Активность дефектов

Применение различных высокоразрешающих методов исследования (электронная микроскопия, дифракция электронов высокой и низкой энергии, оже-электронная спектроскопия, масс-спектроскопия) показывает, что для большинства реальных условий осаждения характерно не двумерное, а трехмерное зарождение преимущественно на электрически активных дефектах с последующей коалесценцией трехмерных островков растущей пленки (механизм Фольмера—Вебера). [c.482]

Ряд критических замечаний в адрес теории граничного слоя содержится в работе [37]. Важное значение имеет тот факт, что заряжение поверхности полупроводниковых кристаллов происходит не только в связи с процессами адсорбции, но и при формировании собственной поверхности полупроводника. Заряжение поверхности может быть связано с поверхностной активностью дефектов кристаллов. [c.42]

ПОВЕРХНОСТНАЯ АКТИВНОСТЬ ДЕФЕКТОВ ДЛЯ КРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ [c.121]

Поверхностная активность дефектов для кристаллов полу [c.155]

Образование междуузельного иона, равно как и вакансии, дол.жно вызвать вблизи от них искажение кристаллической решетки (рис. 5.3, а и 6), Б результате чего в формулу следовало бы ввести поправку на активность дефектов решетки хотя бы в виде коэффициента активности, аналогичного теории Дебая и Хюккеля. [c.103]

Далее принимается, что активные дефекты объемного, поверхностного и краевого типов распределены независимо друг от друга. С физической точки зрения эта гипотеза разумна ввиду произвольности ориентации поверхностей раздела и случайного характера напряжений, возникающих в процессе разрушения. [c.476]

Последнее допущение состоит в том, что активные дефекты каждого из трех типов (объемные, поверхностные или краевые) распределены случайным образом независимо от способа приложения разрушающего напряжения. Это допущение недостаточно для того, чтобы однозначно определить распределение дефектов данного типа. Точнее предполагается, что дефекты любого типа соответствуют точкам, расположенным в соответствующих областях случайным образом как индивидуально, так и коллективно в том смысле, который придает этому Фрай . Индивидуально означает, что положение одной точки, в которой имеется дефект, [c.476]

Пусть константы у ,, и уг представляют, средние плотности объемных, поверхностных и краевых дефектов соответственно для образца в процессе разрушения. Параметр 7 определяется по отношению к объему образца, 7 — к общей площади поверхностей раздела, а 7/ — к полной длине пересечений поверхностей разрушения. Если полный объем, площадь граней и длину ребер осколка обозначить через V, з а I соответственно, то среднее число дефектов, которые были активированы в объеме, на гранях и ребрах осколка, тогда выражается, как это следует из определения, величинами y v, у 5 и 7//. Отсюда у , Уs я у[ — средние объемная, поверхностная и линейная плотности активных дефектов в объеме, на гранях и ребрах осколка. [c.478]

Следовательно, вероятность образования рассматриваемого осколка складывается из вероятностей двух событий того, что в 2 имеется по крайней мере один активный дефект, и того, что в самом осколке нет активных дефектов. Построение 2 схематически показано на рис. 1. [c.479]

Таким образом, Q представляет собой ожидаемое число активных дефектов любого типа в процессе разрушения во внутренней области образца, имеющей полную длину ребер /, площадь граней s и объем V. В соответствии с этим Q является прямым аналогом yi из уравнений (-5) для одномерного случая. Легко проверить, что уравнение (18) дает выражение (11) для Р (0 /, s, v), т. е, когда п = О, и (10) для Р (1 fdl, ds, dv), т. е. когда и = 1 (Q заменяется дифференциалом dQ). Уравнение (13) для dp (/, s, v) тогда получается как непосредственное обобщение уравнения (7) для одномерного случая. Можно показать также, что среднеквадратичное отклонение п от своего среднего значения равно Q и что имеют место и другие свойства, аналогичные свойствам распределения Пуассона (7). [c.481]

Таким образом, хаотичность коллективного распределения активных дефектов может быть достигнута лишь приближенно Bi том случае, когда число их достаточно велико для того, чтобы [c.489]

Пусть константы 6 и б,, представляют средние плотности активных дефектов образца поверхностного и краевого типов соответственно. Если площадь и периметр обломка обозначить соответственно через а и с, то среднее число дефектов, активированных иа поверхности и по периметру обломка, равно б а или Таким образом, б и б описывают средние плотности активных дефектов на поверхности и по периметру осколка [c.491]

Можно показать, что вероятность П (V с, а) того, что в процессе разрушения в поверхностной области образца имеется V активных дефектов (независимо от их типа), выражается уравнением [c.492]

Таким образом, R представляет собой ожидаемое число активных дефектов любого типа при разрушении в поверхностной области образца, имеющей полную площадь а и полный периметр с. [c.492]

Книга содержит систематическое изложение основ новой области знаний — физической химии кристалло-фосфоров. Центральное место занимает рассмотрение процессов образования и взаимодействия дефектов кристаллической решетки, в особенности в полупроводниковых люминофорах. На базе сведений о природе оптически активных дефектов и о реакциях, в которых они участвуют, постадийно рассматривается процесс формирования кристаллофосфоров. [c.2]

Поскольку основным результатом изучаемых процессов является возникновение тех или иных дефектов кристаллической решетки или изменение их концентраций, то следует в первую очередь пользоваться теми методами, которые чувствуют эти изменения. К их числу прежде всего относится исследование характеристик самой люминесценции, так как они непосредственно связаны с изучаемыми дефектами. Наряду с этим используются также методы, в основе которых лежит исследование других структурно-чувствительных свойств, т. е. свойств, резко зависящих от природы и концентрации дефектов кристаллической решетки. Ими являются электрические, фотоэлектрические и магнитные свойства кристаллофосфоров. Изучение соответствующих характеристик люминофоров в зависимости от варьируемых препаративных условий дает возможность судить о характере и закономерностях протекающих процессов. Применение для этой цели классических физико-химиче-ских методов, использующих химический, рентгеноструктурный, термографический и т. п. методы анализа, может рассматриваться только как вспомогательное средство, дающее в ряде случаев полезную информацию, но не позволяющее, в силу малой концентрации оптически активных дефектов, непосредственно следить за [c.10]

Подобно тому что имеет место в растворах электролитов [5], заряженные дефекты распределены в решетке не хаотически вследствие того что кулоновские силы действуют на значительных расстояниях, отрицательные дефекты имеют тенденцию располагаться вокруг положительных, а положительные — вокруг отрицательных, т. е. каждый заряженный дефект стремится окружить себя облаком дефектов, обладающим суммарным зарядом противоположного знака. В результате энергия взаимодействия при ассоциации заряженных дефектов уменьшается, т. е. эффективность их в реакциях такого рода снижается. Это можно учесть, вводя вместо концентраций С активности дефектов а, т. е. их эффективные концентрации. Величина а равна произведению С на коэффициент активности V [c.152]

В различных соединениях отклонения от стехиометрии связаны с возникновением дефектов того или иного вида. Например, для одного простого бинарного соединения МХ отклонения от стехиометрии могут быть вызваны дефектами на подрешетке М( м и Mi), для другого — дефектами на подрешетке X (Ух и Х ), а для третьего — дефектами Шоттки (Ум и Ух)- В каждом конкретном случае появляются те дефекты, энтальпия образования которых имеет наименьшее значение. Однако в большинстве случаев неизвестны ни значения энтальпий. образования, ни природа активных дефектов. Необходимо особо подчеркнуть следующее [c.206]

Проведенный анализ основан на экспериментальном изучении электрических свойств, и, следовательно, можно ожидать, что он характеризует все электрически активные дефекты. Вполне вероятно, что при этом не учитываются электрически неактивные дефекты, например ассоциаты вакансий свинца (соответствующие Зг, 5в и т. д.). [c.374]

Таким образом, предложенная модель может объяснить наблюдаемую линейную зависимость времени диэлектрической релаксации от содержания фтора точно так же, как и модель с единичными ориентационными дефектами, если предположить, что релаксация обусловливается миграцией L-дефектов. Равенство времени релаксации для диффузии кислорода и диэлектрической релаксации свидетельствует о том, что активным дефектом должен быть VD-дефект, а концентрация этих частиц будет уменьшаться при добавлении фтора. Однако возможно, что в чистом льде VD- и L-дефекты влияют почти одинаково на диэлектрическую релаксацию. В таком случае можно не заметить уменьшение концентрации VD-дефектов при добавлении фтора. [c.551]

Серебряные центры образуются при экспонировании также внутри эмульсионных микрокристаллов. В работе [36] показано существование внутреннего скрытого изображения, которое при известных условиях (при так называемом глубинном проявлении) может оказать активное действие. Помимо этого, непосредственным химическим анализом установлено [37], что фотолиз бромистого серебра идет не только на поверхности, но и внутри микрокристаллов. Отсюда следует, что активные дефекты находятся как на поверхности, так и внутри микрокристаллов. [c.20]

Приложение поля, снижающего положение уровня Ферми, к поверхности, на которой имеются активные центры адсорбции, ускоряет адсорбцию газа — донора, а приложение поля, повышающего уровень Ферми, ускоряет адсорбцию газа — акцептора в соответствии с положениями электронной теории. И в этом случае хемосорбция в первую очередь определяется наличием заряженных дефектов, служащих центрами адсорбции газов в заряженной форме. Для адсорбции кислорода активны дефекты, образующие акцепторные уровни, для адсорбции метанола — дефекты, образующие донорные уровни. [c.138]

Существующие модели спекания оперируют представлениями об изотропной поверхностной энергии и диффузии. При спекании происходит зернограничная диффузия. При этом вещество, поступающее посредством зернограничной диффузии к поверхности перемычки, перераспределяется далее путем поверхностной диффузии. Возможна и объемная диффузия. Существующие модели спекания носят частный характер и не дают возможности описать такие явления, как рост зерен, слияние и рост пор, усадка и закрытие пор и тд. Относительно высокие скорости уплотнения материала имеют место в период нагревания или в первые несколько минут изотермической выдержки. Далее скорость уплотнения резко падает. Такое состояние спекаемого материала вероятно связано с наличием короткоживущих активных дефектов. Методом зонного спекания, т.е. при быстром прохождении изделий через зону высоких температур, возможно отделить стадию уплотнения от стадии роста зерен, резко ускорить первую стадию. Тем самым улучшается микроструктура и физико-технические характеристики изделий. [c.34]

Наряду с этим изучалось влияние термобарической обработки на электрическое сопротивление монокристаллов алмаза. Сопротивление образцов определялось мостом Р4053 или с помощью измерителя малых токов ИН Т-0,5. Установлено, что нелегированные и легированные бором (р-тнп проводимости) кристаллы не изменяют своего сопротивления до температуры 2070 К при длительности отжига до 2 ч. В то же время электрическое сопротивление легированных Л -образцов (п-тип проводимости) с увеличением температуры отжига с 1770 К до 2120 К и при длительности ее воздействия 2 ч увеличивается на два-три порядка (до 10 —10 з Ом-м), но не достигает еще уровня нелегированных ( 10 Ом-м). Возможно, отсутствие в природе кристаллов алмаза с электронным типом проводимости и объясняется низкой термической стойкостью соответствующих электрически активных дефектов. [c.438]

Полупроводниковые стекла состава PbjoGeigSeei после облучения пучком ионов никеля и отжига при 100—220 °С обнаруживали появление электрически активных дефектов и соответствующих локальных состояний вблизи уровня Ферми. В полупроводнике возникает негомогенность в виде распределения простых дефектов и кластеров в объеме материала. Примеси переходных металлов, например никеля, имеющего незаполненный электронный -подуровень, даже при небольших концентра-Щ1ЯХ (приблизительно 0,2 ат. %) при ионной бомбардировке с интенсивностью 2-10 ион/см, приводят к возникновению значительных изменений в электронных транспортных свойствах полупроводника [447]. [c.312]

При изучении кристаллов алмаза, полученных из шихты, содержащей Аз, установлено, что влияние этой примеси на полупроводниковые свойства образцов устойчиво проявляется только при одновременном присутствии в шихте и технологических добавок, обеспечивающих скорость роста кристаллов не более 1,7- 10 м/с. Очевидно, такие условия, при которых формируются практически безазотные кристаллы (см. гл. 18), и способствуют образованию в них электрически активных дефектов с участием атомов мышьяка. Легированный мышьяком в процессе роста алмаз обладает п-типом проводимости и удельным сопротивлением при ЗООК от 10 до 10 Ом м. На образцах с большим сопротивлением определить тип проводимости известными способами ие удается. На рис. 168 наблюдаются отчетливая корреляция между сопротивлением кристаллов и содержанием легирующей примеси в шихте, а также слабая анизотропия проводимости пирамид роста <111> и <100>. На температурных зависимостях сопротивления кристаллов п-типа проводимости имеются пологие участки, соответствующие энергии активации 0,008—0,03 эВ в низкотемпературной области и 0,25—0,58 эВ в высокотемпературной, что также можно объяснить наличием примесной зоны. [c.458]

Если каталитически активные дефекты находятся в равновесии с решеткой, уравнения типа (VII.21) можно использовать в теории спекания катализаторов. Основное значение при этом приобретает тот факт, что лабильные равновесия такого типа, как образование дефектов в реальных кристаллах, можно наблюдать только в определенном интервале температур. Обозначим через Т и Т2 нижнюю и верхнюю границы этого интервала. При Г>Г2 = 0,ЗГпл согласно эмпирическому правилу Таммана начинается перестройка поверхности кристалла, приводящая к переходу от неравновесных к равновесным формам огранения. В уравнении (УП.21) это отвечает /2->1. Затем кристаллы укрупняются (г- -оо), чему отвечает быстрое падение равновесной доли дефектов. [c.120]

Рассмотрим для примера ионные кристаллы с электронным типом проводимости, содержащие в решетке избыток металла. Более лолно эти вопросы рассмотрены О. М. Полтораком в работе [80], где показано, что поверхностная активность дефектов—достаточно [c.121]

Механизм развития коррозионно-усталостного процесса в этом случае схематически можно представить так после некоторого времени от начала приложения циклического нагружения в наиболее перенапряженных зернах поверхности металла, на основе изначально существуквдих во всяком твердом теле активных дефектов (ультра-мик ротрещин ) происходят сдвиги. Адсорбция поверхностно-активных элементов среды внутри клинообразных дефектов (ультрамикро-трещин) будет способствовать их развитию и превращению, в активные и значительно увеличивать количество этих активных дефектов [45, 80]. Эго вызывает ускорение образования сдвигов и увеличение их количества в коррозионной среде так же, как это было показано исследованиями В. И. Лнхтмана и П- А. Ребиндера для поверхностно-активных сред [128]. [c.174]

В рассмотренных случаях в качестве активных дефектов выступают не междоузельные атомы цинка, а атомь металла-промотора, чем и объясняется изменение энергии активации. [c.188]

Однократным разрушением хрупкого твердого тела считается такое разрушение, при котором внешнее напряжение снимается как раз Б тот момент, когда начинают разрастаться одна или несколько трещин Гриффита. Дефекты, возникающие в последующем, активируются волнами напряжения, вызванными прорастанием первойачальных трещин, как видно на фотографии начинающегося разрушения, полученной Понселе . Снятие внешнего напряжения приводит к тому, что образование осколков определяется постулированными случайными распределениями активных дефектов в исходном образце. При этом возможность повторных разрушений осколков исключается, так как в противном случае не было бы никакой уверенности в том, что распределение дефектов в осколках (при многократном дроблении) эквивалентно распределению при однократном разрушении образца. [c.477]

Непосредственно из общего вывода Руарка следует, что вероятность Р (п 1, з, и) того, что в процессе разрушения во внутренней области образца возникает п активных дефектов (безотносительно к их типу), определяется как [c.480]

Люминофоры, среди многокомпонентных стекол, используемых в светотехнике, информатике, дозиметрии и на телевидении, следует отметить люминофоры (ЛФ). Это кристаллические вещества с частицами размером 4—10 мкм, состоящие из матрицы и примесей — активаторов, минерализаторов и соакти-ваторов [125]. Матрицей являются оксиды, сульфиды, фториды, фосфаты, силикаты, сульфаты и ряд других веществ. Центры свечения —оптически активные дефекты кристаллической решетки— вводятся при 800—1600 °С в регулируемом количестве. Содержание их составляет 10 —10 % (ат.). При избытке примесей люминесценция снижается. [c.170]

Изложенное выше относилось к металлическим кристаллам. Митоэдрический метод основан на простых кристаллографических соображениях и он применим не только к металлам. Однако его использование в области полупроводниковых веществ связано с дополнительными трудностями. Во-первых, здесь велика толщина приповерхностного слоя, и объемные свойства перестают зависеть от поверхности только для частиц 30—40 А, а это сильно сужает митоэдрическую область . Во-вторых, для полупроводников нельзя пренебречь каталитическими свойствами дефектов и поверхностной активностью дефектов [7]. И, наконец, в третьих, трудно приготовить полупроводниковые катализаторы, отличающиеся только дисперсностью в нужном интервале размеров частиц при неизменном химическом составе. Все ото приводит к тому, что митоэдрический метод до сих пор не применялся к полупроводникам. [c.260]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология