Галогены электронные структуры

Сравнение процесса диссоциации молекул различных галогенов провели Вике и Франк они показали, что при диссоциации фтора изменение энтропии оказывается больше, чем для остальных галогенов. Значительное изменение энтропии при диссоциации фтора Рг 2 F объясняется особой устойчивостью электронной структуры молекулы фтора. Вследствие этого число вращательных и колебательных уровней молекулы фтора сравнительно невелико, а следовательно, остается очень небольшим и соответствующее значение энтропии молекулярного фтора. Поэтому при появлении возможности поглощения энергии за счет поступательной энергии образовавшихся атомов энтропия увеличивается в большей степени. Таким образом, при одной и той же температуре степень диссоциации фтора оказывается больше, чем, например, степень диссоциации иода, хотя энтальпия диссоциации фтора (ДЯ = 156,6 кДж/моль) примерно на 8 кДж больше, чем энтальпия диссоциации иода (АЯ =149 кДж/моль). Эта относительно более сильная диссоциация фтора —одна из причин его большей реакционной способности. [c.428]

Атомы всех элементов имеют по одному неспаренному электрону, что определяет их свойства типичных неметаллов. Будучи самым электроотрицательным элементом, фтор в соединениях всегда имеет степень окисления —1. Остальные галогены также имеют степень окисления —1, но для них возможны и положительные степени окисления +], +3, +5, +7. Этим они существенно отличаются от фтора. Астат может существовать во всех указанных степенях окисления — от —1 до +7, являясь типичным аналогом иода. В ряду F—С1—Вг—I—At значение сродства к электрону уменьшается. У фтора, как элемента второго периода, в электронной структуре атома нет d-орбитален. Некоторые свойства галогенов представлены в табл. 17.1. [c.337]

На протяжении всей этой книги постоянно подчеркиваются взаимосвязи между свойствами элементов и их соединений, которые являются неотъемлемой чертой систематики элементов в периодической таблице. Родственные взаимосвязи между элементами, находящимися в одной колонке, служили основой для рассмотрения благородных газов, галогенов, халькогенов, групп азота, углерода и кремния. Закономерности, наблюдающиеся в рядах, подчеркивались при рассмотрении электронной структуры, относительной электроотрицательности и образования химических связей для того чтобы показать, как изменяются те или иные свойства в зависимости от порядкового номера, использовались многочисленные графические изображения. Энергия ионизации (потенциал ионизации), ковалентные, ионные и вандерваальсовы радиусы, термодинамические характеристики (значения энтропии, теплот образования и тепловых эффектов) — вот некоторые свойства, рассмотренные как функция Z. [c.289]

Если водород в соединении замещен другим атомом или группой атомов, то изменяется электронная структура молекулы и теплота сгорания ссединения увеличивается или уменьшается па величину структурной поправки (табл. 4). При этом число перемещенных к кислороду электронов уменьшается на величину р, равную числу электронов, прочно связанных с атомами, замещающими в соединении атомы водорода (например, с атомами кислорода, галогенов и т. п.). Тогда [c.904]

У атомов галогенов не полностью заселены орбитали р. Опустив полностью заселенные орбитали уровней и обозначив звездочкой разрыхляющие орбитали, можно записать электронную структуру объединенных АО гомоядерной молекулы галогена, т. е. МО, в виде [c.342]

На внешней электронной оболочке атомов галогенов содержатся семь электронов — два на S- и пять на р-орбиталях (ns np ). Галогены обладают значительным сродством к электрону (табл. 19.1) — их атомы легко присоединяют электрон, образуя однозарядные отрицательные ионы, обладающие электронной структурой соответствующего благородного газа (ns np ). Склонность к присоединению электронов характеризует галогены как типичные неметаллы. Аналогичное строение наружной электронной оболочки обусловливает большое сходство галогенов друг с другом, проявляющееся как в их химических свойствах, так и в типах и свойствах образуемых ими соединений. Но, как показывает сопоставление свойств галогенов, между ними имеются и существенные различия. [c.476]

Электронная структура атомов галогенов может быть выражена следующими формулами [c.192]

Как видно из рис. 4.29, температуры плавления и кипения в рядах галогенов и инертных газов повышаются по мере перехода к более тяжелым элементам. Объясните эту зависимость, учитывая, что усложнение электронной структуры атомов облегчает их поляризуемость. [c.234]

С другой стороны, как у водорода, так и у галогенов не хватает одного электрона до электронной структуры последующего благородного газа. Действительно, водород, подобно галогенам, проявляет степень окисления —1 и окислительные свойства. Сходен водород с галогенами и по агрегатному состоянию и по составу молекул Э . Но МО водорода не имеют ничего общего с таковыми молекул галогенов. В то же время МО Но имеют определенное сходство с МО двухатомных молекул щелочны.х металлов, существующих в парообразном состоянии. [c.97]

Атомы галогенов имеют по семь электронов на внешнем уровне s p . До завершения оболочки атомов инертных элементов им недостает только одного электрона (как и в атоме водорода). Поэтому галогены — сильнейшие окислители. Обладая большим сродством к электрону (табл. 29), атомы их легко превращаются в отрицательные ионы Э с электронной структурой s p . Следовательно, галогены — это типичные неметаллы. [c.390]

В отношении электростатической теории это было сделано В. Косселем и М. Борном. В основу было положено представление о стремлении атомов при реакциях принимать электронную структуру ближайшего благородного газа. Атом натрия может выполнить это, отдав один электрон. Возникающий таким образом ион Ма+ имеет все электронные оболочки неона. Атом фтора для того, чтобы превратиться в ион с электронной структурой неона, должен, наоборот, получить электрон, образуя ион Р . Таким образом, при встрече атомов натрия и фтора электрон должен перейти от натрия к фтору, после чего возникшие ионы Ыа+ и притягиваются друг к другу благодаря кулоновскому притяжению. С энергетической точки зрения такой переход электрона объясняется тем, что у атомов щелочных металлов потенциал ионизации мал, а у галогенов имеется сродство к электрону. Эти обстоятельства и выражают указанные тенденции атомов получать электронную оболочку ближайшего благородного газа. Для атомов натрия и хлора сомнений в том, в какие ионы превращаются атомы, нет. Однако в общем случае решение этого вопроса может быть не столь простым. Так, неясно априори, какой из атомов передает свой электрон другому для пары атомов — литий или водород. Решение этого вопроса в общем виде принадлежит Л. Полингу. Его рассуждения сводятся к следующему. [c.322]

Из электронной структуры атомов галогенов (табл. 15) видно, что у каждого из них не хватает одного электрона до устойчивого восьмиэлектронного слоя, а потому атомы галогенов могут присоединять один электрон, образуя отрицательный ион [c.254]

Ряд металлов, у которых происходит заполнение -подуровня, вмещающего от 1 до 10 электронов, известен как переходный ряд. Инертный газ криптон, у которого все орбитали заполнены, имеет электронную структуру (15) (25) (2р) (35) 2 (Зр) 6 (3 ) (45) 2 (4р) 6. Число электронов, занимающих Зс -, 45- и 4р-орбитали криптона, равно 18. Многочисленные комплексы металлов первого переходного ряда, содержащие в качестве лигандов Н, галоген, алкил, арил, [c.246]

Все перечисленные свойства обусловлены неповторимой электронной структурой атома углерода — отсутствием доступных для образования химических связей каких-либо других орбиталей, кроме одной 2л и трех 2р. По этой причине алканы обладают ничтожным запасом химического сродства по отношению к большинству химических реагентов и проявляют его исключительно в окислительно-восстановительных реакциях с атомами галогенов Р, СГ, Вг, синглетным молекулярным кислородом ( О2), атомарным кислородом О и др. Естественно, что в [c.312]

Образование галоидных соединений определяется электронной структурой атомов галогенов [c.14]

К сожалению, некоторые разделы катализа освещены не так полно, как этого хотелось. К числу их относится раздел о катализе реакций с участием галогенов. Значительно большего внимания заслуживает получение высокополимеров при помощи сравнительно новых методов, в частности, разработанных Циглером и Натта. Некоторые стороны каталитической гидрогенизации могли бы быть рассмотрены более широко, например вопрос об избирательной гидрогенизации. Наконец, в этом последнем томе было бы желательным краткое изложение современной интерпретации вопросов электронной структуры и катализа, а также подробное рассмотрение многих новых методов исследования каталитической поверхности. Этот раздел планировался, но не был закончен, хотя один из очень важных разделов исследования полупроводников, связанный с каталитическим окислением, рассмотрен весьма подробно. Редактор признает свою ответственность за указанные упущения. [c.10]

Описательный материал расположен в последовательное / групп элементов в развернутой периодической системе Д, И. Менделеева от галогенов к щелочным металлам. Изучение элементов и их соединений в указанной последовательности позволяет студентам проследить систематическое изменение свойств элементов по подгруппам в соответствии с изменением электронных структур атомов, а также наблюдать сходство соседних эле.ментов как в каждой группе, так и в периоде. [c.4]

Молекулы галогенов. Атому галогена, например этому фтора Р., недостает одного электрона до полного октета электронов в атоме инертного газа. Электронная структура инертного газа может возникнуть в результате образования ковалентной связи с другим атомом галогена [c.183]

Из электронной структуры атомов галогенов (табл. 8) видно, что у каждого нз них не хватает одного электрона [c.193]

Некоторые свойства элементов группы азота приведены в табл. 30.1. Лишь некоторые из этих свойств (температура кипения, электронная структура, энергия ионизации и ковалентный радиус газообразных атомов) монотонно изменяются от элемента к элементу. В связи с этим вспомним, что большинство свойств галогенов и даже халькогенов изменяются монотонно, поэтому можно ожидать (и это действительно так), что в этой группе мы обнаружим гораздо большее разнообразие свойств. [c.432]

Наиболее полно методом ЯКР исследованы комплексы галогенидов металлов. В подавляющем большинстве исследованы частоты галогенов, связанных с центральным атомом. Как правило, их сдвиги направлены в низкочастотную область и интерпретируются как увеличение ионности связи М—Hal. В тех случаях, когда и центральный атом обладает квадрупольным ядром, имеется возможность более полного изучения изменений электронной структуры молекулы акцептора в результате комплексообразования. Обсуждаемый материал удобно расположить в порядке увеличения номера группы центрального атома в периодической системе элементов Менделеева. [c.138]

В атомах, сходных по свойствам элементов, на внешних электронных слоях находится одинаковое число электронов. Ниже приведены для сравнения электронные структуры атомов галогенов и щелочных металлов. [c.121]

Теперь сравним электронные структуры галогенов (главная подгруппа седьмой группы) [c.47]

Такая последовательность делает галогены исключительно способными воспроизводить электронные структуры инертных газов путем привлечения одного электрона от какого-либо другого атома с образованием иона О при этом атом, вступивший в реакцию с галогеном, превращается в катион. [c.6]

Главная подгруппа элементов VII группы (подгруппа галогенов). В таблице XXII1-2 приведены элементы этой подгруппы и указана электронная структура их атомов. [c.518]

Чрезвычайно интересным является также вопрос о месте водорода в периодической системе элементов. Электронная структура атома водорода такова (1 электрон при максимальной емкости орбиты в 2 электрона), что он может относиться и к элементам I группы, проявляя в соеднпепиях некоторые свойства, сближающие его со щелочными металлами, н к элементам VII группы (галогенам). Однако сходство его с элементами этих групп не полное, в силу чего ему приписывают особое место в системе. [c.198]

Окислителями могут быть элементарные вещества,, нейт-I ральные атомы которых способны путем присоединения электронов переходить в отрицательно заряженные ионы С электронной структурой ближайшего благородного газа. Так, Жлекулы галогенов Рз, С12,. Вг2 и 1 , выполняя функцию окислителей, превращаются в отрицательно заряженные ионы Р, С1, Вг , и Г. Нейтральные атомы кислорода, серы и ее аналогов переходят в состояние окисления 0- 5 - и т. д. [c.168]

Атомы галогенов более электроотрицательны, чем углерод, поэтому связи С рЗ-На1 полярны. Характеристики связей С-На1 приведены ниже по данным для галогенметанов. В частности, на примере метилхлорида показаны два способа изображения электронной структуры галогеналкана. Структурная формула иллюстрирует электроноакцепторный эффект хлора и появление дробных зарядов на атомах углерода и хлора. Атомно-орбитальная модель показывает, какие орбитали формируют ковалентные связи в молекуле галогеналкана. [c.583]

Запись данных опыта. В каком случае произошло восстановление железа Написать уравнение протекающей реакции. Чем объяснить различную восстановительную способность отрица-гельных ионов галогенов Привести электронные структуры отрицательных ионов галогенов, расположив их в порядке возрастания восстановительной активности. 7 1огут ли отрицательные ионы галогенов проявлять окислительные свойства Ответ обосновать. [c.138]

Механизм этой реакции, обладающей отличительными признаками нуклеофильного замещения, был недавно установлен при помощи метода радиоактивных индикаторов. Было показано, что хлорбензол, меченный радиоактивным углеродом С " по углероду, к которому присоединен галоген, при действии ЫаЫНг в жидком аммиаке дает смесь равных частей анилина, меченного в положении 1, и анилина, меченного в положении 2. Этот результат позволяет предположить для названий реакции механизм, соответствующий схеме 2) и включающий промежуточное образование ацетиленового соединения особого типа (V), называемого дегидробензолом . Электронная структура дегидробензолов еще мало известна, но ясно, что они образуются в результате реакции отщепления [c.187]

РСХ устойчив в виде газа (т. кип. —46 ) в течение нескольких недель, но поли.меризуется в жидко.м состоянии при 25 и. люжет взрываться. С1СЫ и ВгСН получают обработкой водных растворов цианидов хлором или бромом, в то время как 1СМ получают обработкой сухого цианида, обычно Hg( N)2, иодом. С1СМ, ВгСЫ и 1СЫ— довольно летучие соединения, которые ведут себя подобно свободным галогенам и другим галогеноподобным соединениям. Эти. молекулы линейны, и важным каноническим представлением валентной связи их электронных структур являются фор.мулы П.ХУа, П.ХУб, причем П.ХУб приобретает все большее значение с возрастанием электроположительного характера галогена [c.143]

Электронные структуры и некоторые другие сво11ства элементов VII группы (галогенов) приведены в табл. 22.1. [c.419]

Подгруппа галогенов. Элементы подгруппы галогенов в любых состояниях окисления являются слабовыраженными комплексообразователями. Однократно-отрицательные ионы галогенов по своей электронной структуре являются аналогами инертных газов и по своей способности к комплексообразованию примыкают к ним наряду с щелочными металладш. [c.592]

Однако описание с помощью электронных структур благородных газов не всегда является полным это подтверждается существованием большой группы молекул, состоящих из различных атомов галогенов (интергалогенных), которые могут быть нейтральными соединениями или отрицательно заряженными ионами (табл. 13.4). Обратите внимание на то, что все [c.384]

Вьшод об искажении электронной структуры иона Со(П) удаленными кислородсодержащими группами позволяет предположить, что спектр Со(П) КАС, наблюдаемый при высоких значениях pH, отражает образование упорядоченной структуры молекул растворителя. Этот вывод подтверждается также спектральными исследованиями [270, 277] Со(П)-замещенного фермента в присутствии анионных и ацетазоламидного ингибиторов в сочетании с кристаллографическими исследованиями [37, 252, 278]. Увеличение концентраций ацетазоламида, анионов азида или цианида в щелочных условиях приводит к исчезновению спектра, характерного для Со(П)-фермента при высоких pH (рис. 25). Кроме того, Линдског [270] указывал, что ингибиторные анионы, такие, как 1 , Вг и С1 , сдвигают величины р/Сд спектральных изменений к более высоким значениям. Данные ЯМР-исследования С1 [254] показывают, что связывание С1 ионом Zn(II) происходит при pH 6, постепенно уменьшается при увеличении pH и полностью исчезает при pH 9. Исследование кристаллов КАС, ингибированной галогенидами, разностным методом Фурье [69,252,278] показывает, что при низких значениях pH ( 7,2) анионы присоединяются вблизи иона Zn(II) и что при увеличении pH расстояние Zn — галоген ид возрастает. Связывание галогенид-ионов вблизи иона Zn(I I) [c.110]

VIIA-подгруппа периодической системы (главная подгруппа) объединяет элементы, носящие общее название галогенов фтор F, хлор С1, бром Вг, иод I, астат At. Их электронные структуры показаны в табл. 5. [c.92]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология