Кристаллическая решетка, энерги

С помощью термохимических расчетов можно определить энергию химических связей, энергию кристаллической решетки, энергию межмолекулярного взаимодействия, энтальпию растворения и сольватации (гидратации), энергетические эффекты фазовых превращений и т. д. [c.164]

Энергия кристаллической решетки. Энергия кристаллической решетки оценивается количеством энергии, которое необходимо затратить для разрушения кристаллической решетки на составные части и удаления их друг от друга на бесконечно большое расстояние. По значениям энергии кристаллической решетки можно судить о типе химической связи в веш естве и ее энергии. Понятно, что наибольшую энергию кристаллической решетки имеют ионные и ионно-ковалентные кристаллы, наименьшую — кристаллы с молекулярной решеткой (табл. 17). Металлы по величине энергии кристаллической решетки занимают промежуточное положение. [c.166]

Первый —фонон —представляет собой квант поля, колебаний кристаллической решетки. Энергия колебаний в кристаллической решетке квантована, как и энергия электронов в атоме. Поэтому колебательная энергия может изменяться только дискретно. Термин фонон возник по аналогии с термином фотон — квантом электромагнитного поля. Каждое данное вещество имеет характерное для него 3 [c.67]

Кристаллохимические структуры и их типы. Ионный тип кристаллической решетки. Энергия ионных кристаллов. Поляризация ионов. Правила Фаянса. [c.317]

Выведенные уравнения в соответствии с экспериментальными данными показывают, что влияние растворителей на силу кислот, оснований и солей подчиняется одним и тем же закономерностям. Диссоциация любых электролитов кислот, оснований и солей зависит от индивидуальных свойств электролитов (от энергии кристаллической решетки, энергии сублимации, а в случае кислот и оснований — еще и от сродства к протону молекул основания и аниона кислоты) и от химических свойств растворителя (химической энергии сольватации ионов, энергии сольватации молекул, а в случае кислот и оснований — еще и от протонного сродства молекулы растворителя и его аниона). Этим объясняется многообразный характер влияния растворителей на силу электролитов. [c.359]

Энергия кристаллической решетки. Энергией кристаллической решетки называется количество энергии, которое необходимо затратить для разрушения кристаллической решетки на составные части и удаления их друг от друга на бесконечно большое расстояние. [c.200]

При растворении твердых веществ затрачивается энергия на разрущение кристаллической решетки. Энергия решетки определяется по уравнению Борна [c.12]

Энергия кристаллической решетки — энергия, необходимая для превращения кристалла в ионный пар (Скорчеллетти). Энергия кристаллической решетки — энергия, требующаяся для разложения кристалла на газообразные ионы, бесконечно удаленные друг от друга (Мелвин—Хьюз). Иногда в электрохимической литературе, чтобы подчеркнуть отсутствие взаимодействия ионов в паре, конечное состояние ионный пар заменяют вакуумом . На наш взгляд, термин ионный газ более предпочтителен. Энергию кристаллической решетки принято обозначать через и. [c.166]

Эк есть та доля энергии, которая вносится данным ионом в кристаллическую решетку. Энергия решетки с помощью эк ов легко вычисляется по формуле и = 256 Ц эк. Если разделить эк на валентность, то получится новая энергетическая константа, называемая вэк [c.194]

Рассмотрим еще один пример применения закона Гесса для расчета энергии кристаллической решетки. Энергия кристаллической решетки — это энергия, которую надо затратить для разрушения кристалла по гетеролитическому механизму. Образование 1 моль кристаллического хлорида натрия может быть представлено двумя путями [c.126]

Одним из существенных свойств солей вообще и солей кислородсодержащих кислот в частности является растворимость. В настоящее время строгие количественные критерии, позволяющие связать растворимость с физико-химической природой катиона и аниона, образующих соль, отсутствуют. Ясно лишь, что растворимость является сложной функцией энергии кристаллической решетки, энергии сольватации катиона и аниона, их поляризационных характеристик. [c.289]

Основным условием, необходимым для выделения твердых металлокомплексов макроциклических полиэфиров, является высокая энергия образования их кристаллической решетки Энергия образования твердого металлокомплекса [c.189]

Энергия взаимодействия 1 моля катионов и анионов в кристаллической решетке (энергия решетки) [c.411]

Уже в гл. I было отмечено, что это один из центральных вопросов всей теории растворов. Чтобы произошло растворение соли, нужно преодолеть взаимодействие между ионами, т. е. преодолеть энергию кристаллической решетки. Энергия, выделяющаяся при растворении соли, равна разности между суммой энергии гидратации ионов и энергией кристаллической решетки [c.182]

Выведенные уравнения в соответствии с экспериментальными данными показывают, что влияние растворителей на силу кислот, оснований и солей подчиняется одним и тем же закономерностям. Диссоциация любых электролитов кислот, оснований и солей зависит от индивидуальных свойств электролитов (от энергии кристаллической решетки, энергии суб- [c.404]

Как указывалось выше, локальные полиморфные превращения на поверхности катализатора (т. е. создание определенного участка поверхности с искаженной кристаллической решеткой) требуют затраты известной энергии АНп. Очевидно, возможность развития цепного процесса на поверхности катализатора будет существенно зависеть от величины этой энергии. Действительно, если величина АНп очень мала, то каждый элементарный акт реакции будет вызывать локальное искажение кристаллической решетки однако освобождающаяся при обратном упорядочении кристаллической решетки энергия АНп недостаточна для активирования новой молекулы реагирующего вещества. В случае же, если A fn весьма велика, протекание локальных превращений на поверхности катализатора становится маловероятным (так как энергия элементарного акта каталитической реакции недостаточна для осуществления этого превращения). Очевидно, оптимальные условия для развития цепного процесса создаются тогда, когда энергия, расходуемая на локальное превращение поверхностного слоя, соизмерима с энергией, выделяющейся на каждой из ступеней каталитического процесса. Это позволяет выяснить те дополнительные требования к свойствам вещества (для того, чтобы оно могло быть активным катализатором), о которых упоминалось выше. [c.54]

В ионной кристаллической решетке. энергия электростатического взаимодействия между конами велика по сравнению с тепловой энергией RT, поэтому ионы жестко пространственно фиксированы и расположены упорядоченно. В разбавленных растворах неэлектролитов силы взаимодействия между растворенными частицами практически отсутствуют, и взаимное расположение частиц из-за теплового движения в каждый данный момент случайно, неупорядоченно. Растворы электролитов занимают промежуточное положение между ионами действуют сравнительно небольшие электростатические силы, энергия которых сравнима с энергией теплового движения. В них наблюдается некоторая степень упорядоченности ближнего порядка — на небольшо расстоянии от заданного иона более вероятно нахождение иона противоположного знака. В результате между ионами на близких расстояниях превалируют силы притяжения и, следовательно, Ши,/< 0. [c.190]

Понимание природы кристаллического состояния и специфики связей разного типа может дать квантовая теория твердого тела. В задачу этой теории как одна из основных проблем входит изучение электронных состояний системы многих атомов, образующих периодическую решетку (зонная теория твердого тела, некоторые качественные результаты которой были изложены в гл. VIII, 4). Рассмотрение основного электронного состояния системы затрагивает проблему энергии кристаллической решетки (энергии связи), рассмотрение возбужденных состояний с оценкой их вероятностей при различных температурах — проблему электронного вклада в температурную зависимость термодинамических функций. В квантовой теории движения электронов и ядер обычно предполагают квазинезависимыми. В соответствии с этим приближением термодинамические функции будут включать независимые вклады электронную составляющую и составляющую, обусловленную движением ядер, которые образуют решетку ( решеточная составляющая). Вклад электронной составляющей в термодинамические функции металла (именно для металлов эта составляющая может быть наиболее существенна) был оценен ранее (гл. VIII. 5) было найдено, что при обычных температурах вклад электронов в теплоемкость металла очень мал. В настоящей главе мы будем изучать решеточную составляющую. [c.311]

Испарение кристалла в вакуум требует затраты энергии для преодоления сил притяжения между ионами, действующих в кристаллической решетке. Энергия, необходимая для превра- [c.36]

О растворимости соединений можно также судить по соотношению между энергией связи ионов в кристаллической решетке (энергия кристаллической решетки) и энергией гидратации (в общем случае — сольватации) ионов, которая препятствует соединению ионов в молекулу. Чем меньше энергия гидратации и чем больше энергия кристаллической решетки, тем менее растворимо соединение, т. е. тем легче оно выпадает в осадок. Отношение энергии гидратации к энергии кристаллической решетки в известной мере может служить характеристикой склонности ионов к образованию осадков. [c.21]

Испарение кристалла в вакуум требует затраты энергии для преодоления сил притяжения между ионами, действующих в кристаллической решетке. Энергия, необходимая для превращения кристалла в ионный пар, называется энергией решетки. Во многих случаях энергия решетки может быть рассчитана с удовлетворительной точностью или определена на основании экспериментальных данных. [c.30]

НИИ расположение звеньев в цепи нарушается. Цепи, приобретающие под действием облучения нерегулярную конфигурацию, не могут уже располагаться в строгом порядке и образовывать кристаллическую решетку. Энергия излучения, необходимая для перехода в аморфное состояние, различна для разных полимеров. [c.257]

Оба вида точечных дефектов имеют решающее значение для процесса перемещения ионов частиц в решетке они обеспечивают возможность переноса вещества при химической реакции и электрическую проводимость ион- ой решетки. Концентрация дефектов, устанавливающаяся в обратимом тепловом равновесии, однозначно определяется температурой (экспоненциально растет с температурой) соответственно при охлаждении устанавливается более низкое равновесное значение концентрации дефектов. Например, в решетке AgBr при 300 °С 0,4% всех ионов Ag+ занимают места вне узлов решетки. Причиной появления несовершенств в кристаллической решетке чистого вещества являются колебания элементов кристаллической решетки, энергия которых зависит от температуры. [c.431]

Открытие Мессбауэра заключалось именно в решении проблемы, связанной с энергией отдачи. Как следует из уравнения (У.4), Ец можно уменьшить, сильно увеличив массу М. Если, например, ядро-излучатель и ядро-поглотитель фиксированы в жесткой кристаллической решетке, энергия отдачи может передаваться решетке только в определенных количествах, так как колебания решетки квантованы. Если Ец меньше колебательных квантов, то эффективной массой М в выражении (У.4) становится вся масса кристалла, т. е. энергия отдачи пренебрежимо мала. Правда, на практике оказывается, что возбуждение колебаний решетки кристалла при поглощении уквантов все-таки возможно, так что совсем пренебречь величиной Ев нельзя. [c.115]

Определениед чисел сольватации и выяснением структуры растворов не исчерпывается вопрос о сольватации. Следует не только установить, какое число молекул воды присоединяется к иону и какие изменения происходят в структуре растворителя, но и установить, каковы энергетические изменения при взаимодействии между ионом и молекулами растворителя. Чтобы произошло растворение соли, нужно преодолеть взаимодействие между ионами, т. е. преодолеть энергию кристаллической решетки. Энергия, выделяющаяся при растворении соли, равна разности между суммой энергии гидратации ионов и энергией кристаллической решетки [c.153]

Энергия кристаллической решетки. Энергия кристаллической решетки — это энергия образования соединения кристаллической формы из свободных атомов (энергия атомной решетки) или из газообразных ионов (энергия ионной решетки). Так, в ионном кристалле Na l каждый ион взаимодействует с шестью ионами противоположного знака. Сумма этих взаимодействий равна энергии ионизации кристалла, которая выражается уравнением [c.48]

Первая попытка вычислить эти величины была сделана Йос-том [5], который отметил значение поляризации, возникаюш,ей при образовании вакансий или ионов в междуузлиях. Без поляризации энергия, требующаяся для образования дефектов Френкеля или Шоттки в таких кристаллах, как хлористый натрий, равнялась бы примерно 10 эв (200—250 ккал). Однако вследствие поляризации диэлектрика, окружающего только что образовавшиеся вакансии или ионы в междуузлиях, общая энергия, требуемая для их обра.зования, уменьшается примерно до 3 эв (70 ккал) или даже меньше. В этом случае существует некоторая аналогия с растворением солей в воде этот процесс также становится возможным только благодаря результирующей поляризации водной среды, вследствие чего энергия сольватации растворенного вещества становится сравнимой с энергией кристаллической решетки. Энергия поляризации в случае дефектов решетки приближенно выражается уравнением [c.40]

Влияние растворителей на силу кислот, оснований и солей зависит от физико-химических свойств электролитов (от сродства к протону молекул и анионов, энергии кристаллической решетки, энергии сублимации), а также от химических свойств растворителя (от протонного сродства его молекул, энергии сольватации ионов и молекул) и его физических свойств (диэлектрической проницаемости, вязкости, дйпольного момента). [c.168]

Для определения энергии растворения иона кристаллического вещества необходимо знать энергию кристаллической решетки. Для бинарных соединений типа Na l, образующих ионные решетки, для которых электростатическая энергия известна и ван-дерваальсовы силы притяжения и отталкивания вычислены методами квантовой механики, получаются очень точные значения энергии кристаллической решетки. Энергия решетки определяется работой, необходимой для расщепления соединения на составляющие его ионы. [c.67]

В кристаллическую решетку. Энергия возникновения такого дефекта достаточно велика, так что при комнатной температуре произойдет только небольшое число подобных изменений направления в каждом витке спирали следовательно, предпочтительное кристаллографическое направление не будет потеряно. Повышение температуры приведет к увеличению статистического веса последовательностиГ и тем самым к увеличению беспорядка в кристалле. [c.380]

В результате создания Мюллером автононного микроскопа появился эффективный метод исследования повреждений кристаллической решетки и вы . квания атомов в результате отдельных столкновении, Синха и Мюллер [23] впервые облучили вольфрамовое острие, охлажденное до температуры жидкого водорода, атомами гелия и ртути (полученными в результате пе резарядки однон.менных ионов) с энергией 20 кэВ. Созданные в результате такого облучения разрушения решетки состояли из вакансий атомов в междоузлиях и скоплений дефектов. Из всего вышесказанного следует, чтп механизм ионного распыления весьма сложен. Трудно сформулировать теорию, которая позволила бы предсказать результаты эксперимента без использования подгоночных параметров. Это объясняется тем, что процесс распыления зависит от множества параметров, таких как кинетическая энергия нонов, электронная структура сталкивающихся частиц, структура и ориентация кристаллической решетки, энергия связи атомов в решетке и т. д. Основная трудность, по-видимому, заключается в выборе потенциалов взаимодействия между бомбардирующим ионом и атомом мишени, а также между двумя атомами мишени. [c.359]