Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Кристаллы внедрения

    Таким образом в процессе нейтрализации кислых растворов при хорошем перемешивании первой будет выпадать в осадок гидроокись с меньшим значением pH осаждения. Гидроокиси с pH осаждения, близкими по величине, осаждаются одновременно. Совместное осаждение гидроокисей приводит к образованию смешанных кристаллов, внедрению одной гидроокиси в решетку другой, поверхностной адсорбции осадком, образующимся первым, другого осадка. [c.102]


    Смешанные кристаллы внедрения образуются, если один из атомов может занять пустоты в решетке, образованной атомами другого металла. Например, углерод может внедряться в структуру 7-железа, в результате чего получается смешанный кристалл (твердый раствор) аустенит. [c.143]

    Кроме смешанных кристаллов замещения, существуют смешанные кристаллы внедрения, когда атомы одного компонента внедряются в кристаллическую решетку другого, не изменяя ее структуры. Соотношение размеров атомов здесь имеет совершенно другое значение. Внедряющийся атом должен быть значительно меньше атома растворителя. Такого рода твердые растворы обычно образуются при растворении неметаллических атомов в металлах. Водород, азот, углерод, бор образуют твердые растворы с железом. [c.225]

    Таким образом, в процессе нейтрализации кислых растворов при хорошем перемешивании первым будет выпадать в осадок гидроксид с меньшим значением pH осаждения. Гидроксиды, обладающие близкими значениями pH осаждения, осаждаются одновременно. Совместное осаждение гидроксидов приводит к образованию смешанных кристаллов, внедрению одного гидроксида [c.100]

    Тесные взаимосвязи существуют также между твердостью хрупких кристаллов и их поверхностной энергией. Для измерения твердости кристаллов существуют многочисленные методы, результаты которых, как правило, не сопоставимы друг с другом. Таким образом, для твердости кристаллов, которую можно охарактеризовать как сопротивление кристалла внедрению в него какого-нибудь инструмента (например, при царапании, сверлении, шлифовании), нет точного метода определения. Поэтому делается много попыток придать физический смысл понятию твердости. С одной из них мы уже познакомились, а именно с той, которая объясняет твердость, привлекая понятие энергии решетки (см. 5.6). [c.263]

    Смешанные кристаллы внедрения. Такие кристаллы возникают, когда атомы одного компонента занимают промежутки в кристаллической решетке атомов другого компонента. Например, углерод может быть включен в у-Ре образующийся смешанный кристалл внедрения называется аустенитом. [c.175]

    Одновременное осаждение гидроокисей будет иметь место лишь в том случае, если pH осаждения гидроокисей близки по величине. При совместном осаждении гидроокисей происходит образование смешанных кристаллов, внедрение одной гидроокиси, имеющейся в меньшем количестве, в решетку другой или поверхностная адсорбция осадком, который образуется первым, другого осадка. Свойства выпадающего осадка гидроокисей [c.7]

    До сих пор наш подход был чисто формальным описывая поведение систем, мы не пытались объяснить, почему они ведут себя именно таким образом. Как легко видеть, два кристалла, внедрение примесного атома в каждый из которых происходит по одному из рассматриваемых механизмов внедрения, отличаются тем, что один содержит преимущественно Vm, в то время как другой Мм Ч- е. Окончательный выбор механизма внедрения можно сделать по величинам равновесных концентраций для реакции [c.444]


    Неправильное расположение отдельных атомов в кристаллической решетке создает точечные дефекты. В кристалле, состоящем из одинаковых атомов, например в кристалле металла, в каком-то участке решетки может отсутствовать один из атомов. На его месте будет полость, вокруг нее — искаженная структура (рис. 1.90а). Такой дефект называется вакансией. Если же атом данного вещества или атом примеси попадает между атомами в узлах решетки (рис. 1.906), то возникает дефект внедрения. [c.151]

    Сплавы. Металлические сплавы обычно состоят из кристалликов различных компонентов, причем каждый вид кристалликов содержит преимущественно только один из компонентов. Однако в значительном ряде случаев обнаруживается присутствие в кристаллах данного вида не одного, а, например, двух из компонентов сплава. Это бывает в тех случаях, когда компоненты или-химически взаимодействуют между собой, образуя металлические соединения, или обладают способностью взаимно растворяться не только в жидком, но и в кристаллическом состоянии, образуя так называемые твердые растворы (или смешанные кристаллы). В последнем случае атомы одного металла внедряются в решетку другого или замещают его атомы своими, образуя соответственно твердые растворы внедрения или твердые растворы замещения. [c.138]

    Положение атомов примеси в кристалле может быть различным. В одних случаях такой атом (или ион) заменяет в одном из узлов решетки атом (или ион) основного вещества примеси замещения)-, в других — атомы (или ионы) примеси размещаются между,узлами решетки примеси внедрения). К примесям причисляют также атомы или ионы одного из элементов, содержащихся в данном соединении, при избыточном содержании их по сравнению со стехиометрическим составом. Следует заметить, что энергия, необходимая для отделения электрона от атомов примесей в кристалле (в среде с высокой диэлектрической постоянной), нередко бывает в десятки раз меньше, чем потенциал ионизации этих атомов в свободном состоянии. Для характеристики полупроводников пользуются также величиной Е — работой выхода электрона (см. 50). [c.147]

    Растворимость веществ в кристаллическом состоянии в Общем значительно меньше, чем в жидком. Поэтому полная смешиваемость данных веществ в жидком состоянии еще отнюдь не означает, что они будут образовывать твердые растворы в кристаллическом состоянии. Неограниченная взаимная растворимость в кристаллическом состоянии — явление сравнительно редкое. Большей частью только вещества, очень близкие по составу и строению молекул, обладают способностью в любых относительных количествах замещать друг друга в кристаллах, образуя твердые растворы замещения. Но зато весьма распространены, в особенности в металлических системах, твердые растворы (замещения или внедрения) в пределах небольших концентраций (см. 133). [c.338]

    Задолго до появления синтетических депрессоров было отмечено, что некоторые из природных ПАВ типа смол, находящихся в нефтях, препятствуют их застыванию. Исследования показали, что асфальто-смолистые вещества в зависимости от их химического состава обладают двойным действием на процесс кристаллизации парафинов нерастворимые в фенолах смолы, в молекулах которых имеются достаточно длинные боковые алифатические цепи, оказывают объемное действие, выражающееся в изменении формы кристаллов в результате внедрения Молекул смол в кристаллическую структуру парафинов, а растворимые в феноле смолы проявляют поверхностное действие — они адсорбируются на выделившихся кристаллах и способствуют агломерации кристаллов в неизменном виде. [c.151]

    Порошкообразные V, N5 и Та адсорбируют значительные количества водорода, кислорода, азота, образуя твердые растворы внедрения. При этом неметаллы переходят в атомарное состояние, и их электроны участвуют в построении -зоны металлического кристалла. При нагревании растворимость неметаллов возрастает вместе с тем изменяются характер химической связи и свойства образуемых соединений. Так, постепенное окисление ниобия (как и V и Та) кислородом протекает через следующие стадии  [c.438]

    Для лучшего понимания свойств металлических сплавов и соединений с металлической связью напомним некоторые определения химии и физики металлов. Образование смешанных кристаллов происходит в том случае, если размеры атомов различных металлов близки между собой. При этом различают смешанные кристаллы замещения и внедрения. [c.143]

    Уравнение (262) в общем можно применять для качественной оценки некоторых факторов, оказывающих влияние на процесс зародышеобразования, однако для сложных процессов уравнение непригодно. Это объясняется тем, что рост кристаллов определяется не только диффузионными процессами, происходящими в жидкой фазе, но также свойствами структуры растущих кристаллов, как, например, дефектами кристаллической решетки, внедрением в нее ионов из добавляемых растворов и т. д. [c.202]


    Электронная разупорядоченность может возникать и при внедрении в кристалл ионов другой валентности. Так, при замене двухвалентных катионов трехвалентными появляется электронная разупорядоченность, обусловленная избытком электронов, а при замене двухвалентных катионов одновалентными — электронная разупорядоченность, связанная с недостатком электронов. [c.173]

    При захвате примеси растущим кристаллом она может войти в узлы кристаллической решетки, образуя твердый раствор замещения, или в междоузлия, образуя твердый раствор внедрения, а также включения, состоящие из взвешенных частиц. В кристалле при этом будут возникать напряжения или деформация, являющиеся причиной образования дислокации. Это является причиной изменения и механизма и скорости роста кристаллов, что часто сопровождается изменением формы кристаллов (но не типа кристаллической решетки), о чем уже говорилось выше. [c.110]

    Таким образом, при использовании кристаллизации для очистки веществ отделяемые в качестве продукта кристаллы будут в той или иной степени загрязнены примесями, содержащимися в исходном расплаве, а также поступающими из внешней среды и из материала разделительной аппаратуры. Захват примеси, образующейся в процессе кристаллизации твердой фазой, в общем случае принято называть соосаждением. Различают гомогенное и гетерогенное соосаждение. Гомогенное, или истинное, соосаждение имеет место тогда, когда очищаемое вещество и захватываемая примесь обладают способностью кристаллизоваться в совместной кристаллической решетке, образуя, как уже отмечалось, твердые растворы замещения или внедрения. Эту разновидность соосаждения называют также сокристаллизацией. [c.110]

    В кристалле в качестве отверстий можно рассматривать вакансии , т. е. незанятые атомами позиции в структуре. Дифракционную картину реального кристалла, содержащего точечные дефекты (в общем случае, помимо вакансий это могут быть атомы замещения и внедрения), можно описать суммой двух фурье-трансформант. Одна трансформанта относится к кристаллу с ненарушенной структурой, эквивалентного по форме, размерам и периодичности рассматриваемому реальному кристаллу, у которого удалены или компенсированы дефекты, нарушающие периодичность. Другая трансформанта относится к дефектам, изъятым из реального кристалла, с амплитудами рассеяния, измененными по фазе на 180° и с сохранением пространственной конфигурации, которые эти дефекты образовывали в реальном кристалле. [c.33]

    Чистый алюминий — мягкий, ковкий и пластичный металл. Однако для некоторых целей необходимы сплавы алюминия, обладающие большей прочностью, упругостью и меньшей пластичностью. Обладающие такими свойствами алюминиевые сплавы можно получить, если ввести в их состав небольшие количества других металлов, например меди или магпия. Добавление приблизительно 4% меди и 0,5% магния может придать прочность алюминию благодаря образованию твердых, хрупких кристаллов интерметаллического соединения Mg u2. Эти чрезвычайно мелкие кристаллы, внедренные в кристаллы алюминия, могут столь эффективно предотвращать скольжение плоскостей в металлическом алюминии, что механические свойства сплава повышаются по сравпеиию со свойствами чистого металла. [c.405]

    О. Хан объяснял образование этих кристаллов внедрением в кристаллическую решетку галогенидов щелочных металлов комплексных ионов свинца типа [РЬСЬЬ Некоторые авторы считают, что ионы свинца равномерно распределяются по всему объему кристалла хлорида натрия в силу чисто статистических причин, вытесняя ионы натрия это ведет к появлению свободных мест в кристаллической решетке и обусловливает повышенную электропроводность смешанных кристаллов по сравнению с чистыми солями (механизм образования дефектов). [c.75]

    Таким образом, в процессе нейтрализации кислых растворов при хорошем перемешивании первым будет выпадать в осадок гидроксид с меньшим значением pH осаждения. Гидроксиды, обла-даюшие близкими значениями pH осаждения, осаждаются одновременно. Совместное осаждение гидроксидов приводит к образованию смешанных кристаллов, внедрению одного гидроксида в решетку другого, поверхностной адсорбции осадком, образующимся первым, др)того осадка. [c.111]

    Для случая комплектных субрешеток обоих компонентов, но при наличии в кристалле внедренных в междоузлия атомов А [c.193]

    Аналогично смешанным кристаллам замещения и смешанные кристаллы внедрения могут быть упорядоченными и неупорядоченными. Подобные явления наблюдаются, между прочим, в некоторых водаых силикатах, цеолитах. В широкопористом носителе структуры, анионе алюмосиликата решетчатого типа, внедрены валентные катионы и связанные ван-дер-ваальсовскими связями молекулы НаО. Последние могут без распада структуры замещаться (обмениваться) иа другие молекулы, полностью вытесняться и шювь восприниматься при высокой упругости водяного пара. Таким образом, кристалл очень хорошо приспосабливается к внешней среде и может вступить с нею в обменную реакцию (обмен вещества) без распада. У цеолитов эта изменчивость возрастает еще потому, что и внедренные катионы могут быть обменены (катионный обмен). В отдельных группах изменчивость повышается еще оттого, что Наряду с катионами в кристаллический алюмосиликатный анион могут внедряться островоподобные анионные радикалы, как С1, СОз, 8 4 и т. д., что приводит и к увеличению числа катионов. Это обстоятельство повышает устойчивость широкопористых, высокосимметрических тетраэдрических скелетов. При этом наблюдается [c.280]

    Как и в индивидуальных кристаллических веществах, в твердых растворах атомы, ионы или молекулы удерживаются в кристаллической решетке силами межатомного, межионного или межмолекулярного взаимодействия. Но кристаллическую решетку твердого раствора образуют частицы двух или более веществ, размещенные друг о гносительно друга неупорядоченно. Иными словами, твердый раствор представляет собой смешанный кристалл. В зависимости от способа размещения частиц различают твердые растворы замещения и твердые растворы внедрения. [c.134]

    К тектогидратам приближаются так называемые соединения включения, т. е. системы, образовавшиеся в результате обратимого внедрения молекул одного вещества ( гостя ) в свободные полости кристалла другого вещества ( хозяина ). В соединениях включения межмолекулярное взаимодействие молекул гостя с составными частями кристалла играет второстепенную роль. [c.262]

    Необходимо подчеркнуть, что в твердом растворе внедренные или замещающие атомы располагаются в хаотическом беспорядке. О их равномерном распределении во всем кристалле можно говорить лишь в статистическом смысле, т. е. сопоставляя об ъемы, содержащие достаточно большое число кристаллических я чеек. [c.403]

    В первый период освоения процесса депарафинизации выделение твердых углеводородов из рафинатов проводили в одну ступень. На таких установках твердые углеводороды, являющиеся сложной смесью компонентов, различающихся по структуре молекул, но содержащих парафиновые цепи нормального или сла-боразветвленного строения, кристаллизовались совместно, образуя мелкие смешанные кристаллы, а при депарафинизации сырья широкого фракционного состава — эвтектические смеси. Такой способ кристаллизации приводил к образованию труднофильтруемых осадков, в результате чего выход масла и скорость отделения твердой фазы были недостаточно высоки, а повышенное содержание масла в гаче усложняло процесс получения парафинов. В связи с этим встал вопрос о раздельной кристаллизации высоко-и низкоплавких углеводородов, который был решен внедрением в промышленность двухступенчатой депарафинизации. Этот процесс позволил увеличить выход депарафинированного масла, значительно повысить скорость фильтрования суспензии и снизить содержание масла в гаче, так как твердые ароматические углеводороды, уменьшающие размер кристаллов парафиновых и нафтеновых углеводородов, концентрируются в низкоплавких компонентах, кристаллизующихся во второй ступени процесса. [c.159]

    В ионных кристаллах, в которых должна соблюдаться электронейтральность, образование дефектов связано с перераспределением зарядов. Так, поятзление вакансии катиона сопровождается возникновением вакансии аннона (рис. 1.91а) такой тип дефекта в ионном кристалле называется дефектом Шоттки. Внедрение иона в междоузлие сопровождается появлением, на его прежнем месте вакансии, которую можио рассматривать как центр заряда противоположного знака (рис. 1.916) такой дефект называют дефектом Френкеля. [c.151]

    Точечлые дефекты возникают по разным причинам, в том числе и в результате теплового движения частиц. Вакансии (а также дефекты внедрения) могут перемешаться по кристаллу — в пустоту попадает соседний атом, его место освобождается и т. д. Перемещением вакансий объясняется диффузия в твердых телах и ионная проводимость кристаллов солей и оксидов, которые становятся заметными при высоких температурах. [c.152]

    В начальный момент скороси. комплексообразования мала, так как молекулы кристалла карбамида, расположенные на его поверхности, должны изменить положение и структуру, обвивая прямую цепь я-алкана. В этот период в энергетическую связь вступают не сразу все углеродные атомн, каждый из которых обладает энергией 4,19 кДж. На втором этапе скорость возрастает, по-видимому, за счет ослабления межмолекулярных связей карбамида в кристалле в период внедрения н-алканов и вследствие ак1 ивной диффузии новых молекул в зону свежего кристалла карбамида. Процесс заканчивается медленно. так как молекулам н-алканов трудно преодолеть слой образовавшегося комплекса. Следовательно, величина снижения скорости реакции н-алканов с карбамидом зависит от длины их молекул, а скорость процесса комплексообразования - от диффузионной подвижности, н-ал-канов. Таким образом, н-алканы с короткими цепями вступают в реакцию комплексообразования в первув очередь и заканчивают ее быстрее, чем н-алканы с длинными цепями. [c.43]

    Для улучшения низкотемпературных овойств дизельных и более тяжелых топлив все больше применяют депрессорные присадки. Наиболее эффектив ные из них прсдетавляют собой полимерные соединения. Некоторые соиолимеры этилена с винилацетатом испытывают в качестве депрессорных присадок к отечественным дизельным топл Ива1М и мазутам. При введении 0,02—0,1% (масс.) такой присадки температура помутнения дизельного топлива не изменяется, а температура застывания снижается на 20—30 °С. При этом улучшаются прокачиваемость и фильтруемость топлив пр.и температуре ниже температуры помутнения. Считают, что депрессорные присадки препятствуют сращиванию выпавших кристаллов твердых углеводородов. Происходит это либо вследствие адсорбции присадки на кристаллах, либо ее участия в процессе кристаллизации углеводороде, внедрения в кристаллические структуры и затруднения таким способом образования твердого каркаса. Применение депрессорных присадок к топливам позволяет во многих случаях избежать дорогостоящего процесса депарафинизации и увеличить ресурсы сырья для производства зимних сортов дизельных и более тяжелых топлив. [c.296]

    К нестехиометрическим соединениям относятся соединения включения, или клатраты (от лат. lathratus — защищенный решеткой). Клатраты образуются в результате внедрения молекул одного вещества ( гостя ), в свободные полости кристалла другого Е ещества ( хозяина ). [c.111]

    Основные научные труды связаны с развитием теории термического крекинга нефтяных остатков, разработкой принципов получения и внедрения в производство высококачественных материалов на основе нефтяного сырья, в том числе получения игольчатого кокса, нефтяных пеков, углеродистых волокон и восстановителей, сорбентов для очистки промышленных стоков. Обосновано применение акустических колеб аний в физико-химических процессах нефтепереработки и нефте химии, установлено формирование жидких кристаллов при термс(обработке высокоароматизированных нефтепродуктов. Член президиума Ассоциации евроазиатских университетов (1992 г.) и правления Союза ректоров России (1992 г.). Автор более 300 научных трудов. Награжден орденом Дружбы народов (1981 г.) [c.147]

    При достаточной близости форм и размеров молекул двух разных веществ могут быть получены бинарные молекулярные кристаллы, в которых молекулы этих веществ перемешаны статистически. Бинарные кристаллы рассматривают как твердые растворы замещения. Образование твердых растворов внедрения в большинстве случаев исключается, так как нет таких достаточно малых молекул, чтобы они помещались в те очень небольшие пустоты, которые имеются в молекулярных кристалла1х. Совместные молекулярные кристаллы образуют, например, акридин и антрацен, нафталин и р-хлорнафталин, взятые в определенных пропорциях. Молекулы изоморфных веществ, например дифинила и а, а -ди-пиридила, а также антрола (I) и антрахинона (И) [c.23]

    В работах Гримлея, Хонига на основе современных представлений о наличии дефектов в построении решетки реальных ионных кристаллов (как вакансий в узлах решетки, так и внедрения в междоузлия по Шоттки и Я. И. Френкелю) разработана теория и дано экспериментальное подтверждение диффузного распределения избыточных зарядов одного знака в поверхностном слое твердого тела (см. также стр. 51). [c.36]

    Адсорбция органических веществ определяет целый ряд особенностей роста электролитических осадков. Так, наблюдается увеличение поперечного сечения тонких кристаллических нитей (так называемых усов или вискеров) при увеличении силы тока в цепи. Поперечное сечение нити меняется таким образом, что плотность тока, а следовательно, и линейная скорость роста нити остаются постоянными. Рост усов с торца объясняется адсорбцией органических веществ и торможением процесса электроосаждения металла на боковой поверхности усов. Адсорбция примесей происходит и на торце, однако ее величина определяется соотношением скорости осаждения металла и скорости адсорбции органического вещества и поэтому она меньше, чем на боковой поверхности. При уменьшении скорости осаждения металла в первую очередь происходит отравление края торца, и диаметр нити уменьшается. Наоборот, при увеличении силы тока адсорбция на краях торца не успевает происходить, и диаметр нити увеличивается. Рост усов сопровождается внедрением органических молекул в осадок. Согласно количественной теории рост нитевидных кристаллов возможен, если ток превышает некоторую критическую величину / р= onst где г — радиус нити — концентра- [c.374]

    В таких системах компоненты при кристаллизации образуют твердые растворы замещения и внедрения. Твердые растворы внедрения образуют Обычно элементы, атомы которых имеют малый диаметр (водород, бериллий, бор, углерод, азот) это позволяет им внедряться в кристаллы металла-растворителя, располагаясь в междоузлиях. В результате виедреиия происходит деформация кpи тaJrлoв, что приводит к изменению их физико-механических свойств. Так, внедрение водорода, бериллия, бора, углерода или азота в кристаллы н елеза резко увеличивает его твердость. Это свойство широко используется в современном машиностроении. [c.120]


Смотреть страницы где упоминается термин Кристаллы внедрения: [c.351]    [c.280]    [c.166]    [c.246]    [c.110]    [c.65]    [c.139]    [c.391]   
Современная общая химия Том 3 (1975) -- [ c.3 , c.108 , c.109 ]

Современная общая химия (1975) -- [ c.3 , c.108 , c.109 ]




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте