Работа двойникования

В связи с недостаточной изученностью трудно рекомендовать надежные пути борьбы с ними. Поскольку установлено известное сходство в закономерностях расщепления и двойникования, по-видимому, меры борьбы с двойниками сходны с мерами борьбы с расщеплением. Замечено, что двойники образуются реже при малых пересыщениях. Имеются работы, в которых указывается на возникновение двойников роста под действием механических или [c.130]

Автором работы [31] изучались процессы образования и дальнейших превращений двойников в кристаллах кальцита и натриевой селитры. Ддя этой це ш из образцов таких кристаллов четырьмя порезами получались прямоугольные призмы, ограненные с двух боковых сторон плоскостями сдвига. Поперечное сечение таких образцов располагалось в плоскости двойникования /С 1. Другая пара боковых граней располагалась перпендикулярно направлению сдвига (рис. 1.3). Образец закрепляли на столике поляризационного микроскопа так, что свет проходил перпендикулярно плоскости сдвига. На этом же столике укрепляли приспособление с толкателем, которым передавалась нагрузка. В поле зрения микроскопа можно было наблюдать прикосновение толкателя к кристаллу и все процессы двойникования (рис. 1,4). [c.17]

После образования упругого двойника или стабильной двойниковой прослойки достаточно приложить напряжение на сдвиг 0,3-0,4 МПа, равномерно распределенное по плоскости двойникования К1 в направлении г 1, чтобы процесс двойникования протекал при комнатной температуре. В работах [11-38] были обоснованы некоторые положения, которые позднее были широко использованы различными авторами, как экспериментаторами, так и теоретиками, [c.19]

Имеется значительное число работ, авторы которых пытаются переход от первой стадии ко второй описать на дислокационном уровне. В работе [65] содержится краткий обзор этих исследований, включающий десять различных вариантов зарождения двойникующих дислокаций, в каждом из которых приходится полагать, что О/ имеет очень большие значения (порядка (10 - 10" )м). Следует заметить, что если для объяснения легкого скольжения при пластической деформации успешно используется представление о наличии в кристаллах дислокаций, то для объяснения двойникования на второй стадии обычно исключают возможность существования в кристаллах двойникующих дислокаций, являющихся зародышами двойникования. Двойникующие дислокации, по мнению авторов, на которых содержатся ссылки в [65], порождаются под влиянием указанных огромных напряжений в области сосредоточения нагрузок. Экспериментальных доказательств наличия в недеформированных кристаллах двойникующих дислокаций, по-видимому, не имеется. [c.25]

В [67] исследовались зависимости изменения толщины двойниковых включений Н от скорости повышения напряжений а. При малой скорости повышения напряжений а скорость изменения толщины прослоек А с течением времени стремится к нулю, т.е. процесс двойникования прекращается в результате упрочнения. При большой скорости повышения напряжений а скорость утолщения к увеличивается, т.е. деформация протекает с ускорением. Существует значение а, при котором А сохраняется постоянной и устанавливается такой процесс, при котором напряжение увеличивается примерно на столько, на сколько повышается сопротивление деформации, а деформация протекает без ускорения или замедления. Этот процесс в работе [67] бьш назван программным нагружением . [c.28]

Владимирский [84] рассмотрел упругое двойникование, существенно используя малое отношение толщины двойника к его длине, и дал оценку этого отношения в терминах макроскопических параметров. Однако наиболее важным принципиальным результатом работы [84] является введение понятия двойникующей дислокации, послужившего отправной точкой для разработки дислокационной модели двойника. [c.52]

Упрочнение. В силу трения должны давать вклад также и дефекты, возникающие в процессе упругого двойникования ). В этом случае должно наблюдаться упрочнение при упругом двойниковании ). До работы [76] такое упрочнение в кальците обнаружить не удавалось. Воздействие на двойник из прямолинейных дислокаций с помощью распределенной нагрузки позволило в процессе многократного чередования циклов нагрузка — разгрузка обнаружить упрочнение на стадии упругого двойникования. Оно выражалось в увеличении нагрузки, необходимой для достижения одной и той же длины двойника. [c.101]

Отметим, что если эффект памяти формы в материалах с термоупругим мартенситом обладает температурной границей, отделяющей область деформирования от области восстановления формы, то рассматриваемый здесь механизм эффекта памяти формы такой границей не обладает и допускает в принципе возможность работы эффекта во всем температурном диапазоне реализации пластической деформации двойникованием. Особенно он эффективен в области резкой температурной зависимости [c.183]

Оценка работы двойникования по экспериментальным данным Гарбера привела Владимирского [84] к выводу, что двойниковая граница в кальциЖ должна быть атомно-резкой. К такому же выводу пришел и Лифщиц [149], оценивгйвший ширину переходной зоны как величину порядка действия атомных сил, т-.е. порядка нескольких постоянных решетки. Предположение об атомно-резкой двойниковой границе использовалось также и в микроскопическом рассмотрении Лифшица и Обреимова [c.41]

Силы взаимодействия между базисными плоскостями малы и являются ван-дер-ваальсовыми. Энергия связи между плоскостями составляет от 4,2 до 18,2 кДж/моль- а расстояние 0,3354 нм. Вследствие малости сил связи между базисными плоскостями последние могут являться главными плоскостями сдвига, и по ним возможны расслоения и расколы кристаллитов. При этом образуются двойники типа срастания с осью, параллельной гексагональной оси с [7]. Двойникование монокристаллов, по мнению авторов указанной работы, в ряде случаев неправильно отождествляются со структурой третьей кристаллической формы углерода — карбина. [c.13]

Куракава и Бэн [27], а позднее Келлер и Райдер [28] описали появление деформационных полос при растяжении ориентированных листов, приготовленных из полиэтилена высокой плотности. При этом Куракава и Бэн обнаружили, что в тех случаях, когда угол между направлениями первоначальной и вторичной вытяжки был небольшим, направление полос совпадало с осью с, т. е. с направлением (001) в кристаллических областях полимера. В других случаях было замечено, что полосы оказываются слегка наклоненными по отношению к направлению (001). Поэтому авторы цитируемой работы предположили, что в действительности механизм пластических деформаций не сводится исключительно к скольжению в направлении (001), но складывается из такого скольжения и двойникования. Эффект двойникования под действием приложенных усилий было также предложено рассматривать как причину наблюдаемой переориентации кристаллов при прокатке Франком, Келлером и О Коннором [29]. [c.280]

Пластические деформации кристаллических полимеров, в частности полиэтилена, очень интенсивно исследовались с точки зрения изучения морфологических превращений, происходящих в материале при больших деформациях. Значительный вклад в выяснение этой проблемы связан с работами Келлера с соавторами, Петерлина, Гайла и других [61—63]. В настоящее время вполне очевидно, что по мере увеличения пластических деформаций на различныхморфологических уровнях совершаются коренные структурные превращения, приводящие к переходу от сферолитного к фибриллярному строению материала. Процессы молекулярной переориентации оказываются очень далекими от афинности или псевдоафинности и включают как один из структурных элементов двойникование . При этом кажется весьма удивительным, что для понимания особенностей поведения полимерных материалов оказываются применимыми представления об анизотропии среды как континуума, хотя эти представления должны были бы существенно модифицироваться с учетом реальной структуры полимера. [c.301]

Таким образом, на основании многочисленных экспериментальных работ по деформации полимерных кристаллов можно заключить, что за начальные этапы деформации (10—15%) ответственны такие моды деформации, как двойникование и фазовые переходы мартенситного типа. Их развитие зависит от соотношения между направлением приложенной силы и расположением плоскостей молекулярного складывания. Большие деформации наступают за счет постепенного наклона и скольжения цепей. Системы скольжения могут быть различны, но скольжение может происходить только по плоскостям, параллельным плоскостям молекулярных складок. Деформация сопровождается образованием трещин,-пересекаемых микрофибриллами. При низкотемпературной деформации образование микрофибрилл происходит за счет выскальзывания из монокристаллических ламелей отдельных складчатых блоков, соединенных небольшим числом распрямленных молекулярных цепей (см. рис. III. 5, а). При более высоких температурах переход в микрофибриллы происходит, по-видимому, по механизму, предложенному Ко-баяси путем разгибания складчатых молекул и образования из них микрофибрнлл (Kobayashi, см. [4 гл. 7]). [c.177]

Необходимо сразу же подчеркнуть важность сдвоенных структур, поскольку о них часто упоминается в специальных работах. Вопрос двойникования в графите интенсивно изучался [38—43] и теперь достаточно ясен. Считают [42], что двойнико-вание может иметь место в исходном кристалле графита под углом 2048 к направлению (1010) и лежать в плоскости 1121). С химической точки зрения это означает, что двойникование происходит под углом 20°48 относительно оси базисной плоскости кристалла и вдоль связей — С—С—, как показано на рис. 76, а. На рис. 76, б черными линиями выделены направления, по которым происходит пересечение плоскостей двойникования 1121 с базисной плоскостью ООО/ , и ясно видно, что гексагональные ямки, параллельные полосам двойникования (которые в свою очередь параллельны друг другу или пересекаются под углом 60°), имеют на гранях атомы углерода в конфигурации кресла. В перпендикулярных ямках атомы углерода на гранях располагаются в конфигурацию зигзаг , или [c.129]

Открытае упругого двойникования одновременно явилось приближением к решению проблемы Фогта. Двойникование оказалось сложным процессом, на шнающимся с образования упругих двойников, которые в опытах Фогта, его предшественников и в более поздних работах других авторов не учитывались и не выявлялись, поскольку главной особенностью упругого двойникования является необходимость использования сосредоточенных нагрузок. [c.18]

Первая серия работ по изучению упругого двойникования кальцита и натриевой селитры бьша опубликована в период 1938—1947 гг. [31—38]. В работе [38] показано, что сопротивление двойникованию монокристалла кальцита на порядок превьпяает сопротивление двойникованию образца с двойниковой прослойкой. Фогт применял однородно распределенное сжатие. Однако двойниковые прослойки могли возникнуть только после образования в отдельных областях кристалла неоднородных [c.18]

В многочисленных исследованиях сегнетоэлектриков также наблюдались упругое двойникование и раздвойникование под влиянием механических, электростатических и магнитных воздействий [1]. Значительное число экспериментальных работ посвящено исследованиям упругого двойникования кальцита и некоторых других металлических и неметаллических кристаллов [41-79]. Большое число теоретических исследований по этим вопросам также опубликовано, начиная с 1947 г. (Владимирский, Лиф-шиц) и до последнего времени (Косевич с сотрудниками). Укажем лишь на не оторые обзоры, где приведены обширные списки теоретических и экспериментальных работ этого периода [1,80—83]. [c.19]

Концентрация напряжений при образовании двойниковых включений необходима для предварительного образования упругого двойника. Это подтверждается тем, что при равномерном распределении напряжений и отсутствии дефектов (концентраторов напряжений) кристалл можно поломать, раздробить, не вызывая его двойникования, В особых условиях при больших сжимающих нагрузках иногда двойники возникают, возможно, вблизи скрытых концентраторов. Сосредоточенная нагрузка приводит к появлению упругого двойника, увеличение нагрузки - к увеличению размеров упругого двойника. Когда часть площади поперечного сечения, занятая упругим двойником, достаточно велика, происходит скачкообразное превращение упругого двойника в стабильное двойшковое включение. В опытах, при которых стерженьки сжимаются % прессе, двойникование начинается вблизи контакта с щеками пресса, где действуют сосредоточенные нагрузки. В работе [36] детально показана роль концентраторов напряжения в области контактов между поверхностью нагру ющего устройства и кристаллом. [c.20]

Интересно отметить чтобы при помощи медного ножа (твердость 3) получить упругий двойник, нож необходимо расположить лезвием в плос кости двойникования К i и усилие направить вдоль rii Бели повернуть нож вокруг i7i на небольшой угол, упрутае двойники ке образуются даже при больших нагрузках (рис. 1,6). При работе с железными ножами или оплавленным стеклом строго совмещать с Ki и щ нож и усилие нет необходимости ). [c.22]

Стадийность процесса двойникования наблюдается тайже в опытах с другими кристаллическими материалами. Например, двойникование отдельных зерен поликристаллического железа при низких яемиературах зарождается чаще всего на границах между очень мелкими зернами с относительно более крупными зернами. В работе [66] исследовались образцы технического железа, содержащего 0,06% углерода. Проводились статическое растяжение и ударное разрушение при, изгибе в интервале температур 77—300 К. Методами рекристаллизации после пластической деформации бьши приготовлены три партии образцов, различающихся по их микростроению 1) крупное однородное зерно - размером в прпе- [c.22]

Наибольший интерес проявили многие исследователи ко второй стадии двойникования — появлению и свойствам упругих двойников, Обрей-MOB и Старцев [64j тщательно измеряли нагрузку, длину, ширину и толщину упругих двойников. Постановка ими опыта, форма и размеры образцов, способ нагружения и наблюдения почти точно соответствовали работе [31]. Получены числовые значения толщины упругого двойника А, работы образования упругого двойника и поверхностного натяжения на границах упругого двойника с материнским кристаллом скдв = 1,2 Дж/м . Плот- [c.24]

Программное нагружение висмута было исследовано в работе [78]. Монокристальные образцы висмута диаметром 5 мм и длиной 180 мм растягивались в специальной установке при скорости повышения напряжения от 0,02 до 0,1 МПа/ч (к = О при а = 0,05 - 0,06 МПа/ч). Это работа П01 аза-ла, что Программное упрочнение можно получать у металлов , указала на возможность программного упрочнения не только при двойникованйи, но и при других типах пластической деформации. Наличие аиалогии в поведении кристаллов при скольжении и двойниковании подтверждается большим числом экспериментальных фактов и в определенной мере теорией дислокаций. Поэтому можно бьшо ожидать, что обнаруженное при опытах по двойникованию кальцита программное упрочнение должно наблюдаться также при других видах пластической деформации любых кристаллических материалов. Один из примеров применения програ -много нагружения в целях упрочнения стали описан в [79]. [c.28]

То обстоятельство, что расстояние между плоскостями скольжения соседних дислокщий конечно, имеет большое значение при встрече двойника со стопором, размеры которого в перпендикулярном плоскости двойникования направлении це елики. В этом случае с ростом внешней нагрузки толщина двойника h может превзойти величину после чего двойникующие дислокаций смогут пройти над стоиорся . Процесс огибания двойником стопора конечных размеров экспериментально наблюдался в работе [ 182]. [c.61]

Необхода мость достин ния пороговой нагрузки для возникновения двойника отмечалась в экспериментальных работах [31,36, 189] при упругом двойнщсовании кальцита и в работе [56] при двойниковании металлов. Роль концентрации нагрузки при упругом двойниковании показана в работах [31, 33, 36] и отмечалась затем всеми исследователями, изучавшими упругод. двойникование. Фактически именно в результате применения концентрированной нагрузки удалось обнаружить и изучить упругое двойникование. [c.73]

Переходя к анализу результатов экспериментапьной проверки дислокационной теории упругого двойникования, описанной в гл. 3, отметим, что первые работы по экспериментальной Проверке теории тонких двойников появились в начале 60-х годов. [c.89]

Гистерезисные явления. Количественные измерения гистерезиса при упругом двойниковании кальщ1та были проведены в работе [183]. На рис. 4.4 представлена экспериментальная кривая, изображающая зависимость отнооттельной длины двойника от макроскопической нагрузки. [c.93]

Пайерлсовский механизм деформации выявлен для скольжения в кристаллах с ковалентной сьязью (большинство полупроводников) и в металлах с ОЦК решеткой, для пирамидальных дислокаций в ГПУ цинке [212] и т.д. Что же касается двойникования, то, насколько нам известно, до работ [207, 208] не предпринималось попыток выявить роль пайерлсовского механизма при этом способе пластического деформирования. Такое выявление представляет интерес и в связи с результатами математического моделирования движения двойникующей дислокации в рельефе Пайерлса (см. гл. 2) [c.98]

Высокий методический уровень работы [202] — сверхскоростная киносъемка процесса с частотой 2,5. 10 кадр в диапазоне температур 77 — 573 К -- позволил детально изучить зависимость скорости роста двойников от температуры. Экспериментально установлено, что она неэкспоненциально убывает при увеличении температуры — с 2,2 10 м/с (при 77 К) до (1,3 — 1,4) 10 м/с (при 523 К). Движение двойников неравномерное. Предшествующее и сопутствующее двойникованию скольжение осложняет процесс, но тем не менее закономерности, предсказываемые соотношением (4.36), имеют место. [c.114]

После того как двойник превращается в остаточную прослойку, начинается завершающая стадия двойникования — утолщение прослойки путем перемещения ее границы. Для утолщения прослойки необходимо непрерывное появление новых двойникующих дислокаций в каждой соседней с двойниковой границей шюскости. Изящное решение проблемы дали различного типа полюсные механизмы, первые варианты которых предложили Коттрелл и Билби [230] для ОЦК кристаллов и Томпсон и Миллард [201] для ГПУ кристаллов. В дальнейшем был предложен ряд аналогичных механизмов тя ОЦК, ГЦК, ГПУ структур. Общей их чертой является образование двойникующих дислокаций путем диссоциации либо отдельных полных дислокаций, либо их определенных комбинаций. До настоящего времени не получено сколько-нибудь надежных экспериментальных доказательств работы этих механизмов. Большинство экспериментаторов считает, что в их экспериментах полюсные механизмы не работают [58, 60, 231, 233, 234] (подробнее см. обзор [65]). Например, экспериментальна определенное время утолшения прослоек в кристаллах цинка, олова, индия существенно меньше рассчитанного в рамках модели полюсного механизма [233, 235], [c.115]

Используя значение сохраняющейся в эксперименте упругой энергии W, можно оценить упругое смещение поверхности как 5-10 см. Такой же порядок величины имеет и размер ступеньки от двойника 5 на поверхности. Если воспользоваться оценкой [84] для работы образования двойникаР6, можно предположить, что постоянство энергии W в экспериментах по локальному нагружению свидетельствует о постоянстве работы образования скачкообразно возникающего двойника. Сохранение г и W можно рассматривать как отражение постоянства работы формоизменения материала при двойниковании удельной работы в случае сохранения т, поскольку = onst (едв двойниковый сдвиг), и суммарной работы в случае сохранения W. [c.138]

В работе [500] сделано геометрическое атомное построение структуры двойниковой границы, совпадающей с плоскостью двойникования (110). Анализ этой идеализированной структуры (рис. 9.8) приводат к выводу, что в тетрагональной фазе атомы меди располагаются непосредственно в плоскости двойниковой границы, а пары атомов кислорода и кислородных вакансий, принадлежащих одной элементарной ячейке, располагаются по разные стороны плоскости границы двойникования, В результате взаимное расположение основных элементов 1-2-3 в двойниковой границе отличается от их расположения в идеальном монокристалле. [c.242]

Затравка из дендрита необходима потому, что такой кристалл, будучи правильно выращен, всегда сдвойникован. При правильной ориентировке плоскость двойникования обеспечит постоянную ступенчатость межфазной границы, при которой рост будет происходить с высокой скоростью (см., например, работы [103—105]). [c.239]

Эта же фаза в процессе своего роста образует неизменно звездообразные формы, отмеченные в работе Грюнтцига [143]. При полной кристаллизации расплава, даже в условиях медленного понижения температуры, поле зрения заполняется множеством ромбсобразных кристаллов, которые изображены на фот. 11. Момент начала двойникования растущего монокристалла этой формы показан также на прилагаемых отпечатках с киноленты (фот. 12). [c.113]

При определенной температуре подложки осадок состоит КЗ кристаллов с различными ориентациями. Как правило, число ориентпровок увеличивается с ростом температуры подложки. В общем случае не установлено, образуются кристаллы с орие.ч-гациями П и III (см. рпс. 23) на поверхности подложки или в процессе последующего роста. С утолщением осадка начинают образовываться лвоиники, причем интенсивность двойникования значительно уменьшается с увеличением температуры. Не исключено, что возникновение кристаллов с различными ориентировками обусловлено микротопографиеп поверхности. В большинстве работ изучались не исходные зародыши, а выросшие из этих зародышей кристаллы. При изучении эпитаксии важно разграничивать процессы возникновения и роста зародышей. Например, исследование слоев, состоящих из кристаллов различных ориентаций, показало, что доля кристаллов с определенной ориентировкой изменяется в зависимости от величины угла конденсаци и. Это обусловлено, естественно, не процессами зародышеобразования, а скорее всего геометрическим отбором различно ориентированных кристаллов. [c.86]

Основное препятствие, встретившееся в процессе работы,— высокая склонная кристаллов ФЦК к двой-никованию (политипии). Спектры ЯМР двойникованных образцов представляют собой сумму спектров отдельных монокристадаеф, в результате чего теряется [c.38]

Вопреки сведениям, приведенным в работе [1], имеются экспериментальные данные, свидетельствующие о существовании кристаллов и без трехмерной периодичности структурных единиц. Так, при восстановлении водородом хлорида кобальта получены кристаллы кобальта с симметрией Ьз. Этот вид симметрии обнаружен также у электрохимически выращенных усов, меди. Высокоразрешающим электронным микроскопом выявлены подобные кристаллы Ре, N1 и Р1, а также микрокристаллы в форме пентагональных пирамид и икосаэдров (например, частицы Ag и Аи размером до 100 нм в атмосфере аргона) на начальной стадии образования тонких металлических пленок, получаемых путем вакуумного напыления. Кроме того, удалось выявить наличие эластичных напряжений внутри границ двой-никования тетраэдров, образующих пентагональные пирамиды. По мнению авторов работы [25], рост пентагональных пирамид обусловлен не процессом двойникования, а, по-видимому, отложением атомов на зародышах из пентагональных пирамид, состоящих из шести атомов. [c.24]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология