Значение комптоновские

Еще одной технической характеристикой детектора, приводимой в спецификации, является отношение интенсивностей пик/излучение Комптона . Оно соответствует отношению высоты пика °Со при 1332 кэВ к среднему значению комптоновского плато между 1040 и 1096 кэВ. Величина отношения пик/излучение Комптона зависит главным образом от энергетического разрешения. Чем выше это отношение, тем лучше детектор. [c.112]

Список определяемых элементов и результаты анализа образца кремния приведены в табл. 23, там же приведены данные по максимальной чувствительности метода. Как видно из этих данных, значения нижнего предела определения содержания примеси часто оказываются много выше чувствительности метода. Подобные колебания чувствительности определения очень типичны для 7-спектрометрического метода и являются следствием комптоновского эффекта и недостаточной разрешающей способности сцинтилляционных гамма-спектрометров. Эти же причины обусловливают зависимость погрешности количественного определе- [c.267]

В случае монохроматического исходного пучка рентгеновских лучей комптоновские электроны обладают всеми возможными значениями энергии. С увеличением энергии исходного излучения возрастает относительное число электронов с большой энергией, испускаемых в направлении падающего пучка. [c.38]

Поскольку при эффекте Комптона фотон взаимодействует с электроном, вероятность комптоновского взаимодействия зависит от числа электронов, приходящихся на единицу площади поперечного сечения. Коэфициент поглощения q обычно рассматривают как сумму двух величин, и а , причем эта сумма связана с вероятностью комптоновского взаимодействия является мерой той части энергии падающего фотона, которая превращается в энергию электрона, а 0 соответствует той части этой энергии, которую сохраняет рассеянный фотон. То обстоятельство, что а относится к отдельному фотону, тогда как и представляют собой средние величины для большого числа фотонов, не имеет существенного значения. Полный коэфициент комптоновского поглощения составляет [c.38]

На рис. 21 видно непрерывное распределение амплитуд электрических импульсов в диапазоне от нулевых значений энергии до пика полного поглощения. Это так называемое комптоновское распределение, возникающее от непрерывного спектра комптоновских электронов. Как известно, эффект Комптона наблюдается на свободных или слабо связанных электронах. В результате этого процесса появляются рассеянный у-квант с меньшей энергией и электрон отдачи, получивший часть энергии от первичного у-кванта. Как правило, электрон отдачи полностью поглощается в кристалле. Энергия электронов отдачи распределена от нулевых значений до (е)шах [c.72]

И В зависимости от углового распределения падающего фотона, рассеянного фотона и электрона изменяется от нулевого значения до некоторого максимального. Максимальную энергию комптоновского электрона можно определить из формулы [c.16]

На рис, 40 приводится зависимость полного коэффициента поглощения а от длины волны к при 0° С и 1 мм Hg для различных газов. Пунктирные части кривой указывают области, в которых преобладает рассеяние. При рассеянии рентгеновских лучей ионизация происходит вследствие поглощения рассеянного излучения, а также под действием комптоновских электронов и квантов, рассеянных при комптон-эффекте. Значение а пропорционально плотности и зависит от /. я Z [о. VZ ). Для малых ). комптоновское и упругое рассеяния превышают поглощение. [c.86]

Для фотонов средних энергий (0,1 до 5 Мэв) и материалов с малыми 2 наибольшее значение приобретает комптоновское рассеяние. При низких энергиях и материалах с высокими 2 преобладают первый и четвертый процессы, а с увеличением энергии становятся наиболее вероятными третий и пятый процессы. [c.60]

Обозначения в формуле имеют обычные значения см. приложение С.) Для изучения одинаковой энергии электронный коэффициент комптоновского поглощения энергии тот же самый у всех веществ [формулы (3.19) и (3.21)], поэтому [c.81]

Это излучение теряет свою энергию путем комптоновского рассеяния или фотоэлектрического поглощения. Однако благодаря высокой проникающей способности у Лучей эти эффекты наблюдаются, по-видимому, вне реакционного сосуда, в котором протекает начальный процесс. Эффективное сечение образования электрон-позитронных пар возрастает с увеличением энергии фотонов, начиная с порогового значения около 1 Мэе. Величина его, отнесенная к одному атому, пропорциональна квадрату атомного номера. [c.15]

При энергиях 7-кванта 0,1—1 Мэе преобладающее значение имеет комптоновское рассеяние, при меньших энергиях — фотоэффект. [c.10]

В радиационной химии преобладающее значение имеет комптоновское рассеяние. [c.10]

ТОН при столкновении с внешним электроном отдает ему всю свою энергию при этом электрон может быть переведен на возбужденный уровень или вовсе удален из атома. При более высоких значениях энергии происходит комптоновское рассеяние, при котором лишь часть энергии фотона поглощается электроном, а рассеянный фотон обладает меньшей энергией, чем начальный. [c.146]

Комптоновское рассеяние. При взаимодействии у-квантов со свободными или слабосвязанными электронами происходит процесс рассеяния с передачей электрону только части энергии, которая в зависимости от угла рассеяния может принимать различные значения в области от нуля до максимальной величины, определяемой соотношением [c.158]

Обращает на себя внимание такая особенность в распределении уизлучения, как заметное концентрирование радиоизотопов в области энергий 511 кэв (аннигиляционное излучение). Эта особенность продуктов у-активации имеет большое значение для избирательности инструментального у-активационного анализа по следующим причинам 1) у-спектрометрический анализ не применим к смеси позитронно-активных радиоизотопов 2) у-линии с энергией менее 0,51 Мэв приходится измерять на фоне комптоновского распределения от аннигиляционного излучения, которое обычно имеет высокий выход и ин- [c.309]

Величины энергетических к.п.д. могут быть определены не только по методу Монте—Карло. Для наиболее простой оценки значений к.п.д. можно воспользоваться имеющимися в литературе работами , рассчитывая соответствующие величины поглощенной энергии по линейному коэффициенту ослабления гамма-излучения ( а) и линейному коэффициенту истинного поглощения гамма-излучения ( где з— линейный коэффициент комптоновского рассеяния ), по этому способу получаются завышенные или заниженные оценки искомых величин. В таблице приведены полученные таким образом величины энергетических к.п.д. и их максимальные абсолютные (8) и относительные (е) погрешности, причем за истинные значения приняты средние величины к.п.д., рассчитанные по методу Монте—Карло. [c.8]

Коэффициент поглощения состоит из трех слагаемых, х, а и г, определяемых, соответственно фотоэффектом, эффектом Комптона и явлением образования пар. Энергии квантов, приведенные в табл.1, изменяются в пределах от 87 до 2620 кэв. В случае легких элементов (из которых в основном состоят естественные объекты биологического происхождения) поглощение излучения с энергиями от 2П0 до 2000 кэв, обусловленное фотоэффектом и образованием пар ничтожно по сравнению с поглощением вследствие эффекта Комптона. Фотоэффект имеет меньшее значение, чем эффект Комптона, даже для диапазона энергий характеристического рентгеновского излучения, испускаемого изотопами семейства тория поскольку вклад подобного излучения в общую величину суммарной дозы, обусловленной распадом этих изотопов, оказывается значительно меньше 1%, то во всех наших рассуждениях поглощением такого типа можно смело пренебречь. Сечение образования пар достигает измеримых величин только для максимальной энергии f-квантов Th ", равной 2,62 Мэе. При таких энергиях тс равно 0,04 а. Принимая это во внимание, мы получим в результате расчета мощность дозы, создаваемой излучением тория и продуктов его распада, которая только на несколько десятых процента ниже мощности дозы, которую мы получили бы, учитывая только комптоновское поглощение. То обстоятельство, что мы можем спокойно пренебречь всеми другими эффектами, кроме комптоновского рассеяния и поглощения, позволяет выражать первичную ионизацию через один параметр, связанный с местом наблюдения, а именно через s. Это допустимо, поскольку можно пренебречь энергией связи электронов, взаимодействующих с квантом отсюда следует, что сечение комптоновского взаимодействия прямо пропорционально числу электронов, приходящихся на 1 сж вещества. Тогда коэффициенты и в соотношении (8) можно записать следующим образом [c.16]

В областях энергии 0,05 — 10 Мэв для легких атомов и 0,5—5 Мэв для тяжелых потеря интенсивности пучка -лучей связана главным образом с комптоновским рассеянием. Встречая электрон оболочки атома, фотон передает ему лишь часть своей энергии, и оба покидают ядро (рис. 63). При этом новый фотон имеет энергию меньшую, чем первоначальный, на величину, равную энергии излучаемого электрона, так как при таких высоких значениях энергии можно пренебрегать энергией связи электрона с ядром и рассматривать его, как свободную частицу. Угол направлений комптоновских фотона и электрона определяется законами сохранения энергии и моментов. Благодаря той же сравнительно малой энергии связи [c.150]

Хотя химическая устойчивость и большое значение / (доля квантов, испускаемых без отдачи) при комнатной температуре и являются очевидными достоинствами источников Со на платине, большие коэффициенты фотоэлектрического поглощения и комптоновского рассеяния, присущие материалам с большим 2, накладывают чрезвычайно строгие ограничения на условия диффузии при изготовлении таких источников. С другой стороны, обладающие малым порядковым номером медные подложки, хотя и имеют большое / при комнатной температуре, химически неустойчивы. Незащищенные источники склонны взаимодействовать с кислородом воздуха, а также с сернистыми соединениями, которые могут присутствовать в окружающей среде. Удачным компромиссом между этими двумя крайними случаями является палладий, и можно ожидать, что источники Со на подложке из палладия будут находить все более широкое применение для химических исследований с помощью эффекта Мессбауэра. [c.102]

Результаты Брюханова и др. [42] указывали на то, что наилучшей матрицей для изготовления источников является палладий, так как для него следует ожидать большого значения /. Хотя источники в платине и железе должны, по-видимому, иметь еще большие /, платина по сравнению с Pd обладает значительно большими коэффициентами фотоэлектронного поглощения и комптоновского рассеяния, а в железной матрице должно наблюдаться магнитное сверхтонкое взаимодействие. Тщательное исследование источников Pd(Sn), содержавших 10% Sn [43], показало, что такие источники пригодны для мессбауэровских исследований на Sn при комнатной температуре. [c.103]

Броуновское движение макрочастицы также хаотичное, описание этого движения статистично, направление движения при столкновениях вероятностное [2]. При движении броуновской частицы от наблюдателя к наблюдателю исключается возможность экспериментального определения точной траектории его движения, длины пути между двумя столкновениями, одновременного определения значения координат и импульса движущейся броуновской частицы в любой последовательный момент времени. Зависимость величины квадрата сдвига броуновской частицы от размеров частиц и вязкости среды [3] полностью исключает возможность описания движения броуновской частицы как материальной точки. Броуновское движение - тепловое движение, совершается путем передачи электромагнитных волн. При взаимном столкновении броуновских частиц происходит изменение направ-легшя движения этих частиц. При встрече силовых линий электромагнитного поля протона с электрон-позитроиными парами, экранирующими электрон и протон на расстояниях комптоновской [c.9]

Локализованные функции, вычисленные с использованием свойства инвариантности матрицы плотности, являются в определенном смысле эквивалентными молекулярными орбиталями. Такие локализованные орбитали, разумеется, не локализованы только на каких-то отдельных частях молекулы, наоборот они свидетельствуют о наличии определенной ненулевой плотности электронов практически во всем пространстве молекулы. Следовательно, невозможно изолировать электронные пары так, чтобы каждая из них занимала часть молекулы, определяемую исключительно одним или двумя центрами, что было бы идеальным свойством для трансферабельной (переносимой) орбитали, описывающей, например, какую-либо связь, которая не изменяется при переходе от молекулы к молекуле. Эксперименты по комптоновскому рассеянию рентгеновских лучей [10] убедительно подтверждают локализованность и трансферабельность связей в некоторых молекулах и показывают, что теоретический анализ волновых функций молекул с учетом затронутых вопросов имеет практическое значение. [c.304]

Комптоновское рассеяние. При комптоновском взаимодействии происходит рассеяние у-квантов на свободных или слабосвязанных электронах. В результате этого процесса образуются рассеянные у-кванты с меньшей энергией и электроны отдачи, получившие часть энергии исходных у-квантов. Электроны, возникающие в процессе комп-тоновского взаимодействия, в зависимости от угла, под которым произошло рассеяние у-кванта, обладают непрерывным энергетическим спектром от нуля до максимального значения, определяемюго уравнением [c.227]

Процессы взаимодействия 7-квантов с кристаллом Nal(Tl) имеют разное сечение в зависимости от энергии 7-излучения (рис. 46). При малых энергиях регистрируемых 7-квантов превалирующее значение имеет фотоэффект, форма линии при этом состоит из фотопика и слабого комптоновского распределения. С ростом энергии 7-квантов фотопоглощение резко уменьшается и при энергии в несколько сот килоэлектронвольт становится сравнимым с комптоновским рассеянием, которое с ростом энергии 7-квантов уменьшается значительно медленнее. Процесс образования пар имеет заметную величину только при энергии 7-квантов выше 2 Мэе. [c.229]

Поскольку форма комптоновского распределения в антраценовом детекторе несколько отличается от формы в кристалле Nal(Tl), то этим методом нельзя полностью исключить комптоновское распределение. В общем методом вычитания комптоновское распределение можно уменьшить до значений порядка 5% по отношению к соответствующему фотопику. Этот метод может быть полезен при анализе сложных смесей изотопов, образующихся в результате активации. Для примера на рис. 53 приведен у-спектр облученного образца алюминия после распада А1 . [c.249]

Энергия гамма- и рентгеновских лучей передается органическому веществу почти исключительно в результате взаимсдейстЕия их с электронами. При этом, в зависимости от энергии псступакщего фотона, протекают такие процессы, как фотоэффект, комптоновское рассеяние или образование пар электронов. Как видно из рис. 1, под действием гамма-и рентгеновских лучей, обладающих энергиями 0,1—2,0 Мэе, т. е. в интервале, представляющем наибольший интерес при эксплуатации смазочных материалов и для процесса смазки, особо важное значение имеет комптоновское рассеяние. [c.52]

Теория комптоновского эффекта, развитая Клейном и Нишина, рассматривает только однократное взаимодействие фотона с веществом и не учитывает взаимодействия с рассеянными фотонами. Поэтому для экспериментальной проверки этой теории надо создавать благоприятные геометрические условия , при которых пучок фотонов состоит только из таких фотонов, которые еще не взаимодействовали с веществом. Хэлл [6] разработал общий метод теоретической трактовки процесса многократного взаимодействия фотона с веществом в очень толстых слоях, когда можно пользоваться средними значениями. Эта общая теория применена им к частным случаям точечного и линейного источников излучения в толстых слоях вещества. Под толстыми слоями поглощающего вещества подразумеваются такие слои, толщина которых больше чем (см. рис. 3, 4, б). Фотоны, покидающие источник излучения, движутся прямолинейно, как бы проходя через пустое пространство, до тех пор, пока не происходит взаимодействия с веществом можно показать, что их средний путь составляет 1/[Ло. Если толщина слоя мала по сравнению с число последовательных взаимодействий незначительно, и в случае необходимости введения поправок достаточно учитывать только рассеянные фотоны первого порядка, т. е. кванты, возникающие после первых столкновений. [c.42]

При исследовании вентиляционно-перфузионных соотношений важно учесть недостатки, присущие Хе. Известно, что этот индикатор обладает сравнительно низкой энергией гамма-квантов — 81 кэВ, следствием чего является относительно низкая степень разрешения деталей анализируемых сцинтиграмм. В этой связи исследования вентиляции желательно проводить до оценки перфузии. Когда сцинтиграфия с Тс-МАА или с Тс-микро-сферами выполняется первым этапом (особенно у пациентов с подозрением на эмболию лёгочной артерии), то при последующем исследовании вентиляции с Хе в энергетическом окне анализатора гамма-камеры имеется какое-то количество шумов, сходных с энергией Xe и обусловленных комптоновским излучением, возникающим при взаимодействии первичного или фонового излучателя ( Тс) с тканями обследуемого. Степень этого зашумления и, соответственно, искажения регистрируемых параметров вентиляции будет больше при высоких значениях фоновой радиоактивности. [c.436]

Изотоп >Сг испускает монохроматические у-кванты с энергией 0,32 Мэв (см. табл. П.1). Из графика рис. 35 находим, что при оптимальной толщине катода эффективность бопт счетчика Гейгера—Мюллера к у-квантам с энергией 0,32 Мэв составляет приблизительно 0,001 (0,1%). Чтобы оценить, насколько действительная толщина катода d отличается от оптимальной, определим максимальный пробег комптоновских электронов с энергией, равной энергии у-квантов. Линейная интерполяция значений Rmax, приведенных в табл. П,2, дает i max=rfonT 84 мг/см . Далее рассчитываем / опт =60/84 = 0,7. Из графика (см. рис. 36) находим, что такой величине отношения / опт соответствует ///опт =0,97, Эффективность к у-лучам счетчика с реальной толщиной катода будет равна [c.90]

Приведенная классификация имеет смысл лишь для излучений с низкой ЛПЭ (7-лучи, быстрые электроны, рентгеновское излуче- ние). При взаимодействии с веш еством излучений с высоким значением ЛПЭ (а-частицы, осколки деления, быстрые протоны) можно выделить лишь главные треки, так как плотность ионизации в них примерно такая же, как в шпурах, блобах и коротких треках. Относительная роль различных областей ионизации существенно зависит от энергии излучения. В случае комптоновских электронов Излуче-ния Со около 65% энергии локализуется в шпурах [10]. [c.81]

Для данного материала величина / (коэффициент перевода рентгенов в рады) постоянна в интервале энергий фотонов, где имеет место только комптоновское взаимодействие, но изменяется в области энергий образования пар и фотоэлектрического поглощения излучения. Если излучение не моноэнергетично, то f рассчитывается по всем энергиям и берется среднее значение /. В табл. 4.2 и 4.3 приведены типичные значения f if для некоторых материалов. Как можно видеть, величины очень близки к единице, за исключением фотонов низких энергий и веществ с относительно высокими или очень высокими атомными номерами. [c.80]

Комптоновская область у воздуха простирается от 100 кэв до приблизительно 5 /VIэв. Если вещества имеют сложный состав, то средние значения 2/Л рассчитывают по формуле [c.81]

Определив дозу в рентгенах, можно вычислить энергию, поглощенную системой. Другими словами, если известна доза рентгеновских или у учей, полученная дозиметром, можно вычислить дозу, соответствующую облучению любой системы, помещенной в то же место поля излучения. Для этого необходимо знать отношение энергий, поглощаемых единицами массы интересующей нас системы и дозиметра. Как показано выше, это легко сделать, если основным процессом поглощения энергии излучения является комптоновское -рассеяние. Если же в поглощении энергии заметную роль играют фотоэлектрический эффект или образование электрон-позитронных пар, то требуется знание < уммарного коэффициента т +.та+тК для сравниваемых сред, где тХ — коэффициент фотоэлектрического поглощения, — часть коэффициента комптоновского рассеяния, соответствующая передаче энергии электронам отдачи, и тК — часть коэффициента образования пар, соответствующая передаче энергии позитрону и электрону. В табл. 6 приведен ряд значений этого суммарного коэффициента. Дополнительные сведения по рассмотренному вопросу, включая оценку средних эффективных значений энергии фотонов, образующихся в рентгеновских установках (примерно от одной четвертой до половины величины напряжения, приложенного к трубке, в зависимости от степени фильтрации), можно найти в других работах [Н75, 16]. [c.58]

Если взаимодействие у-излучения со средой протекает главным образом в соответствии с механизмом комптоновского рассеяния (т. е. пропорционально отношению 2М, где 2—атомный номер элемента и А—его атомный вес), то по поглощению у-лучей можно определять относительные содержания элементов, значения отношений ZilA для которых заметно отличаются. При возрастании порядковых номеров 2 от 2 до 30 это отношение изменяется в пределах 0,5—0,46 поэтому определение содержания элементов с такими порядковыми номерами целесообразнее производить по плотности анализируемой смеси. Исключение составляет во- [c.278]

При исследовании влияния ионизируюш,их излучений на электропроводность возникают методические затруднения, об словленные как спецификой работы с источниками, так и сложностью процессов, протекающих в веществе под воздействием излучения. Например, комптоновское поглощение фотонов сопровождается возникновением электрического тока даже без внешнего источника напряжения. Это, приводит к возникновению э. д. с. под воздействием излучения, аналогичной фото-э. д. с. [33, с. 445]. Значение этой э. д. с. может достигать сотен и тысяч вольт [34, 35]. Коломейцев и Якунин связывают образование э. д. с. в облучаемых образцах с поглощением излучения и неодинаковой концентрацией носителей заряда но объему образца. Действительно, интенсивность излучения убывает при проникновении в диэлектрик. Поэтому концентрация носителей будет уменьшаться при удалении от облучаемой поверхности образца, т. е. экспериментально наблюдаемая электропроводность есть результат усреднения эффекта облучения по всему объему образца. При изучении влияния толщины образцов полистирола на добавочнзто электропроводность и возникающую под воздействием рентгеновских лучей э. д. с. было установлено [36], что первая падает, а вторая возрастает при увеличении толпщны образца. Это согласуется с представлениями о концентрированном механизме возникающей э. д. с. [c.29]

При облучении / -лучами от изотопа Со экспозиционная доза в 40 Мрад, набираемая при мощности дозы 400 рентген сек" , которой соответствует эффективное значение потока комптоновских электронов (с энергиями в интервале О,2-1,О Мэв) около 3 10 см , дает в случав монокристаллов ВаТ1- 0 и керамики ВК-2 и ВК-4 примерно ту ке величину прироста значений [c.51]

Были опубликованы таблицы [85, 222] значений сечений комптоновского взаимодействия, вычисленные по формуле Клейна — Нишины [196]. Графики зависимости сечения и отношения [c.17]

При прохождении через материальные среды -лучи поглощаются значительно меньше, чем а- и р-лучи, и поэтому проникают гораздо дальше их. Ослабле-Рис, 63. Схема эффекта Комптона. ие интенсивности пучка - -лучей зависит от нескольких процессов, из которых существенное значение имеют три фотоэлектрический эффект, комптоновское рассеяние и образование пар е" -Н е . В разных областях энергии -лучей преобладает тот или другой из этих процессов. [c.150]

Без применения специальной аппаратуры, обычно не употребляемой при биологических экспериментах, рентгеновы лучи 0,1 А нельзя получить монохроматическими, поэтому вычисления, основанные на экспериментах, в которых используются эти длины волн, оказываются значительно сложнее, чем в экспериментах с большими длинами волн. В табл. 3 приведены относительные числа комптоновских электронов и фотоэлектронов, возникающих в ткани (в данном случае в воде) под действием рентгеновых лучей с разной длиной волны там же даны значения энергии фотоэлектронов и максимальная и средняя энергия комптоновских электронов. На рис. 1, г показаны электроны отдачи (более короткие треки) и фотоэлектроны (более длинные треки). [c.15]

При подборе данных для рис. 8 Брукс [37] привел данные многих исследователей к единым условиям. Чтобы избежать возможных ошибок при этой операции, желательно рассматривать данные по чувствительности, полученные для одного и того же вещества одними и теми же авторами. Этому условию удовлетворяют недавние исследования, выполненные с пластическим сцинтиллятором NE 102 [51]. Вторичные электроны внутри сцинтиллятора были получены при комптоновском рассеянии у-лучей с энергией 279, 511 и 662 кэв, протоны отдачи внутри сцинтиллятора были получены от нейтронов с энергией от 2 до 4 Мэе, и а-частицы имели энергию до 5,3 Мэе. В пределах экспериментальных ошибок значение кВ = = (9,1 0,6) мг См -Мэв , полученное из данных при процессах электрон/протон и из уравнения (37), согласуется со значением кВ = (9,8 0,8) мг-см -Мэв , полученным из данных по процессу электрон/а-части-ца. Ошибки определяются неточностями в данных по dEldx. Нетрудно заметить, что разность средних значений кВ имеет обратный знак кВ в случае а-частиц больше, чем в случае протонов) по сравнению сданными рис. 8. [c.173]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология