центры энергетические уровни

В уравнениях (IV. П) и (IV. 12) второй член зависит только от вращательного квантового числа /. Первый член зависит от квадрата кван тового числа к, определяющего проекцию момента количества движения на главную ось симметрии, проходящую через центр тяжести молекулы. Каждый энергетический уровень 2(2 + 1) раз вырожден, за исключением нулевого уровня, где й = О и вырождение 2/ + 1. При поглощении квантов электромагнитного излучения во вращательном спектре наблюдают переходы молекул Д/ = + 1, Дй = 0. [c.29]

В заключение отметим, что центры рекомбинации характеризуются примерно одинаковыми сечениями захвата для электронов и дырок, а соответствующий им энергетический уровень находится в средней части запрещенной зоны. В отличие от сказанного, уровни прилипания обладают либо различными сечениями захвата, либо соответствующий им энергетический уровень находится вблизи одной из зон. [c.145]

Энергетический уровень наиболее эффективных центров рекомбинации находится в средней части запрещенной зоны. [c.149]

Спонтанная люминесценция включает переход (излучательный, а чаще безызлучательный) на энергетический уровень, с которого происходит излучение (рис. 180, б). Этот вид люминесценции характерен для сложных молекул в парах и растворах и для примесных центров в твердых телах (см. гл. V). Особый случай представляет люминесценция, обусловленная переходами из экситонных состояний (см. рис. 175, а). [c.432]

Радиус атомной -орбитали возрастает при увеличении номера энергетического уровня 1 -А0 — расположена внутри 2 -А0, последняя— внутри 35-АО и т. д. с центром, отвечающим атомному ядру (рнс. 12). В целом строение электронной оболочки атома в орбитальной модели представляется слоистым. Каждый энергетический уровень, содержащий электроны, геометрически рассматривается как электронный слой, хотя это понятие обычно более применимо в рамках модели Бора. [c.89]

Эти факты согласуются с гипотезой, согласно которой р-полоса обусловлена переходом электронов на возмущенные экситонные уровни в непосредственной близости от /-центров, в то время как а-полоса связана с образованием экситонов вблизи анионной вакансии. Ионы, окружающие анионную вакансию, слегка сдвинуты к новым равновесным положениям, в результате чего первые возбужденные уровни анионов (уровни экситонов) в окрестности вакансии будут возмущены. Поэтому при поглощении кванта света ионом галогена, находящимся около вакансии, происходит переход электрона на энергетический уровень, несколько более низкий, чем нормальный уровень экситона, а новый пик поглощения (а-полоса) [c.110]

Когда свет возбуждает молекулу хлорофилла, находящуюся в тилакоидной мембране, один из ее электронов переходит на более высокий энергетический уровень, определяемый энергией поглощенного света, в результате чего молекула и оказывается в возбужденном состоянии. Затем энергия возбуждения (экситон) быстро мигрирует по набору светособирающих пигментных молекул к реакционному центру фотосистемы, так что один из электронов этой фотосистемы приобретает больщое количество энергии. Этот горячий электрон покидает реакционный центр и присоединяется к первому переносчику в цепи переноса [c.694]

Первичный акт образования активного центра (радикала) может произойти при действии на мономер света, тепла, ультрафиолетового или радиоактивного излучения. Благодаря возбуждению двойная связь переходит на более высокий энергетический уровень, вызывая цепную реакцию. Вообще, реакция инициирования связана с процессом образования свободных радикалов или аналогичных соединений в условиях реакции полимеризации. Так, Шульц и Вит-тиг провели полимеризацию в присутствии трифенилметила в качестве инициатора. Наибольшее значение в качестве веществ, вызывающих образование свободных радикалов и тем самым ускоряющих процесс полимеризации, приобрели перекиси. Органические перекиси при термическом разложении образуют свободные радикалы для перекиси бензоила этот процесс протекает по уравнению [24] [c.54]

Главное квантовое число п характеризует энергетический уровень оболочки атома, по которой электрон движется вокруг ядра. Величина п положительна и может быть равна 1, 2, 3... (порядковый номер орбиты от центра атома). Квантовые числа I, т и s определяют подуровни энергетических состояний электрона в атоме. Орбитальное квантовое число I для любого энергетического уровня может иметь значения целых чисел, начиная с нуля и кончая числом, на единицу меньшим главного квантового числа п, т. е. / = 0, 1, 2, 3... ( —1). Квантовое число т называют магнитным квантовым числом, его численное значение равно от +/ до —/, включая нуль. Спиновое квантовое число s имеет только два значения -I-V2 и — V2. [c.18]

Центры с неспаренными электронами (ионы переходных металлов, радикалы, центры окраски и др.) характеризуются отличным от нуля значением вектора полного магнитного момента. Они могут находиться в нескольких состояниях, отвечающих различным ориентациям вектора. В отсутствие внешнего магнитного поля все эти состояния имеют равные энергии, т. е. являются вырожденными. При наличии поля каждой ориентации вектора магнитного момента соответствует свой энергетический уровень. В магнитных полях, создаваемых в ЭПР-спектрометрах, энергии перехода из одного состояния в другое соответствуют микроволновой области электромагнитного излучения. [c.213]

Так как энергетический уровень понижается по мере смещения заряда к центру молекулы, а максимальная устойчивость достигается при локализации заряда на втором — четвертом атомах углерода от конца цепи, то преимущественно образуются олефины с внутренней двойной связью. [c.29]

Чтобы ответить на этот вопрос, — начал объяснять учитель, — нужно всегда иметь в виду одно важное правило электроны стремятся занимать самый низкий свободный энергетический уровень. Это основная тенденция всех тел в природе. Самым устойчивым будет то положение равновесия, при котором энергия будет минимальной. Вы по опыту знаете, что чувствуете себя намного устойчивее, если ляжете на землю и таким образом доведете свою потенциальную энергию до наименьшей величины, чем когда встанете на деревянные ходули и центр тяжести переместится выше. Так и электроны. Каждый электрон устраивается на месте с наименьшей энергией. А чем ближе к ядру находится электрон, тем меньше его потенциальная энергия. Поэтому первый электрон размещается на самом близком расстоянии от ядра. Он занимает первую, самую низкую ступень на шкале энергии. Для второго электрона место наиболее низкого энергетического уровня находится там же, но при условии, что он имеет противоположный спин. Третий электрон должен занимать вторую ступень, потому что на первой уже удобно расположились его предшественники. Четвертый электрон, если его спин обратен спину третьего, тоже займет вторую ступень и т. д. Таким образом, получается, что для определения места данного электрона около ядра нужно прежде всего вычислить его энергию. Именно здесь квантовые числа дают нам известные удобства. Чем больше данное квантовое число, тем значительнее энергия, которая ему соответствует. [c.144]

Энергетические уровни дефектов удобно обозначать таким образом, чтобы можно было быстро определить их атомную природу и характер ионизации. При этом возникают некоторые трудности. Дело в том, что положение энергетического уровня определяется энергиями присоединения или отрыва электронов от данного центра. Однако переход электрона на вакантный уровень или удаление электрона при освобождении занятого уровня изменяет состояние ионизации дефекта. Поэтому, строго говоря, один и тот же уровень энергии электрона в занятом и вакантном состояниях следует обозначать различным образом. Например, если занятый уровень нейтрального дефекта А -обозначен А , то тот же вакантный уровень следует обозначить А , где точка указывает на положительный заряд. Если энергетический уровень вновь образовавшегося центра А занят, этот уровень также нужно обозначить А . Необходимость использования различных обозначений для одного и того же уровня (в зависимости от его заполнения электроном) и одного и того же обозначения для разных уровней (а именно для пустого и занятого уровней дефекта в разных состояниях ионизации) вносит определенную путаницу. [c.154]

До сих пор электронными дефектами, так же как и возможными усложнениями, вызываемыми отклонением состава исходного кристалла от стехиометрии, мы пренебрегали. Теперь остановимся на этих вопросах. На рис. XVI.21,а изображен ряд высокотемпературных изотерм для системы КС1 + Са, рассчитанных обычным способом, исходя из показанной на рис. XVI.22 схемы энергетических уровней. Предполагается, что Сак, являющийся, очевидно, донорным центром, создает уровень, расположенный не слишком далеко от уровня F-центра (V i). В целом рис. XVI.21 аналогичен рис. XVI.11, но вместе с тем имеются и отличия [c.472]

В качестве механизма переноса энергии можно предположить не только неупругое рассеяние свободных носителей тока или их захват, но можно ожидать и более сильных взаимодействий в том случае, если энергетический уровень существующих дефектов равен уровню дефектов, вызванных адсорбированными молекулами. Наконец, можно предположить, что обмен энергией подобен люминесценции, которая также наиболее эффективна в случае резонанса. Тип взаимодействия должен соответствовать ударам второго рода н газовой фазе, так как модель основана на тушении возбужденных центров [c.417]

Связывающая орбиталь соответствует представлению о бутадиене-1,3 с делокализованными связями, она симметрична по отнощению к плоскости симметрии, проходящей через центр молекулы ортогонально оси С , и антисимметрична к оси симметрии Сг. Эта МО имеет самый низкий энергетический уровень. МО фг соответствует представлению о бутадиене-1,3 с изолированными двойными связями. Она симметрична по отношению к оси Сг и антисимметрична относительно плоскости. Разрыхляющие орбитали фз и г )4 также различны по симметрии фз симметрична, а 4 антисимметрична к плоскости Счп и фз антисимметрична, а ф4 симметрична к оси Сг. Энергетический уровень повышается при переходе от ф] к ф4 (энергетический уровень орбитали г 4 расположен наиболее высоко). В соответствии с таким набором занятых МО 1)51 и г1 2 в бутадиене-1,3 2р-А0 центральных атомов должны заметно перекрываться, однако полного обобществление р-электронов всеми четырьмя центрами не происходит. [c.55]

Энергия света, поглощаемая изолированной молекулой хлорофилла, высвобождается в виде света (флуоресценция) и тепла при возвращении возбужденного электрона на исходный энергетический уровень (рис. 9-48). Но хлорофилл реакционного центра тесно связан с акцептором электронов и донором электронов, и вместе эти три молекулы образуют сердце фотосистемы. В результате реакции, катализируемой соответствующими белками, возбужденный электрон реакционного центра передается на акцептор электрона, и при этом в молекуле хлорофилла образуется положительно заряженная дырка с очень высоким сродством к электронам. Эту дырку быстро заполняет электрон, отдаваемый находящимся поблизости донором электронов (рис. 9-48). [c.42]

В примесных полупроводниках (и диэлектриках), как мы видели (см. рис. 101), в запрещенной зоне возникают локальные энергетические уровни (донорные, акцепторные и уровни прилипания , обусловленные дефектами структуры), в связи с чем вероятность рекомбинации (через локальные уровни) возрастает. Рекомбинацию через локальные уровни (центры рекомбинации) можно определить как переходы зона — локальный уровень — зона (рис. 180, г). [c.433]

Эта картина полностью согласуется с концепциям электрон-но-конформационных взаимодействий (ЭКВ) и конформона. Применительно к ЦПЭ можно предположить, что в пункте сопряжения создается лабильный комплекс между переносчиком и некоторой группой в активном центре фермента сопряжения, роль которой, вероятно, играет аденин связанного АДФ. Прп релаксации 1 II в какой-то момент энергетический уровень, на котором находится электрон, понижается до акцепторного уровня аденина. Эти два уровня разделены барьером, по возможен под-барьерный туннельный переход электрона на аденин. Увеличение электронной плотности на аденине сопровождается резким повышением основности аминогруппы. Если в активном центр АТФ-синтетазы имеется электрофильная группа (папример, карбоксил), то аденин реагирует с нею, образуя амидную связь. В следующий момент релаксации уровень переносчика опускается ниже уровня адепнна и электронная плотность переходит с аденина обратно на редокс-группу того же пли следующего переносчика электрона в ЦПЭ. [c.440]

Однако окислительно-восстановительный потенциал системы вода — молекулярный кислород равен +820 мВ, из чего следует, что электронная вакансия , возникающая, например, в молекуле бактериохлорофилла реакционного центра зеленых серобактерий при нециклическом транспорте электронов, не может быть заполнена электроном воды (фотоокисленная форма бактериохлорофилла реакционного центра зеленых серобактерий — пигмента П84о — имеет окислительно-восстановительный потенциал порядка +250 мВ). Чтобы использование электронов воды стало возможным, необходимо, во-первых, их оторвать от молекулы Н2О, термодинамически очень невыгодного донора электронов, и, во-вторых, поднять на более высокий энергетический уровень, позволяющий включаться в фотосистему, описанную выше. Природа решила эти проблемы путем создания дополнительной пигментной системы, обозначаемой как фотосистема П. [c.287]

Затем в процессе каталитического крекинга карбониевые ионы претерпевают различные превращения. При гидридном сдвиге (реакция 4) положительный заряд переходит к соседнему атому углерода. Поскольку энергетический уровень понижается по мере смещения заряда к центру молекулы и так как максимальная устойчивость достигается при локализации заряда на втором четвертом атомах углерода от конца цепи, то происходит преимущественное образование олефинов с внутренней двойной связью. В результате метидного сдвига [c.297]

Здесь следует непременно отметить одно очень важное обстоятельство. Всю последовательность реакций, изображенных на рис. 23-12, мы объединяем под общим названием световые реакции фотосинтеза. Такое определение удобно, поскольку оно вполне четко разграничивает энергогенерирующую фазу фотосинтеза и темновые реакции, обеспечивающие восстановление СОз до глюкозы. Однако название световые реакции не вполне точно. В действительности только для двух этапов этих световых реакций нужен свет, а именно для тех этапов, которые переводят в возбужденное состояние два фотохимических реакционных центра (рис. 23-12). После того как электроны, поглотив световую энергию, перейдут на более высокий энергетический уровень, все остальные этапы фотосинтетического переноса электронов могут уже идти и в темноте. [c.697]

В ненасыщенных молекулах в образовании двойной связи участвует пара о-электронов и два х-элек-трона, у которых наибольшая плотность электронного облака располагается не по линии связи, а симметрично двум взаимно перпендикулярным плоскостям, проходящим через ось, соединяющую центры атомов, л-электроны занимают большую область пространства и поэтому слабее связаны с каждым из ядер, чем а-электроны. В соответствии с уравнением Шре-дингера, чем менее ограничено перемещение электрона, тем меньше требуется энергии для того, чтобы перевести его на более высокий энергетический уровень. Соединения с двойными связями могут поглощать в связи с этим менее жесткие ультрафиолетовые лучи с меньшим значением Эйнштейна квантов. [c.139]

Преяаде чем рассматривать контуры линий для таких случаев, рассмотрим один случай, в котором формула (37) приложима для пламен, используемых в атомно-абсорбционной спектрометрии. В этом случае возбужденный атом из одного подмножества доплеровских скоростей не меняет существенно своей доплеровской скорости за счет столкновенпй, прежде чем он покинет возбужденный энергетический уровень. Изменение доплеровского сдвига должно быть намного меньше, чем ширина доплеровского контура, и меньше, чем ширина контура Лоренца. Этот случай мог бы также реализоваться, если бы столкновения, вызывающие существенное изменение доплеровской скорости, тушили возбужденный атом, переводя его на нпжний энергетический уровень [58]. Возможно, это верно для обычных аналитических пламен, где скорость тушения высока. В этом случае переходами возбужденных атомов между подмножествами доплеровских скоростей можно пренебречь и формулу (37) использовать для определения коэффициента поглощения для каждого подмножества доплеровских скоростей. Предполагая максвелловское распределение скоростей для всех атомов, можно показать, что относительное число атомов в каждом подмножестве скоростей, которое сдвинуто на частоту Яо, задается гауссовским распределением %оЛв), где Я,о есть центр распределения. Коэффициент поглощения для фотонов с длиной волны Я для каждой из доплеровских групп взвешивается гауссовской функцией (Яо, Яо), и при интегрировании (сложении) получается полный козффициент поглощения к к), характеризующий поглощение фотонов с длиной волны Я всеми доплеровскими подмножествами. Результирующий коэффициент поглощения имеет вид [c.169]

Изложенная точка зрения представляется перспективной при исследовании вопроса об образовании F-центров при действии рентгеновых лучей. Экспериментальные данные [7] позволяют представить схематически механизм этого процесса следующим образом. Действие радиации приводит к повыще-нию концентрации свободных электронов и дырок (либо экситонов). В присутствии свободных носителей либо экситонов существенно отлична от нуля вероятность теплового образования дефекта Френкеля с одновременным захватом электрона междоузельным атомом (энергетический уровень ем) и дырки отрицательно заряженной вакансией аниона (энергия 8 ). При этом энергия, затраченная на удаление атома из узла, W, существенно компенсируется выделением энергии sm+ v Это обстоятельство, как и в предыдущем примере, может существенно увеличить вероятность теплового рождения дефекта по сравнению со случаем, когда такое рождение не сопровождается захватом электрона и дырки на уровни образующегося дефекта. Однако оценка, аналогичная приведенной, для случая одновременного захвата электрона и дырки несколько затруднена. Этот вопрос также нуждается в дальнейшем рассмотрении. [c.222]

Рассмотрим состояние -орбиталей центрального иона. В сво бодном ионе электроны, находящиеся на каждой из пяти -орбн талей, обладают одинаковой энергией (рис. 160, а). Представим себе, что лиганды создают равномерное сферическое электростати ческое поле, в центре которого находится центральный ион. В этом гипотетическом случае энергия -орбиталей за счет отталкиваю щего действия лигандов возрастает на одинаковую величину, т, е все -орбитали останутся энергетически равноценными (рис. 160, б) В действительности, однако, лиганды неодинаково действуют на различные -орбитали если орбиталь расположена близко к ли ганду, энергия занимающего ее электрона возрастает более значи тельио, чем в том случае, когда орбиталь удалена от лиганда Например, прн октаэдрическом расположении лигандов вокруг центрального нона наибольшее отталкивание испытывают элек троны, находящиеся ка орбиталях г= и 1 ,/> направленных к ли гандам (рис. 161, а и б) поэтому их энергия будет более высокой, чем в гипотетическом сферическом поле. Напротив, , г и .г-ор-битали направлены между лигандами (рис. 161, в), так что энергия находящихся здесь электронов будет ниже, чем в сферическом поле. Таким образом, в октаэдрическом поле лигандов происходит расщепление -уровня центрального иона на два энергетических уровня (рис. 160,в) более высокий уровень, соответствующий [c.595]

При установлении между окисной пленкой и объемом кристалла электронного равновесия в рассматриваемой системе образуется общий уровень электрохимического потенциала электронов, который не может проходить выше зоны проводимости и ниже валентной зоны. Поэтому энергетические уровни окисной пленки, оказывающие наибольшее влияние на величину коэффициента поверхностной рекомбинации, должны находиться вблизи уровня на расстоянии, не превышающем ширины запрещенной зоны для данного кристалла (см. рис. 53 и 58). Считая, что гидратированная окисная пленка вместе с адсорбированными в ней частицами подобна водному раствору, и обращаясь к рис. 53, мы приходим к выводу, что наиболее эффективными центрами рекомбинации в окисной пленке являются атомы или ионы элементов, располагающихся в правой части ряда напряжений металлов или металлоидов (см. стр. 192). Такими элементами являются водород, медь, серебро, золото, а также кислород и сера. Напомним, что именно для ионов этих элементов характерна высокая скорость электронного обмена при контакте металла или полупроводника с электролитом. Поэтому дe aнный [c.210]

Таким образом, свободный электрон решетки выступает в роли адсорбционного центра. Арсорбируемый же атом А локализует около себя свободный электрон решетки, закрепляя его в определенном месте на поверхности кристалла. Атом А, таким образом, играет роль ловушки для свободного электрона. Выпадение свободного электрона из зоны проводимости освобождает соответствующий энергетический электронный уровень. В результате возможен выход новых электронов на этот уровень и, как следствие подобных процессов, число адсорбционных центров на поверхности увеличивается по мере ее заполнения. Для атома, адсорбированного одноэлектронной связью, не исключена возможность встречи со свободным электроном. решетки и переход при этом в двухэлектронную связь. Различные формы хемосорбции на поверхности должны находиться в равновесии и между ними возможен взаимный переход. [c.163]

Большинство неметаллических катализаторов обладает полупроводниковыми свойствами, поэтому заманчиво использовать это их свойство в качестве ключа к раскрытию природы активности. Такая возможность связана со способностью полупроводника обмениваться зарядом с адсорбированной частицей, принимая или отдавая электрон. Согласно существующей теории, центром хемосорбции (активным центром) является свободный электрон (или дырка ) полупроводника. Адсорбированные атомы или молекулы рассматриваются как примеси, нарушающие строго периодическую структуру решетки. В энергетическом спектре кристалла они могут быть изображены локальными уровнями, расположенными в запрещенной зоне полупроводника (см. гл. V). Разные частицы занимают различные уровни в запрещенной зоне. Если реагирующая частица занимает уровень, расположенный ближе к зоне проводимости, т. е. уровень адсорбированной частицы находится выше уровня Ферми на поверхности, то все хемосорбционные частицы являются донорами электронов. Если же уровень адсорбированной частицы ниже уровня Ферми, она является акцептором электронов. Таким образом, адсорбционная способность и каталитическая активность поверхности полупроводника определяются взаимным расположением локального уровня адсорбированрой частицы и по,ложением уровня Ферми на поверхности. Реакция называется акцепторной, если скорость 472 [c.472]

Смотреть страницы где упоминается термин центры энергетические уровни: [c.31] [c.14] [c.138] [c.141] [c.318] [c.415] [c.433] [c.84] [c.268] [c.9] [c.123] [c.385] [c.635] [c.195] [c.43] [c.61] [c.71] [c.185] [c.96] [c.179]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология