнаружено, что небольшое количество Сг " в растворе оказывает огромное влияние на скорость реакции. Вероятно, в этом случае осуществляется перенос заряда между частицами Сг - в растворе и Сг в твердой фазе. Эти системы, по-видимому, заслуживают дальнейшего изучения. [c.557]

Перемешивание раствора интенсифицирует диффузию кристаллизующегося вещества к поверхности кристалла и ускоряет его рост. Это, однако, справедливо до тех пор, пока в результате перемешивания удаление блоков с поверхности кристалла не превышает эффекта ускоренного диффузионного переноса вещества при чрезмерной интенсивности перемешивания скорость роста кристаллов падает. Перемешивание раствора способствует равномерному притоку кристаллизующегося вещества ко всем граням кристалла, обеспечивая его правильную форму. Следует, однако, иметь в виду, что с увеличением интенсивности перемеишвани я уменьшается размер кристаллов как за счет нх механического [c.688]

Обобщая приведенные выше результаты, можно заключить, что этап зарождения алмазной фазы завершается образованием микрокристалла, октаэдрическую форму которого определяет и стабилизирует кристаллографический фактор в течение всего периода его роста до размера, при котором нарушается когерентность поверхности раздела фаз. Причем на данном этапе скорость роста алмаза лимитируется кинетикой поверхностных процессов, что продолжает обеспечивать образовавшуюся гранную форму кристалла вплоть до его размера порядка м, когда происходит смена механизма, лимитирующего скорость роста алмаза. В условиях диффузионного механизма переноса вещества в растворе и относительно низкой скорости роста кристаллов дестабилизирующими их исходную гранную форму роста факторами могут быть анизотропия адсорбции примесей и других структурных дефектов различными гранями, а также химизм и симметрия питающей среды. Наблюдаемое экспериментально резкое падение величины коэффициента а при увеличении размера кристаллов от минимального до 10 м и является следст- [c.373]