Кристаллиты величина

Типы кристаллических решеток. Образование кристаллов из молекул или атомов сопровождается выделением энергии, которая называется энергией кристаллической решетки. Последняя определяется как энергия, выделяющаяся при образовании моля кристалла из частиц, находящихся в газообразном состоянии и удаленных друг от друга на расстояние, исключающее их взаимодействие. От величины энергии кристаллической решетки зависят механические и тепловые свойства кристаллов. Величина энергии кристаллической решетки зависит от типа связи между узловыми частицами в кристалле. Различные типы связи проявляются в зависимости от того, из каких именно частиц—ионов, молекул, атомов — построена данная кристаллическая решетка. [c.69]

Константа решетки для всех типов связи в кристаллах — величина аддитивная, т. е. практически представляет собой сумму более или менее постоянных величин, характерных для двух частиц, связанных между собой, а именно их эффективных радиусов . [c.123]

Соотношения (VII.55)—(VII.57), однако, часто считают недостаточными для объяснения поведения вещества при Т ОК. Если основываться только на этих соотношениях, можно сделать вывод, что область применимости равенств (VII.50) и (VII.51) определяется условием (VII.54) и, таким образом, затрагивает лишь очень узкий температурный интервал вблизи абсолютного нуля Т < Т , где для кристалла — величина порядка 10 К). В действительности третий [c.169]

Хотя закон Ламберта — Бера в большинстве случаев обеспечивает хорошее описание экспериментальных данных, существуют и исключения. Например, ширина полосы поглощения зависит от таких факторов, как частота столкновений молекул, так что изменение концентрации может изменять зависимость е от К и, следовательно, приводит к отклонению от закона. Для ориентированных систем (например, кристаллов) величина е может зависеть от плоскости поляризации света. Подчеркнем, что этот закон выполняется лишь при условии, что диапазон длин волн, в котором проводится измере- [c.33]

В природе кремнезем встречается в виде включений в граниты и другие породы. Такие включения выглядят на осколках породы как кусочки сплавленного стекла. Освобождаясь при выветривании породы, они скопляются в руслах рек в виде белого песка. Встречается двуокись кремния и в виде прекрасных кристаллов, величиной [c.108]

Анализ ангармонического расширения [34] показывает, что чисто гидростатическое давление и напряжения любого вида (в том числе касательные) вызывают дилатацию, пропорциональную запасенной энергии. Следовательно, в случае и краевых, и винтовых дислокаций дилатация, обусловленная ангармоническими членами, пропорциональна энергии дислокации W. Отсюда расчеты дают оценку увеличения объема А У 36 /2 на отрезке длиной Ъ (вектор Бюргерса) вдоль дислокаций, хорошо согласующуюся с экспериментальными данными измерения дилатации в сильно деформированных металлах [6]. Хотя средняя по кристаллу величина дилатации невелика, локальные значения дилатации при краевых дислокациях (в отличие от винтовых) достигают большой величины, так что на этих дислокациях возникает электрический диполь [35] вследствие перераспределения электронов проводимости, обусловленного изменением гидростатического давления в окрестности дислокации [5]. Локальное возмущение самосогласованного поля свободных электронов, вызываемое появлением потенциала деформации с нарушением локальной электронейтральности, должно оказать влияние на различные физические процессы в крис-сталЛе [5]. В случае же винтовой дислокации гидростатическое давление связано только с ангармоническим расширением и мало [6]. [c.45]

Показано, что при одинаковых условиях, адсорбция переходных металлов обратно пропорциональна среднему диаметру кристаллов углеродных материалов. Разность концентраций примесей при максимальном различии степени совершенства кристаллической решетки составляет 2 порядка (стеклоуглерод и естественный графит). Удельная концентрация адсорбированных атомов на боковой призматической поверхности кристаллов — величина постоянная для каждого металла и составляет сотые доли процента к количеству ненасыщенных углеродных атомов на этой поверхности. Табл. 3, рис. 1. [c.229]

Согласно теории Эйнштейна, графики зависимости Су от Т совпадут. если разделить Т на некоторую величину 6, значения которой могут различаться для разных атомных кристаллов. Величина 0, называемая характеристической температурой вещества, обычно имеет порядок 100—400 К. Для веществ, теплоемкость которых достигает значения 6 кал/(К-моль) только при высоких температурах, значение 0 оказывается большим так, для алмаза оно равно 1860 К. Подобное поведение характерно для твердых тел с сильными межатомными связями (например, алмаз и графит). В частотном спектре таких твердых тел имеются высокие частоты, которые при комнатной температуре возбуждены не полностью. Для мягких и ковких металлов с низкой температурой плавления (например, медь и серебро) значение 0 меньше (соответственно 315 и 215 К). У таких твердых тел со слабыми межатомными связями решеточные колебания имеют низкие частоты, которые полностью возбуждены уже при температурах ниже комнатной. [c.29]

Внутрикристаллический объем, заполняемый водой, может составлять до 50% объема кристалла. После дегидратации цеолита, если он стабилен и не разрушается при дегидратации, указанный свободный объем может заполняться молекулами других веш,еств. Адсорбционная емкость цеолита обычно зависит от свободного объект, определяемого количеством воды, содержаш,ейся в полностью гидратированных кристаллах. Величины свободных объемов цеолитов приведены в таблицах в конце главы. Плотность цеолитов, использованная при проведении таких расчетов, зависит от состава, поэтому полученные величины свободных объемов не очень точны. [c.73]

На рис. 2.1.13 представлена модель гомотетично (с сохранением исходных пропорций) сокращающегося прямоугольного ядра кристалла. Величины Ха, V, V означают линейные скорости присоединения элементарных прореагировавших блоков или линейные скорости перемещения фронтов реакции в направлениях соответственно [100], [010], [001], а — те же линейные скорости присоединения или линейные скорости перемещения по поверхности граней соответственно (100), (010) и (001). Половинки сторон исходного кристалла в направлениях обозначены ао, Ьо, Со, половинки сторон непрореагировавшего ядра кристалла в момент времени I — а, Ь, с. [c.432]

Многим твердым веществам анизотропия присуща в силу их кристаллического строения, поэтому различные грани кристалла имеют разное по величине натяжение. Постоянство капиллярного давления внутри равновесного по форме кристалла означает в этом случае, что давление может быть выражено через натяжение а, любой грани и расстояние I, от этой грани до некоторого центра кристалла. Величина Х заменяет радиус кривизны в формуле Лапласа, поэтому [c.560]

Будем считать для определенности, что внешние оболочки отрицательных ионов образуются р-электронами. Как известно, р-функции можно взять в таком виде, чтобы направления, соответствующие максимумам электронной плотности, совпадали с осями некоторой декартовой системы координат (при том индекс i пробегает значения х, у, г). Нам удобно выбрать ориентацию этой системы в пространстве таким образом, чтобы при заданном расстоянии между ионом АР и кристаллом величины [c.134]

Ось у выберем лежащей в граничной плоскости кристалла. Величины [c.134]

По оптическим свойствам кристалла, величине и знаку двулучепреломления вдоль главных направлений сферолита, можно оценить ориентацию цепей в сферолите. Например, в случае полиэтилена показатель преломления света, поляризованного в направлении радиуса сферолита, выше, чем у поляризованного перпендикулярно. Из измерений показателей преломления сильно ориентированных фибрилл очевидно, что показатель преломления имеет наибольшее значение в направлении длины цепей. Отсюда можно заключить, что в сферолите оси с кристаллитов (оси цепей) ориентированы нормально к радиусу сферолита [94]. Рациональное объяснение этого удивительного факта дано Банном [94]. Он показал, что радиусы сферолитов являются направлениями роста кристаллов при этом в полиэтилене развивается морфология, весьма сходная с кристаллической структурой короткоцепных углеводородов. Кристаллы последних растут в виде тонких пластинок, в которых цепи ориентированы перпендикулярно широким граням. Гораздо быстрее кристаллы растут в направлениях, перпендикулярных осям молекул, нежели в параллельном им направлении. [c.316]

Рассмотренные процессы осуществляются в результате электронных переходов, т. е. электронного возбуждения кристалла. Характерной особенностью полупроводников является то, что вероятность появления электрона в зоне проводимости или дырки в заполненной зоне зависит от свойств кристалла (величина запрещенного участка Аы) и концентрации дефектов всех типов, влияющих на положение уровня Ферми, так как вероятности образования связей различного типа являются экспоненциальными функциями от соответствующих энергий, отсчитанных от уровня Ферми. Поэтому преобладание на поверхности полупроводника той или иной формы хемосорбированных частиц, означающее образование слабой или прочной связи, оказывается зависящим от наличия примесей, не взаимодействующих непосредственно с данными частицами. Примеси влияют косвенно они смещают положение уровня Ферми, что изменяет вероятности электронных переходов, приводящих к образованию химических связей различного типа. При этом введение донорных примесей увеличивает концентрацию сво- [c.144]

Известно, что катализаторы без носителей и промоторов значительно быстрее, чем промотированные катализаторы на носителях, теряют свою активность в процессе работы. Рентгенографические методы позволяют, по крайней мере частично, получить разъяснение причин этого явления. Как показывают исследования (см. [31, стр. 1293]), в процессе работы при высоких температурах наступает спекание катализаторов, мелкие кристаллы величиной 40—50 А вырастают в более крупные кристаллы размером 250—1000 А. Причем отсутствие носителя и, следовательно, непосредственное соприкосновение кристалликов друг с другом позволяют осуществляться таким процессам беспрепятственно. Носитель же разъединяет кристаллики и препятствует их спеканию. Процесс рекристаллизации в присутствии носителя сводится лишь к устранению дефектов отдельных кристалликов. Промоторы, вторые компоненты смешанных катализаторов и вообще примеси в количестве 2—10% и выше [c.172]

Существенное изменение величины этого колебания при изменении толщины кристалла можно видеть из рис. 5. 19, где приведен спектр кристалла толщиной меньше одного микрона при температуре 20° К- Из анализа этого спектра следует, что величина колебания равна 519 см т. е. на 69 см больше относительно соответствующего колебания, определенного по спектрам более толстых кристаллов, величины других колебаний при этом практически не изменялись. [c.251]

Существует сходство между работой выхода у металлов и у тех молекулярных кристаллов, у которых <Иа, как это следует из уравнения (12). Обычно в случае молекулярных кристаллов величина лежит между [c.679]

Критерием правильности служат число и сортность размещения атомов, согласованность межатомных расстояний с атомными радиусами элементов, составляющих кристалл, величина Л-фактора. [c.292]

Постоянная с в (3.8) имеет смысл жесткости системы относительно неоднородных вращений ф. Такая жесткость возникает только в упорядоченной фазе. В неупорядоченной фазе направления момента ф в точках, разнесенных на расстояние, большее радиуса корреляции, статистически независимы. Поэтому закрепление каких-то определенных направлений ф в этих точках не меняет энергии системы. В упорядоченной фазе возникает далекий порядок. Наименьшей энергией обладает состояние с независящим от координат направлением ф. Если же руками задать различные направления ф1, фг в двух точках пространства XI, Хг, то энергия повысится. Наименьшей энергией теперь обладает то состояние, в котором переход от ф1 к ф2 совершается по возможности более плавно. Это явление аналогично поперечной жесткости кристалла. Величина с играет роль модуля сдвига . В случае сверхтекучей жидкости с с точностью до множителя ф совпадает с плотностью сверхтекучей компоненты р. В самом деле, сверхтекучая скорость у, связана с фазой о волновой функции 0])= 111)16 соотношением [c.160]

Из керосина, подкрашенного мазутом, в пробах, подогревавшихся предварительно до 30—50°, парафин выделялся в виде игольчатых кристаллов, величина которых уменьшалась с повышением температуры предварительного подогрева. В пробах, ранее подогретых до 60 и выше, парафин выделялся в виде крупных скоплений (друз) различного строения. Микроскопическое исследование показало, что друзы представляли собой ядро, составленное из мелких переплетенных между собой игольчатых кристаллов и радиально расположенных вокруг этого ядра кристаллов, собранных в веерообразные группы. Другие друзы состояли только из ядра, наконец, в некоторых можно было увидеть ядро с недоразвившимися радиально расположенными кристаллами. [c.99]

Скорость роста кристаллов. Величина и структура частиц осадка зависят не только от скорости их образования, но также от скорости роста кристаллов. Каждый зародыш окружен адгезионным слоем насыщенного раствора. В момент образования первого зародыша раствор пересыщен. Скорость роста зародыша пропорциональна скорости переноса из пересыщенного раствора в насыщенный адгезионный слой. Изменения концентраций пересыщенного раствора в единицу времени dUjdt определяют из уравнения Нойеса — Нернста [c.201]

В третьей главе рассматриваются структурные и физические особенности кристаллов Н2О. По ряду физических свойств (значению статической диэлектрической постоянной, остаточной энтропии кристалла, величине электропроводности) кристаллы льдов четко разделяются на две группы. Такого четкого разделения кристаллов по структурным характеристикам нет. Спектральные свойства кристаллов льдов показывают, что внутримолекулярные частоты колебаний молекулы Н2О зависят от температуры и имеют ширины линий, по порядку величины равные частотам межмолекулярных колебаний. На основании рассмотренных данных делается вывод о сильной взаимной зависимости внутримолекулярных и межмолекулярных взаимодействий в системе водородосвязанных кристаллов льдов. Откуда следует, что лед I и полиморфные формы льдов не являются чисто молекулярными кристаллами, а скорее должны рассматриваться как ЗЫ атомные кристаллы. [c.6]

Существование в кристаллах вакансий определяет возможность изменения состава кристалла и образования фаз переменного состава. Интервал составов, который может отвечать фазе с определенной кристаллической структурой, называется областью гомогенности. Для различных кристаллов величина области гомогенности колеблется в широких пределах. Например, для сульфида свинца - от РЬ8о,995 до РЬ81,ооо5> а Для оксида [c.92]

Кадмий кристаллизуется в виде пирамид гексагональной син-гонии в токе водорода могут быть получены кристаллы величиной 6—8 мм. Его решетка отличается от идеальной тем, что ось с несколько более вытянута по отношению к оси а с/а = 1,8856 вместо 1,6333). Кадмий существует в трех различных модификациях, неразличимых структурно при рентгенометрическом исследовании, но различающихся коэффициенталш расширения и величиной электролитического потенциала растворения (но лишь на тысячные доли вольта). Данные об его аллотропных превращениях не вполне достоверны. Одно из них происходит при 65° С (а Р), второе около 95 °С (Р "у). Хорошо изучена только низкотемпературная а-модификация, образующая гексагональные кристал- [c.15]

Такие же сильные обменные взаимодействия характерны для дифенилазотокиси в кристалле. Величина обменного интеграла здесь составляет около 8-10 се г 1 [13]. [c.143]

Руппель, Герритсен и Розе [103] нашли, что и возрастает с теплотой образования ионных кристаллов При этом для большого числа кристаллов величина V лежит в интервале между и 2( о5р. В той же работе была обнаружена связь между V и теплотой гидратации. Манка [104] получил соотношение между и и энергией одиночной связи в полупроводнике [c.31]

Как и в спектре кристалла обычного бензола, расстояние от коротковолновой полосы дублета (с-полосы) до дублета в области сочетания с неполносимметричным колебанием близко к величине этого колебания в возбужденном электронном состоянии . Найденные из спектров кристаллов величины этих колебаний хорошо согласуются с теми, которые установлены Ингольдом по спектрам паров [4]. По мере увеличения числа атомов дейтерия в молекуле эти колебания постепенно уменьшаются от 521 м для бензола до 499 см для гексадейтеробен- [c.65]

При изучении таких кристаллических глушителей в опалесцирующих стеклах и эмалях большую помощь оказывает электронный микроскоп. Бейтс и Мэри Блэк изучали промышленное опаловое стекло и лабораторные опалесцирующие стекла методом реплики, иногда в сочетании с боковым оттенением (см. А. III, 126). Фтористый кальций был обнаружен на поверхностях разлома стекол в виде дендрйтов хорошо ограненных кристаллов (октаэдров и кубов) или скоплений, равномерно распределенных по поверхности стекла. Фтористый натрий в таких стеклах также образует шаровидные скопления с отчетливыми кубическими кристаллами внутри. Размер этих кристаллов обычно порядка 40—W М1Ц, но в таких образцах стекла встречаются также кристаллы величиной 1—3 Ц. На 1 см поверхности излома находится примерно 10 —10 этих кристаллов. Кроме того, во всех этих стеклах имеются пузыри в количестве от 10 до 10 на 1 см диаметр их 30—80 мц. [c.914]

Для реальных кристаллов величина d мала, и влияние стрикционных эффектов может оказаться существенным только в близкой окрестности точки фазового перехода. В этом случае поведение системы при Gi>T>dV(fA ) следует картине сильных флуктуаций. В частности, теплоемкость С 1т1 при а>0 может к моменту включения стрикционных эффектов принимать большие значения С l i /ifl . При дальнейшем приближении к критической точке рост теплоемкости останавливается, и происходит фазовый переход с конечным скачв ом теплоемкости. [c.134]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология