Напряжение сканирующее

Для устранения указанных недостатков применяют различные способы, в частности, используют детекторы на основе электродных матриц, вольтамперометрию с быстрым изменением потенциала электрода, импульсные и переменнотоковые варианты и др. По временной зависимости приложенного напряжения детекторы подразделяются на амперометрические (при постоянном потенциале), импульсные амперометрические (значения потенциала изменяются скачкообразно) и сканирующие амперометрические (потенциал электрода уменьшается или возрастает). [c.568]

Измерения зависимости туннельного тока от напряжения смещения (11/(111) для каждой позиции острия напротив поверхности при постоянном расстоянии от нее дает в результате пространственное распределение плотности состояний. Поскольку вариацией напряжения смещения можно сделать доступными различные электронные состояния, то такой режим является методом электронной спектроскопии с высоким пространственным разрешением (часто называемым сканирующая туннельная спектроскопия, СТС). [c.372]

В предыдущем описании предполагалось, что нам удалось каким-то образом добиться равенства частоты прецессии юо и частоты со, с которой вращается возбуждающее поле Н1. Это было бы воз-, можным, если бы мы располагали независимыми методами установки частот со и соо. Что касается радиочастоты со, то здесь особых проблем нет, поскольку существуют довольно точные методы гене рации частот радиодиапазона. Значительно сложнее дело обстоит с установкой частоты прецессии вектора М. Для того чтобы задать определенные значения соо, необходимо знать величину напряженности поля Яо и значение гиромагнитной постоянной у. Обе эти величины можно определить с довольно невысокой точностью. Фактически поступают следующим образом эффект резонансного поглощения (т. е. совпадения частот со и соо) ищут, медленно сканируя предполагаемую резонансную область. Поиск резонанса можно проводить с помощью двух способов изменяя частоту возбуждающего поля при постоянном поле Яо (частотная развертка) или изменяя величину напряженности магнитного поля Яо при постоянном значении частоты возбуждающего поля (полевая раз--вертка). [c.21]

В ячейке создается известная разность электрических потенциалов. Лазерный луч сканирует поверхность пластины. Параметры ультразвуковой волны пропорциональны энергии лазерного излучения. Осциллограф измеряет плотность объемного электрического заряда и напряженность электрического поля. В качестве примера на рис. 7.83 показано измеренное УЗ пространственное распределение плотности электрического заряда в пластине из фторопласта. [c.826]

На рис. 11.86 приведена схема простейшей установки ЭПР. Электромагнитные колебания от генератора (клистрон) поступают в резонатор (поглощающую ячейку). Резонатор и помещенное в него исследуемое вещество находятся в постоянном магнитном поле, создаваемом магнитом. Напряженность магнитного поля сканируется. При достижении резонанса исследуемое вещество поглощает энергию, количество которой детектируется, усиливается и поступает на регистрирующее устройство. [c.345]

Цифровые рентгеновские системы содержат рентгеновскую трубку на определенное номинальное анодное напряжение с фокусным пятном определенного размера, перпендикулярно к оси рабочего пучка которой размещена линейка детекторов, размеры которой согласованы с размерами фокусного пятна рентгеновской трубки. Подвижный объект контроля в таких системах сканируется веерным пучком излучения. Рентгеновскую трубку и линейную матрицу детекторов для большего удобства можно выполнить также подвижными. [c.99]

При снимке размером 300 мм нерезкость при оцифровке составит 0,3 мм, что намного выше, чем нерезкость радиографического снимка, полученного при использовании источников напряжением 100. .. 200 кВ и металлических усиливающих экранов. Если пленка сканируется с использованием линейной матрицы детекторов, то потери при оцифровке будут значительно уменьшены. Могут быть оцифрованы пленки в диапазоне плотностей почернения 1. .. 4,8. Контрастность у мелкозернистых пленок при плотности около 4,5 на 90 % выше, чем контрастность при плотности 2. Чувствительность радиационного контроля при этих условиях может быть увеличена в такой же пропорции. [c.102]

Для контроля плоских деталей типа листов, а также изделий, имеющих малую кривизну поверхности, разработан дефектоскоп с накладными ВТП, вращающимися в плоскости, параллельной контролируемой поверхности. Дефектоскоп предназначен для выявления поверхностных дефектов в ферро- и неферромагнитных материалах. Подбирая фазу опорного напряжения фазового детектора, добиваются ослабления влияния кривизны поверхности изделия. Автоматическое регулирование усиления позволяет вести контроль при увеличении зазора от О до 1 мм. Световой сигнализатор вынесен в сканирующую головку. [c.414]

Подавляющее больщинство выпускаемых переносных виброанализаторов составляют сборщики данных. В сборщиках данных пьезодатчик соединяется со входным согласующим усилителем заряда (напряжения) или имеет собственный предусилитель, питание которого осуществляется от сборщика данных. Входной усилитель с переменным коэффициентом усиления должен обеспечивать подключение внешних источников сигналов не только со стандартными (контрольными) выходами. В этом случае обеспечивается подключение сборщика данных к контрольно-сигнальной аппаратуре, термометрам, толщиномерам и др. и непосредственно к некоторым типам не вибрационных датчиков, например таким, как токовый пробник, микрофон, стробоскоп или штрих-сканер. Обычно сборщик данных автоматически сканирует входной сигнал и устанавливает пределы измерений для максимизации разрешающей способности динамического АЦП (16 бит, 90 дБ). [c.611]

В связи с небольшим объемом книги в ней не излагаются методы аппроксимации релаксационных зависимостей, а также методы расчета параметров релаксационных процессов, за исключением случаев, когда эти методы носят общий характер. Особое внимание уделено сканирующим методам измерения релаксационных и прочностных свойств пластмасс, причем сканирование может осуществляться как по температуре, так и по напряжениям, что позволяет достаточно быстро и в полном объеме оценить механическую работоспособность этих материалов. [c.9]

СКАНИРУЮЩИЕ МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ РЕЛАКСАЦИИ НАПРЯЖЕНИЯ [c.40]

Для полной характеристики релаксационного поведения полимерного материала необходимо провести многочисленные эксперименты по определению кривых релаксации напряжения в широком интервале температур и деформаций. Задача существенно упрощается при оценке механической работоспособности полимеров сканирующими методами, т. е. при проведении эксперимента в условиях непрерывно возрастающей температуры. Этот метод разработан [1] для линейного роста температуры во времени. В результате такого эксперимента охватывается широкий интервал температур, а полученные результаты позволяют количественно оценить механическую работоспособность полимеров во всем этом интервале. При этом под механической работоспособностью подразумевается способность твердого полимера (пластмассы) не разрушаться и размягчаться во всем возможном для него интервале температур, напряжений и деформаций. Подробно эти вопросы изложены в работе [2, с. 403—442]. [c.40]

Для оценки параметров температурно-временной зависимости прочности [см., например, уравнение (1У.47)] можно использовать ряд сканирующих методов, изменяя во времени лишь один из факторов (напряжение или температуру). [c.84]

Большое значение приобретают работы по изучению границы раздела стеклянное волокно — связующее и визуализации явлений на межфазной поверхности [55—58]. Перспективно для этих исследований применение электронного микроскопа, особенно сканирующего [58]. Несомненный интерес имеют работы, связанные с изучением внутренних напряжений в стеклопластиках (см. гл. IV), влиянием аппретов па релаксацию напряжений [88 89, с. 18]. Однако следует признать, что наиболее важными факторами, определяющими надежность, долговечность и прочностные свойства стеклопластиков, являются адгезионная прочность на поверхности раздела стекло — связующее и способность компонентов композиции к химическому взаимодействию. У подавляющего большинства исследователей это не вызывает сомнений [11, 14, 15, 17, 59, 60, 70, 93, 94]. Но даже теперь, когда созданы веще- [c.334]

Хотя чувствительность метода ЯМР повышается с ростом напряженности магнитного поля (теоретически пропорционально Яо), при исследовании разбавленных растворов или компонентов, содержащихся в смесях в незначительных количествах, отношение сигнал/шум может оказаться недостаточным даже в поле сверхпроводящего соленоида. В особенности это относится к спектрам биополимеров, например, белков, когда приходится наблюдать сигнал одного протона при общем числе протонов в молекуле порядка 1000 и более. Для успешного наблюдения спектров таких систем, а также спектров ядер, дающих слабые сигналы (как, например, С), требуется искусственно повысить отношение сигнал/шум с тем, чтобы довести чувствительность до приемлемого уровня. В принципе отношение сигнал/шум в любом спектре можно улучшить, увеличив время наблюдения спектра 1. При этом случайный шум накапливается пропорционально в то время как когерентный сигнал — пропорционально I. Таким образом, можно повысить чувствительность, например, сканируя спектр в течение нескольких часов вместо обычных нескольких минут. Однако этот метод имеет серьезные недостатки, обусловленные неэффективным усреднением низкочастотных компонент щума, дрейфом усиления и прочими источниками нестабильности, вследствие чего он находит лишь ограниченное применение. [c.61]

В простом спектрометре источником служит генератор на клистрон-ной радиолампе, длину волны испускаемого излучения изменяют, варьируя напряжение, приложенное к лампе. Монохроматическое излучение направляют на кювету с образцом при помощи волновода. Кювета с поглощающим веществом может быть просто продолжением волновода, снабженным слюдяными окошками, вводом для образца и системой откачки. После прохождения через кювету с образцом излучение попадает на кристаллический детектор. Сигнал на выходе детектора усиливается и регистрируется осциллографом. Изменяя напряжение, приложенное к клистрону, можно сканировать некоторый диапазон частот. Частоту падающего излучения определяют с помощью специальных приборов. Большинство приборов чувствительны к частотам вплоть до [c.163]

Проанализируем формы напряжений на выходе преобразователя механической развертки в зависимости от типа сканирующей системы (рис. 5.8). Развертывающие напряжения сканирующих устройств для тел вращения (рис. 5.8, б) сходны с телевизионной разверткой, и результаты контроля могут без дополнительных операций воспроизводиться на экране ВКУ системы отображения. Форма развертывающего напряжения плоскопараллельного сканирования (рис. 5.8, а) не соответствует форме напряжения телевизионной развертки. В случае механической развертки информация передается во время прямого и обратного хода, а в случае телевизионной— только во время прямого хода развертывающего напряжения. Следовательно, при воспроизведении результатов контроля произойдет переворот четных строк изображения, что приведет к полному искажению отображаемой информации. Это является специфическим для систем ТНРК. Методы устранения этого явления будут рассмотрены ниже. [c.242]

Объект выходной трубопровод пылеуловителя. Первоначально этот участок был не напряжен. В исходном состоянии на площадки с наибольшими значениями напряжений, рассчитанными программой OSMOS/M, были наклеены тензодатчики, а затем трубу деформировали при помощи натяжного устройства (натяжение вниз на 10 мм). При этом расхождение между рассчитанными и измеренными при помощи тензометров осевыми напряжениями на контрольных площадках различалось не более чем на +4...-3 %. Ни один из представленных приборов не дал близких к контрольным значениям результатов - погрешности измерений превышали 30 %. В двух из указанных прибором ИКН-1М-4 (магнитная память металла) трех концентраторов напряжений сканирующим прибором Ситон-4 в неповерхностном слое металла обнаружены аномалии напряжений, не зарегистрированные другими приборами. По результатам ультразвуковой дефектоскопии наличие дефектов и неоднородностей металла в этих зонах не подтверждено. [c.58]

Третий вариант объяснения данных, полученных при ступенчатых деформационных испытаниях, предложили Крист и Петерлин [9]. Они предположили для любого из упомянутых выше экспериментов существование неравномерного распределения деформаций вследствие различия длин нескольких тысяч одновременно напряженных волокон. Эффект неравных длин волокон, несомненно, расширяет имеющиеся распределения относительных длин цепей. Но преждевременные разрушения отдельных волокон и образование поверхностей их разрушения нельзя объяснить числом образовавшихся свободных радикалов. Чтобы в дальнейшем выяснить этот вопрос, Хассель и Деври исследовали свободные радикалы, образованные при деформировании ленты материала найлон-66 с высокоориентированными волокнами [10]. Они получили аналогичные гистограммы, которые оказались даже более широкими по сравнению с пучками волокна найлона-66. На микрофотографии поверхности разрушения ленточного материала, полученной с помощью сканирующего электронного микроскопа, показано, что в ленте, как и в нити, дефекты образуются по всему объему напряженного образца (рис. 7.8 и 7.9). Полученная поверхность разрушения проходит вдоль направления наименьшего сопротивления через ранее образовавшиеся дефектные зоны. Лишь при приближении к значению разрушающей деформации становится заметным различие между деформированием одиночного волокна и пучка волокон. Статистическое объяснение данного факта приведено в гл. 3. [c.196]

Для контроля плоских деталей типа листов, а также изделий, имеющих малую кривизну поверхности, применяются дефектоскопы с накладными ВТП, вращающимися в плоскости, параллельной контролируемой поверхности. Подбирая фазу опорного напряжения фазового детектора, добиваются ослабления влияния кривизны поверхности изделия. Автоматическое регулирование усиления позволяет вести контроль при увеличении зазора от О до 1 мм. Световой сигнализатор вьшесен в сканирующую головку. Сканирующие дефектоскопы, имеющие сравнительно большой диаметр головки, трудно применять для контроля объектов сложной конфигурации. В этих случаях обычно используют переносные и малогабаритные дефектоскопы с неболышгм диаметром ВТП, работающие в статическом ручном режиме. [c.175]

И-500 (Япония). Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,14 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам имеет увсличе 1ие от 100 до 800 000 раз, работает при ускоряющем напряжении до 125 кВ. У микроскопа имеются приставки для охлаждения и нагревания до 800°С. Вместе с приставкой HSE-2 микроскоп мокнет работать и как сканирующий, при этом достигается разрешение в режиме растрового просвечивания 3 нм и режиме вторичной электронной эмиссии 7 нм. При использовании микроскопа совместно с многими рентгеновскими спектрометрами можно проводить микроанализ. [c.147]

JEM-IOO (Япония). Просвечивающий электронный микроскоп обеспечивает предельное разрешение 0,14 нм при изображении плоскости кристаллической решетки и 0,3 нм по точкам работает при ускоряющем напряжении до 100 кВ. Дает возможность получать микродифракцию с участка размером до 20 нм. Вместе с приставкой ASID-4D может работать и как сканирующий, при этом достигается более высокое разрешение, чем у предыдущего микроскопа в растрово-просвечивающем режиме 0,15 нм и в режиме вторичной электронной эмиссии 3 нм. [c.147]

HFS-2 (Япония). Растровый электронный микроскоп работает при ускоряющих напряжениях до 25 кВ,. при этом достигаются следующие предельные разрешения и максимальные увеличения в растрово-просвечивающем режиме 3 нм и 500 000 раз в режиме вторичной электронной эмиссии 3 нм и 250 000 раз. Сканирующий электронный микроскоп используется вместе с рентгеновским микроанзлизатором и имеет предельное разрешение 7 нм и максимальное увеличение 200 ООО раз. [c.154]

Одной из таких установок, созданной НИИхиммашем, является установка УКСА-1, предназначенная для автоматического ультразвукового контроля сварных соединений хмической аппаратуры из углеродистых и низколегированных сталей. Установка (рис. 152) состоит из следующих основных частей сканирующего устройства 1, в которое входят ультразвуковые головки, корректирующий механизм, светоуказатель и два дефектоотметчика с бачком для краски, пульта управления 2, самоходной платформы 4 со стрелой для установки сканирующего устройства на изделие под необходимым углом и на требуемой высоте и перемещения его вдоль сварного шва, блока испытательных образцов 5, предназначенного для настройки чувствительности дефектоскопа, электрического шкафа 3, обеспечивающего электропитанием пульт управления и все токоприемники установки требуемым напряжением, бака для воды. [c.216]

В туннельном сканирующем микроскопе система пьезокристаллов, управляемая компьютером, обеспечивает трехкоординатное перемещение металлич. зонда на расст оянии порядка 0,1 нм от исследуемой пов-сти. Между ней и зондом прикладывают напряжение ок. 1 В и регистрируют возникающий туннельный ток. Компьютер управляет вертикальньтм перемещением зонда так, чтобы ток поддерживался на заданном постоянном уровне, и горизонтальными перемещениями по осям jt и у (сканированием). Воспроизводимое на дисплее семейство кривых, отвечающих перемещениям зонда, является изображением эквипотенциальной пов-сти, поэтому атомы изображаются полусферами разл. радиусов. Достоинства метода сверхвысокое разрешение (атомного порядка, 10 нм) возможность размещать образец не в вакууме (как в электронных микроскопах), а в обычной воздушной среде при атм. давлении, в атмосфере инертного газа и даже в жидкости, что особенно важно для измения гелеобразных и макромол. структур (белков, ДНК, РНК, вирусов) в нативном состоянии. [c.17]

В вольтамперографах источник поляризующего напряжения вырабатывает, во-первых, регулируемое постоянное напряжение, соответствующее начальному значению электродного потенциала (при потенциостатическом режиме измерения), и, во-вторых, сканирующее напряжение (напряжение развертки), изменяющееся во [c.321]

Численные оценки и сравнение с экспериментальными данными. Приведенные выражения позволяют оценить такие важные параметры наноструктурных материалов, как уровень упругих искажений и напряжений, избыточную энергию и избыточный объем, связанные с присутствием неравновесных дефектов и сравнить их с экспериментальными данными, полученными при использовании рентгеноструктурного анализа, дифференциальной сканирующей калометрии и дилатометрии (см. 1.2). [c.110]

Масс-спектр можно сканировать, изменяя магнитное поле В или ускоряющее напряжение V. При сканировании уско-ряюи его напряжения возможна очень быстрая развертка, но тем не менее сканирование напряжения используется редко из-за ограниченного диапазона т/г, который можно анализи- [c.178]

Когда необходимо регистрировать только один или два пи ка, электронные блоки устройств для peak mat hing могут быть модифицированы так, чтобы осуществлять селективное ионное детектирование обоих пиков путем последовательного переключения ускоряющего напряжения между вершинами этих пиков В существующих коммерческих масс спектрометрах высокого разрешения это осуществляется разъединением скани рующих катушек этих устройств [112] Можно производить н сканирование внутри узкого интервала масс, но чувствительность при этом понижается по сравнению с селективным ионным детектированием Преимуществом последнего метода, правда, является то, что информация о профиле пика получается в процессе всего эксперимента Например, при анализе афлатоксинов производилось сканирование в пределах 0,3 а е м для каждого пика при разрешении 7000 Управление источниками питания ускоряющего напряжения и потенциала электрического сектора с помощью ЭВМ обеспечивает дополни тельные выгоды по сравнению с чисто схемным решением число каналов масс может быть увеличено и может меняться в про цессе анализа доля времени регистрации каждого иона также может меняться в зависимости от ожидаемой интенсивности соответствующих пиков, система при соответствующем программировании может сканировать небольшой участок масс обесиечи вая информацию о профиле пика, которая может использоваться как для оценки степени наложения со стороны изобарных ионов, так и для осуществления периодической регулировки ускоряющего напряжения для компенсации дрейфа [c.63]

Второй, радикальный, способ повышения быстродействия рентгеновских компьютерных томофафов основан на использовании магнитного отклонения электронного пучка вместо механического перемещения. На основе рентгеновской трубки со сканирующим электронным пучком в 1982 г. в США разработан кардиодиаг-ностический компьютерный томофаф 1тай-оп . В состав его входят трубка с электронным сканированием неподвижная матрица детекторов система регистрации данных, реконструкции и визуального представления изображения. Трубка состоит из электронной пушки и ускорителя, формирующего пучок с током 1000 мА при напряжении 120 кВ. Этот пучок фокусируется и отклоняется на угол от 33 до 37° посредством вращения системы скрещенных магнитных полей. Анод представляет собой вольфрамовое кольцо. Электронный пучок может перемещаться по дуге одного из четырех колец с углом 210°. В качестве детекторов используется комбинация сцинтиллятор - фотодиод. Технические характеристики число слоев - достаточно для визуализации всего объема сердца сканирование в реальном времени для изучения кровотока и сокращений, достигнутое в разра- [c.188]

Рис. J.J38. Продукта коррозии иа поверхности аустенитной стали 03XI7H15M3 после испытания под напряжением в воде, содержащей 100 мг/л С1 (добавка Fe Is). при 360 С и 20 МПа. ТО закалка с 1050 С. 30 мин в воде. После ТО — холодная прокатка с обжатием 15 %. Растягивающее напряжение на внешней поверхности и-образного образца 400 МПа. В пленке продуктов коррозии имеются более толстые участки, которые интенсивно растрескиваются при дополнительном изгибе образца. Методом электронного ми-крозондового анализа получена линия содержания хрома в пленке. Количество хрома повышено з утолщенных участках пленки. Сканирующий ЭМ. ХЗООО

Рас. J.IS9. Фрактограмма поверхности разрушения после 900 ч испытания трубчатого образца Из аустенитной стали ОЗХ17Н15МЗ в воде, содержащей 1 мг/л С1 (с добавкой Fe ls), при 280 С и 10 МПа. Растягивающее напряжение (от внутреннего давления азота) 250 МПа. ТО отжиг при 1050 °С, 15 мин, охлаждение на воздухе. После отжнга — холодная прокатка с обжатием по диаметру 15 %. В верхней части — межкристаллитное КР. начинающееся оч внешней поверхности трубки, которая соприкасается с водой. В нижней части г— механическое вязкое разрушение (долом). Сканирующий ЭМ. X 220 [c.328]

Рис. 6.0/8. Фрактограмма коррозионного излома сплава ЛЛ27-1Т4 (естественное старенне, И лет). Межзеренное разрушение при испытании в лабораторном воздухе при напряжении О.Эод JJ. Сканирующий ЭМ. Изображение во вторичных электронах, X 500

Осн. части электронных микроскопов (кроме камеры для образца) просвечивающего — осветит, система (электронная пушка, конденсорные линзы), проекционная система (объективщле и проекционные линзы), система перевода изображения в видимую форму с помощью флуоресцирующего экрана растрового — система фокусировки электронного пучка (диаметром до 10 нм), состоящая иэ электронной пушки, объективной и конденсорных линз, система сканирования в формирования изображения в электроннолучевой тоубке. В приборах поддерживают разрежение 10" —10" Па. В просвечивающем микроскопе регистрируют прощедшие через образец электроны, в растровом — генерируемые сканирующим электронным зондом вторичные злектрояы. Ускоряющее напряжение в первом случае обычно составляет 30—200 кВ, во втором — 30—50 кВ. Предельное разрешение просвечивающих электронных микроскопов 0,2 нм, растровых — 10 нм. Растровые микроскопы обладают большой глубиной резкости. [c.700]

Выбор режима отверждения или вулканизации обычно проводят путем исследования кинетики изменения какого-либо свойства отверждаемой системы электрического сопротивления и тангенса угла диэлектрических потерь, прочности, ползучести, модуля упругости при различных видах напряженного состояния, вязкости, твердости, теплостойкости, теплопроводности, набухания, динамических механических характеристик, показателя преломления и целого ряда других параметров [140, 178—183]. Широкое распространение нашли также методы ДТА и ТГА, химического и термомеханического анализа, диэлектрической и механической релаксации, термометрического анализа и дифференциальной сканирующей калориметрии [140, 178, 184—187]. Все эти методы условно можно разбить на две группы методы, позволяющие контролировать скорость и глубину процесса отверждения по изменению концентрации реакционноспособных функциональных групп, и методы, позволяющие контролировать изменение какого-либо свойства системы и установить его предельное значение. Методы второй группы имеют тот общий недостаток, что то или иное свойство отверждающейся системы ярко проявляется лишь на определенных стадиях процесса так, вязкость отверждающейся системы можно измерять лишь до точки гелеобразования, тогда как большинство физико-механических свойств начинает отчетливо проявляться лишь после точки гелеобразования. С другой стороны, эти свойства сильно зависят от температуры измерения, и если осуществлять непрерывный контроль какого-либо свойства в ходе процесса, когда необходимо для достижения полноты реакции менять и температуру в ходе реакции или реакция развивается существенно неизотермично, то интерпретация результатов измерений кинетики изменения свойства в таком процессе становится уже весьма сложной. [c.37]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология