Электронная плотность изображение

Рассмотрение системы по частям произвольно в действитель- > ности взаимодействие имеет всеобщий характер, так что результатом является распределение электронной плотности, изображенное в формулах (2.7, в, е). В первом приближении можно считать, что в лета-положении изменения распределения заряда не происходит. [c.69]

Применяются и другие способы изображения распределения электронной плотности относительно ядра, например с помощью [c.13]

Физики и химики часто употребляют выражения электронное облако , распределение электронной плотности и т. п. Мы тоже будем их использовать. Однако следует помнить, что электронное облако — это не наглядный образ самого электрона, размазанного в пространстве, а наглядное изображение распределения вероятности его возможной локализации в различных пространственных областях, т. е., в конечном счете, электронное облако характеризует состояние движения электрона. [c.35]

При неполном окислении углерода образуется оксид углерода (II) СО (угарный газ). Он не имеет цвета и запаха. Плотность его 1,25 г/л, кип= 191,5 °С, tj, = 205 ° . В воде он плохо растворим. Формальная степень окисления углерода +2 не отражает строения молекулы оксида углерода (II). Б молекуле СО, помимо двойной связи, образованной обобществлением электронов углерода и кислорода, имеется дополнительная, третья связь, образованная по донорно-акцепторному механизму за счет неподеленной пары электронов кислорода (изображенная стрелкой) [c.134]

В настоящее время нет единого способа графического изображения молекулы бензола с учетом его реальных свойств. Практически это и невозможно сделать. Но чтобы подчеркнуть выравнен-ность л-электронной плотности в молекуле бензола, прибегают к помощи следующих формул [c.277]

Существуют разные способы графического представления волновых функций. Один из способов — это изображение волновой функции в виде кривых радиального распределения электронной плотности (рис, 13,2). Чаще пользуются сферическими диаграммами, так как форму электронного облака в значительной степени определяет угловая составляющая волновой функции 0(0), Ф(ф), При построении сферических диаграмм проводят из начала координат во все стороны отрезки, пропорциональные 0(0), Ф(ф), Концы отрезков образуют поверхность, показывающую форму орбитали. Если откладывать отрезки, пропорциональные квадрату 0(0), Ф(ф), то получают изображения, представленные на рис, 13,3, [c.224]

Из выражения (5.4) можно вычислить распределение электронной плотности в атомах и координаты их в ячейке кристалла. Полученные значения наносят на график, и точки равной плотности р(хуг) соединяют непрерывными линиями. В результате получают картину, подобную изображению рельефа местности на топографической карте, где пользуются изолиниями. [c.121]

Помимо направлений, по которым происходит рассеяние, последнее характеризуется интенсивностью рассеянного пучка. Она может быть измерена, например, по степени почернения рентгеновской плен- ки, на которую падает рассеянный пучок. Интенсивность рассеянных пучков (интенсивность их изображений на пленке, рефлексов) содержит информацию о распределении электронной плотности в пределах элементарной ячейки. Поясним это на примере того же кристалла хлористого цезия. Для этого учтем рассеяние от ионов хлора, которое в несколько раз слабее, чем рассеяние от ионов цезия, но все же вполне измеримо. [c.163]

Молекулярные диаграммы. Рассчитанные в приближении метода МО электронные плотности, заряды на атомах, порядки связей и индексы свободной валентности принято наносить на соответствующие места при изображении структурной формулы молекулы, вместе с которой они составляют так называемую молекулярную диаграмму. При- [c.217]

Оба способа изображения распределения электронной плотности в молекуле анилина показывают, что отри нательный заряд сосредоточивается в орто- и Л(3/7(а-положениях, а это значит, что именно там создаются благоприятные условия для электрофильного замещения. [c.125]

Две первые формулы подчеркивают равномерность распределения электронной плотности в кольце бензола, последняя — формула Кеку-ле — удобна для изображения сдвига электронных плотностей в кольце и традиционно часто применяется. Обшая формула углеводородов ряда бензола С На,, 6. [c.103]

Для уточнения положения молекул в расплаве были построены модели, изображенные на рис. 8.19. Свобода азимутальных поворотов дает основание аппроксимировать молекулы ци-линдрами. При пересечении последних с плоскостью, перпендикулярной осям молекул, получаются концентрические пояса — области повышенной электронной плотности. Внутренний пояс соответствует С—С-скелету молекулы, а наружный — электронам атома водорода. Так как электронный пояс, образованный атомами углерода вдоль цепи, имеет гораздо большую плотность, чем пояс, отвечающий атомам водорода, то первый межмолекулярный максимум на кривой радиального распределения находится в области пересечения сферой интегрирования цилиндра, отвечающего С — С-скелету молекул полиэтилена. [c.223]

Третья особенность, отличающая современное изображение молекулы, — это отсутствие в пространственном распределении электронных плотностей ясного изображения тех двух связей, которые предполагаются в классическом символе [c.180]

Для атомов с более чем одним электроном орбитальные энергии зависят как от так и от /г, хотя здесь нет простой связи между энергией и этими двумя квантовыми числами. Для одного и того же значения п энергия увеличивается с ростом /. Объяснение заключается в том, что с ростом / орбиталь все менее проникает в область вблизи ядра, так что эффективный экранированный заряд ядра, действующий на электрон, уменьшается. Это иллюстрирует рис. 3.9, где изображен потенциал иона К+, найденный методом ССП, как функция г. Здесь же приведены радиальные электронные плотности для водородоподобных 35-, Зр- и 3< -орбиталей, Ясно, что электрон на 35-орбитали испытывает в среднем наибольшее притяжение к ядру, а электрон на Зй(-орбитали — наименьшее. [c.47]

Распределение вероятности для электрона, описываемое функцией графически представлено на рис. 1.1,6. Заметно значительное увеличение электронной плотности между ядрами и уменьшение ее за пределами межъядерной области. Функция является связывающей молекулярной орбиталью ее принято обозначать символом ст и называть сигма-связывающей орбиталью . На рис. 7.8 показана форма электронного облака, соответствующего такой орбитали. Оно напоминает облако, изображенное на рис. [c.116]

Рис 1 20 Рельефное изображение валентной электронной плотности в молекуле Ь1р Плоскость чертежа содержит связь Ь1р Положения атомов Ь и Р указаны сверху рисунка. Видно что практически вся электронная плотность сосредоточена вокруг атома Р Эго характерно для чисто ионной связи [c.61]

Наиболее широко используется режим измерения туннельного тока при сканировании при постоянном потенциале. Так как локальное расстояние между острием и поверхностью меняется, то измеряют меняющийся туннельный ток. На практике измерения проводят таким образом, что острие движется вдоль линий постоянных электронных плотностей состояний при помощи регулировки расстояния между острием и образцом в каждой точке развертки так, чтобы туннельный ток сохранялся постоянным (режим исследования топографии при постоянном токе, ТПТ). Таким образом получают двумерное изображение топографии поверхности (строго говоря, электронных плотностей на уровне Ферми) с атомным разрешением. На рис. 10.5-3 приведено в качестве примера изображение поверхности кремния (111). Четко видны отдельные атомы на поверхности кремния и реконструированная картина поверхности (7x7 структура). Если на поверхности содержатся адсорбированные атомы, то локальная рабочая функция (эффективная высота барьера) изменяется, в результате для этих атомов туннельный ток увеличивается или уменьшается. [c.371]

Чтобы найти распределение электронной плотности в элементарной ячейке кристалла, необходимо найти фазы рентгеновских волн, отраженных кристаллом в различных направлениях. Для определения фаз рентгеновских отражений применяются специальные методы. Если удается определить фазы всех рентгеновских отражений, можно достаточно точно определить картину распределения электронной плотности в кристалле. Если удается найти фазы лишь некоторой части рентгеновских отражений, то картина распределения электронной плотности будет довольно размытой и нечеткой. Мы будем иметь нечто подобное изображению предмета, рассматриваемого в микроскоп при плохой фокусировке. [c.545]

Расположение дисульфидных мостиков выявляет эволюционные связи. Многие белки, в частности внеклеточные, содержат дисульфидные мостики, ковалентно связывающие удаленные части полипептидной цепи. Способы изображения таких связей показаны на рнс. 7.2. Мостики S—S обнаруживают тенденцию сохраняться в процессе эволюции, поэтому они характерны для данного семейства гомологичных последовательностей. Более того, по дисульфид-ным мостикам можно выделить структурные повторения в одной цепи, как в случае агглютинина пшеничного зерна (рис. 7.2, а), строение которого было выяснено по карте электронной плотности, так и сывороточного альбумина человека (рнс. 7.2, б), строение которого установлено химическими методами. [c.159]

При сложении атомных орбиталей образуется двухцентровая молекулярная орбиталь Сложение означает, что молекулярная орбиталь характеризуется повышенной электронной плотностью в пространстве между ядрами, и поэтому такая орбиталь энергетически более выгодна, чем исходные атомные орбитали. Такую молекулярную орбиталь называют связываюи ей (см. рис. 21) Знак + на изображении молекулярной орбитали означает, что волновая функция везде положительная — имеет один и тот же знак. Орбиталь у-. ла не имеет. [c.48]

Второй разновидностью вандерваальсовых межмолекулярных сил является притяжение, обусловленное такой синхронизацией движения электронов на заполненных орбиталях взаимодействующих атомов, при которой они по возможности избегают друг друга. Например, как показано на рис. 14-12, электроны на орбиталях атомов, принадлежащих взаимодействующим молекулам, могут синхронизировать свое движение таким образом, что в результате возникает притяжение между мгновенными диполями и индуцированными ими диполями. Если в некоторый момент времени атом, изображенный на рис. 14-12 слева, имеет большую электронную плотность слева (как и показано на рисунке), то этот атом превращается в крошечный диполь с отрицательно заряженным левым концом и положительно заряженным правым концом. Положительно заряженный конец притягивает к себе электроны атома, изображенного на рис. 14-12 справа, и превращает его в диполь с аналогичной ориентацией. В результате между двумя атомами возникает притяжение, потому что положительно заряженный конец левого атома и отрицательно заряженный конец правого атома сближены. Аналогичные флюктуации электронной плотности правого атома индуцируют мгновенный диполь, или асимметрию электронной плотности, на левом атоме. Флюктуации электронных плотностей происходят непрерывно, а их результирующим эффектом является очень слабое, но важное по своему значению притяжение между [c.611]

Изображение электронов в виде символов (точек, крестиков и т. п.), поставленных у химического знака элемента. Для удобства электроны, принадлежащие разным атомам, иногда изображают разными символами. В случае полярной связи указывают направление смещения электронной плотности. Описанные выше процессы образоЕиния молекул водорода и хлороводорода отобразятся схемами [c.64]

Анализ амплитуды вероятности Хюо начнем с угловой составляющей Уоо, = так как угловая сост авляющая определяет симметрию АО и форму граничной поверхности электронного облака. Если описать вокруг ядра как центра сферу радиусом то она будет графическим изображением функции постоянной и положительной во всех направлениях (см. рис. 4, 6). Последнее свойство функции важно при описании химической связи. Поскольку = onst, то плотность вероятности углового распределения Уоо1 также постоянна, т. е. не зависит от направления. Если задаться определенным расстоянием от ядра, то вероятность найти электрон в направлении оси л та же, что и вдоль осей у и г или в любом ином направлении. Геометрическим местом точек равной вероятности нахождения электрона в этом случае будет сфера. Тем самым и граничная поверхность электронного облака 15-орбитали оказывается сферической (см. рис. 4, в). Сечение этой поверхности плоскостью листа (zox) даст круг. Постоянство радиус-вектора окружности символизирует независимость вероятности нахождения электрона или электронной плотности от направления. Радиальная амплитуда вероят-HO Tir J iu( ) — экспоненциальная функция расстояния, экспоненциально ,бывает с расстоянием и ее квадрат (рис. 6). Плотность вероятности радиального распределения электрона в состоянии Is равна [c.25]

Уравнение Шрёдингера—это дифференциальное уравнение, и его решения сами представляют собой уравнения, но уже не дифференциальные, а простые, и для них можно построить графики. Эти графики служат трехмерным изображением электронной плотности и называются орбиталями или электронными облаками. Большинству студентов известны формы 5- и р-атом-ных орбиталей (рис. 1.1). Каждая р-орбиталь имеет узловую [c.15]

Общую схему рентгеноструктурного анализа можно сравнить с работой обычного микроскопа. Роль объектива, разлагающего в спектр лучи, рассеянные предметом, играет рентгеновская камера (или дифрактометр) с исследуемым кристаллом первичный пучок лучей, создаваемый рентгеновским аппаратом, разлагается кристаллом в дифракционный спектр. Роль окуляра, собирающего лучи спектра в увеличенное изображение предмета, играет вычислительная машина путем математической обработки дифракционных характеристик —направлений и интенсивности дифракционных лучей, она воссоздает увеличенное изображетше распределения электронной плотности по элементарной ячейке кристалла позиции максимумов плотности отвечают размещению [c.47]

Изображение одной и той же молекулы двумя (а в общем случае многими) граничными формулами может показаться нарушением положения о том, что канс-дая органическая молекула имеет определенную, единственную формулу строения. Однако в действительности это положение не нарушается. Все дело в том, что реальную молекулу трудно изобразить простым образом и прибегают к сравнению карбкатион похож на обе граничные формулы, он промежуточный между ними. От такого сравнения единая частица, с присущей ей структурой, с определенным распределением электронной плотности — не раздвоилась. [c.252]

Так, например, молекуле бутадиена соответствует схема, изображенная на рис. 1.15, б. Этот взвешенный граф называют молекулярной диаграммой. Цифры, указанные над ребрами,— это порядки связей, электронные плотности на атомах равны единице. Цифры, указанные стрелками, также относятся к вершинам графа и вычисляются по формуле = 1,733 — Рц, где сумма распространена на все связи данного атома с номером г. Эта величина называется индексом свободной валентности и служит мерой валентной ненасыхценности атома [51, 53]. [c.33]

Суммируя идеи Уэйда, мы получаем эстетически довольно привлекательный общий результат, согласно которому молекула типа будет иметь структуру соответствующего полиэдра с ьер-шинами (рис. 3) и 2и -Ь 2 скелетных электронов будут занимать п + 1 связывающую орбиталь. Кроме того, если число валентных электронов увеличивается на два, то молекулярная геометрия теперь соответствует следующему высшему дельтаэдру (который, конечно, имеет одну дополнительную связывающую орбиталь) типичными примерами являются молекулы, изображенные на рис. 4. На первый взгляд может возникнуть впечатление, что электронная плотность локализована в областях пространства, не примыкающих непосредственно к ядрам, — физически нереальный результат [c.151]

СОПРЯЖЕНИЕ И ДЕЛОКАЛИЗАЦИЯ. Прежде чем перейти к обсуждению молекулярных орбиталей, необходимо четко усвоить различие между сопряженными и делокализованными двойными связями. (Термин сопряженная система означает лишь, что в молекуле имеется цепь чередующихся простых и двойных связей —С=С—С=С— этот термин не говорит о распределении я-электроппой плотности внутри такой структурной единицы.) Дело-кализованный означает, что п-электронная плотность не локализована между двумя соседними / -орбиталями, но распределена по всей л-орбиталь-пой системе. Например, хотя оба изображенных пиже фрагмента являются сопряженными, делокализация возможна только во втором фрагменте, ибо только в нем опа позволена конформацией вокруг центральной простой связи. [c.565]

В работе [27] исследовали сплав Си-50 вес. %Ag, подвергнутый измельчению в шаровой мельнице с последующей консолидацией ИПД кручением. Была достигнута полная плотность образцов, но на светлопольных электронно-микроскопических изображениях (рис. 1.35а) не было выявлено никакой зеренной структуры. Наблюдаемый контраст подобен тому, что характерен для аморфной структуры. На дифракционной картине (рис. ЬЗбб") видно широкое интенсивное дифракционное кольцо, отражающее формирование сильноискаженной кристаллической решетки и уль-традисперсной структуры. Последняя была выявлена только на темнопольном изображении (рис. 1.35е), где видны фрагменты структуры со средним размером 15 нм. [c.53]

Если теперь соавнить этот вывод с изображенным на рис 1 8 видом Ух-функции в декартовых координатах, то получается кажущееся противоречие максимум функции Ь в декартовых координатах приходится на центр атома, а максимум радиального распределения отвечает воровскому радиусу Это противоречие, однако, легко снимается, если учесть, что произведение с точностью до постоянной равно объему шарового слоя толщины йг и радиуса г Тогда функцию (г) можно трактовать как плотность вероятности обнаружения частицы в таком шаровом слое При удалении точки в декартовом пространстве от центра ядра плотность вероятности обнаружения частицы в кубике дУ=йхЛудг, содержащем эту точку, будет падать по экспоненте, но зато будет возрастать число таких кубиков, расположенных в шаровом слое заданного радиуса В результате суммарная электронная плотность, сосредоточенная во всем шаровом слое, будет минимальной в непосредственной близости от ядра, затем начнет возрастать, достигая максимума при значении г, равном воровскому радиусу, а затем снова начнет падать вплоть до нуля [c.41]

На рис. 10.5-1 показан принцип действия сканирующего туннельного микроскопа. Очень тонкое металлическое острие (например, Pt/Ir или W) укрепляют на блоке пьезоэлектрических датчиков, которые заставляют острие двигаться в направлениях х, у и z. Когда острие приближается к поверхности (приблизительно на расстояние 1 A), под действием небольшой разности потенциалов, приложенной между острием и поверхностью (обычно несколько милливольт), может возникать туннельный ток (обычно несколько наноампер). Поскольку туннельный ток очень сильно зависит от расстояния между острием и поверхностью (экспоненциально), то регистрация тока как функции пространственного положения острия позволяет получить изображение топографии поверхности с высоким субангстремным разрешением. При интерпретации СТМ-изображений следует учитывать, однако, что их контраст определяется электронными плотностями, которые на атомном уровне не обязательно отражают положение атомных ядер. [c.369]

РИС. 4-19. Г. Дифференциальная карта, показывающая изменение электронной плоти остп при связывании гемоглобина с 2,3-дифосфоглицератом (ДФГ) (светлые контуры), наложена на карту, изображенную на рнс. 4-19, В. Области, где электронная плотность увеличивается, обведены сплошными светлыми линиями и обозначены заглавными буквами области, где электронная плотность уменьшается, обведены светлыми пунктирными линиями и обозначены прописными буквами. Молекула ДФГ с усредненной симметрией наложена на карту таким образом, чтобы она совпала с областью максимального увеличения электронной плотности на осп 2-го порядка. Наличие двух пар областей с увеличенной и уменьшенной электронной плотностью, обозначенных через Р1, р1 н Р2, р2, показывает, что прн связывании гемоглобина с ДФГ N-концевые а-амнногруппы и гистидины Н-21 перемещаются внутрь структуры. Сильное уменьшение электронной плотности в области р4 указывает на то, что [c.311]

Исходя из потенциалов разложения в метаноле, вычислены величины потенциалов восстановления тридцати замещенных тетразолиевых катионов [339]. Обработка полученных данных с помощью корреляционных уравнений Гаммета позволила рассчитать электронную плотность на атомах [ЙО]. Первичный процесс расщепления может быть изображен в виде следующей схемы [c.79]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология