Зависимость чувствительности от энергии ионов

Распределение интенсивностей ионов в масс-спектрах, снятых на различных приборах, изменяется различно в зависимости от типа исследуемого соединения. Изменение таких параметров, как выталкивающее напряжение и энергия ионов, достигающих коллектора, также изменяет распределение интенсивностей ионов и чувствительность особенно это типично для галогенопроизводных. [c.446]

Г. Зависимость чувствительности от энергии ионов [c.121]

В табл. 4.2 суммированы результаты по определению зависимости чувствительности от энергии ионов, полученные различными авторами. Для определения отклика пластины удобно строить график зависимости чувствительности от энергии в двойных логарифмических координатах. Линейная зависимость для всего диапазона энергий получается редко функцию отклика 8=к1Е можно характеризовать экспонентой х, приведенной в последнем столбце табл. 4.2. Таблица показывает также, каким уровням почернения В соответствует каждое значение. Типичная серия значений представлена на рис. 4.3. Кривые показывают, что экспонента х непрерывно изменяется, возрастая с уменьшением энергии ионов однако имеется и прямой участок с четко выраженным наклоном. В интервале средних энергий (2— [c.121]

Зависимость чувствительности фотоэмульсий от энергии ионов [c.122]

При обсуждении зависимости чувствительности пластинок от энергии и массы ионов необходимо сравнить рассчитанные и экспериментальные данные. В соответствии с нашими представлениями чувствительность, как видно из уравнения (20), пропорциональна полной энергии Е или, что то же самое, "/ . Опуб- [c.126]

Точное изменение чувствительности, которое свойственно фотоумножителю при изменении масс или энергий ионов, несомненно, зависит от диапазона масс и энергий ионов, а также природы материалов, используемых в конструкции первого динода. Тем не менее при электростатическом сканировании можно ожидать обратно пропорциональной зависимости между энергией и массой, поскольку энергия иона, входящего в фиксированную щель детектора, пропорциональна М) К При больших ионных токах в некоторой степени должны проявляться эффект масс и эффект насыщения, специфичный для каждого прибора. Если неизвестные образцы сравниваются со стандартными, то необходимость в калибровке показаний фотоумножителя отпадает. Однако наиболее перспективным представляется использование фотоумножителя для подсчета отдельных ионов, сводящее к нулю влияние небольших изменений чувствительности. [c.266]

Отклик на массу эмульсии фотопластины (гл. 4) в типичном случае прямо пропорционален (М) где х изменяется от 0,4 до 0,8. Точный отклик на массу зависит от типа эмульсии, способа ее проявления и энергии ионов. Немногочисленные измерения этих соотношений дали для определения коэффициентов относительной чувствительности поправку (М) 1к Часто используется и другая зависимость с д = 0,6. Но разница между полученными при этом коэффициентами незначительна например, для свинца в железе она составляет 14%. Тем не менее при табулировании значений КОЧ с учетом других поправок на отклик необходимо строить точные зависимости так, чтобы исследователи могли оценить их самостоятельно. [c.269]

На протяжении многих лет объектом исследований [15, 19, 27—31] являлось выяснение зависимости чувствительности эмульсии от энергии ионов. Установлено, что с увеличением [c.80]

Чувствительность обнаружения зависит от массы ионов и от их энергии. Оуэнс [49] показал, что зависимость чувствительности пластинок от массы выражается ]/Мрг/М, где М — масса исследуемого иона, — масса иона сравнения Такая же зависимости типа была найдена Бурле- [c.335]

Из приведенных данных но исследованию устойчивости дисперсии алмаза в растворах K I следует, что в зависимости от pH дисперсионной среды и концентрации электролита и, как следствие этого, от состояния поверхности дисперсия алмаза ведет себя либо как лиофилизованная (кислая область), либо как иопно-стабилизированная (щелочная область) дисперсная система, обнаруживая тем самым различную чувствительность к добавлению индифферентного электролита. В зависимости от состояния поверхности частиц алмаза (соотношения числа диссоциированных и недиссоциированных поверхностных групп), возможности образования водородных связей между молекулами воды и поверхностными группами алмаза, а также от концентрации добавленного электролита меняется структура воды в ГС, и, как следствие, соотношение между молекулярной, ион-но-электростатической и структурной составляющими энергии взаимодействия частиц. [c.184]

Элемент сравнения и определяемый элемент должны иметь близкие энергии ионизации, а линии Сравнения и аналитическая линия —близкие энергии возбуждения. Линии должны принадлежать либо нейтральным атомам, либо ионам с одинаковой степенью ионизации. Нужно, чтобы аналитическая пара линий была расположена по возможности ближе друг к другу. Тогда чувствительность детектора на двух участках не будет заметно различаться в зависимости от длин волн. Кроме того, меньше будут сказываться любые помехи, интенсивность которых обычно неодинакова на различных участках спектра. Аналитическая пара линий должна иметь близкие интенсивности излучения (поглощения), близкие реабсорбции и одинаковый характер (резкий, диффузионный). [c.151]

Энергия активации Е оценивается по зависимости к от темп-ры. ЯМР-спектроскопия находит нек-рое ирименение для наблюдения за изменением концентрации какого-либо компонента в реагирующих смесях. Эти измерения практически применимы только для медленных реакций. При концентрационных измерениях интенсивность сигнала удобнее измерять площадью под линией ЯМР. В отличие от (8), площадь сигнала не зависит от Т . Релаксационные характеристики ЯМР — Гх и Гг чрезвычайно чувствительны к любому изменению структуры или состава жидкости. Даже небольшие (10 —10 Л/) концентрации парамагнитных ионов в растворе заметно изменяют релаксацию. Поэтому неносредственное измерение и важно в химии комплексных соединений для изучения состояния ионов в растворе, комплексообразования и устойчивости комплексов в растворе. [c.548]

Электростатических взаимодействий недостаточно для объяснения опытных значений коэффициентов активности. Поэтому сомнительно, чтобы те же самые взаимодействия были ответственны за концентрационную зависимость V и 8, поскольку эти функции в принципе должны быть более чувствительны к специфике ионных взаимодействий, чем неидеальная свободная энергия. [c.86]

Чувствительность фотопластинок по отношению к положительным ионам может быть повышена путем нанесения на пластинку очень тонкого слоя флуоресцирующего материала. Шонгейт [1795], например, использовал для этой цели высоковакуумную смазку, растворенную в бензоле. Слой смазки должен быть удален растворителем до проявления пластинки. Ошибки количественных измерений вследствие нелинейной зависимости между чувствительностью пластинки, массой и энергией ионов, продолжительностью экспозиции и интенсивностью ионного пучка, а также некоторые трудности, связанные с процессом проявления, были детально рассмотрены в гл. 3. [c.204]

На рис. 5 показаны две кривые ионизации для Аг", снятые с применением импульсного вытягивания ионов. Кривая А, представляющая зависимость ионного тока от энергии электронов, была получена при условии, что напряжение на аноде Уа не менялось. Крюая Б представляет зависимость измеиепия величины ионного тока, соответствующего изменению напряжения на аноде на величину АУа =0,1 эв, от энергии электронов. Поскольку при применении метода Фокса и сотрудников иоиные токи получаются меньшей велршины, чем в обычном методе, на вход динамического электрометра подавалось компенсирующее напряжение, так что измерялась только верхняя часть ионного пика. Этим путем удалось использовать более чувствительный диапазон электрометра. [c.474]

Ионный ток, выходящий из источника, после прохождения через прибор и разделения по массам регистрируется детектором. Как ранее, так и в настоящее время большая часть работ выполняется с использованием в качестве детекторов ионночувствительных эмульсий. В гл. 4 изложена проблема регистрации и количественного измерения пучков ионов при помощи этих эмульсий. Обсуждены способы проявления пластин, гомогенность эмульсии, чувствительность эмульсии и ее зависимость от массы и энергии ионов, уровень фона, а также преимущества и ограничения фотографического метода регистрации ионов. [c.11]

Рис. 4.3. Зависимость чувствительности от энергии ионов слоев илфорд Q2 2245-111 ( О —), кодак SWR 2249-VII (—- —) и напыленных R A 2247-V (—-Д—) (Вулстон и др. 1967).

В заключение следует отметить, что для безжелатинных слоев характерна зависимость чувствительности от Е , что согласуется с экспериментальными данными для ионов s+ в диапазоне энергий 2—10 кэВ. Согласно энергетическим представлениям, для энергий ниже 2 кэВ наклон кривой свидетельствует о том, что для почернения одного зерна недостаточно одного [c.128]

Позднее (Хергт, Вагнер, 1970) была подробно исследована зависимость поверхностного потенциала ионно-чувствительных пластин от ионного тока и времени путем измерения разброса вторичных ионов по энергиям в электростатическом анализаторе. При ионном токе 10 ° А на пластинах ORWO UV2 и илфорд Q2 может создаваться потенциал в несколько килоэлектронвольт. Удельное поверхностное сопротивление (Ю —Ю Ом/см ), рассчитанное Вагнером (1971) на основании опубликованных данных по сопротивлениям, хорошо согласуется с недавней работой Хенига и Крамера (1971) (см. табл. 4.1). [c.132]

Несколько очень интересных исследований интенсивного распыления нержавеющей стали провели Далгрин и Маккланахан [184] Распыление проводилось в трехэлектродной системе в атмосфере криптона, причем ток разряда составлял 22 А. Плотность тока мищени была 5 мА/см , энергия ионов 1500 эВ Прн коэффициенте распыления 2,2 атом/ион получена скорость распыления 5000 А/мин, и за 160 ч распыления на медной подложке с регулируемой температурой был выращен слой толщиной 1,6 мм. Авторы исследовали состав, микроструктуру, кристаллическую структуру, плотность, твердость и внешний вид поверхности нанесенного слоя в зависимости ог потенциала и температуры подложки. Помимо целого ряда интересных ростовых фактов, не относящихся к теме данной главы, они установили, что нанесенный слой не содержал атомов криптона (чувствительность обнаружения 0,002%) и что состав пленки, осажденной без смещения, был очень близок к составу материала мишени При отрицательном смещении а подложке, равном 100 В, пленка получалась с меньшим содержанием никеля (которое уменьшалось на 23%). [c.399]

Для фотопластинок IlfordQl было установлено, что чувствительность эмульсии связана с энергией нона и монотонно возрастает с увеличением ее до тех пор, пока не будет достигнут максимум [27]. Вагнер [31] получил следующую эмпирическую зависимость чувствительности эмульсии IlfordQ от энергии и массы ионов [c.81]

Наиболее простая зависимость чувствительности э.мульсии IIfoгdQ2 от энергии ионов была получена авторами работы [19] при фиксированной экспозиции и ускоряющем напряже-женин 3,75 7,5 и 15 кэв для образцов высокой чистоты графита, кремния, цинка, молибдена, олова, платины. В экспериментах использованы однозарядные ноны перечисленных элементов. Для кремния и молибдена удалось получить точки при 30 и 45 кэв для двух- и трехзарядных ионов. [c.81]

Рнс. 3.6. Чувствительность эмульсии Ilford Q2 в зависимости от энергии однозарядных (а) и многозарядных (б) ионов [19]. [c.82]

Если поверхностный потенциал уменьшается или ионные силы увеличиваются (одновременно), то энергетический барьер понижается до значения, сравнимого с величиной кТ, показывая, что система будет подвергаться медленной флокуляции. Переход от высокой стабильности через медленную флокуляцию к быстрой (т. е. к исчезновению потенциального энергетического барьера) является непрерывным, без резкой флокуляцион-ной точки. Поэтому важно рассмотреть зависимость между кривой потенциальной энергии п скоростью флокуляции. При этом надо учитывать, что величина общей энергии является разностью между двумя большими (почти равными) значениями. Следовательно, вычисленная кривая очень чувствительна к игнорированию различных факторов. Сопоставление теоретических и экспериментальных данных нри медленной коагуляции связано с большими трудностями. Тем не менее, это единственное средство проверки теории стабильности, так как пределы высокой стабильности или быстрой флокуляции являются независимыми переменными. [c.99]

Как видно, из спектра ЭПР л особенностей его тонкой и сверхтонкой структуры можно получать важные сведения об электронной конфигураций атомов и ионов, о свойствах атомных ядер. Для химиков ЭПР ценен как один из наиболее чувствительных методов обнаружения и идентификации свободных радикалов, установления их электронной конфигурации и. геометрии. Найда из спектра ЭПР газов, растворов, кристаллов (порошков) значение Н, отвечающее резонансной линии, по (19.15) вычисляют -фактор. Последний используют для идентификации радикалов, чему Ьпособствует вьгявление сверхтонкой структуры спектра. По я-фактору можно судить о симметрии радикала, а также определить энергии отдельных орбиталей. Сверхтонкое расщепление в спектре позволяет определить заселенность. у- и р-орбиталей атома с магнитным ядром в радикале, а отсюда — электронйое распределение и в известных случаях — валентный угол. Так, например, именно метод ЭПР сказал решающее слово в пользу угловой структуры радикала СН2. Метод ЭПР применяется и для исследования комплексных соединений, в частности соединений переходных и редкоземельных металлов. Величина -фак-тора и его зависимость от направления при этом определяются силой И симметрией ло.ия, создаваемого лигандами [к-6]. [c.78]

При ионизации ЭУ образовавшийся ион находится в возбужденном состоянии и может распадаться на различные фрагменты в зависимости от величины переданной электроном энергии, условий локализации заряда и наличия слабых мест в структуре молекулы [13] (рис. 7.3.). Из-за значительной фрагментации масс-спектры некоторых соединений не содержат гагка молекулярного иона, что является одним из недостатков ионизации ЭУ. Уменьшение энергии ионизи-руюш 1х электронов приводит к увеличению относительной интенсивности пиков молек> лярных ионов и к уменьшению, а иногда и полному исчезновению пиков осколочных ионов. При этих условиях получаются малолинейчатые спектры, которые используют для выявления пиков молекулярных ионов. Однако при уменьшении энергии бомбардирующих электронов резко снижается эффективность ионизащпг, и поэтому на практике приходится искать компромисс между требованием уменьшения пиков осколочных ионов и необходимостью сохранения чувствительности прибора. [c.846]

Если поверхностны потенциал уменьшается или ионные силы увеличиваются (од1 овременпо), то энергетический барьер понижается до значения, сравнимого с величиной кТ, показывая, что система будет подвергаться медленной флокуляции. Переход от высокой стабильности через медленную флокуляцию к быстрой (т. е. к исчезновению потенциального энергетического барьера) является непрерывным, без резкой флокуляцион-пой точки. Поэтому важно рассмотреть зависимость между кривой потенциальной энергии скоростью флокуляции. Пр 1 этом надо учитывать, что величина общей энергии является разностью между двумя большими (почти равными) значениями. Следовательно, вычисленная кривая очень чувствительна к игнорированию различных факторов. Соноста- [c.99]

Для вероятности образования двухзарядных ионов гелия была обнаружена квадратичная зависимость от избыточной энергии электронов. Дальнейшие исследования были проведены по ионизации ксенона. Это оказалось возможным потому, что прибор, имеющийся в нашем распоряжении, имел более высокую чувствительность, чем использованный для этой цели ранее [4]. Для изучения начальных участков кривых вероятности иопизации для ионов Хе, Хе , Хе , Хе и Хе был применен метод РЗП. При исследовании ионов Хе и Хе ионизация производилась полным электронным током. [c.395]

Первому требованию обычно удовлетворяют наиболее легко возбуждаемые линии, или так называемые последние линии [1]. Эти спектральные линии исчезают в спектре последними, если при постоянной энергии возбуждения уменьшать концентрацию определяемого элемента в анализируемой пробе или постепенно снижать энергию возбуждения. Однако следует отметить, что на практике последние линии — это не всегда линии с наименьшей энергией возбуждения, а только те из них, которые находятся в обычно используемых ультрафиолетовой и видимой областях спектра. При использовании этих линий нужно принимать во внимание, что исчезновение линий различных длин волн зависит также от свойств системы, поглощающей излучение (например, эмульсии). Величина энергии возбуждения плазмы источника излучения и ее температура также очень важны. Так, например, вероятность возбуждения ионных линий существенно выше в искровой, чем в слабоионизиро-ванной дуговой плазме. При уменьшении концентрации легкоионизируемых элементов ионные линии с наименьшими энергиями возбуждения часто исчезают из спектра последними. Эмиссия атомных линий прекращается еще раньше. Таким образом, в зависимости от способа возбуждения наиболее чувствительными, т. е. в полном смысле последними, могут быть различные линии элементов. Однако, строго говоря, последними являются те спектральные линии, которые при уменьшении концентрации элемента экспериментально наблюдаются в плазме источников излучения с низкой энергией возбуждения дуги, пламени) дольше остальных линий. [c.18]

В газовой фазе в целом наблюдаются те же типы влияния заместителей й" корреляционные зависимости, что и в растворах, но в растворах значительно снижается чувствительность к влиянию заместителей. При переходе от базовой фазы к водным растворам константа чувствительности р для диссоциации бензойных кислот уменьшается в 10,6 раза, фенолов —в 6,8 раза, а анилиниевых ионов — в 2,6 раза. Показано, что это ослабление влияния заместителей обусловлено на 75—80% неспецифической электростатической сольватацией, зависящей от диэлектрической постоянной Б [229]. В полярных растворителях вообще большая часть энергии сольватации ионов определяется неспецифической сольватацией. Однако при переходе от одного полярного растворителя к другому электростатическая сольватация меняется незначительно, и на первый, план выдвигаются различия в специфической сольватации, при которой главную [c.76]

Ионно-чувствительный слой является простым химическим усилителем, который позволяет производить регистрацию единичного иона. При перемещении частицы в зерне А Вг часть ее энергии расходуется на электронный процесс, приводящий к образованию скрытого изображения затем последующая химическая обработка позволяет получить это изображение. В зависимости от массового числа единичный ион может воздействовать примерно на 10 ° атомов серебра, содержащихся в зерне микронного размера, что дает коэффициент усиления 10 °. Хотя в настоящее время поведение иона после его проникновения в твердое тело мало изучено, удобно рассматривать падающую частицу как ион на протяжении всего времени ее существова- [c.107]

В этом разделе мы обсудим отклик слоя эмульсии на ионную экспозицию, т. е. почернение слоя в зависимости от общего числа ионов, падающих на данную площадь. Поскольку ионы средних энергий проникают только в верхний слой AgBr, отклик эмульсионного слоя выражается через частичные почернение В или пропускание Т, причем В прямо пропорционально числу зачерненных зерен AgBr (Бурлефингер, Эвальд, 1961). В этом отношении ионно-чувствительные слои отличаются от светочувствительных с толстым слоем эмульсии, которые характеризуются оптической плотностью D D =— gT). Частичные почернение и пропускание можно выразить через интенсивность света [c.117]

Хейес (1969) измерил чувствительность пластин илфорд Q2 и напыленных промышленных пластин Te hni al Operations, In . (Берлингтон, Массачусетс, США) к тяжелым ионам с энергией 8 кэВ. С этой целью он использовал перфторалкан, который обеспечил ему 8 основных массовых пиков в диапазоне от 69 до 431 а.е. м. С помощью электрических измерений была определена плотность ионов, достаточная для 50%-ного почернения, и построена ее зависимость от полной массы ионов, которая может быть выражена как М . [c.129]