Частица—дырка

В первом порядке отклик среды на пионное поле дается возбуждением пары частица—дырка, как показано на рис. 5.3. Изменение энергии пиона за счет этого процесса может быть получено в стандартной теории возмуш ений во втором порядке по Я NN В схематичном виде поправка второго порядка к энергии пиона от этого процесса равна [c.173]

Учитывая специфическую природу структурных элементов расплавленных электролитов, необходимо остановиться на вопросе о том, какого рода информация нужна. При рассмотрении структуры расплавленного электролита основное внимание уделяется следующим вопросам тип присутствующих частиц дырки, наблюдаемые в структуре функции распределения, относящиеся к частицам и дыркам межионные силы. [c.178]

Активационная теория самодиффузии в плотных кристаллических и аморфных средах исходит из положения, что в кристаллической решетке вследствие теплового движения происходит непрерывное перераспределение дефектов структуры (вакансий). Движение вакансий эквивалентно миграции частиц. Перенос массы возможен при одновременном соблюдении двух условий возникновении вакансии и достижении достаточно большой энергии колебаний частицы около положения равновесия. Если энергия колебаний велика или размеры частицы незначительны (водород, азот, углерод) возможна их миграция в междоузлиях решетки, что имеет место в металлических мембранах. В твердых растворах замешения движение частиц может происходить не только за счет вакансий, но и в результате обмена с соседними частицами. В матрицах аморфной структуры роль вакансий играют микрополости или дырки . [c.77]

Хемосорбированная частица, связанная с поверхностью прочной связью, удерживает свободный электрон или свободную дырку кристаллической решетки. Это приводит к изменению плотности [c.24]

Можно исследовать фотографии и шарики классифицировать в одну из десяти областей, используя вращающийся шаблон с десятью дырками различных размеров (Бехер, 1964). Ось шаблона присоединена к выключателю, имеющему одиннадцать положений, так что число частиц в каждой области размера регистрируется. Острие пробивает дырку в каждом изображении шарика для предотвращения повторного исследования одной частицы. [c.145]

Любая жидкость может быть рассмотрена как система, состоящая из отдельных частиц, каждая из которых движется в некотором объеме VfЪ потенциальном поле, создаваемом соседними частицами. Очевидно, что Vf соответствует объему дырки , необходимой для движения частиц (рис. 4.13). Величина называется свободным объемом . В простейшем случае кубической упаковки шарообразных частиц жидкости каждая из них находится на расстоянии V от центра соседней частицы при условии, что положение каждой из них является равновесным. Следовательно, перемещение любой частицы по любой нормальной координатной оси возможно на расстояние, равное 2 К - 2(1, где й - диаметр частицы. [c.186]

Показанные в табл. 5-3 близкие значения коэффициентов линейного термического расширения а, диамагнитной восприимчивости X и анизотропии этих показателей для графитов различных месторождений свидетельствуют о том, что графиты представляют собой плотные беспористые чешуйки. В отдельных случаях в чешуйках могут наблюдаться пустоты (дырки), имеющие форму эллипса. Их происхождение объясняется вы делением газов, в частности гелия, при распаде а-частиц радиоактивных природных элементов, внедренных в чешуйку графита [1-3]. [c.237]

Тепловое движение частиц жидкости несколько отличается от такового в твердых телах, так как жидкость обладает более рыхлой структурой. В ней всегда есть свободные места — дырки , благодаря которым молекулы могут перемещаться, покидая свое место и занимая одну из соседних свободных дырок . Переместившаяся молекула в течение некоторого времени совершает колебательные движения около определенной точки равновесия, затем вновь перемещается в свободную дырку и т. д. Таким образом, тепловое движение молекул жидкости совершается в виде сравнительно редких перемещений этих молекул из одних временных положений равновесия в другие и тепловых колебаний в промежутках между перемещениями. Именно по этой причине жидкости отличаются высокой текучестью и принимают форму того сосуда, в котором они находятся. [c.38]

Долгое время не удавалось экспериментально подтвердить правильность соотношений (62.12) и (62.16). Это можно объяснить, во-первых, тем, что реальная структура поверхности кристалла оказывается гораздо более сложной, чем предполагалось в теории Фольмера и Эрдей-Груза. Так, на кристаллической поверхности электрода имеются ступени атомной высоты s, выступы, или кинки к, реберные вакансии I и дырки h (рис. 169). Во-вторых, поверхность электрода в ходе электроосаждения непрерывно изменяется, а потому меняется истинная плотность тока, а следовательно, и перенапряжение. В результате обычный метод снятия стационарных поляризационных кривых имеет ограниченные возможности. Наконец, на практике стадия образования зародышей не всегда оказывается наиболее медленной. В зависимости от природы металла и условий опыта процесс электрокристаллизации может лимитироваться диффузией реагирующих частиц к поверхности, химическими реакциями в объеме раствора и на поверхности электрода, стадией разряда, а также поверхностной диффузией разрядившегося иона (адатома) и встраиванием его в кристаллическую решетку. Поэтому количественная проверка изложенной теории оказалась возможной лишь после того, как в 50-х го- [c.331]

Плавление кинетическая теория описывает следующим образом. В кристаллической решетке твердого тела всегда существуют в небольшом количестве вакансии (дырки), медленно блуждающие по кристаллу. Чем ближе температура к температуре плавления, тем выше концентрация дырок , тем быстрее они перемещаются по образцу. В точке плавления процесс образования дырок приобретает лавинообразный кооперативный характер, система частиц становится динамичной, исчезает дальний порядок, появляется текучесть. Решающую роль в плавлении играет образование свободного объема в жидкости, который и делает систему текучей. Важнейшее отличие жидкости от твердого кристаллического тела заключается в том, что в жидкости существует свободный объем, значительная часть которого имеет вид флуктуаций ( дырок ), блуждание которых по жидкости и придает ей такое характерное для нее качество, как текучесть. Число таких ды- [c.116]

Шокли в качестве иллюстрации предложил рассматривать двухэтажный гараж. Пусть нижний этаж целиком заполнен автомобилями, а верхний совершенно свободен. В этом случае автомобили не обладают подвижностью в обоих этажах. Пусть один автомобиль перейдет из нижнего в верхний этаж. Возникнет возможность перемещения автомобиля на обоих этажах. При этом движение автомобилей на нижнем этаже рационально описывать как движение дырки (места, где нет автомобиля), хотя двигаются, конечно, автомобили. Движение дырки будет фиксироваться в эффекте Холла как движение положительного заряда. Действительно, устойчивых положительных частиц с массой электрона не существует. Таким образом, у полупроводников с собственной проводимостью имеется как обычная (электронная), так и дырочная проводимость. Вышеизложенное объясняет возрастание проводимости полупроводников с повышением температуры. С ростом температуры увеличивается число электронов, перешедших в верхнюю зону, что и приводит к увеличению электропроводности. [c.517]

Переход электрона из валентной зоны в зону проводимости, в результате которого образуется пара электрон — дырка, называется генерацией. Обратный переход электрона приводит к исчезновению носителей заряда и называется рекомбинацией. Если считать, что электроны и дырки являются отдельными самостоятельными частицами, то процессы генерации и рекомбинации можно рассматривать как разобранный нами в 2 и 5 процесс диссоциации — рекомбинации. [c.137]

После ухода электрона из валентной зоны в ней остается вакантное место, называемое дыркой. При этом каждому электрону, перешедшему в зону проводимости и называемому свободным электроном, соответствует одна свободная дырка в валентной зоне. При приложении к полупроводнику разности электрических потенциалов свободные электроны перемещаются по зоне проводимости к положительному полюсу (аноду), а свободные дырки по валентной зоне — к отрицательному полюсу (катоду), т. е. дырка ведет себя как положительно заряженная частица. Это объясняется тем, что в валентной зоне электрон может перескочить только в дырку по направлению к аноду, оставляя после себя новую дырку, в которую перескакивает следующий электрон, и т. д. И получается, что свободная дырка отодвигается от анода, перемещаясь к катоду. [c.285]

В ионной решетке внедрившиеся атомы становятся донорами (металлы) или акцепторами (неметаллы) электронов. Перемещение электронов приводит к появлению в структуре кристалла точек с избыточными отрицательными и положительными зарядами. Атомы с избыточным положительным зарядом, т. е. с дефицитом электронов, называют дырками. В целом кристалл сохраняет электронейтральность, несмотря на то, что дефекты его имеют эффективный заряд, отличающийся от нулевого, за который принимают заряд частиц идеального кристалла. [c.341]

Определим среднее число электронов и дырок на примесных уровнях. Будем полагать, что па каждом уровне может находиться только один электрон или одна дырка. Так как возможны два состояния электрона, отличающиеся по ориентации спина, для данного примесного уровня допустимы следующие три варианта уровень не занят, уровень занят электроном с положительным спином, уровень занят электроном с отрицательным спином. Энергию электрона на -м акцепторном уровне обозначаем ел., на /-м донорном уровне ед — ед. (см. рис 28, г). Вначале обсудим вопрос о состоянии электронов на акцептор ных уровнях. Будем рассматривать как систему частицу на -м акцеп торном уровне. Электроны с различной ориентацией спина будем счи тать частицами разного типа. Пусть N 2 соответственно числа элект ронов с положительным и отрицательным спином на данном уровне Возможны следующие значения чисел заполнения [c.197]

V делится на ячейки равного размера. В теории свободного объема число ячеек считают равным числу частиц N (объем одной ячейки — величина v — VIN). Модель положенная в основу более поздних, дырочных, теорий, не приписывает жидкости столь высокой степени упорядоченности. Число ячеек, на которые подразделяют объем жидкости, больше числа частиц, так что имеются ячейки, занятые молекулами, и пустые ( дырки ). Строгий анализ допущений, которые делаются в теории свободного объема и теории дырок, был дан Кирквудом. [c.362]

Частицу в жидкости окружают частицы, равноотстоящие от нее. При температуре, близкой к температуре их затвердевания, их число в среднем равно 11. Рассмотрим точку в жидкости, в которой в данный момент нет частиц, центры частиц вокруг этой дырки расположены в вершинах многогранника. В данный момент жидкость состоит из ансамбля упорядоченных участков, распределенных случайно. Эти участки упорядоченности образованы совокупностью небольшого числа многогранников. Упорядоченный участок не оказывает действия на другой упорядоченный участок, расположенный на расстоянии двух-трех диаметров частицы. [c.103]

Рассмотрим теперь слабовозбужденные квантовые состояния изотропной ферми-жидкости. Их энергия должна мало отличаться от энергии основного состояния. В возбужденных состояниях распределение частиц по импульсам не такое, как прн О К- Всякое возбужденное состояние может быть получено из основного путем последовательного перевода частиц из внутренней части ферми-сферы наружу. При каждом таком элементарном акте, или, иначе говоря, элементарном возбуждении, получается состояние, отличающееся от исходного появлением частицы, имеющей импульс р> р , н возникновением дырки в ферми-сфере, где р < р . Каждое элементарное возбуждение имеет спин 1/ . Элементарные возбуждения всегда образуются парами. У одного из них импульс больше р , импульс другого меньше р . [c.257]

Функция Линхарда — это амплитуда возбуждений пары частица—дырка с энергией и импулы ом к в ферми-газе [c.485]

Первая прочная связь называется п-связью, или акцепторной связью, так как в ней участвует свободный электрон, захваченный адсорбированной частицей вторая прочная связь называется р-связью, или донорной связью, так как в ней участвует захватывающая адсорбированной частицей дырка. По своей природе акцепторная связь, как и донорная, может быть чисто ионной, чисто гомеополярной Или, в общем случае, связью сме-щанного типа. Это зависит от природы адсорбата и адсорбента. [c.490]

Малое расхождение в значениях С означает, что самопронз-вольиое разрушение н разрушение а-частнцами происходит по одинаковому механизму. Некоторое различие в значениях -уу,, вероятно, связано с зависимостью этой энергии от размера дырки в условиях принудительного разрушения наименьший размер активированной а-частицами дырки соответствует 3— 4 вакансиям (/о —3—4), а прп самопроизвольном разрушении энергия -у, отвечает зародышевой дырке, содержащей 8—10 вакансии. [c.138]

Из уравнения (17.146) вытекает, что в общем случае на электрохимическое перенапряжение может накладываться (или даже сделаться преобладающей) концегтрационная поляризация. Для металлических электродов это может быть связано с замедленностью доставки частиц А и отвода частиц В (диффузионное перенапряжение) или с замедленностью каких-либо химических стадий, предшествующих акту переноса заряда, либо следующих за ним (реакционное перенапряжение). Для полупроводниковых электродов помимо этих возможностей появляются их аналоги па стороне полупроводника — замедленность транспортировки электронов или дырок в зону электродной реакции илн от нее (диффузионное перенапряжение) и замедлетюсть генерации пары электрон — дырка (аналог реакционного неренапряжения) [c.380]

Такой переход от иона к радикалу хорошо известен для электродных процессов, и он был предсказан электронной теорией катализа на полупроводниках [2]. Относительные концентрации ионных и нейтральных адсорбированных частиц являются функцией положения уровня Ферми в твердом теле. В частности, для СГ2О3 (разд. П. 2.А) это можно представить как попадание дырки на центр Сг " , связывающий радикал К-, и переход этой дырки к лиганду. Образованный при этом ион перескакивает на соседний анион 0 на поверхности. [c.60]

Описан метод измерения скоростей потока в неподвижном зернистом слое с помощью пневмометрпческого насадка, нечувствительного к скосам потока и обеспечивающего локальность измерения в точке размером не более 0,5 мм. Представлены результаты исследования полей скорости в случайной плотной упакованной структуре сферических частиц размером d = 4 мм в аппарате диаметром 125 мм. С помощью статистического анализа флуктуаций скорости проведена количественная оценка радиальной функции распределения, отражающей ближний порядок в расположении частиц в слое. Экспериментально показано, что конфигурация частиц первой координационной сферы близка к структуре плотнейшей упаковки со случайно распределенными дырками в узлах решетки. Табл. 1. Нл. 6. Библиогр. 7. [c.173]

В связи с тем, что методы определения фактора устойчивости основаны на определении относительной оценки размеров асфаль-теновых частиц, а атом ванадия в ванадилпорфиринах, согласно [116], служит координационным центром в молекулах асфальтенов, наши положения о связи комплексообразующей способности исследуемых реагентов с ванадилпорфиринами нефтей и их влиянием на физико-химические свойства нефтей вполне правомерны. Анализ литературных данных также свидетельствует о существенном влиянии МПФ на структуру асфальтенов [84]. Ванадил-порфириновый комплекс соединяет листы — блоки конденсированных ароматических структур с атомами ванадия в азотной дырке . Поэтому, по предположительному структурно-молекулярному представлению, ванадил- и никельпорфирины не только являются составной частью молекул асфальтенов, но и выполняют связующую роль в процессе образования трехмерной структуры асфальтенов и двухмерных строительных блоков. Согласно [116], схематически можно представить соединения ванадилпорфирино-вого комплекса с конденсированными ароматическими блоками асфальтенов. Асфальтены можно, по-видимому, рассматривать как перекрестно связанные или ассоциированные конденсаты мульти-компонентных систем, включающих индивидуальные молекулы ароматических, порфириновых и нафтеновых циклов и гетероциклов. В благоприятных химических или физических условиях эти элементы соединяются мостиками или связями, образуя молекулы. Атомы таких металлов, как ванадий и никель могут участвовать и углеводородной или гетероциклической системе. [c.149]

Тепловая энергия может вызвать образование дырки рядом с дефектом в нестехиометрических кристаллах типа /// и IV. Под действием электрического поля дырки в нее может попасть электрон из рядом расположенной частицы (или связи). Это равносильно перемещению дырки, что обусловливает способность кристалла проводить электрический ток. Такого типа кристаллы также являются полупроводниками. Проводимость, вызванная наличием положительных дырок, называют проводимостью р-типа (от positive — положительный) проводимость п-типа (от negative — отрицательный) вызвана перемещением [c.176]

В полупроводниках для перехода электронов из валентной зоны в зону проводимости требуется сравнительно небольшая энергия, восполняемая при освещении, нагревании и другом воздействии. При этом каждый покидающий валентную зону электрон оставляет дырку в одном из ее подуровней. Дырка — это вакансия, отсутствие электрона на том подуровне, где он должен был бы быть. Под действием внешнего электрического поля место этой дырки занимает соседний электрон, оставляя дырку на своем прежнем месте. В процессе подобных перемещений получается, что дырка совершает движение ст плюса к минусу (к катоду), отражая тем самым свойства положителыюго заряда. Следовательно, перенос электричества в полупроводниковых веществах осуществляется как электронами, перешедшими в зону проводимости, так и перемещением дырок в валентной зоне. Для одних полупроводников более характерна электронная проводимость, это полупроводники п-типа (от латинского негативе — отрицательный, этим подчеркивается, что носителями тока являются отрицательные частицы — [c.139]

На еще больших расстояниях возможны переходы в кристаллах, твердых растворах и некоторых жидкостях за счет миграции экситона, при этом наблюдается зависимость типа 1/г . Понятие экситона было введено Френкелем при интерпретации некоторых спектров кристаллов в этом случае пара электрон — дырка рассматривается как некая частица, которая может перемещаться по кристаллу в результате взаимодействий узлов решетки. Для наших целей можно принять электронновозбужденную облучаемую частицу за экситои, блуждающий по значительному числу узлов решетки. Далее мы не будем обсуждать этот механизм. [c.121]

Для фотохимического изменения необходимо удаление галогена. До тех пор пока дырки будут диффундировать к поверхности частицы и выделять галоген, они рекомбинируют с электронами, и никакого свободного серебра не образуется. Исследование распределения серебра в облученных кристаллах галогенида серебра показало, что оно концентрируется в приповерхностном слое толщиной не более нескольких микрон. Далее, квантовый выход фоторазрушения в крупных кристаллах бромида серебра мал при экспозиции слабо поглощаемым светом (например, Ф 0,02 при Х=436 нм), но возрастает почти до единицы в коротковолновой области спектра, когда весь свет поглощается около поверхности. Было показано, что под действием слабо поглощаемого света весь выделяющийся бром происходит из поверхностного слоя толщиной порядка 0,3 мкм, причем квантовый выход в этой поверхностной области достаточно высок. [c.249]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология