Рекомбинация частота

Примесное поглощение. За счет энергии падающего на кристалл света происходит также возбуждение примесных атомов. Для определения минимальной частоты, начиная с которой происходит такое возбуждение, в формулу (125) вместо ширины запрещенной зоны следует подставить значение энергии активации данной примеси. При этом очевидно, что примесное поглощение происходит при более низких частотах, чем собственное. Ясно также, что в результате возбуждения примесных атомов образуются не два носителя заряда, как это было при собственном поглощении, а один носитель и один ионизованный атом примеси. Заметим, что поскольку при обычных температурах легирующие примеси в большинстве полупроводниковых материалов практически полностью ионизованы, то поглощение света этими примесями возможно только при очень низкой температуре. Поэтому при обычных температурах примесное поглощение происходит в основном за счет ионизации ловушек, лежащих в средней части запрещенной зоны. Такая ионизация может привести к резкому изменению коэффициента рекомбинации [так как она определяет величины С и С" из уравнений (110) и (111)1. Это явление часто наблюдается на практике, причем освещение полупроводника, в котором имеются уровни прилипания, приводит к существенному уменьшению скорости процесса генерации—рекомбинации. [c.151]

TOL-плазмиды обеспечивают дальнейшее распространение в природе продуктов рекомбинации природных векторов. Тесно сцепленные репликоны могут претерпевать гомологичную рекомбинацию, частота которой прямо пропорциональна степени структурной гомологии между плазмидами. Значение гомологичной рекомбинации в эволюции катаболических плазмид видно на примере плазмид, контролирующих деградацию алканов, среди которых высокой гомологичностью отличаются TOL-, XYL-, SAL- и NAH-плазмиды [674, 675]. [c.326]

Именно такие частоты обеспечивают рекомбинацию радикалов в нолиизобутилене и сополимере этилена с пропиленом (1 1). На рис. И 1.15 сопоставлены вычисленные из кинетики рекомбинации частоты к( с частотами релаксационных процессов измеренными методами ЯМР, диэлектрических и механических потерь [10]. Частоты /С и близки по абсолютной величине, что согласуется с представлениями о том, что в этих каучуках миграция валентности обеспечивается физической диффузией. [c.96]

В результате соответствующих расчетов (см. [66, 14]) авторы получили следующее соотношение между сечением рекомбинации атомов сг и коэффициентом поглои(ения света ку частотой V [c.121]

Для рекомбинации атомов водорода образование молекулы возможно лишь в том случае, когда часть выделяющейся при образовании связи энергии отводится третьей частицей, т. е. рекомбинация может произойти только при тройном соударении двух атомов водорода с какой-либо молекулой. Удельная частота тройных соударений составляет - 10 см -молекула-2 с [c.45]

Если сравнить экспериментальные значения констант скорости реакции рекомбинации и диспропорционирования радикалов с частотой столкновений тех же радикалов, то можно сделать вывод о весьма высокой эффективности этих процессов по сравнению с дру гими бимолекулярными радикальными реакциями. Такая легкость протекания реакций рекомбинации и диспропорционирования при малом времени жизни радикалов приводит к определенным экспериментальным трудностям изучения кинетики как этих, так и других радикальных реакций. Например, при исследовании скорости реакции перехода атома Н от исходного вещества М [c.73]

В табл. 6.4 приведены Л-факторы для реакций рекомбинации между углеводородными радикалами и их замещенными, которые определены на основании прямых экспериментальных исследований или из термодинамических данных и кинетической информации для обратной стадии. Данные табл. 6.4 показывают, что предэкспо-ненциальные множители меньше частоты столкновений радикалов, причем стерический фактор изменяется в интервале 10 —10- . То обстоятельство, что з < 1, для реакций рекомбинации радикалов легко объяснить на основе следующих рассуждений, которые носят общий характер и справедливы для любых бимолекулярных реакций. [c.85]

Наиболее сложно определить /. Известно, что число активных степеней свободы априорно трудно оценить. Предположим, что шесть внутренних степеней свободы, связанных с образованием новой связи, всегда являются активными. Активными предполагаются и все остальные валентные и деформационные колебания углеродного скелета. Частоты этих колебаний довольно сильно изменяются Б гомологическом ряду алканов [491, что также наводит на мысль об участии соответствующих степеней свободы во внутримолекулярном перераспределении энергии. Таким образом, при рекомбинации двух алкильных радикалов, каждый из которых имеет п атомов С, f = Ап при п > 2. Для рекомбинации радикалов СНз / = 6. Все величины, необходимые для расчета /грек, приведены в табл. 13.1. [c.133]

К таким реакциям, изученным в газовой фазе, относят рекомбинацию свободных радикалов, присоединение атомов и радикалов к молекулам с кратными связями, димеризацию непредельных соединений. Эти реакции экзотермичны, и выделившаяся в реакции энергия остается в продукте реакции в виде колебательной энергии. Продукт реакции стабилизируется, если передает свою энергию при столкновении с другими молекулами. Так как частота столкновений увеличивается с ростом давления, то константа скорости бимолекулярной реакции присоединения также возрастает. Зависимость константы скорости реакции присоединения от давления описывается теорией мономолекулярных реакций (см. гл. X). Чем больше атомов в продукте реакции, тем ниже давление, при котором к и не зависит от давления. Стерический множитель реакций рекомбинации радикалов близок к 1 (0,5— [c.102]

Рекомбинация атомов. В газовой фазе рекомбинация атомов с образованием молекулы происходит при тройных столкновениях с константой скорости, равной фактору частоты тройных столкновений в газе 1 10 — 10 л /(моль -с)], например [c.160]

СОМ будет ионизация адсорбированного водорода с переходом его в раствор. Таким образом, эта область потенциалов отвечает только стадии разряда (при катодном толчке) и ионизации (при анодном толчке), что позволяет исследовать кинетику одной этой стадии без наложения осложняющих эффектов, связанных с процессами рекомбинации или диссоциации молекул водорода. Изучение зависимости емкости двойного слоя и омического сопротивления (эквивалентного торможению па стадии разряда) от частоты наложенного тока в этой области потенциалов позволило Долину, Эрш-леру и Фрумкину впервые непосредственно измерить скорость акта разряда. Параллельные поляризационные измерения при небольщих отклонениях от равновесного потенциала, где неренапряжение еще линейно зависит от плотности тока, дали возможность найти скорость суммарного процесса и сопоставить ее со скоростью стадии разряда. Было установлено, что акт разряда протекает с конечной скоростью, причем ее изменение с составом происходит параллельно изменению скорости суммарной реакции. В то же время скорость стадии разряда всегда больше, чем скорость суммарной реакции (в 27 раз в растворах соляной кислоты и в И раз в растворах гидроксида натрия). Таким образом, акт разряда хотя и протекает с конечной скоростью, но не определяет скорости всего процесса выделения водорода на гладкой платине и не является здесь лимитирующей или замедленной стадией. [c.416]

Сохранение конфигурации может быть следствием клеточного эффекта . Последний обусловлен тем, что при диссоциации молекулы в жидкой фазе образовавшиеся частицы могут длительное время находиться рядом. Это время достаточно велико по сравнению с частотой молекулярных колебаний. Находясь в клетке из молекул растворителя, частицы могут испытать несколько столкновений, претерпевая взаимное влияние, процессы рекомбинации и т. п. При [c.268]

Методы возбуждения полупроводников могут быть различными [13, 14]. Например, для подкачки могут быть использованы импульсы электрического поля. В этом случае за счет ударной ионизации валентной зоны (эффект Зинера) образуются неравновесные электроны в зоне проводимости и неравновесные дырки в валентной зоне. Крайне важно, чтобы эти неравновесные носители тока не рекомбинировали достаточно быстро. В другом, применяемом на практике методе возбуждения полупроводника используют инжекцию (см. гл. IX, 3) неравновесных носителей тока через р—п-переход вырожденных полупроводников. К образцу, составленному из полупроводников с акцепторными и донорными примесями, прикладывается внешнее напряжение (прямое смещение), заставляющее электроны переходить из р- в п-область. В области р—п-перехода идет рекомбинация электронов и дырок с выделением фотонов, частота которых со е /й. [c.523]

Минимальная плотность тока через прибор, при которой на одной из частот усиление в активной среде компенсирует потери в резонаторе, называется пороговой плотностью тока. При плотности тока-выше пороговой возникает генерация в приборе. Акты рекомбинации стимулируются распространяющейся световой волной. Излучение становится когерентным и направленным. [c.524]

Во всех трех описанных случаях паразитические микроорганизмы используют обычный клеточный рекомбинационный аппарат, а единственная тактическая хитрость состоит в организации соответствующих генов имеется экспрессирующая копия и множество различающихся между собой молчащих. Большое количество последних обеспечивает сравнительно случайный выбор копии для замены и заметную частоту процесса, хотя рекомбинация идет с относительно низкой частотой, которая оказывается достаточной лишь в силу огромных размеров популяций патогенных микроорганизмов. В тех случаях, когда необходима высокая частота рекомбинации, рекомбинационный аппарат клетки должен быть снаб- [c.102]

Предположим, что молекулярное движение радикалов описывается моделью непрерывной диффузии, )дв - коэффициент взаимной диффузии радикалов пары. Пусть в РП имеется только одно магнитное ядро и пусть в единицах угловой частоты константа СТВ с этим ядром равна а. В сильных магнитных полях вероятность рекомбинации РП с проекцией ядерного спина т (например, для протона w = +1/2 и m = —1/2) в случае триплетного предшественника РП равна [c.86]

Из данных по рекомбинации атомов (см. табл. XII.9) следует, что величина /с4+А 4 может быть в 100—1000 раз больше, чем частота столкновений. Так, Маршалл и Дэвидсон [130] нашли, что сумма/С4+/С4 равна 1,1 0 л/моль-сек для 1г в аргоне, 1,6-101 в неопентане и 1,8-101 в пентане . Райс [121] отметил, что такие аномально большие величины могут быть объяснены большой положительной энтропией активации для галогенов, возникающей из-за увеличения числа колебательных уровней в переходном комплексе, увеличения электронных состояний и увеличения момента инерции. В случае Нг множитель 100 объясняется [121а] главным образом большим увеличением момента инерции (го увеличивается от 0,74 А приблизительно до 4,2 А) при образовании переходного комплекса. Оказалось, что для более сложных молекул, таких, как Оз [54], N204 [124], N205 [134] и ЫОгС [109], при их разложении в условиях очень низких давлений, когда наблюдаемая константа скорости второго порядка является прямой мерой скорости активации, предэкспоненциальный множитель приближенно равен 4,6 101 , 2 -, 2-101 д 6-101 л/моль-сек соответственно. Эти компоненты скорости представ- [c.277]

Таким образом, переменное магнитное поле влияет на эффективность синглет-триплетной конверсии РП, причем это влияние обнаруживает резонансный характер оно возрастает при совпадении частоты переменного магнитного поля с частотами ЭПР переходов в РП. Это обстоятельство открывает возможность регистрации спектров ЭПР радикальных пар, измеряя выход продуктов рекомбинации РП или выход продуктов реакций радикалов, вышедших из клетки в объем раствора, а не измеряя поглощаемую мощность или наведенную индукцию, как это обычно делается в ЭПР экспериментах. Ниже рассматривается несколько вариантов такой косвенной регистрации спектров ЭПР короткоживущих промежуточных состояний, каковыми являются РП. [c.128]

Еще один косвенный метод регистрации спектров ЭПР РП связан с эффектом стимулированной поляризации ядерных спинов. Если частота переменного магнитного поля совпадает с частотой некоторой компоненты СТС спектра ЭПР РП, то в подансамбле РП с соответствующей конфигурацией ядерных спинов (которая как раз отвечает данной СТС компоненте спектра ЭПР РП) спиновая динамика и, как результат, вероятность рекомбинации РП изменяется этим переменным магнитным полем. Таким образом, в присутствии переменного магнитного поля в продукте рекомбинации РП происходит накопление или обеднение конфигурацией [c.130]

Эта схема принимает во внимание возможность обратимой рекомбинации радикалов СцН2зС(0)0 и их декарбоксилирование с константой скорости к д. Кроме того, в схеме (III) предполагаются два состояния клетки одно (R , R2), в котором радикалы не рекомбинируют, другое (Ri, R2 ), из которого в силу благоприятной ориентации происходит их рекомбинация. Переход из первого состояния во второе идет с частотой v p. Величина а есть вероятность того, что при превращении клетки (Ri, Rj) в клетку (R,, Rj ) образующаяся пара радикалов уже ориентирована благоприятным для рекомбинации образом. Константа /t — константа скорости рекомбинации ориентированных пар, т.е. А = Рк , где Р — стерический фактор рекомбинации. Частота вращательной рекомбинации в благоприятную ориентацию v p = Рм, где v = Vf, трансляционная диффузия радикалов из клеток (R , R ) и (R , Rj ) много меньше, чем из клетки (RJ, Rj) к к. + к [c.208]

Рекомбинация атомов брома при 1000° К в присутствии N2 подчиняется закону третьего порядка с константой, равной 2-109 лУмоль -сек. Вычислить константу скорости второго порядка для диссоциации Bfj ири соударении с N2 при 1000° К, используя термодинамические данные для диссоциации Btj. Какова величина предэксиопенциального множителя Сравнить с частотой соударений. [c.586]

Тр — частота реакции), оказываются пропорциональными первой степени интенсивности света. Наоборот, когда основным обрывающим реакцию процессом является рекомбинация атомов, причем скоростг. рекомбинации значительно превосходит суммарную скорость всех процессов, идущих с участием атомов, стационарная концентрация атомов и скорость стационарной реакции будут пропорциональны квадратному корню из интенсивности света. В общем случае скорость реакции, очевидно, может быть приближенно представлена степенной зависимостью с показателем степени, заключающемся между 1 и Va- [c.162]

Возможна и такая ситуация, в которой поглощается фото 1 с частотой, более высокой, чем наивысщая частота, соответствукщая разности энергетических уровней атома. В этом случае электрон покинет атом и превратится в свободный электрон, а атом станет ионизированным. Обратный процесс рекомбинации катиона с электроном может привести к испусканию фотона с высокой частотой, Такой вид излучения имеет непрерывный спектр частот. Низкочастотные (инфракрасные) фотоны могут также испускаться или поглощаться колебаниями или вращениями диполь-ных молекул, которые со.здают таким образом полосы испускания или поглощения. [c.192]

Следует указать на другой путь, который также позволяет определить свойства активированного комплекса. Будем считать, что в процессе превращения молекула проходит через ряд квазиравновес-ных конфигураций и, следовательно, к ней можно применять теорию малых колебаний. Изменяя изотопный состав субстрата и учитывая характеристичность некоторых частот, можно получить на основе теории малых колебаний необходимое число уравнений для определения зависимости силового поля от конфигурации реагирующей молекулы. Именно таким путем Уманский и Бахрах [47] для реакции рекомбинации двух -СНз-радикалов нашли зависимость силовой постоянной /Ср, определяющей внешние деформационные колебания ш(ИСС), от расстояния между СНд-группами. Полученный результат свидетельствует о быстром падении /Ср с увеличением расстояния между СН -группами. Уже при г (С---С) более 2,5 А можно принять /Ср = б. Если предположить, что в активированном комплексе г (С- - С) равно 4,5 -ь- 5,5 А (см. 7), то частоты внешних деформационных колебаний, которые являются наиболее существенными в данном случае, не зависят от /Ср, а определяются только кинематическими коэффициентами и изменяются, как показал расчет, в интервале 95—125 см . Рассчитанный таким образом спектр активированного комплекса позволил авторам работы [47] получить соответствующую опыту температурную зависимость константы скорости рекомбинации -СНз-радикалов при высоких давлениях. [c.30]

Трудно допустить также столь низкое значение энтропии радикала -СНд, которое приведено в табл. 6.2, так как это противоречит результатам прямого расчета этой величины и косвенным опытным данным [5, 50]. Можно сделать иное предположение. Поскольку опытные значения ниже (на 2—3 порядка) предсказанных, путем расчета произведения Кркр к (это следует из сравнения результатов [136] и значений приведенных в табл. 6.1) естественно допустить, что константы скорости реакций (5.2) имеют более низкие значения. Если принять константу скорости реакций рекомбинации любых радикалов близкой к частоте столкновений 2д, тогда для реакций диссоциации [c.83]

Подведем итог рассмотрению экспериментальных кинетических данных, полученных для обратимых реакций рекомбинации радикалов. Реакции диссоциации молекул углеводородов и их замещенных протекают с энергией активации, которая незначительно отличается стих теплового эффекта. Как видно из табл. 6.3, Лд , .-факторы меньше предельно высоких значений (6.9). Энергия активации реакций рекомбинации близка к нулю, а Лре -факторы меньше частоты столкновений, причем значение з-фактора для реакции 2-СНд- СаНв [c.86]

Принимая во внимание, что частота столкновений алкильных )аднкалов при 900 К имеет величину 2о = 47-Ю л-моль- -с- 201, легко убедиться, что в условиях крекинга (900 К) реакции рекомбинации алкильных радикалов характерияуются стерическими факторами, которые лежат в интервале 10 —10 . Расчет з-факто-ров на основе жесткой модели активированного комплекса приводит, естественно, к более низким значениям этих величин [1671, хотя и не меняет вывода о характере изменения 5-факторов в рядах однотипных реакций. [c.100]

Углеродные материалы на нефтяной основе, в частности коксы, пеки, сажи, достаточно подробно изучаются методом ЭПР. При этом основное внимание уделяется изменению парамагнитных свойств испытуемых образцов в зависимости от режима их термической обработки. Так, обнаружена зависимость концентрации свободных радикалов от времени и температуры термообработки пека. Выявлена корреляция между частотой спинового обмена и концентрацией свободных радикалов в пеке, термообработанном в температурном интервале 100-800°С. В процессе коксования пека происходят резкие изменения концентрации парамагнитных центров. Количество ПМЦ и частота межспинового обмена в области температур 100- 800°С меняются сим-батно, проходя через максимум при 600°С. Количество ПМЦ сильно зависит от условий термообработки. Высказано предположение, что процесс уплотнения пека при 600-800°С связан прежде всего с рекомбинацией радикалов. [c.116]

Релаксационные методы позволяют изучать реакции в растворах, идущие со скоростью, близкой к частоте соударений реагирующих частиц. Пример таких реакций — рекомбинация ионов гидроксония и гидроксила в воде Н20+ + + ОН- —>- 2НгО, с константой скорости 1,4-10 л/моль-с при 25 °С. Столь же высокими скоростями характеризуются и другие реакции, протекающие с участием ионов ИзО- - и ОН-. [c.265]

Рекомбинация может происходить между гомологичными генами соматических клеток многоклеточных или при вегетативном росте одноклеточных эукарнот. Частота этой рекомбинации очень невелика, поскольку такая, митотическая, рекомбинация может сопровождаться нежелательными последствиями (например, возникновением мозанцизма). Большинство случаев митотической рекомбинации, по-видимому, связаны с репарацией. Действительно, митотическую рекомбинацию можно существенно стимулировать, повредив ДНК, например облучением. [c.95]

ИСХОДИТ следующее. Радикалы, избежавшие рекомбинации в клетке, выходят в объем раствора и дают спиновый аддукт. Вероятность избежать рекомбинации в паре для радикалов зависит резонансным образом от частоты накачки переменным полем. На рис. 8 показан результат, заимствованный из работы [4]. Изучалось фотовосстановление метилнафтохи-нона в мицеллярном растворе (додецилсульфат натрия, мицеллообразующий ко-фактор). В систему добавлялись растворимые в воде ловушки для радикалов. Эти ловушки захватывали радикалы, вышедшие из мицеллы. Получается стабильный радикал - спиновый аддукт. Измеряется интенсивность линии ЭПР зтих адцуктов. Эта интенсивность зависит от частоты накачки РП в клетке. На рисунке показаны полученные таким образом спектры ЭПР РП для двух разных спиновых ловушек. Оба спектра, естественно, совпадают, так как это спектр РП, а не спектр спинового аддукта. На рисунке внизу показаны ожидаемые спектр ЭПР РП и линии ЭПР партнеров пары. [c.130]

Предполагается, что РП рекомбинируют только в синглетном состоянии. Следовательно, в обсуждаемой ситуации выход продуктов рекомбинации осциллирует с частотой, равной ( д - gg) ЗB( tl2h. На рис. 1 приведены экспериментальные данные по рекомбинационной люминесценции пары (дифенилсульфид-с1[о)+/(р-терфенил-с1[4) в изооктане при комнатной температуре [3]. Отчетливо видны осцилляции, причем с ростом индукции магнитного поля В частота осцилляций растет. Полученные результаты полностью согласуются с приведенной выше формулой, они показывают, что в данной системе основной механизм синглет-триплетных переходов в РП связан с разностью -факторов радикалов пары. [c.140]

КОЛЬЦО (рис. 15-2). Специальные ферменты, катализирующие эти реакции, рассматриваются далее в разд. Ж. Разные факторы F могут включаться в хромосому в различных местах. Штаммы бактерий, содержащих интегрированный фактор Р, обозначают символом Hfr-штамм (от англ. high frequen y of re ombination — высокая частота рекомбинаций). [c.190]

Скорость спонтанных мутаций невелика, однако она может быть значительно увеличена воздействием химических мутагенов (разд. 3,1) или излучения. Этот подход дал возможность легко измерять скцростй прямых и обратных мутаций. После того как такие измерения были-осуществлены, оказалось, что, хотя мутации, вызываемые определенными химическими соединениями, например акридиновыми красителями, могут быть обращены, частота такого обращения значительно ниже частоты обычных обратных мутаций. Было показано, что эти мутации происходят в результате либо делеций (выпадений) одногй или нескольких нуклеотидов из цепи, либо вставок (включений) дополнительных нуклеотидов. Мутации типа делеций и вставок возникают, по-видимому, в результате ошибок в процессе генетической рекомбинации и репарации поврежденной цепи ДНК. [c.247]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология