Простейшие структуры соединений типа АХ

Простейшие структуры соединений типа АХ [c.144]

Структура кристалла и структурный тип 120 5. Структура алмаза и графита 121 6. Простейшие структуры соединений типа АХ 122 7. Координационное число и координационный многогранник 124 8. Простейшие структуры типа [c.397]

Широкое применение полупроводников привело к созданию новых сложных полупроводниковых систем на основе химических соединений. Поиск таких соединений базировался, в первую очередь, на аналогии их структуры со структурой элементарных полупроводников. Так, согласно правилу октета следует ожидать, что полупроводниковыми свойствами будут обладать не только простые вещества типа AIV Д1У но и сложные соединения типа В", А В , А >В и А В , в кристаллической решетке которых на каждый атом приходится такое же количество электронов, как и в кристаллах простых веществ элементов IV группы. Действительно, полупроводниковыми свойствами обладают кристаллы следующих соединений, которые имеют тетраэдрическую структуру [c.313]

Широкое применение полупроводников привело к созданию новых сложных полупроводниковых систем на основе химических соединений. Поиск таких соединений базировался, в первую очередь, на аналогии их структуры со структурой элементных полупроводников. Так, согласно правилу октета, следует ожидать, что полупроводниковыми свойствами будут обладать не только простые вещества типа но и сложные соединения типа [c.342]

В гл. 4 было показано, что с геометрической точки зрения структуры многих неорганических соединений, особенно галогенидов и халькогенидов, можно рассматривать как совокупность плотноупакованных атомов (ионов) неметалла, в которой атомы металла занимают тетраэдрические или октаэдрические пустоты между четырьмя или шестью атомами неметалла. Число таких пустот для совокупности из N плотноупакованных шаров составляет соответственно 2М и N. При заполнении части или всех пустот в гексагональной или кубической плотнейших упаковках образуются простые структуры следующих типов [c.494]

Структура соединений типа (12) согласуется с наличием экваториальной и апикальной связей Р—у каждого атома фосфора. Три связи азота лежат в плоскости, а фосфор имеет геометрию ТБП. Длина апикальной Р---г-Н-связи лр д ще простой связи, тогда как экваториальная связь Р-т-Н значительно короче и проявляет двоесвязный характер. Понятно, однако, что эти различия могут быть следствием тригонально-бипирамидальной структуры фосфора. [c.100]

Имитация структуры простых веществ р-элементов IV группы наблюдается также в ряде бинарных соединений типа А"В и А В (где А и А — элементы II и I групп соответственно, В и В " — р-элементы VI и VII групп). [c.466]

Соединения типа бензола — с циклическими молекулами, которые можно представить как структуры с чередующимися простыми и двойными связями. (Эти связи на самом деле одинаковы.) [c.543]

Многие циклические структуры имеют тривиальные наименования. В сложных случаях название строится путем соединения названий более простых частей соединения по методу, описанному в гл. 5. Для названия таких соединений имеются также специальные системы, в которых особые слоги характеризуют тип циклической системы. [c.77]

Существует отдельная группа углеводородов, состоящая из многих кольцевых структур в одной молекуле, так называемых полиядерных ароматических углеводородов, обладающая канцерогенными свойствами. В этой группе найдено около 20 соединений типа 3,4—бенз—а—пирен. Этот углеводород, называемый часто просто бензпиреном , является своего рода индикатором присутствия в смеси других полициклических ароматических углеводородов (ПАУ). Такие углеводороды присутствуют в отработавших газах в небольшом количестве — до [c.332]

Так как водородные связи тем не менее прочнее других межмолекулярных связей, то отвердевание веществ, молекулы которых могут образовывать водородные связи, идет не по пути обычной кристаллизации. Вмешательство водородных связей, которые возникают прежде более слабых ван-дер-ваальсовских связей, направляет процесс отвердевания не в сторону образования простейших наиболее плотно сложенных структур, как при простой кристаллизации, а, напротив, в сторону синтеза разуплотненных структур каркасного типа, таких, например, как соединения включения. [c.89]

Имитация структуры простых веществ р-элементов IV группы наблюдается также в ряде бинарных соединений типа А В 1 и А В ч (где А и А —элементы II и I групп соответственно, В и В " — р-элементы VI и VII групп). Ниже приведена часть периодической таблицы Д. И. Менделеева, в которой выделены символы элементов, дающих бинарные соединения с тетраэдрическим расположением атомов в структуре хотя бы с одним из равноудаленных от IV группы элементов [c.540]

Наличие большого числа структур льюисова типа для молекул этой группы соединений весьма затрудняет определение того, какие же атомные центры в молекуле эквивалентны каким другим центрам в том смысле, что они имеют одинаковое электронное окружение. Электронное окружений может быть определено в свою очередь с помощью любой из различных теоретических концепций. В качестве показателя избыточности или дефицитности электронного заряда может быть использован простой атомный заряд, определя- [c.171]

Кристаллы, содержащие бесконечные трехмерные комплексы. Простейшие структуры, относящиеся к этой группе,— это структуры а) благородных газов, б) металлических и интерметаллических соединений и в) многих простых ионных и ковалентных кристаллов, т. е. к этой группе относятся все те кристаллы, в которых нельзя выявить группировки меньшей размерности. Не очень существенно, следует ли включать сюда или относить к молекулярным кристаллы, содержащие такие небольшие молекулы, как Н2, N2 и H2S. Типично ковалентные кристаллы этого класса включают алмаз (и изоструктурные ему Si, BN и т. д.) и родственные соединения, такие, как различные формы Si . Некоторые простейшие структурные типы бинарных соединений, в которых бесконечные трехмерные комплексы распространяются по всему кристаллу, представлены в табл. 1.2. [c.42]

Используя различные способы сочлепепия параллельных 6-членных колец, можно получить бесконечное число структур. В простейших структурах такого типа пары 6-членных колец соединяются в гексагональные призмы, или горизонтальные 6-членные кольца соединяются через наклонные 4-членные [30, 57]. Взаимное расположение слоев из 6-члешшх колец аналогично расположению слоев в простых структурах с плотной упаковкой шаров. Некоторые из возможных способов упаковки 6-членных колец представлены в табл. 2.6. На рис. 2.25 показаны параллельные гексагональной оси проекции двух структур, которые образованы двойными 6-членными кольцами, соединенными наклонными 4-членными кольцами. [c.65]

Соединения с многоатомными анионами. Соединений с многоатомными анионами (гл. 4, разд. А.2) больше, чем с одноатомными. Многоатомные ионы имеют различные структуры, отличающиеся по форме от сферической, и их можно рассматривать как индивидуальные частицы. Хотя формы этих анионов различны, положения их центров тяжести в кристаллах в большинстве случаев образуют простые структуры, подобные типу Na l и другим. В ряде случаев анионы могут свободно [c.195]

Для простейших ионных соединений типа АБ наиболее часто встречаются структуры (решетки) типа s l, типа Na l и типа ZnS (цинковой обманки). Кристаллическая решетка типа s l (объемноцентрированного куба) показана на рис. 2, а. В этой решетке каждый ион s окружен восемью равно отстоящими от него ионами 1 и, наоборот, каждый ион СГ— восемью ионами [c.18]

Диметилртуть — простейшее ртутноорганическое соединение типа R2Hg. Колебательный спектр этой молекулы — один из наиболее изученных среди ртутноорганических соединений. На основе спектров КР [12, 18—20] и ИК-спектров [12, 20—23] диметилртути в согласии с данными электронографии [24, 25] Гутов-ским [12] была установлена линейная структура скелета СНдС и свободное вращение двух метильных групп вокруг оси Hg, т. е. группа симметрии молекулы О зл. Главными доказательствами свободного вращения являются результаты исследования вращательной структуры перпендикулярной ИК-полосы Ув, проведен- [c.225]

Нитриды GaN, InN, TIN принадлежат к соединениям типа А "В (А — элемент III группы, а В — элемент V группы). Эти соединения изоэлектронны простым веществам, образованным элементами IV группы (например, Si, Ge) и обладают полупроводниковыми свойствами. В большинстве полупроводниковых соединений типа, А "В атомы находятся в тетраэдрической координации друг относительно друга и кристаллизуются в решетке типа сфалерита или вюртцита. Так, GaN, InN и TIN кристаллизуются в решетке типа вюртцита, а МР, MAs, MSb, где M=Ga, In — в решетке типа сфалерита. Нитриды элементов подгруппы галлия отличаются высокой химической устойчивостью и близки по структуре к алмазу и алмазоподобному BN. Наибольшей химической устойчивостью отличается GaN. Он не взаимодействует с водой, разбавленными и концентрированными кислотами, устойчив при нагревании на воздухе до 1000° С. При комнатной температуре GaN является полупроводником, а при низких температурах обладает сверхпроводимостью. По своей химической устойчивости InN значительно уступает GaN, он легко реагирует с растворами кислот и щелочей, окисляется на воздухе выше 300° С. Теплоты образования GaNxB и InNxB при 25° С соответственно равны 26,4 и 4,2 ккал/моль. [c.177]

Сочленение шести ребер (рис. 5.22,ж) с шестью другими октаэдрами порождает интересную трехмерную каркасную структуру, которая родственна ряду кубических структур. Можно видеть, что обобществление шести ребер, расположенных по типу ж, оставляет шесть ребер, расположенных по типу в, необобществленными, а участие в соединении октаэдров всех двенадцати ребер дает структуру Na l. Соответственно имеются две очень простые структуры, выводимые из структуры Na l путем удаления половины ионов металла. Удаление через один из слоев катионов, как показано на рис. 4.22, а (разд. 4.3), дает слоистую структуру d b, в которой октаэдры соединены по ребрам (вариант в). С другой стороны, если удаляются другие ряды катионов, показанные пунктирными кружками на рис. 4.22, б, мы получаем структуру, в которой каждый октаэдр сочленен со своими соседями через ребра в соответствии с вариантом ж. Эта структура изображена в виде системы октаэдров на рис. 7.3. Хотя ближайшее окружение ионов А и X в обеих этих структурах (рис. 4.22, а и б)в точности одинаково, примечательный факт состоит в том, что нет дигалогенида, кристаллизующегося со структурой, отвечающей второму варианту (в то время как [c.261]

Хотя сравнительно простой механизм РККИ дал возможность в значительном числе случаев интерпретировать в общих чертах количественно магнитные и связанные с ними свойства, тем не менее ясно, что он недостаточно гибок, чтобы объяснить детали физического поведения веществ. Сложные спиновые структуры соединений типа RA1 можно понять только в том случае, если мы допустим, что кристаллические и обменные поля должны быть сравнимы по величине кроме того, во многих случаях мы приходим к выводу, что доминирующими являются эффекты, связанные с анизотропией. [c.108]

Особенно интересные примеры донорно-акцепторных комплексов были обнаружены при исследовании взаимодействия карбонильных и ацильных групп с льюисовскими кислотами и другими акцепторами.Взаимодействия амидов и других карбонильных соединений с протоном, льюисовскими кислотами типа трифторида бора и х.торида алюминия и переносящими заряд акцепторами типа иода или брома в общем происходят путем подачи неподе-ленной пары карбонильного кислорода к акцептору. Это приводит к удлинению связи >-С О и укорочению связи с расположенным рядом электронодонорным атомом азота в амиде, а также к увеличению чувствительности карбонильной группы к нуклеофи.гьной атаке. Удлинение связи >>С =0 проявляется в понижении на 43 см частоты валентных колебаний карбонильной группы N, N-диметилацетамида в его комплексе с иодом [231. Подобные комплексы, как правило, неустойчивы и имеют константы устойчивости порядка нескольких единиц так, константы равновесия образования комплексов N,N-димeтилбeизaмидa с иодом в четыреххлористом углероде составляют приблизительно 4 л/моль [241. Эти комплексы проявляют ожидаемое увеличение устойчивости при введении электронодонорных заместите.тей величина р для образования комплексов иода с замещенными М,М-диметил-бензамидами равна —0,7 [24], а комплексы с амидами более устойчивы, чем с простыми карбонильными соединениями типа ацетона, в которых подача электронов от рядом расположенных атомов к карбонильной группе происходит в гораздо мепьшей степепи. Структура одного из представителей этой группы — колшлекса брома с ацетоном в твердом состоянии — была установлена рентгенографически, и было обнаружено, что она представляет собой зигзагообразную сетку Vni, в которой каждый карбонильный кислород связан с двумя молекулами брома [25] [c.341]

В кристаллохимии широко используется понятие координационного числа. Этим термином называется число атомов, непосредственно взаимодействующих с данным атомом. Можно показать, что координационное число в общем тем больше, чем меньше различие в размерах ионов (пли атомов). При одинаковых размерах ионов координационное число может достигать 12, как это имеет место у металлов, кристаллизующихся в плотнейших кубической или гексагональной решетках. Из структур, встречающихся у соединений типа АВ, наиболее плотной укладке. отвечает объемно-центрированная кубическая, решетка s l со свойственным ей координационным числом 8, далее следует простая кубическая решетка Na l с координационным числом 6 и еще дальше структуры сфалерита (и вюрцита) с координационным числом 4. Кристаллы соединений двух- и трехвалентных элементов, не рассматривавшиеся нами, имеют иногда решетку графита, у которой координационное число равно 3. [c.130]

Имитация структуры простых веществ р-элементов IV группы наблюдается такясе в ряде двухэлементных соединений типа где А и А —эле- [c.200]

В соответствии с преобладающим типом химической связи в бинарных соединениях реализуются pa3jjH4Hue кристаллические структуры плотно упакованные ОЦК и другие для металлидов (к.ч. 8, 12 и более), менее плотно упакованные (к.ч. 6, 8) для солеобразных ионных кристаллов и "рыхлые" структуры с невысокими координационными числами (к.ч. < 4) для ковалентных соединений. В последнем случае возможно также образование слоистых, цепочечных и молекулярных кристаллических структур. Изменение типа кристаллической структуры в зависимости от характера химической связи в бинарных соединениях можно проследить в так называемых изоэлектронных рядах. Изоэлектронным рядом называют последовательность соединений с одинаковым средним числом валентных электронов на атом. Наиболее известны и показательны в этом отношении изозлектронные ряды соединений, компоненты которых расположены симметрично относительно элементов IVA-группы. Четыре валентных электрона на атом обеспечивают возникновение пространственных тетра.эдри ческих структур с ковалентным типом связи у простых веществ этой группы. [c.258]

Нефть является чрезвычайно сложной смесью углеводородных соединений от небольшого молекулярного веса и сравнительно простой структуры (легкие бензиновые фракции) до обладающих весьма большим молекулярным несом и очень сложной и разнообразной структурой (остаточные фракции смазочных масел). Нефти, добываемые из различных месторождений США, сильно различаются по типам я свойствам углеводородных соединений, из которых они состоят. [c.95]

Моноциклопентадиенилкарбонилы переходных металлов с нечетными атомными номерами имеют простейшую структуру для соединений этого типа. Хотя рентгенографических исследований не проводили, все имеющиеся данные указывают на структуру, в которой пять углеродных атомов циклопентадиенильного кольца расположены эквидистантно по отношению к атому металла, а карбонильные группы расположены симметрично углеродному кольцу. [c.254]

В гл. 1 отмечалось, что многие молекулярные и кристаллические структуры являются результатом компромисса между противоречащими друг другу требованиями упаковки (или хи тического связывания) атомов разного сорта. Исследования простейших типов структур соединений АтХ с илотноупако-ванными атомами X (гл. 4) и способов соединения тетраэдров [c.81]

Как ЭТО НИ удивительно, но структурные соотношения для галогенидов ш,елочноземельных металлов оказываются не такими простыми двенадцать соединений кристаллизуются в шести разных структурных типах. Фториды имеют структуру типа флюорита (а под давлением — структуру РЬС12). Особенности структур других галогенидов обусловлены те.м обстоятельством, что ионы металла оказываются слишком большими для того, чтобы образовать полярные слоистые структуры АХз. Вместо этого реализуются менее симметричные структуры с коордииа- [c.93]