Кристаллы гетерополярные

Таким образом, условием хорошего смачивания жидкостью твердого тела является слабое взаимодействие между ее молекулами (слабая когезия). Жидкости с малым поверхностным натяжением обычно хорошо смачивают поверхности. Например, углеводороды, поверхностное натяжение которых невелико и составляет около 20—30 мДж/м , смачивают практически любую поверхность. Вода, поверхностное натяжение которой при 20 °С составляет 72 мДж/м , смачивает лишь гетерополярные вещества (стекло, алюмосиликаты, некоторые минералы, ионные кристаллы). Ртуть (поверхностное натяжение 472 мДж/м ) практически не смачивает твердые тела. Принято называть лиофильными поверхности, хорошо смачиваемые жидкостью ( os 0 > 0), в частности гидрофильными — поверхности, сма- [c.198]

Но тут, наконец, вступают в игру чисто полимерные факторы. Настоящий молекулярный или ионный кристалл можно ликвидировать термодинамически, вспомнив о внутренней-природе узлов, т. е. ликвидировав ковалентные силы в молекулах или гетерополярные связи. Для простых кристаллов такой способ их плавления или сублимации достаточно редок или неудобен [39], но в полимерных суперкристаллах он оказывается едва ли не единственно возможным. [c.85]

Гетерополярная связь не является истинной химической связью, так как противоположно заряженные ионы не находятся в постоянном фиксированном положении относительно друг друга Такого типа связь существует лишь в кристаллах (что, правда, в последнее время на основании спектроскопических данных тоже подвергается сомнению). Поэтому более правильным было бы говорить ионное взаимодействие , а не ионная связь [c.32]

Разности потенциа.лов на границах гетерополярных кристаллов и их растворов не имеют значения для перехода попов из раствора в кристалл, так как вследствие электронейтральности обеих фаз в конечном счете представляет интерес только результат стольких ионных переходов, сколько необходимо для образо- [c.77]

Полученное уравнение, по существу, не зависит от модели, пока вопрос касается гомеополярного кристалла. При гетерополярной решетке оно применимо только для очень больших кристаллов. В противном случае следует рассматривать три возможности пристраивания зародыша у вершин, по краям и в середине грани. Который из этих случаев окажется определяющим, зависит от величины кристалла, так как возможности присоединения у вершин независимы от величины, в то время как две другие линейно, или соответственно квадратично растут с длиной ребер. Поэтому в случае малых гетерополярных кристаллов рост начинается только с вершин, где работа образования зародыша наименьшая. [c.162]

Указанные соображения побудили нас предпринять изучение адсорбционных явлений на возможно более однородных поверхностях, и при этом прежде всего на таких, для которых мы располагаем как можно более полной информацией о природе и величине молекулярного поля. В качестве объекта исследования из числа таких адсорбентов значительный интерес представляют гетерополярные кристаллы, которые удается приготовить так, что их внешняя, геометрическая поверхность оказывается с хорошим приближением равной их полной поверхности. [c.383]

Основываясь на равенствах (6.19), (6.20), можно выразить матричные элементы потенциала V в любом базисе через матричные элементы потенциалов 1 [У и АУц и через германовский параметр ионности. Соответственно, Герман на основе постулатов а), б) развил теорию ( теория гетерополярного возмущения ), которая дает возможность выразить переходы в частично ионном кристалле зрез аналогичные переходы в изоэлектронном ковалентном кристалле. Так, в простейшем случае перехода Г д -> по методу Германа нетрудно получить выражение [146] [c.199]

Типы кристаллических решеток по видам межчастичной связи в кристаллах. По указанному признаку различают следующие основные типы кристаллических решеток молекулярные, атомные (пли гомеополярные), металлические и ионные (или гетерополярные). Однако эта классификация достаточно условна и не исчерпывает всего многообразия кристаллических структур по видам межчастичных связей в них. Существуют различные промежуточные образования. Между частицами кристалла одного и того же вещества большей частью действуют силы неодинаковой природы. [c.140]

Согласно классификации Ратнера, адсорбционные процессы на гетерополярных кристаллах по характеру адсорбированных ионов и природе адсорбционных сил могут быть сведены к двум группам к первичной и вторичной адсорбции. [c.96]

Рис. 1-2. Образование двойного ионного слоя на поверхности гетерополярного кристалла а— кристаллы AgJ в растворе, содержащем избыток КЛ

Если частицы гетерополярного кристалла имеют сферическую форму, то в первом случае их общая емкость может быть представлена в следующем виде [c.99]

Лз различных теорий фотохимического процесса наибольшим признанием пользуется та, которая объясняет явление скрытого изображения с позиций квантовой химии. Скрытое изображение образуется в результате электронных процессов в кристаллической решетке зерна, состоящего из множества молекул галоидного серебра. Галоидные соединения серебра гетерополярны. В их кристаллах узлы кристаллической, кубической решетки заполнены попеременно ионами серебра и галоида. [c.81]

Диссоциация. Я воспользовался идеей диссоциации в кристалле, и мне, действительно, эта идея кажется полезной. Хотя я изучал гетерополярные кристаллы, состоящие из ионов, однако большинство ионов, будучи связано упругими силами, не принимает участия в прохождении тока. Лишь некоторые, удаленные своим тепловым движением от первоначальной ячейки, могут быть унесены меньшей внешней электрической силой. Это представление необходимо, чтобы объяснить закон Ома, столь строго выполняющийся в кристаллах, и возрастание проводимости, которое я наблюдал в кварце после временного нагрева- [c.227]

При повышении температуры диссоциация быстро возрастает, достигая при температуре плавления нескольких десятых. Гетерополярные решетки (например, решетки кальцита, каменной соли, нитрата натрия) кажется больше диссоциируют, чем молекулярные или гомополярные решетки. По этой же причине подвижность диссоциированных ионов в гетерополярных кристаллах меньше, чем в остальных. [c.228]

Решетка кристалла диэлектрика всегда состоит из замкнутых и разделенных элементов (ионы в гетерополярных кристаллах, молекулы или атомы с симметричными периферическими орбитами), тогда как атомы металлов с их электронами различной валентности касаются или проникают друг в друга так, что всякий металл обладает непрерывным электрическим полем, где электроны движутся по квантованным орбитам, не будучи связаны с каким-либо определенным ядром. С этой точки зрения электрический ток можно рассматривать как эффект Штарка для квантованных электронов металла. [c.229]

Адсорбция ионов из их разбавленных растворов на решетках кристаллов гетерополярных солей изучалась неоднократно и с различных точек зрения. Такие исследования легче всего производить с радиоактивными вешествами, так как радиоактивные свойства делают возможным количественное определение вещества в самых широких интервалах концентраций. Действительно, многочисленные исследования адсорбции из разбавленных растворов были проведены на радиоактивных элементах главным образом Фаянсом р], Панетом, Ганом Р] и их сотрудниками, причем для случая адсорбции на кристаллах гетерополярных солей им удалось установить общие закономерности. [c.274]

Типы кристаллических решеток по видам межчастичной связи в кристаллах. По указанному признаку различают следующие основные типы кристаллических решеток молекулярные, атомные (или гомеопо-лярные), металлические и ионные (или гетерополярные). Однако эта классификация достаточно условна и ие исчерпывает всего многообразия кристаллических структур по видам межчастичных связей в них. Существуют различные промежуточные образования. Между частицами кристалла одного и того же вещества большей частью действуют силы неодинаковой природы. Например, в гетерополярных кристаллах наряду с электростатическими силами между ионами действуют также и дисперсионные ван-дер-ваальсовы силы. Однако в каждом отдельном случае один из видов межчастичных сил обычно доминирует над другими (выражен резче остальных). По этому основному (ведущему виду связи данное кристаллическое образование на практике и относят к одной из указанных выше четырех категорий. [c.116]

Гетерополярные кристаллы характеризуются знакопеременностью зарядов частиц, расположенных в узлах решетки, чем эти кристаллы существенно отличаются от металлических (в последних, как мы видели, в узлах решетки расположены одноименно заряженные частицы, связь между которыми обеспечивается взаимодействием их с электронами непрерывно перескакивающими между катионами металла). [c.122]

Если речь идет о гетерополярной решетке, то антураж каждого иона данного знака будет состоять из ближайших к нему ионов противоположного знака. Так, из рисунка V-8 видно, что в кристалле Na l катион натрия (например, находящийся в центре и обозначенный через т) окружен шестью анионами хлора, расположенными по вершинам вписанного октаэдра. В свою очередь, и каждый анион С1" находится в окружении шести катионов Na Следовательно, координационное число решетки хлористого натрия равно 6. В более сложных соединениях (например, aFj, TiOa, Си 0 и т. п.) координационное число одного иона не равно координационному числу другого иона. Так, в случае СаРа антураж иона Са состоит из 8 ионов F, а каждый ион F , в свою очередь, окружен четырьмя ионами Са . Следовательно, решетка кристалла СаР. характеризуется координационными числами 8 и 4. [c.126]

Гетерополярные кристаллы характеризуются интенсивным внешним электрическим полем. Подсчитано, например, что напряжение поля на расстоянии 1 A от поверхности ионной решетки Na l составляет около 1,3- 10 в/см. Такое поле вполне достаточно для обеспечения энергичного притяжения полярной молекулы Н,0 (ионо-дипольное взаимодействие), а также для того, чтобы вызвать поляризацию какой-либо мягкой неполярной молекулы. [c.160]

При взаимодействии кристаллов подобных веществ (например, Na l) с водой, как полярным растворителем, возникают ионнодипольные связи, которые оказываются прочнее межионных связей. В результате этого кристаллическая решетка гетерополярного соединения разрушается и ионы переходят в раствор в гидратированном состоянии. Это иллюстрируется рисунком VII-1 (стр. 161). [c.188]

Поверхностное натяжение на фанице между дву.мя конденсированными фазами характеризует различие сил взаимодействия между молску лами (частицами) в каждой из соприкасающихся фаз Че.м больше различаются по своей природе эти силы, тем больше межфазное поверхностное натяжение. Для веществ с низки.м поверхностным натяжением (вода, органические вещества и др.) интенсивность молеку, 1ярных взаимодействий можно охарактеризовать их по. тярностью. Макроскопической мерой полярности жидкостей могут служить дипольный. ю-мент, поверхностное натяжение, внутреннее (молекулярное) давление, диэлекфическая проницаемость, теплота испарения. Поэтому при контакте веществ с близкой полярностью, повер.хностное натяжение невелико, в результате достигается хорошее смачивание. Например, твердые тела с гетерополярным типом связи (ионные кристаллы) гидрофильны. [c.98]

Сорбенты на основе гетерополярных солей Ва804, ЬаРз способны к обмену ионов металлов и удерживанию ионов в дефектах структуры кристаллов. Например, Ва804 после специальной обработки используют для селективного выделения микроколичеств стронция. [c.114]

В. В. Серпинский. Мне хотелось бы отметить, что получивший в последние годы широкое распространение так называемый -метод де Бура сводится к постулату, что адсорбционные свойства единицы поверхности адсорбента не зависят от ее кривизны. Энтузиасты этого метода полагают даже, что эти свойства не зависят также от природы поверхности и одинаковы, например, для графитированной сажи и гетерополярных кристаллов тина BaFa- Такой недопустимо унрош,енный подход к сорбционным явлениям не выдерживает никакой критики. Однако и в более осторожной форме, применительно к поверхностям, сходным по своей природе, -метод вызывает у меня ряд сомнений. [c.149]

Как можно предвидеть па основании структурного анализа, кристаллы первичной валентности отличаются высокой мехагш-ческои прочностью и весьма высокими точками плавления и кипения, тогда как кристаллы вторичной валентности мягки, слабы и имеют очень низкие точки плавления и кипения. Полярные кристаллы занимают промежуточное положение. Другими словами, внутрикристаллические силы весьма велики в гомеополярных и гетерополярных кристаллах, ио очень слабы в веществах с В1орпчной валентной связью. [c.281]

Значение рассмотренных сил, являющихся причиной физической адсорбции газов и паров на поверхности твердого тела, неодинаково для различных веществ и зависит от природы адсорбирующихся паров и газов. Если поверхность твердого адсорбента носит гетерополярный характер, а молекулы адсорбируемого газа или пара являются жесткими диполями, то основную роль в процессе адсорбции играет ориентационное взаимодействие молекул [13, 14]. Так, например, Де Бур и Кустерс [13] показали, что при адсорбции паров фенола на кристаллах МаС1 основную роль играет ориентационный эффект, на долю которого падает 2,37 ккал1моль, тогда как дисперсионный эффект характеризуется величиной 0,43 ккал/люль. [c.17]

Предположим, что мы имеем дело с гетерополярным кристаллом, остроепным из ионов М+ и К , в котором стехиометрическое соотношение о некоторой степени нарушено. Пусть для определенности имеем кристалл [c.369]

Уже самое беглое сопоставление рис. 3.2 с рис. 5.1 и 5.2 показывает, что зонную структуру частично ионных кристаллов по суш еству можно рассматривать как зонную структуру элементов IV группы, лишь несколько деформированную вследствие гетероатомности (и гетерополярности) полупроводников А В . [c.198]

Гетерополярные соединения склонны образовывать ионные кристаллические решетки, строение которых определяется размерами ионов, величиной сил отталкивания и другими факторами. Характерной особенностью таких решеток является одинаковая прочность связи иона с каждым из ближайших соседей. Гомеополярные соединения дают в твердом состоянии молекулярные кристаллические решетки, построенные из отдельных молекул, удерживаемых в кристалле небольшими силами Ван-дер-Ваальса. Наличие в узлах решетки молекул как дискретных единиц объясняется присущим ковалентным связям свойством насыщаемости, т. е. тем, что ковалентно связанные атомы одной молекулы уже не могут дополнительно связаться с атомами другой молекулы . Отличия в строении ионных и молекулярных решеток внешне проявляются в различных физических свойствах твердых ионных и твердых ковалентных соединений. Так, энергии сублимации ионных соединений (переход от твердого тела к газообразным молекулам) обычно велики, например для солей типа Na l —50—60 ккал/моль. Энергия сублимации кристаллических ковалентных соединений составляет всего примерно 10 ккал/моль. Ионные соединения имеют высокие точки плавления, в то время как несложные ковалентные соединения (Hg, lg. HJ при обычных условиях—газообразные вещества. [c.34]

Гетерополярные соединения склонны образовывать ионные кристаллтеекие решетки, строение которых определяется размерами ионов, величиной сил отталкивания и другими факторами. Характерной особенностью таких решеток является то, что связи иона с каждым из ближайших соседей одинаково прочны. Гомеополярные соединения дают в твердом состоянии молекулярные кристаллические решетки, построенные из отдельных молекул, удерживаемых в кристалле небольшими ван-дер-ваальсовыми силами. Наличие в узлах решетки молекул как дискретных единиц объясняется присущим ковалентным связям свойством насыщаемости, т. е. тем, что ковалентно связанные атомы одной молекулы уже не могут дополнительно связываться с атомами другой молекулы . [c.102]

При более детальном изучении кристаллических структур многочисленных соединений получены весьма убедительные доказательства того, что переходы от предельно гетерополярной к предельно томеополярной связи в кристаллических соединениях могут быть постепенными. Паулинг рассмотрел причины возникновения связей смешанного типа и пришел к выводу, что степень смешанности связей определяется поляризационными (деформационными) эффектами. Чем сильнее поляризация ионов в соединении, тем выше процентное количество ковалентной доли в ионных связях. Так, структурная связь в иодистом серебре должна быть почти полностью ковалентной. Поляризационные эффекты заметно изменяют физические свойства таких соединений. Точки плавления, окраска, электрбпроводность и растворимость в первую очередь определяются этими эффектами. Например, фтористое серебро легко растворяется в воде, тогда как иодистое серебро в ней нерастворимо. Типичные эффекты присутствия некоторой доли ковалентности в механизме связей с помощью вычисления электронной плотности определили Брилл, Герман и Петерс для структур окиси магния. Электронный фон для МдО больше, чем в других изученных кристаллах типа галоидных щелочей, а минимум плотности равен 0,15 элек-трон/А . Ионы Mg + несколько расширены, а ионы кислорода несколько более сжаты, чем это предполагается теоретически. Следовательно, в окиси магния имеется некоторое количество ковалентных связей. С помощью данных по поляризации Паулинг вычислил, степень ковалентности связей в кристаллических структурах и получил [c.17]

Систематическое изложение проведенных автором исследований и их обобщение в одной работе представляется нам целесообразным в связи с все более возрастающим научным и практическим интересом, который представляют монокристаллы щелочнс-гало-идных соединений. Эти соединения играют особую роль в изучении гетерополярных кристаллов и в выяснении самых разнообразных процессов, происходящих в диэлектриках и полупроводниках. Их роль в решении общих вопросов теории кристаллического состояния можно сравнить с ролью атома водорода в создании теории атома. Именно поэтому кристаллы щелочно-гало-идных соединений привлекали и продолжают привлекать внимание исследователей в качестве объектов и моделей при изучении различных свойств твердых тел, в том числе и люминесценции кристаллофосфоров. [c.5]

Электронная проводимость. Гипотеза о движении электронов в гетерополярном кристалле, например в сходных между собой каменной соли, сильвине, флюорине, маловероятна. Но мы можем убедиться, что как только электроны перешли внутрь кристалла, будь это с помощью освещения внутренней области или бомбардировки катодными лучами высокой скорости, они могут пройти через весь кристалл. Точным показателем электронной проводимости является эффект Холла. Действительно, П. Лукирскому удалось наблюдать в каменной соли отклонение электрического тока магнитным полем того же направления и той же величины, которое можно было бы предсказать для электронов. [c.220]

В чистых гетерополярных кристаллах удалось с полнейшей достоверностью установить движение ионов самой кристаллической решетки. Так, пропуская между двумя платиновыми электродами ток через электрически чистый кристалл NaNOg, мы наблюдали на катоде четко выраженную щелочную реакцию, не имевшуюся на аноде. В кристалле AgNOg при температуре немного ниже точки плавления ток выделяет на катоде тонкий спой металлического серебра черного цвета, обладающего большой проводимостью. При высоких температурах, когда собственная проводимость преобладает над проводимостью, обязанной своим происхождением случайным примесям, нам удалось (П. И. Лу-кирский и G. А. Щукарев), пропуская между электродами из расплавленного свинца ток через каменную соль, обнаружить в катоде Na, а в аноде С1 в ощутимых количествах в соответствии с законом Фарадея. [c.224]

Высокая степень диссоциации кристаллов, в частности кристалла Na l, при температуре, близкой и температуре плавления, подтверждается также измерениями, которые мы проделали для определения предела упругости кристаллов. Когда температура приближается к температуре плавления, предел упругости гетерополярных кристаллов (а также металлов) становится равным нулю, и я думаю, что это указывает на большую легкость перемещения внутри кристалла для целых групп, что в свою очередь заставляет предполагать существование высокой диссоциации. Если считать, что при температуре плавления степень диссоциации становится равной нескольким десятым, и вычислить подвижность, пользуясь значением тока, мы получим для величины подвижности число, которое хорошо согласуется со скоростью прохождения посторонних ионов. Если сделать такое предположение, то внезапное изменение проводимости во время плавления должно быть обязано своим происхождением не изменению степени диссоциации, а лишь внезапному изменению подвижности. [c.226]

Отношение проводимости в жидком и твердом состоянии в точке плавления зависит от электрического сродства ионов, от гетеро-полярного характера кристалла. Одна крайность — это GsJ, весьма гетерополярное соединение соотношение здесь от 10 ООО до 20 ООО. Структуру кристалла, содержащего это соединение, очень трудно нарушить. Другая крайность — AgJ или AggS [c.230]

Мы изучали затем зависимость этого предела от температуры и обнаружили, что предел текучести быстро убывает с ростом температуры и достигает нуля в точке плавления (рис. 8). Два гетерополярных кристалла NaGl и NaNOg, затем металлы А1 и Mg весьма сходно вели себя в этом отношении. Мы пытались выяснить, обращается ли предел те-кучести в точке плавления прямо в нуль или же, сохраняя некоторое определенное, но малое значение, он скачком переходит в нуль уже в жидком состоянии. Опыт мог дать ответ лишь в следующей форме скачок происходил в пределах величины, меньшей, чем доступно измерению. Ъ Мы установили, что этот скачок мень-ше 1/100 значения предела текучести при комнатной температуре. При котатпой температуре этот предел оказывается равным примерно 3 кГ. [c.245]

Рассмотрим сначала адсорбцию на ионных (гетерополярных) кристаллах. Как известно, в этом случае различают процессы первичной и вторичной адсорбции. При первичной адсорбции ионы радиоактивного изотопа входят в поверхностный слой кристалла адсорбента. По механизму первичной адсорбции из раствора могут адсорбироваться те ионы, которые способны входить в кристаллическую решетку адсорбента. Заметим, что для осуществления первичной адсорбции достаточно поверхностного (двумерного) изоморфизма между соответствующими соединениями. Так, хотя Са304 и Ва304 неспособны совместно кристаллизоваться, первичная адсорбция ионов кальция на осадке Ва304 имеет место, так как в данном случае существует двумерное подобие между гранями кристаллических решеток обоих сульфатов. [c.144]