Уровень рентгеновский

В результате захвата электрона заряд ядра атома уменьшается на единицу и в соответствии с законом смещения получается изотоп, который смещен в периодической системе относительно исходного на одно место с меньшим номером. Одновременно происходи" выделение кванта лучистой энергии в виде характеристического рентгеновского излучения, которое связано с переходом электрона с более удаленных уровней на уровень К. Так, ядерное уравнение перехода в путем К-захвата имеет следующий вид [c.68]

Поскольку составной частью прибора РФС является источник рентгеновского излучения, который ионизует образец, этим методом можно определять энергии связывания как валентных электронов, так и электронов оболочки. Обычно используют рентгеновское излучение Ка Mg и А1 с энергией соответственно 1253,6 и 1486,6 эВ. Методом РФС исследовали твердые вещества, газы, жидкости, растворы и замороженные растворы. В случае твердых веществ и замороженных растворов рассчитанные энергии связывания электронов относят к энергии уровня Ферми твердого вещества. Уровень Ферми соответствует высшему заполненному уровню электронного слоя структуры твердого вещества при О К. Уравнение сохранения энергии (16.23) преобразуется к виду [c.334]

Если электрон выбит со второй орбиты ( =2), то переходу электронов на этот уровень с более удаленных орбит будут отвечать кванты энергии рентгеновского излучения Еь =Ь , Е1"=к. и Е[ " = = /гv5 и т. д. Спектр такого излучения назван -серией (рис. 5.2). Переходу электронов с более высоких уровней на третью орбиту будет соответствовать ЛГ-серия и т. д. [c.114]

Для объяснения зависимости между частотой и порядковым номером Мозли воспользовался теорией строения атома водорода, развитой Бором. Согласно модели Бора, рентгеновское излучение должно возникнуть при переходе электрона на К- или -уровень. Бор показал, что частота в эмиссионном спектре водорода может быть выражена формулой [c.94]

Рентгеновское излучение рассматриваемого интервала длин волн (0,7-2,3 А ), проходя через вещество, рассеивается электронами (доля рассеяния ядрами атомов пренебрежимо мала) или вызывает процессы типа фотоэффекта выбиваются электроны с различных уровней облучаемого образца, а это вызывает появление вторичного рентгеновского излучения. По длине волны и интенсивности вторичного излучения можно определить содержание того или иного элемента в образце, что используется в рентгенофлуоресцентном анализе. При съемке рентгенограмм такое вторичное излучение лишь увеличивает уровень фона, т.е. снижает качество рентгенограмм. Поскольку вторичное излучение и первичное, используемое для съемки, имеют близкие длины волн, применение амплитудных анализаторов для уменьшения влияния вторичного излучения на уровень фона обычно неэффективно. [c.8]

Рассмотрим рентгеновское излучение, возникающее при выбивании электрона, имеющего главное квантовое число п= (К-электрон), и переходе на этот уровень электрона с п=2. На первой оболочке (п= 1), как мы обсудим в этой главе несколько дальше, помещаются два электрона. Поэтому эффективный заряд ядра равен 2—1. Энергия водородоподобного иона с зарядом 2, как показывают простые расчеты, увеличивается в 2 раз по сравнению с соответствующим электроном атома водорода. Поэтому при рассматриваемом переходе электрона возникает в соответствии с формулой (ХУ.24) излучение следующей частоты [c.313]

Если один из двух уровней, скажем 2 принадлежит непрерывной области энергии, соответствующей диссоциации или ионизации, то все уровни из системы Е , расположенные вблизи уровня Ей могут его возмущать. При этом некоторые уровни будут сдвигать его вверх, другие — вниз. В результате вместо уровня Ei будет слегка диффузный уровень, как это показано на рис. 102, б. Смешивание волновых функций этих двух состояний означает, что если система переводится в состояние 1, то она очень скоро приобретает свойства состояния Яг, т. е. произойдет диссоциация или ионизация. Приблизительно ситуацию можно передать словами, что происходит безызлучательный переход из дискретного состояния в непрерывное (с той же энергией), что приводит к распаду молекулы. Такие процессы носят название процессов Оже по имени исследователя, впервые открывшего это явление в рентгеновской области. Он обнаружил, что один квант рентгеновского излучения может вызвать испускание двух фотоэлектронов. При этом один из них испускается в результате обычного фотоэффекта например, с /С-оболочки), а другой — сразу же за первым вследствие такого безызлучательного перехода (поскольку Х-уровень, на который атом переходит после первой стадии, перекрывается непрерывной областью энергии, соответствующей удалению электрона с -оболочки образовавшегося иона). [c.179]

Изучение влияния условий нагружения на характер изменения остаточных напряжений II рода показало [34], что при упруго-пластическом деформировании железа (выше предела выносливости) в воздухе уже при малой базе числа циклов нагружения (10 — 5 10 циклов) остаточные напряжения растут до 300—350 МПа и при дальнейшем увеличении базы испытания изменяются мало. В присутствии такой поверхностно-активной среды, как 2 %-ный раствор олеиновой кислоты в вазелиновом масле, характер изменения остаточных напряжений существенно меняется. При малых базах испытания уровень напряжений ниже, чем при испытании в воздухе, а при больших базах — значительно выше и достигает 900 — 950 МПа. Отсюда следует, что поверхностно-активные среды уменьшают энергию выхода на поверхность дислокаций и при напряжениях, превышающих предел выносливости, упрочнение металла происходит медленнее, но степень упрочнения с увеличением числа циклов нагружения значительно выше, чем при испытании в воздухе. При этом по данным рентгеновского анализа зерна феррита в поверхностно-активных средах более интенсивно дробятся на различно ориентированные субзерна, что выражается в большой степени наклепа. При низких уровнях напряжений вследствие охвата пластическим течением большого количества зерен поверхностно-активная среда разупрочняет металл. [c.16]

В результате консолидации размер зерен-кристаллитов практически не меняется, хотя уровень микроискажений в направлении (111 несколько падает (табл. 1.3) [81]. Следует отметить, что из-за сильного ослабления интенсивности рентгеновских пиков (200) и (400) в результате ИПД кручением определить размер зерен и величину микроискажений кристаллической решетки в направлении (200) не представилось возможным. [c.58]

Если амплитуда импульса широкополосного усилителя выше уровня ограничения дискриминатора (точка 4 , сигнал (точка 7) направляется в устройство контроля наложения импульсов, которое может не пропустить сигнал с выхода главного усилите.дя к многоканальному анализатору (точка 5). Можно блокировать либо оба импульса, если второй импульс приходит прежде, чем первый достигнет своего максимального значения, либо только второй, если первый импульс прошел максимальное значение и обработался многоканальным анализатором, но уровень сигнала не достиг базовой линии. Правильная установка дискриминатора весьма критична, так как, если уровень слишком низкий, шум будет восприниматься как рабочие импульсы, вызывая их ненужное подавление однако если уровень слишком высок, то низкоэнергетические импульсы пройти не смогут. Поэтому подавление импульсов труднее осуществить для низкоэнергетического рентгеновского излучения, которое трудно отделить от шума. На рис. 5.30 сравниваются два спектра железа, полученные при использовании схемы подавления наложения импульсов [c.226]

Интересно влияние излучения на кристаллы. При поглощении рентгеновских лучей галогенидами щелочных металлов и другими кристаллами наблюдается характерное окрашивание. Хлористый натрий становится желтым, а хлористый калий — голубым, причем окраска обусловлена поглощением света электронами, которые были выбиты рентгеновскими лучами и захвачены вакансиями отрицательных ионов кристаллической решетки. Когда облученный кристалл нагревают, захваченные электроны высвобождаются, и при возвращении на более низкий уровень энергии они испускают свет. Это явление известно как термолюминесценция. Если кристалл нагревают медленно, то в ряде случаев испускается свет при определенных температурах. На характер кривых зависимости интенсивности излученного света от температуры влияют продолжительность облучения, присутствие примесей и другие факторы. Некоторые породы и минералы, такие, как известняк и флюорит, проявляют термолюминесценцию даже без предварительного облучения, потому что они содержат следы радиоактивного урана порядка нескольких миллионных долей. [c.556]

После фотоэлектронного поглощения атом находится в высоковозбужденном состоянии. Вакансия, созданная фотоэлектронным поглощением, будет заполнена электроном с более высоколежащей оболочки. Разность энергии между этими двумя уровнями, например, вакансией в К-оболочке и вакансией в Ьз-оболочке, испускается в виде рентгеновского фотона. Это рентгеновское излучение называют характеристическим , потому что его энергия (или длина волны) различны для каждого элемента, так как всякий элемент имеет свой собственный уровень энергии. [c.64]

В результате электронного возбуждения внутренних уровней образуются ионы в возбужденном состоянии, поскольку на внутренней орбитали возникает вакансия. Ионизированный атом, следовательно, немедленно переходит (в течение 10 -10 с) в состояние с меньшей энергией посредством перехода электрона с верхнего (более низкая Есв) на нижний уровень (более высокая Есв). Энергия, соответствующая разности энергий между этими уровнями АЕ = св(1) Есв(-2), испускается в виде либо кванта рентгеновского излуче- [c.330]

Таким образом, рентгеновские данные указывают на существенные структурные изменения в ходе интенсивной механической обработки для обоих пероксидов. При этом анализ экспериментальных данных показывает на сходное поведение структурных характеристик ВаОг и СаОг в процессе обработки. Для обоих пероксидов в процессе механической обработки обнаружено появление существенных микродеформаций, которые на определенном этапе приводят к скачку в значениях параметров элементарной ячейки. Размеры блоков мозаики в процессе обработки ВаОг и СаОг не изменяются. Энергия механического удара в этом случае расходуется, в основном, на генерацию точечных дефектов. В результате, сразу же после первой обработки, в обоих веществах появляются микродеформации (рис. 6), существенный их уровень поддерживается на протяжении всего процесса механической обработки. Достижение максимальных значений микродеформаций сопровождается скачком в значениях периодов элементарных ячеек и ширины линий отдельных отражений для обоих материалов (рис. 5а и 5.6). В результате вычислений по формуле (3(20) = 4 tg(0) для ВаОг получены максимальные значения микродеформаций для отражения (103) = 0,17(3) - 0,21(4)%, для отражения (114) = 0,14(3) - 0,18(4)%, а для отражения (004) = 0,15(3) - 0,19(4)%. Соответствующие расчеты для СаОги отражения (103) дали значения = 0,25(4) - 0,34(5)%. [c.32]

Показано, что интенсивная механическая обработка кристаллических веществ в дезинтеграторе или центробежной мельнице приводит к завершению стадии измельчения практически сразу после однократной обработки, в результате чего твердое вещество фрагментируется на частицы (зерна) микронных размеров. В дальнейшем структурные изменения переходят на уровень кристаллитов и проявляются для всех изученных материалов в виде осцилляционной зависимости уширения рентгеновских [c.39]

Радиационное инициирование происходит при облучении мономеров а-, (3-, у- или рентгеновскими лучами, быстрыми электронами и другими частицами с высокой энергией. Действие излучений на любое органическое вещество сопровождается (как и в случае фотополимеризации) либо отрывом электрона и превращением молекулы в ионы, либо перемещением электрона на более высокий энергетический уровень и переходом молекулы в возбужденное состояние [c.22]

Каждый дискретный уровень прочности со своим максимумом на кривой распределения соответствует дефектам определенного тина, нанример, субмикротрещинам, микротрещинам или макротрещинам. У неорганических стекол и стекловолокон имеется пять, у полимерного волокна (капронового) —восемь, а у полимерных неориентированных аморфных пленок (например, полиэтилентерефталатных)—до четырех уровней прочности и долговечности. Это объясняется тем, что в случае полимерных волокон дискретность структуры приводит к дискретному распределению микротрещин и но их размерам, а это в свою очередь приводит к дискретному спектру прочности. Между данными, полученными методом малоуглового рентгеновского рассеяния и дискретным спектром прочности капронового волокна. [c.260]

Каждый элемент характеризуется определенным линейчатым спектром (характеристическое излучение). К-Серия возникает при переходе электронов на самый нижний энергетический уровень (К-слой) и содержит самые коротковолновые рентгеновские линии. При перескоке электронов с более высоких энергетических уровней на L-, М- и N-уровни возникают серии L, М п N (рис. 1.4). [c.408]

Помимо диаграммных линий в характеристическом спектре рентгеновского излучения существуют слабые по интенсивности линии, называемые недиаграммными линиями, или сателлитами диаграммных линий. Коротковолновые сателлиты могут возникать при дополнительной ионизации излучающего атома, а также при переходах на внутренний уровень с оптических уровней атомов, которые были предварительно возбуждены. Сателлиты, проявляющиеся с длинноволновой стороны от диаграммной линии, могут возникать при перекрестных переходах электронов атомов, образующих химическое соединение. Например, длинноволновой сателлит i -линии хлора проявляется в соединении КС1 и может быть объяснен переходом 2р электрона иона на уровень Is иона С1 [1, 2]. [c.797]

Если возбуждаемой системой является атом, энергия поглощается при переходе электрона на уровень с более высокой энергией. При переходах валентных электронов атома поглощаемая энергия составляет обычно от 40 до 140 ккал/моль (17—600 Дж/моль). Эта энергия соответствует видимому или ультрафиолетовому излучению электронные переходы между этими орбиталями приводят к излучению соответствующей частоты. С другой стороны, различие энергий внутренних орбиталей (малое основное квантовое число) гораздо больше 10 ккал/моль (4,2-10 Дж/моль) такое количество энергии соответствует рентгеновскому излучению. Например, если электрон высокой энергии столкнется с атомом, это может привести к удалению одного из внутренних электронов атома вакантное состояние немедленно займет один из соседних электронов, причем избыточная энергия выделится в виде характеристи ческих рентгеновских лучей. [c.75]

Спектры рентгеновских лучей как абсорбционные, так и эмиссионные характеризуют в первую очередь атомы, отражая их энергетический уровень, который зависит от формы связи данного атома со всеми другими атомами, находящимися в молекуле. Эти последние обстоятельства дают возможность судить о структурах молекул на основании спектров рентгеновских лучей. [c.265]

В числе новых перспективных методов необходимо упомянуть и рентгеноспектральное изучение катализаторов, а именно, исследование тонкой структуры рентгеновского К-края поглощения. Последняя связана с переходом К-электрона на свободный уровень твердого тела и, следовательно, может быть использована для характеристики его электронной структуры. Рентгеноспектральные исследования уже давно использовались для аналитических целей, но в последние годы благодаря большим успехам в области техники эксперимента и особенно в теоретической трактовке явления они оказались очень полезными для исследования электронного строения. [c.12]

Вполне резонно поставить вопрос, где находится тот предел сложности строения кристалла, за которым применение обычных методов анализа является бесперспективным. Правда, такая общая постановка вопроса является не вполне законной. Если иметь в виду использование совокупности всех приемов исследования, в том числе метода проб и ошибок, то возможности структурного анализа окажутся практически неограниченными. Сведения о строении более простых, но родственных соединений служат основой для моделирования исследуемой структуры. Каждая новая ступень, достигнутая кристаллохимией, создает почву для попыток подняться на более высокий уровень. Рентгеновские данные используются здесь главным образом для контроля правильности найденного варианта расположения атомов. Задача становится безнадежной только тогда, когда две кристаллохимически правдоподобные структуры начинают давать дифракционные спектры, различие между которыми перекрывается погрешностями измерения интенсивности. Если эти две структуры действительно разные (большинство атомов имеет различные координаты) и если они не являются случайно гомометрическими, то предельное число атомов на ячейку, за которым задача не решается, при такой постановке вопроса будет огромным. Совершенно ясно, что значительно раньше придется принять во внимание другую сторону проблемы—возрастающую неупорядоченность в распределении атомов по ячейке по мере роста их числа, что делает несколько неопределенным само представление о полностью решенной структуре. [c.614]

Однако в противоположность УФС естественная ширина линий обычных источников рентгеновских лучей РФС довольно значительна и играет большую роль в определении полуширины экспфиментально наблюдаемых спектральных линий [27]. В РФС обычно используют рентгеновский дублет 011 2, а это рентгеновское излучение образуется в том случае, когда электроны падают из оболочек Ьц и Ьщ (спин-орбитальное расщепление 2р-атомных уровней) в дырку оболочки К (1.5-атомный уровень). Естественная ширина линий, связанная либо с переходом Ь,1 -> К, либо с переходом Ьщ К, составляет 0,7 эВ для рентгеновского излучения А1 в этом случае дублеты перекрываются, приводя к эффективной ширине 1,0 эВ. Магниевое рентгеновское излучение Хо(1а2 состоит из дублета шириной 0,8 эВ. Источники рентгеновских лучей с большими энергиями (например, Сг, Си или Мо) характеризуются шириной дублетной компоненты, превьппающей 1,0 эВ. Таким образом, эффективный предел ширины линий РФС устанавливается естественной шириной источника рентгеновского излучения, несколько модифицированной естественной шириной, связанной с уровнем, с которого происходит фотоионизация. Некоторые вклады обусловлены также недостатками приборов. При изучении твердых веществ экспфиментально наблюдаемая полуширина спектральных линий РФС для пиков С15, N5 , Рзр, 82 и подобных им составляет 1,5 эВ. Эксперименты РФС с газообразными веществами дают значительно более узкие линии. Например, полуширина линии Ые для газообразного неона составляет 0,8 эВ [27]. Разница в полуширине линий для газообраз- [c.335]

Оборонщики в ажиотаже тех лет выдали слишком завышенные задания на объем изделий, не предвидя, что век этой техники также короток, как и графитовых рулей. А проектная организация, Гипроалюминий, помножила эти заявки на уровень заводских выходов и на этой основе запроектировала помещения нового производства — блока № 6. Площади этого блока равнялись 50 тыс. и состояли из четырех очень длинных пролетов. Кроме того, этот же блок включал обширные бытовые и вспомогательные помещения, помещения для многочисленных рентгеновских аппаратов и два более коротких пролета зданий для оборудования в них вспомогательных цехов ремонтно-механического и энергоцеха. [c.101]

Ионизированные атомы материала анода переходаэт из возбужденного в основное состояние либо с одновременным H nv KaHHeM рентгеновского излучения, либо путем бе.чизлу-чательного перехода, когда энергия, связанная с переходом электрона на более низкий уровень, передается другому электрону, который выбивается за пределы атома (оже-злект-роны). [c.7]

Несколько сложнее обстоит дело с выбором излучения для съемки препаратов элементов от йода до диспрозия, так как три полосы поглощения L -серии охватывают значительный интервал длин волн (0,3-0,35 А). При обсуждении этого вопроса следует иметь ввиду, что выгоднее использовать излучение, возбуждающее только одну из полос, необходимо также помнить о зависимости коэффициента поглощения от Я Поэтому при съемке рентгенограмм препаратов Ва, например, оптимальным является излучение Си Ко( полосам поглощения иг, Ь)7, и соответствуют длины волк много меньшие, чем у этого излучения. Можно использовать то же иалучение и при съемке препаратов 1>у и ТЬ (возбуждается только линия ). Во всех трех случаях интенсивность вторичного излучения и повышение фона невелики. При большой разнице в длинах волн первичного и вторичного излучения используется тот же закон пропорциональности коэффициента поглощения Л и поверх рентгеновской пленки следует помёс-тить слой алюминиевой фольги или засвеченной рентгеновской пленки. Так, при съемке препаратов хрома на Си КЫ. -излучении возникает вторичное излучение Сг/С, хотя интенсивность его не очень велика, но уровень фона повышается. Коэффициенты поглощения Z xK и СгК фольгой или засвеченной пленкой различаются в 3,5 раза, поэтому поверх экспонируемой пленки накладывают засвеченную. Время экспозиции возрастает в полтора-два раза, но качество рентгенограммы улучшается. [c.12]

Рентгеновские лучи с давних пор применяются в медицине. Спектр поставил задачу повысить информативность медицинских исследований с помощью рентгеновских лучей, увеличить достоверность интерпретации изображений, снизить до минимума уровень лучевой, нагрузки на пациента и медицинский персонал, повысить производительность аппаратуры, сделав ее более удобной в использовании, словом, добиться, чтобы исследования стали эффективнее. Изображения внутренних органов больного могут передаваться по стеклянным волокнам на телеэкран. Есть и другие способы получить такую информацию. Тут на помощь могут прийти телевизоры или, например, звуковые эхотомоскопы. [c.35]

Было отмечено, что только метод нейтронного рассеяния может дать пря- yю информацию по этому вопросу, хотя трактовка данных не является однозначной. Эта диск ссия продолжалась и далее. На основании результатов рентгеновского рассеяния утверждается [189], что имеется некоторый уровень упаковочной регулярности и в алшрфных полимерах. [c.334]

В работе [81] методом РСА исследовали влияние числа проходов при РКУ-прессовании Си на измельчение микроструктуры и уровень упругих напряжений. Было установлено, что уже после одного прохода в Си формируется структура, характеризующаяся малым размером ОКР и значительными микроискажениями кристаллической решетки. Как и в случае ИПД фучением, размер кристаллитов, измеренный с помощью различных рентгеновских пиков, так же как и уровень микроискажений кристаллической [c.45]

Параметр кристаллической решетки в наноструктурных материалах, как и в случае традиционных исследований, рассчитывают исходя из положений центров тяжести рентгеновских пиков. Уширение и связанное с ним возможное наложение хвостов рентгеновских пиков, а также повьш1енный уровень фона на рентгенограммах наноструктурных материалов могут несколько увеличить погрешность получаемых результатов, оцениваемую снизу в случае крупнокристаллических материалов значением порядка 0,004% [134]. [c.73]

Для измерения интенсивности рентгеновской линии в спектре мы должны отделить эту линию от других И от непрерывного излучения. В предыдущем разделе о бсуждалось, как устранить средний уровень фона. В этом разделе мы обсудим различные способы отделения рентгеновской линии от влияния других линий, когда имеет место наложение пиков в спектре. Будем предполагать в дальнейшем обсуждении, что в спектре проведена коррекция фона. [c.118]

Значительно труднее шм вр1ить эквивалентный уровень гомогенности, когда концентрация элемента в обр азце уменьшается. Хотя прямо пропорционально С, значение 8с/М будет возрастать, когда С и число импульсов рентгеновского излучения на точку ум аньшаются. Для получения однваковото. числа импульсов рентгеновского излучения на точку следует увеличивать время анализа. [c.148]

Это обусловливает необходимость создания и внедрения методов контроля качества сырья, материалов и готовых изделий, что является важным условием развития производства полимеров. Качество полимерного материала характеризуется совокупностью его свойств, определяющих пригодно материала для использованм в тех или иных целях. Современный уровень экспериментальной техники позволяет описать свойства материгша на всех у ювнях атомномолекулярном (фотоэлектронная, рентгеновская, электронная и колебательная спектроскопия, ядерный магнитный резонанс, рассеяние нейтронов, эмиссионный анализ и т.д.) надмолекулярном (диэлектрическая и механическая релаксация, рентгенография, электронография, анш гиляция позитронов, рассеяние синхротронного излучения и т.д.) макроскопическом (вязкость, прочность, удлинение при разрыве, сопротивление изгибу, электрическому пробою и т.д.). [c.22]

Случайные пофешности реконструкции, обусловленные квантовой природой рентгеновского излучения, принципиально не устранимы, и их анализ позволяет однозначно оценить предельные возможности метода ПРВТ при фиксированном числе квантов, сформулировать требования к экспозиции энергии излучения, точности измерения проекций и пространственно-частотным характеристикам томофамм, обеспечивающим необходимый уровень метрологии. [c.121]

Оже-спектроскопия (см. разд. У-6Д). Электроны обычно энергией от 2 до 3 кэВ выбивают внутренние электроны при переходе электронов на вакантный уровень либо возникает рентгеновское излучение, либо происходит передача энергии к другому электрону в атоме (эффект Оже). Такие оже-электроны являются моноэнергетическнми, и оже-снектр является характеристикой атомов. Падающий возбуждающий [c.225]

Получить такую информацию во всем диапазоне размеров НМО позволяет в принципе использование рентгеновских (10— 1000 А) и оптических методик (микронный и субмикронный уровень). Анализ рентгеновского рассеяния в больших углах позволяет оценить изменение типов и размеров ячейки, направления кристаллографических осей, степени кристалличности, величины кристаллитов. Анализ малоуглового рентгеновского рассеяния дает информацию о толщине и ширине ламелей, характере их упаковки, наличии в сфе олитном образце неоднородностей плотности. [c.189]