Рост и разрушение кристаллов

В виде включений в порах и полостях внутри кристалла. Локальные изменения условий кристаллизации, вероятно, вызывают изменения скоростей роста кристаллов в результате образуются мельчайшие полости, в которых остаются включения маточного раствора. Кроме того, два или несколько соприкасающихся кристаллов растут совместно, что приводит к кристаллическим образованиям неправильной формы, также содержащим маточный раствор. Обычное разделение фаз на центрифугах и вакуум-фильтрах не обеспечивает удаление включений маточного раствора такого типа. Их можно удалить плавлением или механическим разрушением кристаллов. [c.101]

Вязкость нефтяных остатков при высоких температурах изменяется по сложной зависимости по мере увеличения концентрации дисперсной фазы она непрерывно возрастает. Только при замедлении скорости перехода системы из аномального жидкого состояния в твердое до оптимального ее значения, когда вязкость обеспечит диффузию молекул к центрам кристаллизации, возможен рост крупных кристаллов. При одних и тех же условиях (получения нефтяного углерода соответствие между указанными скоростями и ростом кристаллов создается подбором сырья определенной молекулярной структуры (крекинг-остатки дистиллятного происхождения, ароматические концентраты). В температурном интервале перехода системы из состояния с критическим напряжением сдвига предельно разрушенной структуры Рг к состоянию с критическим напряжением сдвига необратимо твердеющей системы Рд возможен, интенсивный рост кристаллов углерода с анизотропными свойствами. Величина температурного интервала зависит от температуры процесса перехода. При высоких температурах этот интервал минимален, что существенно ограничивает рост кристаллов. Он минимален также при использовании сырья, со- [c.47]

Современная теория дислокаций может явиться основой для углубленного изучения механизма и кинетики процессов разрушения кристаллов при растворении минералов и других химических соединений. При этом представляется возможным исходить из данных по экспериментальному и теоретическому изучению влияния дислокации на механизм и кинетику процессов роста и испарения кристаллов, если процессы разрушения решетки при растворении рассматривать как противоположные тем, которые происходят при росте кристаллов, или в какой-то мере аналогичны происходящим при их испарении. При этом следует учитывать, что уже давно отмечается много общих черт у процессов роста и растворения кристаллов [43]. [c.73]

Зародышеобразующее действие микрогетерогенных серных вулканизационных структур сказывается и на поведении серных вулканизатов при растяжении. При исследовании НК, цис-полибутадиена, 1,4-1(ис-полиизо-прена и полихлоропрена [126 131 132] показано, что резины, содержащие полисульфидные связи, начинают кристаллизоваться при меньших деформациях, степень кристалличности быстрее возрастает с деформацией, а предельная степень кристалличности оказывается выше, чем у резин, содержащих моносульфидные и С—С поперечные связи. Роль кристаллических областей при разрушении резины обычно рассматривают (А. П. Александров, Ю. С. Лазуркин, 1944 г. Д. Джи, 1947 г. Л. Вуд, 1948 г.) сходной с ролью частиц усиливающего наполнителя, поэтому повышенной статической прочности можно ожидать при повышении степени кристалличности, уменьшении размеров кристаллических образований и усилении ориентации аморфной фазы [125]. Если при изотермической кристаллизации наличие в полисульфидных вулканизатах большого числа дисперсных частиц вулканизационной структуры препятствует росту ламеллярных кристаллов (со складчатыми цепями), то при деформации они благодаря ориентации граничного слоя каучука способствуют образованию фибриллярных кристаллов (с вытянутыми цепями) и увеличению степени кристалличности. Можно полагать, что в результате перегруппировки слабых связей в составе микрогетерогенных вулканизационных структур усиливается и ориентация кристаллических образований в направлении растяжения. [c.260]

Глава II РОСТ И РАЗРУШЕНИЕ КРИСТАЛЛОВ [c.167]

Важно подчеркнуть, что изображенная на рис. П1.63, б модель описывает, естественно, поверхность роста монокристалла, т. е. ту грань, которая образована макромолекулярными лентами. Если нарушить правильное регулярное чередование лент, расположенных параллельно поверхности роста, воздействием на монокристалл ультразвуковых колебаний, то, как показано на рис. П1.26, кристалл будет раскалываться вдоль поверхности роста. Если же разрушение кристалла будет происходить в направлении, приблизительно перпендикулярном поверхности роста, то в результате разворачивания складок [73, 74] в трещинах будет четко наблюдаться образование фибрилл [75]. [c.238]

Влияние механических воздействий. Иногда для получения мелкокристаллического осадка прибегают к механическому разрушению кристаллов по мере их роста. Это приводит к возникновению новых центров кристаллизации. Например, при изготовлении бесшовных труб осаждением металла на вращающихся катодах осадок приглаживают, шлифуют агатовыми щетками, прижимающимися к катоду. Это, действительно, делает структуру более тонкой, но часто вызывает слоистость осадка. При покрытии неподвижных катодов предлагали вводить в электролит песок и создавать интенсивную циркуляцию электролита с тем, чтобы частички взвешенного песка как бы шлифовали катод. Широкого применения подобные приемы не получили. [c.532]

Следует различать два этапа образования кристаллического сростка формирование сростка и его обрастание. По мере перехода исходных компонентов в новообразования пересыщение раствора падает и наступает момент, когда образование новых зародышей кристаллизации становится невозможным затруднено и срастание еще не сросшихся кристаллов. Происходит лишь рост возникших кристаллов, в том числе составляющих сросток, обрастает кристаллический сросток (каркас), он уплотняется и упрочняется. Однако чрезмерно затянувшееся обрастание сростка может привести к развитию в нем внутренних напряжений, к его разбуханию и разрушению. Должно существовать оптимальное соотношение между количествами веществ, которые расходуются на формирование и обрастание сростка. В этом случае прочность сростка [c.103]

В силу самой своей дислокационной природы пластич. деформация протекает в кристалле крайне неоднородно она может локализоваться в отдельных небольших районах кристалла, это означает, что тормозимые препятствиями Д. скапливаются в данных участках и образуют различные специфич. конфигурации. В результате взаимодействия Д. внутри таких групп, а также между различными группами в кристалле возникают резкие локальные концентрации напряжений. Уже на ранних этапах деформации эти высокие локальные напряжения могут привести, нанр., к слиянию нескольких близко расположенных и поджатых друг к другу Д. — образуется полое дислокационное ядро, служащее по существу зародышем микротрещины. С ростом деформации и напряжений подобные зародыши развиваются, включая в свою полость все новые и новые Д., превращаются в макроскопич. трещины и в конце концов приводят к разрушению образца. При низких темп-рах, когда даже небольшие препятствия трудно преодолимы для движущихся Д., уже на ранних стадиях деформации могут образовываться трещины, быстро приводящие к разрушению кристалла. В этих условиях в кристаллах проявляется хрупкость, т. е. пластич. деформация, предшествующая разрыву, оказывается мала. С повышением темп-ры препятствия становятся все более и более прозрачными , т. е. все легче преодолимыми для Д., в результате пластичность кристаллов растет. В этом случае требуется значительная деформация (т. е. большие искажения решетки), чтобы возникли условия, необходимые для формирования трещин разрушения. [c.572]

Указанное положение подтверждается тем, что затвердевший цементный камень, с одной стороны, представляет собою систему, обладающую значительной прочностью, но с другой — способен на такие деформации, как усадка, которая была бы невозможна без нарушения сплошности и резкого снижения прочности цементного камня, если бы он представлял собою настоящее твердое тело с единой, хотя бы и неоднородной, кристаллической решеткой. В действительности же мы имеем при явлениях усадки даже некоторое упрочение цементного камня, что вполне понятно, если полагать, как это делают многие исследователи, что в явлении усадки мы имеем внешнее проявление уплотнения гелеобразной части затвердевшего цементного камня. Более того, если бы цементный камень представлял собою единый жесткий кристаллический скелет, наступило бы разрушение этого каркаса вследствие продолжающейся гидратации внутренней части цементных зерен, поскольку вновь образующиеся продукты гидратации при росте их кристаллов неизбежно оказывали бы давление на уже образовавшийся кристаллический сросток и, наконец, разрушили бы его. [c.398]

Содержание окислов в дисульфиде молибдена быстро увеличивается с ростом его удельной поверхности и продолжает увеличиваться даже если при дальнейшем дроблении удельная поверхность практически начинает уменьшаться. Это происходит на определенной стадии измельчения потому, что крайние атомы (на ребрах), способные адсорбировать кислород, остаются открытыми в результате разрушения кристаллов по основным плоскостям. В то же время площадь открытых основных кристаллических плоскостей начинает уменьшаться, так как кристаллы МоЗг, став очень тонкими, прочно прилипают друг к другу. Механизм смазывания дисульфидом молибдена можно рассматривать как развитие механизма смазывания графитом, описанного выше. [c.99]

Для большинства конструкций кристаллизаторов с перемешиванием характерно некоторое истирание или разрушение кристаллов, проявляющееся в округлении их углов, а также в наличии обломков кристаллов в мелких фракциях. Истирание возникает в результате соприкосновения кристаллов друг с другом или с отдельными частями аппарата и усиливается с увеличением скорости циркуляции и концентрации кристаллов в суспензии. Кристаллы разрушаются при энергичном столкновении твердых частиц друг с другом или отдельными частями оборудования, что усиливается также с ростом скорости циркуляции. [c.157]

В-третьих, одновременный рост группы частиц может сопровождаться их столкновением между собой. В зависимости от силы механического удара столкновение может приводить к образованию дефектов на поверхности граней или к разрушению кристаллов. [c.73]

Как уже указывалось ранее, следует различать два этапа образования кристаллического сростка формирование сростка и его обрастание. По мере перехода исходных компонентов в новообразования пересыщение раствора падает и наступает момент, когда образование новых зародышей кристаллизации становится невозможным исключается и срастание еще не сросшихся кристаллов. Происходит лишь рост возникших кристаллов, в том числе составляющих сросток, обрастание кристаллического сростка (каркаса). Сросток уплотняется и упрочняется. Однако чрезмерно затянувшееся обрастание сростка может привести к развитию в нем внутренних напряжений, к его разбуханию и разрушению. Должно существовать оптимальное соотношение между количеством вещества, которое расходуется на формирование и обрастание сростка, в этом случае прочность сростка будет максимальной. Надо отметить, что если формирование сростка идет при чрезмерно высоком пересыщении, то он будет состоять из очень тонких кристаллов и прочность его будет понижена. Если формирование сростка длится слишком долго (медленно падает пересыщение), то на обрастание сростка остается мало исходного вещества, и он получается чрезмерно пористым и также недостаточно прочным. [c.147]

Механизм ультразвукового предотвращения инкрустирования поверхности теплообмена. Физическая сущность этого процесса еще недостаточно ясна. Ультразвуковые колебания, вероятно, оказывают механическое и физико-химическое воздействие. Однако существующие в настоящее время гипотезы охватывают только механическое воздействие упругих колебаний. Высказано предположение [12], что при воздействии ультразвуковых колебаний в результате знакопеременных изгибающих усилий появляется усталостный излом связей пограничных кристаллов со стенками теплообменника. Эти усилия вызывают напряжение сдвига и местные изгибающие моменты на границе кристаллизационного слоя с поверхностью теплообменника, под действием которых и происходит очищение поверхности теплообмена. Второе предположение [12] объясняет процесс предотвращения инкрустирования тем, что по мере роста кристаллов наступает резонанс между собственной частотой колебаний кристаллов и частотой упругих ультразвуковых колебаний. Сначала размеры кристаллов малы и их собственная частота колебаний значительно отличается от частоты вводимых ультразвуковых колебаний. Со временем размеры кристалла увеличиваются, меняются их характеристики, в том числе и собственная частота колебаний. Затем наступает такой момент, когда собственная частота колебаний кристаллов совпадает с частотой возмущающих ультразвуковых колебаний и при резонансе наступает механическое разрушение кристалла. [c.120]

Коррозия как разрушение кристаллической структуры. Металлы обычно обладают кристаллической структурой, и разрушение металлов имеет общие черты с разрушением веществ при их растворении или испарении. Летучие металлы вроде кадмия можно вырастить в виде прекрасных маленьких кристаллов путем охлаждения паров при нагреве этих кристаллов они вновь исчезают. То же относится и к кристаллам неметаллов, например йода, с которым было проведено много классических исследований. Главный вывод ИЗ последних работ по росту кристаллов заключается в том, что рост идеального кристалла должен быть очень медленным процессом, но при наличии определенных дефектов в структуре (особенно винтовых дислокаций, изучавшихся Франком) рост кристаллов протекает быстро. Дефекты в структуре должны облегчить и удаление материала, если условия благоприятствуют его удалению, а не отложению. Неудивительно, что коррозия металлов обычно начинается на участках структурных несовершенств, хотя часто она распространяется вширь. Этот вопрос сложный и нередко большую роль в нем играет местное разрушение пленки (стр. 105). Сказанного должно быть достаточно, чтобы объяснить, почему современное развитие физики кристаллов имеет важное значение для специалистов, работающих в области коррозии металлов, и почему кристаллофизики часто используют образование питтингов, т. е. по существу коррозионный процесс для выявления участков с определенными дефектами (дислокациями). [c.25]

Седиментометрические и реологические исследования, а также поляризационная микроскопия позволили объяснить действие ультразвука на процесс кристаллизации твердых углеводородов при депарафинизации и обезмасливании. При обработке суспензий твердых углеводородов ультразвуком разрушаются связи между кристаллами твердых углеводородов, что приводит к разрушению образованной ими пространственной структуры при дальнейшем охлаждении эта структура не восстанавливается. Сами же кристаллы парафина при обработке ультразвуком почти не разрушаются. В результате резко снижается структурная вязкость системы и исчезает динамическое предельное напряжение при сдвиге. Все это создает условия для роста кристаллов с образованием агрегатов, обусловливающих высокие скорость и четкость отделения твердой фазы от жидкой, что приводит к увеличению скорости фильтрования, выхода депарафинированного масла и снижению содержания масла в твердой фазе. Однако применение метода ультразвуковой обработки суспензий твердых углеводородов при депарафинизации и обезмасливании пока не вышло из стадии лабораторных исследований. [c.163]

Сульфаты встречаются в большинстве природных вод, а также в сточных водах. В результате обменных реакций с цементным камнем вода, с ним соприкасающаяся, постепенно насыщается сульфатом кальция. Сульфат кальция может далее взаимодействовать с гидроалюминатом кальция. При этом получается высокосульфатная форма гидросульфоалюмината кальция ЗСаО А12О3 ЗСаЗО 31(32)Н20, образующаяся с большим увеличением объема, так как она кристаллизуется с 31—32 молекулами воды (см. гл. И, П). Рост ее кристаллов вызывает разрушение цементного камня и бетона. [c.190]

Как отмечает И. В. Кравченко, расширение цементного камня является следствием интенсивного роста кристаллов гидратных новообразований в определенный период развития кристаллизационной структуры твердеющего цементного камня. Рост кристаллов расширяющего компонента (гидросульфоалюмината) должен достичь максимума в совершенно определенной отрезок времени, именно тогда, когда в цементном камне закристаллизовавшихся участков достаточно для того, чтобы растущие кристаллы могли их раздвигать и вызывать расширение. При быстром образовании гидросульфоалюмината кальция в период, когда камень еще не приобрел достаточной жесткости, его расширение не фиксируется. Продолжительный рост кристаллов гидросульфоалюмината кальция обусловливает большое расширение. Если добавить больше гипса к обычному цементу, то последние его порции будут связываться в гидросульфоалюминат кальция в отдаленные сроки, когда структура цементного камня приобрела высокую прочность. Рост его кристаллов вызовет не только расширение, но и разрушение камня. Именно ускоренным ростом кристаллов эттрингита по сравнению с ростом кристаллов других гидратных новообразований объясняется тот факт, что при образовании гидросульфоалюмината кальция возникает расширение цементного камня. Согласно этому воззрению расширение и разрушение цементного кдмня вызывает силы кристаллизационного давления в процессе роста кристаллов эттрингита. [c.361]

В виде включений в порах и полостях внутри кристалла. По мере роста кристаллов локальные отклонения от нормальных условий, вероятно, вызывают изменение скоростей роста, что приводит к образованию мельчайших полостей, в которых остаются включения маточного раствора. Кроме того, два или несколько непосредственно соприкасающихся кристаллов, несомненно, растут совместно, что приводит к кристаллическим образованиям неправильной формы, также содержащим включения маточного раствора. Эти загрязняющие включения возможно удалить только илавлением или механическим разрушением кристалла темп пли другими способами. Обычные онерации сушки и промывки в центрифугах и на фильтрах не обеспечивают удалешгя включений жидкосте . [c.65]

Отмечено, что наряду со стабилизационной обработкой водьг ОЭДФ и НТФ обеспечивают постепенное разрушение структуры уже имеющихся карбонатных отложений это позволяет проводить очистку оборудования на ходу [873]. Исследования показали, что в присутствии фосфонатов происходит перестройка кристаллов СаСОз, рост отдельных кристаллов приводит к возникновению механических напряжений в слое накипи, что вызывает ее растрескивание [c.468]

Выполненные в аппарате с дисковым ротором (рис. 6.1.7.1, б) эксперименты по растворению твердой фазы подтвердили значительное влияние неоднородности поля диссипации на массоперенос. При диссипациях мощности более 10 Вт/кг указанная неоднородность пртодит к более быстрому росту коэффициента массоотдачи (рис. 6.1.7.2), чем этого можно бьшо ожидать, исходя из представлений об однородной турбулентности. Эта особенность подтверждена в серии опытов в системе жидкость—твердое, которые показали высокую эффективность использования роторных аппаратов для обработки гетерогенных сред. Кроме того, было выявлено малое, по сравнению с аппаратами с традиционными мешалками, разрушение кристаллов твердой фазы. [c.334]

В области физической химии приложения электронной микроскопии многочисленны и разнообразны. Ниже будут кратко рассмотрены результаты, полученные прежде всего при исследовании классических коллоидных систем — коллоидных растворов, гелей и аэрозолей. Затем следует обширный раздел кристаллов, где вначале будут рассмотрены закономерности, установленные электронно-микроскопическим методом при изучении роста и разрушения кристаллов. Ряд примеров будет приведен как иллюстрация возможностей применения электронной микроскопии для изучения структуры кристаллов. Что касается аморфных тел, то здесь основное внимание будет уделено электронно-микросконической характеристике пористой структуры некоторых представителей этой группы тел. Применение электронной микроскопии для исследования органических веш еств, как уже отмечалось, изложено в обзорной статье Гамма (см. введение [3]). Поэтому из области органической химии ниже сравнительно детально будет разобран только вопрос о структуре синтетических полимеров в связи с важностью этих материалов для современной химии. В конце П1 главы собраны работы, которые дают неносредственные доказательства значительной поверхностной диффузии на твердых телах при некоторых процессах. [c.126]

Вычисленная при этом заново энергия активации оказалась равной 25,4 кпал-молъ . По существу они, таким образом, изменили интерпретацию данных в пользу представления о развитии реакции через рост объемных ядер продукта. В результатах Вогана и Филлипса имеется, однако, одна заслуживающая внимания особенность точка перегиба на кривых зависимости глубина разложения — время при повышении температуры разложения смещается в область больших значений Так, при 74,9° 0,5, в то время как при 94,3° я 0,75. Такое положение может возникнуть в том случае, если некоторая часть ядер образуется в таких участках, где они могут относительно долго расти, не перекрываясь с другими ядрами. В результате этого их рост дольше влияет на ускорение разложения. Предполагается, что образование дополнительных ядер может происходить в местах включения растворителя, т. е. там, где увеличение давления при нагревании до температуры разложения оказывается достаточным для раздробления кристалла. Такой процесс зависит от распределения включений по размерам, а также от температуры, так как чем выше температура, тем меньшие по размеру включения растворителя будут вести к разрушению кристаллов. [c.196]

Если вода из кристаллов двуводного гипса удаляется в капельно-жидком состоянии, т. е. процесс происходит в замкнутом пространстве (автоклаве) или при кипячении в растворах некоторых еолей. и кислот (N301, MgS04, Н Юз), образуется а-полугидрат. При этом разрыхления решетки и разрушения кристаллов двуводного гипса не происходит и црследкие замещаются плотно упакованными призматическими кристаллами полугидрата а-модифика-ции. В результате этого наблюдается усадка исходных кристаллов дигидрата и на их поверхности образуются трещины. Игольчатые кристаллы а-полугидрата возникают лишь на плоскости 001) кристаллов гипса и рост их происходит только по оси С. В дальнейшем наблюдается перекристаллизация а-полугидрата, сопровождающаяся увеличением толщины кристаллов и уменьшением их длины. Кристаллы а-полугидрата крупны и имеют четкий призматический габитус. Рост кристаллов и изменение их габитуса стимулируют добавки некоторых солей и органических поверхностно-активных веществ. [c.19]

Проведенное исследование продуктов гидратации ВА в условиях гидротермальной обработки позволяет объяснить факт отрицательного влияния последней на прочность. В данном случае наглядно демонстрируется связь между прочностью цементного камня, с одной стороны, и его структурой и скоростью ее формирования — с другой. Затвердевший при гидротермальной обработке цементный камень из ВА состоит из очень крупных кристаллов ВАН2. Кристаллы такой величины сами по себе не могут служить основой для создания монолита высокой прочности. Кроме того, кинетика роста этих кристаллов в условиях гидротермальной обработки чрезвычайно велика. Запарке подвергались образцы ВА, твердевшие в обычных условиях в течение 8 ч и обладающие в связи с этим вполне определившейся структурой. Быстрое развитие в подобной структуре крупных кристаллов ВАНг, естественно, приводит к ее разрушению, следствием чего является резкое падение прочности образцов. [c.248]

Рис. 6.76. Утолщение кристаллов полиоксиметилена в результате увеличения складки [270]. а - спирали роста на поверхности (001) кристалла из сложенных цепей б- электронная микрофотография поверхности разрушения кристалла а, показывающая типичную морфологию кристаллов из вытлну-тых цепей (ср. с рис. 3.30-3.33).

Широкое использование в современной технике углеграфитовых материалов поставило перед исследователями целый ряд вопросов, центральное место среди которых занимает выяснение закономерностей механизма роста и разрушения кристаллов графита под воздействием высоких температур и интенсивных нагрузок. Одним из подходов к этой проблеме является исследование структуры и свойств графита после длительного диспергирования, особенно в вибромельнице. Преимущество и специфика виброномола — это приложение к измельчаемому материалу знакопеременных нагрузок достаточно высокой частоты, вызывающих значительные знакопеременные напряжения [1]. [c.78]

Как показано в [12], в зоне облучения исходно ненасыщенных паров антрацена светом с к = 365 нм и / > 10 фотон/см в интервале температур 515—615 К образуются кристаллы фото-моцификацпи (ФМ) антрацена. Онтические исследования дают основапие утверждать, что кристаллы ФМ состоят в основном из молекул диантрацена. Полученные при Т < 525 К монокристаллы ФМ при охлаждении в пучке УФ-света могут быть сохранены до У = 300 К. Рентгенографическое исследование подтверждает [13], что они имеют обычную для диантрацена кристаллическую структуру. Однако при Т > 525 К кристаллы ФМ устойчивы только в пучке света. При извлечении их из пучка или уменьшении интенсивности света, а также при повышении температуры при данной интенсивности они разрушаются, а затем сублимируют. Как правило, разрушение кристалла происходит практически одновременно по всему его объему. При постоянных температуре и интенсивности облучения существуют критические размеры монокристаллов ФМ, ири превышении которых в процессе роста происходит их саморазрушение. [c.134]

Соотношения (IV.1) и (IV.2), онределяюш,ие соответственно максимальную величину равновесной трещины, которая может возникнуть на стадии при данном уровне скалывающих напряжений, и критическое значение нормального напряжения, приводящее при данной величине трещины к утрате ею равновесности, т. е. к наступлению стадии В, были проверены экспериментально и независимо одно от другого. С этой целью была изучена картина развития трещин хрупкого разрушения кристаллов с ростом приложенных к действующей плоскости скольжения скалывающих и нормальных напряжений 1136, 141]. Объектом исследования служили амальгамированные монокристаллы цинка (чистоты 99,99% Zn) диаметром около 1 мм U длиной 10 мм с различными углами наклона Хо плоскости ба-зиса к оси образца. Образцы подвергались одноосному растяжению при комнатной температуре с постоянной скоростью 12% мнн . При той или иной степени деформации е (в интервале от 1 % и вплоть до значений, отвечающих разрыву кристалла) растяжение прекращалось нри этом фиксировалась величина растягивающего напряжения. Скалывающее и нормальное напряжения определялись из соотношений х = Posin Хо os , р = Ро sin Хо sin X, ( 0 — растягивающее напряжение, отнесенное к начальному сечению % —угол наклона плоскости базиса к оси образца при данной величине деформации). Из растянутых образцов приготовлялись продольные шлифы с плоскостью шлифа, перпендикулярной плоскости (0001) монокристалла. После полировки шлифы протравливались 10%-ным водным раствором азотной кислоты и исследовались под микроскопом. На всех исследованных шлифах были обнаружены внутренние трещины, расположенные в плоскости (0001) для каждого шлифа измерялась длина наибольшей трещины Смакс- [c.183]

При рассмотрении теории А. А. Смирнова [28], приводящей к логарифмическому закону роста окисной пленки, обращает внимание мало обосдованное допущение о невозможности перехода частиц кислорода из пограничного слоя окисла в узлы металлической решетки, оставленные атомами металла. Кроме того, силы притяжения между поверхностями окисла и металла настолько велики, что уже при обеднении атомами пограничного слоя металла, еще недостаточном для заметного замедления окисления, эти поверхности сблизятся. Это тем более вероятно, что выход атомов из металла должен происходить последовательно от одного края микрокристалла к другому в соответствии с кристаллохимической схемой разрушения кристалла. Механическая деформация пленки, например ее изгиб (рис. 41), при неодновременном сближении различных участков поверхностей окисла и металла вполне допустима ввиду крайне малой толщины окисла. [c.190]

Таким образом, на определенной стадии уплотнения порошка с ростом внешнего давления происходит деформация первичных кристаллических блоков вплоть до полного разрушения кристаллов в отдельных участках и перехода их в вязкую жидкость, которая заполняет объем порозного пространства. В результате возникают фазовые контакты между частицами порошка и плотная структура типа Сз. Очевидно, что чем больше энергия кристаллической решетки гранулируемого материала, тем выше должно быть давление прессования и тем больше энергетические затраты в процессе. В связи с этим прессование хлорида калия, который, как все галогениды щелочных металлов, имеет высокую энергию кристаллической решетки (690 кДж/ /моль), является технологически трудным и энергоемким процессом. Внесение же в смесь удобрений легкоплавких компонентов [NH4NOз, С0(ЫН2)г и др.] существенно облегчает процесс и позволяет получать тукосмеси улучшенного качества. [c.41]

В кристаллизаторах рассмафиваемого типа происходит некоторое истирание и разрушение кристаллов ъ результате соударений с мещалкой и друг с другом. Истирание ведет к появлению новых центров кристаллизации и росту фракции мелких кристаллов, но одновременно происходит и многократная перекристаллизация вещества, освобождение кристаллов от включений маточного раствора и отдельных примесей. [c.390]

Характерно, что пропорциональность затрат энергии вновь образованной поверхности сохраняется и при разрушении кристаллов кварца сжатием. Б этом случае раз-1ИЧН0Й величине работы соответствовала различная проч-юсть и пластичность разрушаемых кристаллов. Проч-юсть для разных образцов изменялась от 500 до 10 ООО кг см . Несовпадение плотности предельной упру-ой энергии образцов с фактически затраченной работой южет быть объяснено либо пластической деформацией кристаллов, либо наличием шероховатостей на поверх-юстях, разрушение которых ее имитирует. Результаты пыта Аксельсона и Пирета [77 ] дают основание для уста-овления только общей тенденции увеличения поверх-ости с ростом энергозатрат. На самом деле разброс в зна-ении показателя измельчаемости очень велик — от 17 [c.145]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология