Релаксация для кристаллов

Рис. 2.6. Парциальные ПС примеси (1, 3) и полные ПС примесных систем (2, 4) для единичных примесей Ве (а) и Mg (б), замещающих атом бора в к-ВМ без учета (1, 2) и с учетом О, 4 решеточной релаксации кристалла центрально-симметричного типа в — парциальные ПС примеси (1, 3) и полные ПС примесной системы к-ВМ 5] (2, 4) при замещении кремнием узлов N (7, 2) или В (3, 4) подрешеток нитрида бора

Сначала [16] перераспределение ограничивалось атомами первой координационной сферы, т. е. учитывалось отталкивание между дефектом и его ближайшими соседями. В дальнейшем принимались во внимание атомы следующих координационных сфер [17, 18 и общая релаксация кристалла [18], а также использовалось более точное выражение для потенциала отталкивания [19, 37]. [c.313]

Для понимания кинетики реакций в жидкостях существенное значение имеют представления о законах движения молекул в жидкостях, основанные на теории Френкеля. По этой теории молекула жидкости колеблется с некоторой частотой (близкой к частоте колебаний атомов в кристалле) внутри свободного объема, ограниченного соседними молекулами. Такой объем принято теперь называть клеткой . Время от времени, в момент повышения кинетической энергии за счет ее флуктуации, молекула перескакивает в другую клетку. По уравнению Френкеля время пребывания в одной клетке, или время релаксации т, связано с периодом колебания Тц отношением [c.31]

Согласно результатам исследований полосы поглощения 899 см которая обладает высокой дихроичностью и соответствует кристаллической или геликоидальной структуре [43], релаксация напряжения после ударного нагружения высокоориентированного ПП в начальный период 10—70 с быстрого спада происходит при практически постоянной ориентации кристаллов [35]. При больших временах релаксации наступает состояние насыщения , которое сопровождается уменьшением поглощения полосы 899 см , что свидетельствует в пользу уменьшения кристалличности или геликоидальной упорядоченности [35]. [c.237]

Для свободных жидкостей Ti и почти равны и часто имеют величину порядка секунды. В кристаллах и твердых телах Тч может быть очень малой величиной (от 10- до 10- сек), в то время как Т может быть порядка секунд или даже минут. Для жидкостей, заключенных в порах твердых тел, время релаксации значительно короче, чем для свободных жидкостей, причем эта укорочение определяется геометрическими и поверхностными свойствами содержащих эти жидкости твердых тел. Этот факт позволяет по релаксационным характеристикам жидкостей, заключенных в порах, определить физико-химические свойства пористых тел. В частности, применительно к коллекторам нефти и газа возможно определение следующих параметров а) пористости б) нефте- II водонасыщенности в) проницаемости [c.100]

Таким образом, вязкотекучее поведение (вязкоэластическое в полимере) твердой некристаллической системы (т. е. упругой по отношению к соответствующим тестам в исходном состоянии) можно реализовать либо увеличением периода действия силы 0 (или уменьшением частоты напомним, что это верно даже для пластического течения кристаллов), либо уменьшением времени релаксации т, т. е. повышением температуры. [c.96]

Так как органические полимеры являются менее жесткими по сравнению с неорганическими кристаллами или стеклами, для них существенными могут оказаться процессы миграции зарядов. Они состоят в том, что при разогреве облученного полимера часть глубоких ловушек разрушается или начинает мигрировать в его объеме еще до того, когда из них освобождаются захваченные электроны. Миграция ловушек и их разрушение сопровождаются рекомбинацией связанных зарядов в отличие от рекомбинации электрона с дыркой . Миграции ловушек со стабилизированным зарядом становятся все более вероятными по мере размораживания подвижности отдельных звеньев, сегментов и макромолекул как целого. Таким образом, скорость высвечивания образца полимера при некоторой фиксированной температуре будет определяться временем релаксации определенной группы атомов макромолекул. Так как спектр фотолюминесценции полимера, облученного при 77 К, практически не меняется во время его нагревания вплоть до размягчения (или плавления), можно сделать вывод, что его РТЛ происходит за счет рекомбинации зарядов, захваченных в [c.238]

