Диффузия атом-ионная

Образуются молекулы водорода хотя процесс, очевидно, можно описать реакцией 2Н Н2 (а), протекающей на поверхности электрода, однако вероятен и другой механизм реакции — диффузия второго иона водорода к тому участку поверхности, на котором адсорбирован атом водорода И + НдО + в- Н2+Н20 (б). [c.177]

ДЫХ тел, особенно если размеры диффундирующих атомов малы, а решетка кристалла содержит пустоты достаточного размера. Разновидностью описанного механизма является так называемая диссоциативная диффузия. В этом случае атом (ион) примеси мигрирует из узла решетки через междоузлие. По такому механизму происходит диффузия примесей в ряде веществ, например диффузия меди в решетке германия медь может входить как в нормальные узлы решетки германия, так и в междоузлия в соответствии с равновесным распределением при данной температуре. Несмотря на малую концентрацию атомов в междоузлиях диффузия этих атомов может быть преобладающей вследствие большой их подвижности. [c.109]

А что если К и Ка насосы в биологических мембранах клетки действуют против градиента концентрации К и Ка потому, что эти компоненты захватываются крупными белковыми молекулами— АТ-фазами и определенное время удерживаются внутри них. Тогда АТ-фазы вместе с ионами Ка и К могут диффундировать в любом направлении в сторону, где этих АТ-фаз меньше по обычным законам диффузии и в том числе и в сторону, где больше концентрация ионов Ка и К. Это возможно потому, что Ка и К, заключенные в АТ-фазе диффундируют внутри них и вместе с ними по законам диффузии АТ-фаз, а не ионов Ка и К и поэтому опи могут продвигаться против градиента копцептрации последних действуя как Ка и К насосы. [c.371]

Хроматографический метод анализа в настоящее время — один из тончайших способов разделения смесей веществ или ионов. В основе его лел<ат физико-химические процессы разделения, диффузии, адсорбции и ионного обмена. [c.437]

Кинетика химической коррозии. Скорость химической коррозии зависит от многих факторов и, в первую очередь, от характера продуктов коррозии. В процессе окисления на поверхности металла образуется твердая пленка оксидов. Для дальнейшего продолжения коррозии необходимо, чтобы ионы металла или кислород (или оба одновременно) диффундировали через эту пленку. Обычно с поверхности раздела металл — оксид в направлении от металла к внешней поверхности пленки происходит диффузия ионов металла, а не атомов, так как ионы металлов по размерам меньше атомов. Одновременно в этом же направлении должны перемеш,аться электроны. Ионы О имеют больший радиус, чем атомы, поэтому с поверхности раздела оксид — газ в глубь пленки двигаются не ионы, а атомы кислорода, которые в пленке ионизируются (О + 2е = О ") и, встречаясь с ионами металла, образуют оксиды. [c.209]

Таким образом, с помощью мессбауэровской спектроскопии можно получить информацию, необходимую для определения структуры химических соединений, выявления тонких деталей химической связи и описывать быстрые реакции. Возможно и чисто аналитическое применение, которое в дальнейшем будет расширяться. Чувствительность метода позволяет даже исследовать динамику атома примеси при концентрации 10- % (ат.), изучать радиационные и другие дефекты в материалах (в том числе на поверхности высокодисперсных систем и в пленках), механизм воздействия ультразвука и радиочастотных колебаний на параметры технологических процессов, диффузию атомов в твердых телах и на их поверхности. Установлено, например, что ионы Ре -ь, локализованы на поверхности силикагеля и цеолита даже после адсорбции воды, в то время как в ионообменной смоле КУ-2 после адсорбции воды ионы Ре + диффундируют в поры смолы, образуя диффузный слой, компенсирующий отрицательный заряд сульфогрупп. По-видимому, большое значение будут иметь методы определения состояния элементов с переменной степенью окисления (табл. 31.8), выявления фаз, включенных в сложные композиции в незначительных количествах, и др. [c.748]

Кинетика Э. Фазовый переход ион в р-ре атом в кристаллич. решетке металла протекает через ряд стадий разряд иона с образованием адатомов, их поверхностная диффузия к месту роста и встраивание в кристаллич. решетку. Каждая из стадий может определять скорость процесса. При низких перенапряжениях ( < 30 мВ) для Си и Ag скорость процесса определяется поверхностной диффузией, при более высоких перенапряжениях - стадией переноса заряда. Адатомы могуг нести нек-рый электрич. заряд вследствие частичного разряда ионов. Вероятность разряда иона непосредственно в месте роста или на пов-сти грани с последующей диффузией адатомов к месту роста зависит от концентрации ионов в р-ре, энергии их. десольватации и энергии связи атомов в кристаллич. решетке. Предполагается, что преимущественный ра яд ионов в месте роста может происходить при энергии субли- [c.430]

Как уже отмечалось выше, значения всех этих констант скорости намного ниже контролируемого диффузией предела. С другой стороны, скорости реакций енолят-ионов с ионом гидроксония приближаются к этому пределу (табл. 2.1). Строго говоря, эти реакции не относятся к реакциям с участием карбокислот, поскольку они приводят к образованию енолов (перенос протона на атом кислорода), а не кетонов (перенос протона на атом углерода). [c.31]

Какой из рассмотренных вариантов имеет место в действительности, определяется относительной величиной энергии, требующейся для данного процесса. В твердых телах с плотной упаковкой атомов (ионов) наиболее вероятно перемещение с участием вакансий — вакансионный механизм диффузии, ибо занимающий узел решетки атом может переместиться в соседний узел только тогда, когда последний окажется пустым. Если кристаллическая решетка имеет междоузлия достаточно большого размера, то перемещение атомов будет происходить путем их перехода в междоузлия. В таких случаях говорят о междоузельном механизме диффузии. [c.300]

Высоковольтная десорбция электроотрицательных загрязнений происходит в соответствии с уравнением (46). Когда ионный уровень снижается до атомного, происходит высоковольтная ионизация и ион удаляется. Таким образом, здесь начинает сказываться глубина потенциальной ямы, связывающей атом, а также энергия ионизации, и именно эти величины оказываются во многих системах теми скрытыми факторами, которые делают энергию активации десорбции более высокой, чем это нужно для возникновения изображения. Поля, необходимые для десорбции загрязнений, в ряде случаев способны вызвать испарение чистой поверхности самого эмиттера, и это обстоятельство устанавливает верхний предел. Однако электрическое поле спадает при переходе от верхушки острия к основанию. Как ясно из рис. 58, высоковольтная десорбция действительно очищает только маленький кончик на самой верхушке эмиттера. Поэтому для того, чтобы получить поверхность, которая уже не будет загрязняться за счет диффузии с основания, необходимо попеременно проводить нагревание и высоковольтную десорбцию. Вызываемое высоковольтной десорбцией и нагреванием затупление острия можно ликвидировать ионной бомбардировкой [44а], как описано в разделе И, Б, 2. Используя затупленное острие в качестве автоэлектронного эмиттера в инертном газе, например в аргоне (при р 0 мм-рт.ст.), можно снова получить очень тонкие и чистые острия. Последующее высоковольтное испарение сглаживает такую сильно поврежденную поверхность и делает эмиттер вновь пригодным для дальнейших наблюдений методом ионного проектора. [c.220]

В случае азота наблюдаются оба явления. На рис. 65 представлена отдельная атомная плоскость вольфрама как до, так и после экспозиции в малых количествах азота при 7 20°К. Если поле усилить на 17% выше требуемого для получения ионного изображения, то адсорбированный атом (рис. 65, б) вновь исчезает и вместе с ним исчезает угловой атом вольфрама, на котором происходила адсорбция [61]. Такое удаление ограничивается определенными типами поверхностных центров. Наблюдение поверхностной диффузии показало (рис. 60), что при низких полях решетка вольфрама не испытывает перманентных нарушений. Это также ясно видно из рис. 66, который показывает, что азот можно десорбировать наложением поля без удаления нижележащего слоя металла. [c.238]

В рассматриваемых комплексах свободный радикал (в нашем случае — атом галогена) является акцептором электронов. Донором электронов служит молекула растворенного вещества или растворителя. Поэтому очевидно, что значение энергии, соответствующей максимуму полосы оптического поглощения комплекса, должно снижаться при уменьшении потенциала ионизации электроно-донорной молекулы [182]. Согласно данным этой работы, возникновение комплексов происходит со скоростью, лимитируемой диффузией. Постулировались свободно-радикальный и ионный механизмы их образования. [c.141]

Если изменение массы относительно мало по сравнению со всей массой атома-мишени, то коэфициент к передачи энергии путем столкновений будет, в случае столкновений с такими же атомами, как ударяемый атом, приближаться к единице. Если такие атомы имеются в кристалле в большом количестве, например, если они соответствуют единственному сорту положительных или отрицательных ионов, то достаточно очень небольшого числа столкновений для того, чтобы снизить энергию частицы до такой величины, при которой она будет неспособна разорвать элементарную кристаллическую ячейку. Эта энергия будет порядка величины Ь — средней теплоты испарения кристалла с образованием составляющих его ионов или атомов, отнесенной к одному иону или атому. Для твердых кристаллов, испаряющихся выше 500°, эта величина может быть грубо оценена в 5 еУ. Дальнейшее снижение этой энергии будет происходить с значительно меньшей скоростью и будет сопровождаться относительно меньшей диффузией, поскольку стенки ячейки будут более непроницаемы. Другими словами, после при- [c.224]

Зависимость коррозии железа в смеси N2-+- Н23 от времени при 450 °С имеет затухающий характер (табл, 5.1). С ростом температуры эта зависимость приближается к линейной и при 500—760 °С и достаточно высоком (1 ат) давлении сероводорода выражается прямой. Пленки РеЗ при возрастании температуры постепенно превращаются в пористые слои, не представляющие барьера для сероводорода, Вследствие этого окончательно исчезает контролирующая роль диффузии ионов железа через сульфид и кинетика коррозии начинает определяться скоростью реакции железа с сероводородом. [c.133]

Н О равна только 16 [22], хотя Ар,° составляет —11,7 ккал и мало отличается от величины —12,6 ккал, найденной для лимитируемой диффузией реакции ионов бората и гидроксония. Однако имеются данные [23], что в диметилсульфоксидных растворах отрыв или присоединение протона к атому углерода могут протекать значительно быстрее, чем в гидроксилсодержащих растворителях. [c.418]

Точечлые дефекты возникают по разным причинам, в том числе и в результате теплового движения частиц. Вакансии (а также дефекты внедрения) могут перемешаться по кристаллу — в пустоту попадает соседний атом, его место освобождается и т. д. Перемещением вакансий объясняется диффузия в твердых телах и ионная проводимость кристаллов солей и оксидов, которые становятся заметными при высоких температурах. [c.152]

О — коэффициент диффузии иона г-атом1см 24 часа при ДС = 1 г-атом см-Сан —концентрация примеси в анолите, г-атом л [c.325]

Особенность каталитического эффекта лиганда при определении рассматриваемых ионов проявляется в смещении волн в сторону более положительных потенциалов и увеличении их крутизны (рис. 12.6). Основной причиной такого поведения ионов металлов являются реакции комплексообразования, протекающие как на поверхности электрода, так и в объеме раствора. При этом г ат в действительности является квазидиффузионным, т.е. скорость реакции комплексообразования благодаря высокой концентрации лиганда существенно выше скорости диффузии. В качестве лигандов-катализаторов используются пиридин, у-пиколин, роданид- и ио-дид-ионы, тиокарбами По влиягаем последнего практически совпадающие волны Со Ре и разделяются на три волны. Для определения Т1 пригодна салициловая кислота и ее производные. Полифенолы являются катализаторами для определения Ое и [c.457]

Эффекты клетки растворителя наблюдались не только при рззложении азоалканов, но и при термическом разложении ряда других соединений, например пероксидов (в том числе диацил-пероксидов [420], эфиров пероксикислот [421]), из которых одновременно образуются два радикала. Найдено, например, что частичный термолиз диацетилпероксида, меченного Ю по карбонильному атому кислорода, в изооктане при 80°С приводит к тому, что около 38% всех образующихся при разложении радикальных пар рекомбинируют с образованием диацетилпероксида с выровненной изотопной меткой [420]. Эффекты клетки растворителя обнаружены даже в реакциях, в которых образуются ионы, правда, только при высоком внешнем давлении. Так, сольволиз 2-бромпропана в смеси метанол — этанол (4 1) при 46 °С становится контролируемой диффузией реакцией, если давление превышает 40 кбар [738]. [c.387]

Вторая половина процесса — это деацилирование. Аминная часть субстрата удаляется и ее место в активном центре занимает молекула воды. В принципе деацилирование есть процесс, обратный ацнлированию, при котором Н О замещает аминную компоненту 185]. Вначале зарядно-релейная система отрывает протон от воды, образующийся ион 0Н одновременно атакует карбонильный атом ацильной группы, присоединенной к 5ег-195. Образуется неустойчивый тетраэдрический аддукт, в котором Н1з-57 подает протон атому кислорода остатка 5ег-195, что приводит к освобождению кислотного компонента субстрата, который удаляется диффузией. Теперь фермент готов для следующего каталитического цикла. [c.275]

Свойства реальных кристаллов всегда отклоняются от тех, какие следуют из идеальной модели кристаллической решетки. Доказательством может служить диффузия вещества в твердом теле. Действительно, в идеальной кристаллической решетке, в которой атомы (ионы) занимают все предназначенные им позиции (узлы решетки) и вне этих позиций находиться не могут, перемещение атомов было бы крайне затруднено. Ведь положение атома в узле решетки отвечает. минимуму энергии, и, чтобы удалить атом из такой позиции, требуется затратить какое-то количество энергии. При не очень высоких температурах лишь небольнюе количество атомов располагает достаточным запасом энергии, чтобы покинуть узел кристаллической решетки. Для осуществления же диффузии надо, чтобы атом не только покинул один узел, но и занял другой узел в решетке. В случае идеальной решетки мы считаем, что соседние позиции заняты другими атомами, которые, в свою очередь, тоже не могут освободить их, переместившись в другие позиции, так как все позиции в решетке заняты. Таким образом, чтобы осуществилась диффузия в идеальном кристалле, должно одновременно переместиться бо. ьшое число атомов, что крайне мало вероятно. [c.209]

Вторая группа данных получена в результате исследований методом оже-спектроскопин поверхностного состава образцов сплава Ni— u в виде пластин (как moho-, так и поликристаллических) с содержанием никеля в объеме 16—17 ат.7о 120— 123]. Во всех случаях состав поверхности образца оказался идентичен его составу в объеме. Использование метода оже-спектроскопин для количественного анализа состава сплавов оказалось не слишком эффективным из-за трудности адекватной калибровки тем не менее нельзя не прийти к выводу, что в рассматриваемом случае разница между составом сплавов Б объеме и на поверхности не может быть очень существенной. Поэтому различие в результатах, полученных для пленок и для пластин, по-видимому, обусловлено неполным достижением равновесного состояния в последних. Трудность достижения равновесного состояния для пластин хорошо известна [122], и отсутствие его доказывается тем, что в условиях температуры и состава, соответствующих двухфазной структуре, фазы не выделяются, если, конечно, достигнуто истинное равновесие. Очевидно, равновесие устанавливается много легче на пленках, чем на толстых пластинах объясняется это как большей концентрацией дефектов в пленках, способствующих увеличению скорости взаимной диффузии компонентов, так и намного меньшим расстоянием диффузии в пленках. Кроме того, пластины очищали ионной бомбардировкой с последующим отжигом при температуре не менее 670 К, в то время как критическая температура выделения фаз составляет менее 570 К из-за быстрого охлаждения однофазная структура, полученная при температуре выше критической, оказалась замороженной. Таким образом, отсутствие фазового равновесия наблюдается параллельно с отсутствием равновесия поверхностного состава. Ясно, что состав поверхности сплавов Ni— u сильно зависит от формы образцов и условий их термической обработки. [c.158]

В случае катализатора Н-У, эффективный размер пор которого достаточно велик для диффузии реагентов внутрь пор, было установлено, что по своей начальной реакционной способности исходные углеводороды располагаются в следующем порядке З-метилгептан 2,2,4-триме-тилпентан н-октан. В случае катализатора Н-М этот порядок меняется н-октан З-метилгептан 2,2,4-тримвтилпентан. Из этого следует, что в случае катализатора Н-М диффузия изомера октана, сс -держащего третичный или четвертичный углеродный атом, затруднена, тогда как диффузия октана нормального строение затруднена в незначительной степени. Другими словами, н-морденит проявляет молекулярно-ситовые эффекты по отношению к парафиновым углеводородам всех трех типов. В случав катализатора Н-М, подвергнутого частичному обмену на катион щелочноземельного метал , отношение к- /к , снижается с увеличением ионного радиуса до 0,11 т (Зг), тогда как отношение не претерпевает заметных измерений. Можно от- [c.313]

Повышение эффективности образования проявляемого поверхностного и внутреннего скрытых изображений, при сенсибилизации восстановителями, пожалуй, и не удивительно. Происходящие при этом явления очень похожи на рассмотренные выше, за исключением того, что выделяющиеся атомы брома могут в этом случае реагировать с атомами серебра. Фотоэлектроны и ионы серебра могут далее соединяться на центрах, которыми являются поверхностные атомы серебра, или на границах субструктуры, куда они проникают путем диффузии. В последнем случае внутреннее скрытое изображение образуется в непосредственной близости от поверхности. Можно предложить другие механизмы процесса, но все они приводят к одному и тому же результату. Например, можно представить себе, что экситоны взаимодействуют с адсорбированными на поверхности атомами серебра, освобождая из них электроны. Возникающие при этом ионы серебра и электроны могут либо рекомбинировать на центрах, которыми являются другие атомы серебра, образуя более крупные агрегаты, либо продиффундиро-вать на границы субструктуры и рекомбинировать там. Атомы серебра могут захватывать положительные дырки, превращаясь в ионы серебра, которые далее соединяются с электронами. Наконец, электроны могут испускаться из адсорбированных атомов серебра при поглощении фотонов, с последующей рекомбинацией ионов серебра с электронами на центрах, которыми являются другие атомы серебра. Как было упомянуто выше, адсорбционный слой желатины препятствует диффузии ионов серебра по внешней поверхности кристаллов. В этих условиях во вторичных процессах на поверхности могут принимать участие дефекты ионной решетки, причем вакантный узел решетки притягивается к избыточному иону серебра, а соответствующий междуузельный ион серебра соединяется с электроном на центре, которым является атом серебра, находящийся на поверхности кристалла или на границах субструктуры. Для оценки относительной вероятности всех этих различных процессов требуется весьма кропотливая методическая и экспериментальная работа. Можно также предложить различные механизмы возникновения поверхностного скрытого изображения в кристаллах, сенсибилизированных сульфидом серебра. Атомы брома, получающиеся, как описано выше (стр. 425, 426), одно- [c.436]

Термообработка в воде и водных растворах электролитов (Скорость термического гидролиза обоих су.льфокатионитов в Сб -форме в 9—10 раз больше, чем в Бе -форхМе. С увеличением продолжительности нагревания до 500 часов при неизменной температуре для всех ионных форм катионитов наблюдалось резкое замедлеиие процесса термического гидролиза и уменьшения массы. Этот факт имеет кинетические причины, так как лимитирующей стадией десульфнрования является диффузия продуктов термического гидролиза из зерен смолы в водную фазу. С увеличением температуры термообработки при одинаковой длительности опыта Ат и растут очень медленно [c.69]

Смотреть страницы где упоминается термин Диффузия атом-ионная: [c.124] [c.87] [c.85] [c.388] [c.124] [c.303] [c.199] [c.263] [c.88] [c.373] [c.88] [c.138] [c.26] [c.88] [c.88] [c.26] [c.51] [c.151] [c.151] [c.403] [c.153] [c.437] [c.433]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология