Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Адсорбция поверхности кристаллического осадка

    В склянку с притертой пробкой, емкостью около 500 мл, вносится 50 мл 0,1 п. раствора бромид-бромата (2,7836 г чистого, сухого бромата калия и 12 г бромистого калия растворяют в воде й разбавляют раствор водой до 1 л), разбавляют 300 мл воды и прибавляют 30 мл разбавленной серной кислоты (25°/о-ой). В этот раствор вливают при помешивании 25 Л1л раствора 0,7—0,8 г салициловой кислоты и 1,5 г кристаллического углекислого натрия в 500 мл воды. Тотчас же образуется белый осадок. Оставляют стоять минут на 5, перемешивая время от времени, прибавляют затем 4 г иодистого калия и титруют 0,1 н. раствором тиосульфата натрия. Раствор крахмала прибавляется под конец титрования, когда жидкость уже слабо окрашена, так как в противном случае иодистый крахмал вследствие адсорбции на поверхности хлопьевидного осадка легко может ускользнуть от титрования. [c.379]


    Первые систематические исследования в области адсорбции радиоактивных элементов на поверхности кристаллических осадков были выполнены К. Фаянсом и Ф. Панетом, которые сформулировали эмпирические правила соосаждения и адсорбции. [c.94]

    На величину окклюзии влияет также скорость приливания осадителя. Известно, что при медленном приливании осадителя получаются обычно более чистые осадки. Это может зависеть, отчасти, от того, что при медленном осаждении образуется более крупнозернистый, с меньшей поверхностью осадок. Но поскольку при образовании кристаллических осадков явления адсорбции играют сравнительно малую роль, более вероятно допущение, что медленный рост кристаллов способствует уменьшению окклюзии, так как при этом легче протекает процесс замены адсорбированных на поверхности кристаллов ионов примесей собственными ионами осадка. [c.115]

    Если ионный кристалл помещается в раствор, содержащий собственные, изотопные или изоморфные ионы, то между поверхностью кристалла и раствором весьма быстро устанавливается динамическое равновесие при этом скорости перехода ионов с поверхности кристалла в раствор и из раствора в кристалл оказываются равными. Этот процесс ускользает от наблюдения в обычных условиях, но если ионы в растворе меченые (т. е. имеют иной, по сравнению с обычными ионами, изотопный состав), то кинетический обмен с ионами поверхности кристалла становится доступным наблюдению. Нетрудно видеть, что этот процесс приводит к переходу части ионов из раствора на поверхность кристаллического осадка и является причиной первичной обменной адсорбции. [c.105]

    Однако первичная обменная адсорбция изоморфных ионов может рассматриваться как распределение их между раствором и поверхностью кристаллического осадка [10]. Поэтому к таким процессам применимы рассуждения, приведенные выше (стр. 40), из которых, в частности, следует, что распределение вещества между кристаллической фазой и раствором при процессах изоморфной сокристаллизации не связано непосредственно с отношениями растворимостей макро- и микрокомпонентов. [c.106]

    Применение радиоактивных изотопов позволяет установить наличие обмена и по количеству радиоактивного изотопа, перешедшего в кристалл, определить величину поверхности кристаллического осадка. При равновесии радиоактивный изотоп распределяется между поверхностью кристалла и раствором в таком же отношении, в каком находится чнсло атомов макрокомпонента на поверхности кристалла к числу его атомов в растворе (первичная адсорбция), т. е.  [c.372]


    Чистота кристаллических осадков. Удельная поверхность кристаллических осадков (определяемая как площадь, отнесенная к единице массы в см /г) обычно мала, поэтому соосаждение по механизму адсорбции незначительно. Однако другие виды соосаждения, связанные с загрязнением внутри кристалла, могут привести к серьезным ошибкам. [c.150]

    В большинстве случаев работать с кристаллическими осадками удобнее, чем с аморфными. Если осадок получается в виде достаточно крупных кристаллов, то его можно значительно быстрее отделить от раствора фильтрованием и промыть. Так, например, все кристаллические осадки соединений металлов с органическим реактивом — оксихинолином отфильтровываются и промываются значительно быстрее, чем аморфные гидроокиси тех же металлов или их сернистые соединения (сульфиды). Далее, кристаллические осадки имеют меньшую общую поверхность, поэтому значительно уменьшается адсорбция примесей на поверхности. [c.56]

    Аналогичные условия осаждения, связанные с адсорбцией на поверхности образующегося осадка , имеют большое значение не только для аморфных, но и для кристаллических осадков. [c.62]

    Во всех случаях количество захватываемой примеси зависит от ее адсорбции. Чем больше поверхность массы кристаллического осадка, тем больше возможность его загрязнения. Кроме того, адсорбция зависит от электрического заряда осадков, на величину и знак которого влияет способ их образования. Данный ион при любой его концентрации будет адсорбироваться кристаллом, если заряд поверхности кристалла противоположен по знаку заряду этого ион и если адсорбционное соединение труднорастворимо. [c.255]

    Соосаждение с кристаллическими осадками, при котором микрокомпонент распределяется по всему объему твердой фазы, принимая участие в построении кристаллической решетки микрокомпонента, называют сокристаллизацией. Соосаждение микрокомпонента на поверхности твердой фазы макрокомпонента, включая также внутреннюю поверхность, называют адсорбцией. [c.191]

    Адсорбируемость ионов на поверхности осадка зависит также от концентрации ионов, находящихся в растворе, от заряда ионов (многозарядные адсорбируются легче однозарядных) и от их размера (при прочих равных условиях в первую очередь адсорбируются ионы, имеющие примерно тот же размер, что и ионы, входящие в состав кристаллической решетки осадка). Количество адсорбированных на поверхности осадка ионов тем больше, чем больше его поверхность, поэтому к адсорбции более склонны осадки с развитой поверхностью, т. е. аморфные. Для предотвращения явления адсорбции осаждение как аморфных, так и кристаллических осадков проводят в условиях, позволяющих получить осадки с наименьшей поверхностью (см. ниже табл. 11.2) повышение температуры также способствует уменьшению адсорбции, так как адсорбция — экзотермический процесс. Количество адсорбированных примесей можно уменьшить при промывании осадков на фильтре водой или промывной жидкостью, а также в случае кристаллических осадков в процессе их старения. [c.149]

    ВЫВОД, что скорость осаждения сульфата свинца и сульфата бария зависит от того, какой из ионов находится в избытке. Однако поскольку адсорбция ионов кристаллической решетки в значительной степени зависит от состояния совершенства поверхности (см. гл. 8), то вообще нельзя ожидать, что весь процесс роста частиц осадка может быть выражен с помощью какого-то простого закона роста. [c.159]

    Если при выделении радиоактивных изотопов с кристаллическими осадками имеет место адсорбция радиоактивных изотопов, то последние концентрируются на поверхности раздела о с а-д о к—р а с т в о р. Количество адсорбированного радиоактивного изотопа зависит от величины и заряда поверхности. При осаждении иодистого серебра в присутствии избытка ионов иода заряд поверхности осадка будет отрицательным и адсорбция положительно заряженных ионов ThB будет значительной. Если же поверхность осадка будет заряжена положительно, то ионы ThB практически не будут адсорбироваться. [c.289]

    В дальнейшем Хлопин и Кузнецова детально изучили радиоактивные методы определения поверхности с целью получить количественные данные, которые можно было бы использовать для установления законов первичной адсорбции. Это было вызвано тем, что ранние исследования адсорбции радиоактивных изотопов на кристаллических осадках обычно производились с недостаточно охарактеризованными адсорбентами и при этом не учитывались в должной мере все факторы, влияющие на ад- [c.436]

    Чрезвычайно важным в осадительной гравиметрии является получение чистой осаждаемой формы, не содержащей примесей. Главной причиной загрязнения ионно-кристаллических осадков является адсорбция посторонних ионов, обусловленная наличием электростатического поля около ионов, находящихся на поверхности осадка. Количество адсорбированных примесей сильно зависит от размера частиц осадка -оно минимально для аморфных осадков, меньше для мелкокристаллических и максимально для крупнокристаллических осадков. Поэтому с целью уменьшения адсорбции посторонних ионов процесс осаждения необходимо проводить таким образом, чтобы получились крупнокристаллические осадки. Для многих осадков это возможно в тех случаях, когда осаждение проводят при малом пересыщении. Количество адсорбированных осадком примесей уменьшается при понижении их концентрации в маточном растворе путем многократного осаждения. [c.277]


    Влияние условий осаждения. Адсорбция весьма сильно зависит от условий опыта. Например, большое значение имеют концентрации смешиваемых растворов. Так, в 26 указывалось, что осаждать аморфные осадки, подобные Ре(ОН)з, А1(0Н)я и т. п., удобнее из концентрированных растворов, потому что при этом получаются более плотные осадки с меньшей поверхностью, вследствие чего адсорбция ими посторонних ионов сильно уменьшается. Наоборот, кристаллические осадки удобнее осаждать из разбавленных растворов, так как это способствует получению более крупных кристаллов, которые [c.116]

    Кроме отмеченных факторов, на внутреннюю адсорбцию влияет также скорость приливания осадителя. Если прилить сразу избыток осадителя, то рост кристаллов осадка будет происходить в среде, содержащей избыток осаждающего иона. Другими словами, будут созданы условия, сходные с теми, которые имеют место при обратном порядке сливания растворов. Но, помимо этого косвенного влияния, скорость прибавления осадителя может, по-видимому, влиять на внутреннюю адсорбцию и более непосредственно. Известно, что при медленном приливании осадителя получаются обычно более чистые осадки. Отчасти это может зависеть от того, что при медленном осаждении образуется более крупнозернистый, с меньшей поверхностью осадок. Но, поскольку при образовании кристаллических осадков явления поверхностной адсорбции играют сравнительно малую роль, более вероятно допущение, что медленный рост кристаллов способствует уменьшению внутренней адсорбции, потому что при этом более легко может протекать процесс замены адсорбированных на поверхности кристаллов примесей собственными ионами осадка. [c.119]

    Что такое адсорбция В чем причина адсорбции на поверхности Какие осадки—кристаллические или аморфные—больше адсорбируют на своей поверхности растворенные вещества Чем это объясняется  [c.163]

    Окклюзией, т. е. захватом образующимся осадком растворимых в данной среде примесей, что наблюдается при быстром росте кристаллических осадков. При окклюзии в отличи от поверхностной адсорбции загрязнение осадков происходит не только на поверхности, но и по всей массе осадка, внутри его кристаллов. [c.364]

    Изложенные данные могут послужить исходным материалом для понимания механизма действия упомянутых блескообразователей. На основе обнарун енной взаимосвязи между образованием блестящих осадков олова и выделением водорода можно предполагать, что роль водорода заключается в восстановлении блескообразователя, продукты которого адсорбируются на поверхности электрода. Однако при больших концентрациях блескообразователя адсорбция продуктов его восстановления настолько велика, что получается сплошная непроницаемая пленка, которая почти полностью задерживает осаждение олова. Поэтому для получения блестящих осадков олова концентрация блескообразователя должна быть подобрана так, чтобы продукты его восстановления не покрывали всей поверхности катода сплошной пленкой, а только более активные места кристаллического осадка, т. е. растущие грани кристаллов, где имеются более благоприятные условия для адсорбции. Ввиду такой частичной адсорбции данные блескообразователи незначительно затрудняют разряд ионов олова, как видно из представленных на рис. 1 и 2 поляризационных кривых. [c.481]

    Образованию кристаллического осадка способствует большая турбулентность в методе сухой фильтрации (истинная скорость фильтрования более 100 м/ч), чем в методах аэрации н фильтрования. По-виднмому, происходит адсорбция Ре + поверхностью загрузки, покрытой окислами железа, окисление Ре + кислородом, а также наблюдается повышение концентрации Ре + на поверхности загрузки по сравнению с концентрацией во всем объеме воды вследствие каталитического влияния ранее образованного осадка. Поверхность загрузки, покрытая соединениями железа, играет также роль ядер кристаллизации. Вследствие увеличения концентрации и благодаря наличию ядер кристаллизации осадок образуется на поверхности загрузки, а ие в объеме всей воды. [c.73]

    Наоборот, в случае кристаллических, и в особенности крупнокристаллических осадков, поверхность которых во много раз меньше, адсорбция играет обычно меньшую роль в сравнении с другими типами соосаждения. [c.111]

    Адсорбция примесей осадком основного компонента. Возможен обмен ионов между раствором и веществом, поглощенным осадком. Например, на поверхности кристаллических осадков адсорбируются потенциалопределяющие ионел. Поверхностная адсорбция выражается уравнением [c.75]

    Окклюзия. При окклюзии загрязняющие вещества находятся внутри частиц осадка. Окклюдированные вещества не участвуют в построении кристаллической решетки осадка, хотя в некоторых учебниках образование смешанных кристаллов изоморфизм) рас-смагривается как частный случай окклюзии. Таким образом, окклюзия отличается от адсорбции тем, что соосажденные примеси находятся не на поверхности, а внутри частиц осадка. Окклюзия может быть вызвана различными причинами, а именно захватом примесей в процессе кристаллизации, адсорбцией в процессе кристаллизации, образованием химических соединений между осадком и соосаждаемой примесью. [c.113]

    Если, однако, эти предположения отвечают действительности, то очень трудно объяснить хорошее совпадение результатов опытов по определению поверхности кристаллических осадков PbS04, ВаСг04, РЬСг04 и т. д. с помощью первичной обменной адсорбции, микроскопических измерений и эмана-ционного метода (табл. 3-2). [c.108]

    Более часто соосаждение обусловлено адсорбцией радиоактивных элементов на поверхности осадков и окклюзией. В этом случае количество соосадившейся микропримеси зависит от величины и природы поверхности осадка. Особенно сильно адсорбируют микропримеси аморфные осадки адсорбционная способность кристаллических осадков много меньше. Поэтому перекристаллизация осадков часто способствует удалению адсорбированных или захваченных нримесей. Уменьшить адсорбцию можно, проводя осаждение из относительно разбавленного раствора или подобрав соответствующий pH среды. Осаждение лучше проводить из горячего раствора. [c.161]

    Положительную роль играет выдерживание кристаллических осадков под маточным раствором, так как при этом уменьшается поверхность осадка (а следовательно, и адсорбция) и растворя-ктся мелкие кристаллы (а следовательно, уменьшается и окклюзия).  [c.118]

    Адсорбш радионуклидов на кристаллических осадках. Соосаждение радионуклида с кристаллическим осадком может происходить в результате адсорбции. При этом адсорбционный захват микрокомпонента зависит от величины поверхности осадка. Адсорбционный вид соосаждения таким образом имеет существенное значение при образовании осадков с сильно развитой поверхностью. На гетерогенных кристаллах в зависимости от состояния в растворе радионуклида может происходить как ионная, так и молекулярная адсорбия. [c.321]

    Взаимодействие растворов щелочных силикатов с растворимыми солями других поливалентных металлов, таких как цинк, кадмий, медь, никель, железо, марганец, свинец и другие, во многом протекает аналогично взаимодействию с солями щелочноземельных металлов. Образование студенистых осадков малорастворимых гидроксидов металлов происходит еще более легко и также способствует созданию мембран на границах смешиваемых фаз. Образование кристаллических продуктов тоже маловероятно ввиду полимерности не только анионов, но и катионов. Редкое исключение составляет относительно легко кристаллизующийся силикат меди, образующийся при взаимодействии щелочных силикатов с растворами сульфата или хлорида меди. В местах контакта фаз pH резко изменяется, так как ионы гидроксила поглощаются катионами поливалентного металла, что способствует полимеризации кремнезема. Поверхность студенистых осадков более развита и склонность к адсорбции и соосаждению различных ионов больше. Продукты взаимодействия представляют собой смесь гидроксидов, силикатов и основных солей в аморфном состоянии, причем соотношение между ними определяется теми же условиями проведения реакции. Оксиды цинка и свинца, в том числе сурик РЬз04, осаждают кремнезем из растворов жидких стекол, причем их активность зависит от температурной обработки, которой они подвергались. Хорошо сформированные состарившиеся окислы большинства тяжелых металлов практически инертны в щелочных силикатных системах. С высшими окислами молибдена и вольфрама, находя-, щимися в ионной форме молибдатов и вольфраматов, в кислых средах мономерный кремнезем образует гетерополикислоты. Полимерные и коллоидные формы кремнезема взаимодействуют с молибденовой кислотой медленней по мере образования мономерных форм, на этом основано условное деление общего содержания кремнезема в жидких силикатных системах на растворимый (а-5102) и коллоидный. Хроматы и бихроматы осаждают кремнезем из растворов щелочных силикатов, при этом отмечается появление полезных технических свойств осажденных форм. [c.62]

    Адсорбция ионов ионно-кристаллическим осадком обусловлена главным образом наличием электростатического поля около ионов, находящихся на его поверхности. В силу этого катионы поверхностного слоя кристалла проявляют тенденцию к притяжению и захвату анионов, а анионы этого слоя притягивают из раствора катионы. Адсорбция ионов растет как с повы-щением их концентрации в растворе, так и с увеличением их заряда. Несмотря на преимущественно электростатический характер адсорбции в подобных условиях проявляется определенная ее избирательность по отнощению к адсорбируемым ионам, выраженная в известном правиле Пакета — Фаянса — Гана ионно-кристаллический оСадок адсорбирует из раствора преимущественно те ионы, которые с одцим из ионов осадка образуют наименее растворимое в данных условиях соединение.  [c.210]

    Как отмечают А. Т. Баграмян и 3. А. Соловьева [726], литературные данные о наводороживании гальваноосадков часто отрывочны и противоречивы. Авторы указывают три возможных пути включения водорода в электроосадок металла. Первый путь — адсорбция атомарного водорода на поверхности растущего осадка. Адатомы -водорода либо занимают узлы кристаллической решетки металла, либо располагаются между ними, образуя твердый раствор. Второй путь — образование гидридов с металлом покрытия, распадающихся со временем с выделением водорода [728, 729, 730]. С металлами переходной группы водород дает металлическую связь. Третий путь — механический захват водорода вследствие застраивания полостей в растущем осадке. Соотношение между этими механизмами наводороживания осадков в каждом случае зависит от природы, металла и условий электроосаждения. [c.367]

    В отличие от вторичной адсорбции, к процессам первичной обменной адсорбции должно быть применимо эмпирическое пра- вило Фаянса — Панета. Совершенно очевидно, что в случае первичной адсорбции ТЬВ на кристаллическом осадке PbSQ4 кинетический обмен между ионами поверхности осадка и ионами раствора должен приводить к выравниванию изотопного состава свинца на поверхности и в растворе. [c.105]

    При соосаждении катионов и анионов загрязнения из раствора концентрируются на поверхности зародышей осадка. Это приводит к окклюзии, при которой происходит внедрение в кристаллическую решетку образующегося осадка, ионов или молекул, адсорбированных в процессе роста зародышей. Аналогично может внедряться в кристаллическую решетку осадка вода, которая не удаляется затем количественно при нагревании до 100 °С. При соосаждении может протекать также адсорбция ионов раствора на поверхности кристаллических частрщ. На кристаллической поверхности осадка могут адсорбироваться соли, имеющие общий с сульфатом бария ион. В этом случае происходящие процессы описываются, хотя и с некоторыми исключениями, адсорбционным правилом Панета — Фаянса — Гана. Соли, не имеющие с осадком общего иона, подвергаются обменной адсорбции. Другими факторами, которые существенно дополняют правило Панета — Фаянса— Гана, являются способность адсорбированных соединений к электролитической диссоциации и деформируемость адсорбированных ионов. [c.521]

    Выше мы исходили из обычных представлений об адсорбции как о быстро протекающем процессе. Однако в некоторых работах по кинетике адсорбции найдено, что количество адсорбированного осадками полярных солей радиоизотопа является сложной функцией времени, зависящей от природы адсорбируемого вещества [99—103]. Если процесс первичной обменной адсорбции происходит лишь на поверхности кристаллической решетки, то при гомогенном распределении микро-колгаонента кинетика адсорбции должна отвечать закону мономолеку-лярной реакции [c.76]

    В дальнейшем Хлопин и Кузнецова детально изучили радиоактивные методы определения поверхности с целью получить количественные данные, которые можно было бы использовать для установления законов первичной адсорбции. Это-было вызвано тем, что ранние исследования адсорбции радиоактивных изотопов на кристаллических осадках обычно производились с недостаточно охарактеризованными адсорбентами и при этом не учитывались в должной мере все факторы, влияющие на адсорбцию. Прежде всего необходимо было установить виды адсорбции, с которыми мы имеем дело в данном случае, так как наряду с первичной обменной адсорбцией возможно наличие и вторичной адсорбции. Для этой цели необходимобыло получить постоянную, не изменяющуюся во времени кристаллическую поверхность. В качестве такого адсорбента применялась специально приготовленная суспензия. [c.329]

    В отличие от изоморфного соосаждения адсорбционное соосаж-дение очень чувствительно к условиям опыта. Так, выше указывалось, что осаждение аморфных осадков вроде Fe(OH),. удобно вести из концентрированных растворюа, так как при этом получаются осадки с. меньше повер-хностью, кото ые вследствие этого меньше адсорбируют. В случае кристаллических осадков та же цель достигается медленным прибазление.ч осадителя, способст- вую1ци.м образованию более крупных кристаллов. А чем кристаллы крупнее, те.м меньше их общая поверхность и те.м меньше б де1 адсорбция ими посторонних веществ. Значит, соблюдение услоБ И1, благоприятствующих образованию сравнительно крупнокристаллических осадков, не только улучшает условия фильтрования, но и способствует получению более чистых осадков. [c.278]

    Соосаждение посторонних ионов с каким-либо выпадающи.м из раствора или полученным заранее и внесенным в раствор осадком происходит при прочих равных условиях тем сильнее, чем меньше растворимость того соединения, которое соосаждае-мый ион образует с противоположно заряженным ионом осадка. Наряду с растворимостью большую роль в явлениях соосаждения играет также изоморфизм осадка и соосаждаемой примеси, что часто приводит к так называемому изоморфному соосаж-д е н и ю (изоморфными называются вещества, способные строить совместную кристаллическую решетку, образуя при этом с -е-шанные кристаллы). Большое значение имеет также адсорбционное соосаждение в результате адсорбции соответствующей примеси на поверхности частиц осадка. [c.27]

    Например, ион 504, находящийся внутри кристалла (рис. 17, стр. 102), окружен со всех сторон 6 ионами Ва", а ион 801, находящийся на поверхности грани кристалла, соприкасается лишь с 5 ионами Ва", ион же, находящийся в углу, лишь с 3 ионами Ва . Эти наружные ионы своими зарядами действуют на имеющиеся в растворе ионы с противоположными зарядами, заставляя их конденсироваться на поверхности кристалла. Подобная конденсация ионов на поверхности кристаллов без образования определенных химических соединений, т. е. адсорбция кристаллическими осадками, носит всегда избирательный характер. В первую очередь адсорбируются одноименные ионы например, при осажденци иона 804 хлоридом бария, взятым по общему правилу в избытке, осадок Ва80 адсорбирует преимущественно имеющиеся в растворе ионы Ва . Далее следуют ионы, образующие с противоположно-заряженными ионами кристалла труднорастворимые соединения. Например, при осаждении ионов Ва" серной кислотой весьма нежелательно присутствие ионов Са вследствие того, что они адсорбируются в значительной мере, так как Са80 труднорастворим. По этой же причина ионы Ва" осаждают серной кислотой в присутствии соляной кислоты, а не азотной. При 20° [c.109]


Смотреть страницы где упоминается термин Адсорбция поверхности кристаллического осадка: [c.138]    [c.264]    [c.364]    [c.119]    [c.440]    [c.331]    [c.329]    [c.225]   
Радиохимия и химия ядерных процессов (1960) -- [ c.108 , c.109 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Адсорбция на осадках

Осадок кристаллический



© 2024 chem21.info Реклама на сайте