Под термическим старением понимают процессы, приводящие к образованию осадка с небольщим запасом энергии без участия растворителя. Суть их заключается в том, что при термической обработке осадка ставшие мобильными компоненты решетки диффундируют с участков с более высокой энергией на участки с меньшей энергией. Эти процессы в соответствии с небольшой скоростью диффузии в твердых телах и высокой энергией решетки обычно становятся заметными только при относительно высокой температуре, часто соответствующей там-мановской температуре релаксации, которая равна примерно половине абсолютной температуры плавления. Однако и при более низких температурах благодаря насыщенным растворам, которые образуются в виде поверхностной пленки при адсорбции влаги воздуха, могут протекать процессы упорядочения, связанные с уменьшением энергии. Например, термическое старение поверхности бромида серебра происходит уже при комнатной температуре, что вызвано высокой подвижностью ионов, обусловленной дефектами решетки. Кристаллы сульфата свинца медленно упорядочиваются при комнатной температуре, если они находятся в атмосфере с 85%-ной влажностью. Для сульфата бария эффект термического старения наблюдается только при 500°С. [c.208]

Кроме измеряемых частот ЯКР, из которых определяют e gQ и Г], характеристическим параметром этих спектров является также ширина линий Av. Она меняется от 700 Гц (для N) или 1 кГц (для з С1) до 50 кГц (з ЫЬ), что составляет максимум. Ширина линии связана с временами релаксации Т1—спин-решеточной и Гг — спин-спиновой, представляющими во многих случаях специальный интерес. Кроме того, Дv сильно зависит от дефектов и напряжений, а в неидеальных кристаллах и от содержания примесей, так как все это приводит к статистическому разбросу значений градиента поля. [c.97]

Молекулы или структурные элементы любой материальной системы способны к перемещению друг относительно друга в результате теплового движения. Поэтому напряжение, которое создается в теле благодаря его деформации, может уменьшаться, рассасываться в результате ослабления внутренних сил. Такой процесс называется релаксацией, и способность тела к релаксации является важной структурно-механической характеристикой. Мерой ее является период релаксации г — время, в течение которого начальное напряжение уменьшается в е раз. Период релаксации жидкостей очень мал (для воды, например, 3 10" с) и возрастает с увеличением вязкости. Для твердых тел период релаксации велик. Для идеальных кристаллов процесс релаксации протекает бесконечно медленно. Одна и та же система молсет вести себя как жидкость (если длительность воздействия нагрузки i т) и как твердое тело (если t т). Например, лед при быстрых воздействиях ведет себя как хрупкое тело (т для кристаллов льда 13 ООО с), а при длительных — способен течь движение ледников подчиняется закономерностям, характерным для вязких жидкостей. Таким образом, между истинным твердым телом и жидкостью существует непрерывный ряд переходов, обусловленный различными внешними условиями. [c.428]

В кристаллах также должны обнаруживаться явления релаксации как следствие универсального теплового движения. Следует помнить, что тепловое движение существует во всех агрегатных состояниях вещества с интенсивностью, определяемой только величиной абсолютной температуры. Хаотическое тепловое движение всегда различно по характеру в газах оно выражается в беспорядочном поступательном движении молекул, прямолинейном и равномерном между соударениями молекул друг с другом и стенками сосуда, заключающего газ. В жидкостях тепловое движение характеризуется своеобразным беспорядочным ползаньем беспорядочными колебаниями молекул друг около друга с переменой места, вокруг которого эти колебания происходят, после некоторого числа таких колебаний, пропорционального периоду релаксации. [c.174]

Такое тепловое движение приводит к диффузии в твердых телах, хотя коэффициенты диффузии и скорости диффузии, определяющиеся подвижностью или текучестью, гораздо меньше в твердых телах, чем в газах и жидкостях. Соответственно периоды релаксации в твердых телах, т. е. величины вязкости в них, неизмеримо выше, чем в жидкостях той же плотности и того же состава, до тех пор, пока не разрушена структура — кристаллическая решетка. Действительно, известно, что огромные кристаллы, например природные кристаллы кварца, размером в несколько метров, не испытывают заметных остаточных деформаций под действием собственного веса на протяжения геологических периодов, значительно меньших периода их релаксации. [c.175]

Термодинамические условия зарождения фазовой границы. Процессы кристаллизации представляют собой фазовые переходы, сопровождающиеся увеличением степени упорядоченности. Эти процессы подразделяются на 2 типа газ—кристалл, жидкость (стекло)— кристалл. В термодинамическом отношении данные фазовые равновесия описываются однотипно. В предкристаллизационный период в жидкости образуются ассоциаты в пределах ближнего порядка, которые, однако, не могут стать зародышем новой фазы из-за термодинамической нестабильности. Эта нестабильность —следствие их большой поверхностной энергии. Возникающие таким образом гомогенные флуктуации не способны к самостоятельному существованию в расплаве, и время их релаксации зависит от многих факторов вязкости, теплопроводности, теплоемкости и т. п. По мере снижения темпера- [c.56]

Приведенные выше соотношения между макроскопическими характеристиками твердых тел Ж, Рид, Е и ЗЧё/Ут) и величинами е и Ь наиболее приложимы для описания свойств ионных кристаллов, для которых потенциал сил протяжения между отдельными ионами отвечает закону Кулона (п=1). Однако здесь необходимо учитывать, что наряду с притяжением ближайших ионов существует отталкивание одноименно заряженных ионов следующей координационной сферы, снова притяжение в последующей сфере и т. д., т. е. необходимо производить суммирование взаимодействия всех пар ионов (с учетом. их знаков) по обе стороны от будущей поверхности раздела (рис. 1—9). Кроме того, должна быть учтена частичная релаксация в приповерхностном слое при разделении кристалла на части. Указанное суммирование энергий взаимодействия различных ионов дает в итоге численный коэффициент порядка единицы небольшое отличие результата от расчета по упрощенной схеме связано со знакочередующимся характером взаимодействий, когда взаимодействия удаленных ионов примерно компенсируют друг друга и основной вклад в работу когезии и поверхностную энергию дают ближайшие соседи. [c.25]

Характерная особенность кристаллизационных дисперсных структур — развитие в процессе их формирования внутренних напряжений, которые являются результатом давления, возникающего при направленном росте кристаллов, связанных друг с другом в жесткую пространственную сетку. По данным С. И. Конторович, Л. М. Рыбаковой с сотр., значения напряжений, рассчитанные по уширению рентгеновских линий, могут составлять 10 Н/м и более. Если напряжения, развивающиеся в ходе формирования структуры, достигают ее прочности, то кристаллизация в процессе гидратации исходного вяжущего вещесгва приводит к разрушению структуры по отдельным наиболее слабым участкам. Такое разрушающее действие внутренних напряжений может обнаруживаться в снижении прочности структуры по мере протекания гидратации. Если внутренние напряжения ниже прочности структуры, то явного разрушений, сопровождающегося ] релаксацией, не происходит, они сохраняются в материале в виде упругой деформации кристаллов и связанной с ней избыточной энергией [15]. [c.384]

В кристаллах также обнаруживаются явления релаксации как следствие универсального теплового движения. Такими местами являются узлы правильной кристаллической решетки. Тепловая дефектность кристалла усиливается с повышением температуры до точки плавления, при которой энергия теплового движения оказывается достаточной, чтобы разрушить кристаллическую решетку. [c.9]

Помимо частоты (рис. 31.10) характеристическими параметрами спектров ЯКР являются ширина линии Дv и времена спин-спиновой и спин-решеточной релаксации. Ширина линии ЯКР определяется, как правило, беспорядочным статистическим разбросом значений градиента из-за дефектов или напряжений, возникающих в неидеальных кристаллах, содержащих примеси. Температура заметно влияет на частоту, ширину и интенсивность линий ЯКР. Поэтому измерение частот ЯКР для химических исследований обычно [c.743]

Расчет времени релаксации [2] при достаточно высоких температурах для некоторых кристаллов в случае стандартной зоны дает т— [c.250]

Рассеяние носителей заряда происходит и на других нарушениях решетки, например на дислокациях. Дислокацию в полупроводнике электронного типа можно уподобить линейному отрицательному заряду в виде бесконечно длинного цилиндра радиуса Я, вокруг которого имеется положительный пространственный заряд. Расчет показывает [Ю], что при рассеянии носителей заряда на дислокациях время релаксации не зависит от температуры кристалла, а определяется плотностью дислокаций Мо и скоростью ь рассеиваемого заряда, согласно выражению [c.251]

Естественно, что вклад различных механизмов рассеяния в суммарное времй релаксации зависит от температуры кристалла. По мере изменения энергии носителей заряда роль одних механизмов рассеяния уменьшается, а других возрастает. Поэтому характер движения носителей заряда под действием внешнего поля зависит от того, какой из механизмов рассеяния является преобладающим в данном интервале температур. При очень низких температурах в выражении (391) можно учитывать только рассеяние на нейтральной примеси, точечных дефектах и дислокациях. С повышением температуры роль этих механизмов уменьшается по сравнению с рассеянием на ионах примеси. При высоких температурах доминирующим становится рассеяние на фононах. Поэтому можно считать, что подвижность носителей в зависимости от температуры, согласно формулам (446) и (448), будет определяться соотношением вида [c.251]

К первому классу относятся поверхности большинства металлических кристаллов. Ко второму классу принадлежат поверхности полупроводников, диэлектриков и некоторых металлов (золото, иридий, платина). При этом поверхностная структура многих полупроводников может изменяться при изменении температуры. Например, кремний в процессе нагрева дважды изменяет поверхностную структуру — при 700 и 800° С. Такое поведение поверхности может быть объяснено релаксацией атомов у поверхности в направлении, перпендикулярном к плоскости поверхности [6] у некоторых металлов поверхностная релаксация атомов может привести к фазовому превращению в поверхностном слое. Например, на грани (100) золота, иридия, платины в поверхностном слое происходит превращение г. ц. к. в г. п. у. [c.446]

Это обусловлено релаксацией кристалла вокруг вакансии, в результате которой атомы смещаются по направлению от вакансии . Для кристаллов с дефектами по Френкелю следует ожидать, что изменения объема будут гораздо меньшими. Без релаксации величина Аг> равнялась бы нулю, а с релаксацией возможен небольшой положительный эффект. Курник [51] наблюдал изменение объема, характерное для обоих типов дефектов в бромистом серебре. При средних температурах и мольном объеме 29сл оно составляло Ат — 16сж х хмоль" , т. е. Аг /г = 0,55, что указывает на разупорядочение по Френкелю. Расчет ожидаемого изменения объема (методами, аналогичными тем, которые использовались при оценке энергий образования дефектов [16—19]) дает для увеличения объема, связанного с вакансиями серебра, величину 10 сж , а для избыточного объема, обусловленного ионами в междоузлиях,—6 см . Курник нашел, что для дефектов, которые могут наблюдаться при высокой температуре, Ао = 38 —48 см -моль или Aviv = 1,3 — 1,65. Если отнести избыточный объем 10 см к ионам серебра и брома, то для дефектов по Шоттки получаем Av == 29 + 20 = 49 см что приблизительно и наблюдается на опыте. Поэтому высокотемпературное равновесие дефектов было отождествлено с разупорядочением по Шоттки с константой равновесия [c.322]

Обобщенная двухступенчатая модель релаксации анизотроп-но-упорядоченной воды успешно использована для интерпретации релаксационных данных на ядрах и О в растворах полимеров и биополимеров [39, 605]. В [603] релаксационные данные на ядрах Н, Ш и Ю анизотропно-упорядоченной воды в упорядоченных бислоях лиотропного жидкого кристалла интерпретируются с помощью другой теории, основанной на модели аксиального анизотропного вращения. Данная теория, первоначальный вариант которой был предложен Д. Восснером [606], позволяет объяснить наличие второго минимума на кривой зависимости Ti x ) для протонов (см. рис. 14.2). Однако, как отмечено в [591], попытка использовать только этот механизм для интерпретации данных по протонной релаксации наталкивается на серьезные затруднения. [c.237]

Системы с пониженной размерностью. Обычные теории межмолекулярного вклада в протонную магнитную релаксацию, предложенные для трехмерных систем, не применимы для систем с пониженной размерностью, например для одномерных (Ш) или двумерных (2D) систем. Вместе с тем при исследовании структуры воды в гидрофильных объектах системы такого типа встречаются довольно часто например, вода, адсорбированная на плоской подложке, вода между плоскими пластинками слоистых силикатов или вода в плоских бислоях лиотропных жидких кристаллов — все это характерные примеры 2D-систем. Обзор теорий магнитной релаксации для систем с пониженной размерностью дан в работе [607]. Интересной особенностью неограниченных систем с пониженной размерностью является то, что для них функция спектральной плотности при малых частотах расходится и I (со- 0)->оо. Для ограниченных систем (когда величина d на рис. 14.1 конечна) расходимости при малых частотах нет, но для таких систем на кривой зависимости T i(t ) наблюдаются два минимума, соответствующие условиям (uqT 1 и (ooTiat l, где -Tiat ii /(4D, ). Детальное обсуждение экспериментальных результатов по ЯМР релаксации в ограниченных двумерных системах приведено в работе [608]. [c.237]

В докавитационном поле движение единичного кристалла зависит от соотношения между инерционными и вязкими силами. Если пренебречь изменением массы за время, сравниваемое с периодом колебаний, то аналогично механике аэрозолей [П] можно ввести время релаксации [c.149]

В. И. Касаточкина, который рассматривает графитацию как гомогенный процесс. Положения о фазовых состояниях гомогенной системы были развиты В. А. Каргиным и Г. Л. Слонимским [96] по отношению к полимерам. Под фазой они понимают гомогенную систему, находящуюся в термодинамическом равновесии. Гомогенная система, в которой нет поверхностей раздела между ее частями, может быть химически неоднородной. Понятие фаза не отождествляется с понятием агрегатное состояние . Так, твердые стеклообразные тела термодинамически являются жидкими фазами к твердым фазам относятся только кристаллические тела. Гомогенность понимается без учета неоднородностей, обусловленных молекулярным строением тела, и аморфный полимер считается гомогенным телом, а микрокристаллический полимер, в котором имеются неупорядоченные области, — гетерогенным. При этом авторы утверждают, что внутренние напряжения в полимере отражаются на форме кристаллов и ограничивают их рост. Пластинчатые и игольчатые формы вызывают меньше напряжений и потому быстрее растут. Развивающаяся кристаллизация приводит к минимуму внутренних напряжений и к наилучшим условиям для их релаксации, т. е. к уменьшению внутренней энергии. [c.203]

Позднее эта точка зрения была распространена и на металлы, которые не образуют интерметаллидных соединений, но для которых характерно изменение фаз йли образование сегрегаций легирующих элементов или примесей в вершине трещины в ходе пластической деформации вследствие градиента состава здесь образуются гальванические элементы. Варианты этой теории содержат предположение, что трещины образуются механически и что электрохимическое растворение необходимо только для периодического сдвига барьеров при росте трещины [25]. Но хрупкое разрушение пластичного металла вряд ли возможно в вершине трещины. Кроме того, было показано, что удаление раствора Fe la из трещины, образованной в напряженном монокристалле uaAu, сопровождается релаксацией напряжений в кристалле и —. .в результате —немедленным прекращением растрескивания, сменяющимся пластической деформацией [26]. Аналогичным образом, трещина, распространяющаяся в напряженной нержавеющей стали 18-8, погруженной в кипящий раствор Mg lj, останавли- [c.138]

С другой стороны, в любой реальной системе ядра всегда взаимодействуют с атомами и молекулами. Это взаимодействие приводит к постепенному переходу энергии спиновой системы в тепловое движение атомов и молекул, т. е. при выключении поля Н в системе магнитных моментов устанавливается тепловое равновесие, соответствующее температуре тела. Этот процесс называется спин-рвшвточной релаксацией. Данное название обусловлено тем, что в твердом теле (кристалле) тепловое движение представляет собой колебания кристаллической решетки, однако оно используется для всех случаев установления теплового равновесия между спиновой системой и остальными степенями свободы тела. [c.213]

Гетерогенность структуры полимеров и ее энергетических характеристик на всех уровнях и термофлуктуационный статистический характер освобождения тех или иных степеней свободы молекулярного движения приводят к появлению большого числа вторичных областей релаксации, которые являются размытыми, т. е. имеют место не точки, а области переходов. Плавление кристаллов происходит в результате двух факторов энергетического (преодоление сил межмолекулярного взаимодействия) и энтропийного (повышение гибкости полимерных цепей). Поэтому в зависимости от сил межмолекулярного взаимодействия и жесткости молекулярных цепей может существенно изменяться. Так как 7 с и Тпл определяются уровнем подвижности молекулярных цепей, между ними существует связь следующего вида 0,5 7 пл< к 7 с<0,87 пл- В соотношении 7 пл = onst-7 с Для симметричных полимеров onst = 0,5, а для несимметричных (в которых атом главной цепи не содержит двух одинаковых заместителей) onst = = 0,66. [c.274]

В спектрах ЭЛДОР могут наблюдаться также линии, соответствующие накачке запрещенных переходов Wx, Х х ), из которых может быть получена информация как о константах СТВ, так и о средних частотах ЯМР. Вообще методы ЭЛДОР и ДЭЯР являются взаимно дополняющими, причем первый более информативен в случае систем с сильными, а ДЭЯР —со слабыми сверхтонкими взаимодействиями. Преимущества методов двойного резонанса перед обычной спектроскопией ЭПР в достижении не только более высокого спектрального, но и временного разрешения. Этими методами плодотворно исследуются различные релаксационные процессы. Методом ЭЛДОР, например, можно наблюдать более медленные, чем в спектроскопии ЭПР, процессы, время протекания которых сравнимо с временем электронной спиновой релаксации Т е. Методами спектроскопии двойного резонанса достигается также высокое пространственное разрешение при необходимости изучения рассредоточенных парамагнитных центров в образце. Именно методом ДЭЯР, например, изучались / -центры в кристаллах галогенидов металлов и устанавливалась протяженность размытия плотности захваченного анионной вакансией электрона. [c.82]

Периоды релаксации напряжения низковязких жидкостей весьма малы вследствие большой аодвижностн их молекул. С увеличением вязкости периоды релаксации жидкостей возрастают и приближаются к периодам релаксации напряжения твердых тел. Для кристаллов процесс релаксации протекает бесконечно медленно. Ниже в качестве примера приведены значения периода релаксации напряжения х (в с) некоторых веществ [c.332]

Важная особенность прочности реальных твердых тел состоит в том, что она зависит от времени действия нагрузки, в ряде случаев резко падая с убеличением времени. Эта кинетическая особенность не связана с релаксацией напряжений. Независимо от величины периода релаксации, например в упругохрупких стеклах или кристаллах, падение прочности во время пребывания тела под напряжением связано с вероятностью развития опасных дефектов в трещине разрыва. [c.182]

При помощи детальных электронно-микроскопических исследований проанализированы взаимосвязи между микрокристаллами основных фаз в процессе восприятия внешней нагрузки гидратированным цементом и показано, что возникновение межфазных микротрещин, сливающихся в магистральные трещины разрушения, обусловлено различием симметрии кристаллов и сростков. Микротрещины зарождаются на границах микрообластей с пониженными категориями симметрии, вблизи зон параллельных сдвигов портландита и гидроалюминатов кальция. Силикатные и алюминатные гидрогели, представляющие собой субмикроскопические матрицы в затвердевших цементах, обеспечивают релаксацию микронапряжений, возникающих в цементном камне, противостоят развитию микротрещин благодаря армированию гелей кристаллическими / ростками из игольчатых волокон гидросиликатов кальция и эттрингита. [c.381]

Мы видели, что комплекс релаксационных свойств полимера проявляется н характере кристаллических структур. В частности, в зависимости от наличия больших времен релаксации (перемещение макромолекул) или малых времен (движение сегментов) возникают две принципиально различные кристаллические формы кристаллы с выпрямленными цепями и кристаллы со сложе) ными цепями Однако особенно ярко релаксационные свойства полимеров проявляются в рассматриваемых ниже кинетических особенностях кристаллизации. [c.178]

Когда система поглощает излучение резонансной частоты, она оказывается в возбужденном состоянии затем, испуская излучение той же частоты, она переходит в невозбуж-.денное состояние. Если число поглощений и испусканий излучения одинаково, поглощение незаметно. Для наблюдения поглощения необходимо, чтобы по крайней мере часть молекул переходила из возбужденного состояния в невозбужденное неоптическим путем (отдавая свою энергию не излучению), При этом в молекуле или кристалле энергия может, передаваться колебаниям ядер — это так называемая спин-решеточная релаксация. Сложность явления ЭПР состоит в ТОМ, что поглощаемое резонансное излучение имеет магнит-. [c.104]

Основные виды адсорбции по энергетике взаимодействия были уже рассмотрены выше (гл. 5), но адсорбент-катализатор нас интересовал лишь с точки зрения снижения энергии активации реакций, идущих в газовой среде. Здесь мы рассмотрим механизм адсорбции на границе раздела фаз. Значительная неуравновешенность частиц, образующих поверхность раздела, создает свободную энергию поверхности, которая распределена неравномерно, особенно на границе раздела газ (или жидкий раствор) —твердое тело, так как граница раздела со стороны газа или жидкой фазы в силу своей подвижности в большей степени подвержена релаксаци.ч. На границе раздела твердой фазы наряду с участками высокой активности наблюдаются участки малой активности. Так, например, наиболее активные участки металлических поверхностей — скопления вакансий, выходы краевых или винтовых дислокаций, наличие примесных атомов и ступеней, образующихся на кристаллической поверхности (см. гл. 4). Нарушения кристаллической структуры особенно характерны для тонкораздробленных кристаллов, обладающих высокой активностью. Такого типа кристаллы и используются в качестве катализатора после осаждения их на какой-нибудь инертной подложке. Образование на поверхности кристаллов центров различен активости схематически показано на рис. 117. [c.216]

Формулы для проводимостей (382) и (388а) имеют полуфеноме-нологический характер. Взаимодействие электронов, приводящее к конечной величине проводимостей, спрятано во времени релаксации т (или в длине свободного пробега I = хь). Хотя до настоящего времени задачу вычисления времени релаксации нельзя считать полностью решенной, совершенно очевидно, что основные механизмы релаксации нам известны. Можно утверждать, что релаксация / к равновесному распределению /о обусловлена столкновениями электронов с фононами, столкновениями электронов друг с другом и столкновениями электронов со статическими дефектами кристаллической решетки. Первые два механизма имеют место в идеальном кристалле и обусловливают так называемое идеальное сопротивление (ро = 1/Оо), которое обращается в нуль при абсолютном нуле температуры. Третий механизм характерен для дефектных кристаллов и является причиной остаточного сопротивления Рост, т. е. определяет значение сопротивления металла при абсолютном нуле температуры. [c.225]

Рекомбинационная люминесценция. Как мы видели выше, при собственном поглощении света образуются свободные носители (электрон и дырка), претерпевающие рассеяние, которое в течение времени релаксации заставляет электрон опуститься на дно зоны проводимости, а дырку подняться к потолку валентной зоны. Такое равновесное состояние между свободными носителями и кристаллической решеткой устанавливается за время порядка 10 — 10 с [101. Прямая рекомбинация (переход зона—зона) электрона и дырки с излучением фотона (рис. 80, г, переход 1) наиболее вероятна, если после процесса релаксации волновые векторы электрона и дырки одинаковы (/г = кр). В частности, такой случай реализуется, когда валентная зона и зона проводимости очень чистого, совершенного кристалла (например, 1п8Ь) имеют собст- [c.433]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология