Плоскость изображения внешняя

В первом случае можно, например, перемещать щель в плоскости изображения колец щель должна быть расположена по касательной к интерференционным кольцам можно перемещать объектив, проектирующий кольца на экран. При внешней установке эталона (см. 22) можно вращать интерферометр Фабри— Перо вокруг вертикальной оси. Тогда интерференционные кольца будут перемещаться относительно входной щели спектрографа. 180 [c.180]

При изображении внешней формы кристалла длины нормалей роли не играют, так как нормали призваны отражать лишь ориентации граней. Для удобства все нормали берутся одинаковой длины. При изображении серий плоскостей длины нормалей можно взять различными с тем, чтобы они давали указание и о другом параметре серий — о межплоскостных расстояниях. Можно, например, изображать каждую серию плоскостей с помощью нормали, длина которой обратна меж- [c.307]

Метод фокусировки, дающий погрешность измерений не более 10" —10 , заключается в том, что образец (заготовка или волокно), помещенный в иммерсионную жидкость, освещается в поперечном направлении монохроматическим некогерентным светом и рассматривается под микроскопом. Иммерсионная жидкость устраняет влияние внешней границы оболочки образца. Сердцевина, являющаяся в этом случае цилиндрической линзой, фокусирует свет, распределение плотности потока которого в плоскости изображения измеряется с помощью видеокамеры. Распределение плотности потока пересчитывается в распределение и (г). Вместо видеокамеры возможно применение обычного микроскопа, перемещаемого в направлении поперечной оси образца. [c.213]

Проследим, как изменится математическое описание и структура диаграммы связи, если изображенный на рис. 2.25 криволинейный трубопровод, цо которому движется жидкость, сам участвует в плоскопараллельном движении в плоскости хог со скоростями у,т (О и Уд-т (О В направлении осей z и. х соответственно. Проекции внешних сил, действующих на контрольный объем жидкости в канале, равны [c.173]

Если для определения г использовать экспериментальное заполнение поверхности анионами, то получается сдвиг т. н. з., составляющий около 200 мв при изменении концентрации на порядок, т. е. в два раза больше, чем на опыте. Это расхождение связано с тем, что О. А. Есин и В. М. Шихов рассматривали как дискретные также заряды катионов на внешней плоскости Гельмгольца, тогда как в действительности дискретность внутренней плоскости Гельмгольца проявляется значительно сильнее, чем на внешней плоскости Гельмгольца. Б. В. Эршлер впервые получил теоретически правильный результат, приняв, что заряд слоя катионов является равномерно размазанным зарядом. Расчет был выполнен при использовании метода зеркального изображения. Этот метод представляет собой математический прием, позволяющий рассчитать взаимодействие ионов с металлом и ионами внешней обкладки двойного слоя. В дальнейшем Д. Грэм распространил [c.127]

Чтобы внести ясность в эти рассуждения, рассмотрим дальнее экранирование атомов водорода в бензоле [11 ]. Можно считать, что молекулярные я-орбитали бензола представляют собой в первом приближении круговой сверхпроводник, по которому под действием внешнего поля прецессируют подвижные электроны. (Поле вызывает также некоторую прецессию локализованных а-электронов, но, чтобы упростить рассуждения, мы примем, что электронные токи, вызванные магнитным полем, происходят исключительно в я-оболочке.) Таким образом, электронный ток течет в основном в плоскости, параллельной плоскости кольца, причем локальное магнитное поле, являющееся следствием кольцевого тока, показано на рис. 3.13 для того случая, когда поле Яо пересекает плоскость кольца под прямым углом. Очевидно, в том месте, где находятся протоны, индуцированное поле добавляется к внешнему полю, поэтому его действие состоит в дезэкранировании ароматических протонов, и это находится в соответствии с тем фактом, что все ароматические протоны дают сигналы в слабом поле. В жидкости или в растворе ориентация, изображенная на рис. 3.13, возникает только на мгновение, поскольку вращение непрерывно изменяет угол, под которым магнитные силовые линии пересекают плоскость кольца. В общем случае можно полагать, что кольцевой ток индуцируется той составляющей поля Яо, которая перпендикулярна к плоскости кольца. Интенсивность локального поля изменяется в соответствии с ориентацией молекулы относительно Яо, но направление его по отношению к протонам остается постоянным, т. е. пунктирные линии на рисунке изображают магнитные силовые линии локального поля независимо от ориентации внешнего поля. Поэтому усредненный многочисленными вращениями суммарный эффект кольцевого тока должен дезэкранировать ароматические [c.92]

Течение газа в кольцевом зазоре возбуждается круговым источником малой ширины и постоянной интенсивности, расположенным на пересечении нижней крышки со стенкой внутреннего цилиндра, и концентричным стоком на верхней крышке. Такой поток является частью внешнего четырехполюсного возбуждения, изображенного на рис. 4.4, когда имеется только один внутренний слой. В верхней части рис. 4.14 показан осевой поток плотности в срединной плоскости центрифуги в зависимости от нормализованной радиальной координаты. В нижней части рис. 4.14 изображен радиальный профиль осевой скорости в той же плоскости. Из рис. 4.14 можно сделать два главных вывода 1) массовый поток имеет тенденцию отталкиваться от внутренней зоны по направлению к периферийной стенке 2) на графике видны осцилляции профиля потока плотности, более сильно выраженные, чем на профиле скорости, из-за большого градиента плотности очень сильный обратный поток наблюдается в первой зоне циркуляции. [c.207]

В качестве зеркального отражения рис. 2, б относительно горизонтальной плоскости получаем восходящее течение по трубе при наличии внешней силы Р, направленной вниз (рис. 2, е). Это течение аналогично течению, изображенному на рис. 2, а, за исключением того, что радиальная скорость V частицы направлена к центру трубы. Так как в одной и той же ситуации частица не в состоянии радиально мигрировать одновременно и на- [c.108]

Картина, изображенная на рис. 14, показывает, что в принципе не существует барьера для продолжения складывания молекул вдоль границ доменов, поэтому кристаллы могут расти очень просто, путем повторяющейся конденсации молекул с образованием монослоев, которые спирально развиваются по периферии кристаллов. Это, конечно, идеальный случай, и легко видеть, что даже у кристаллов, ограниченных гранями (ПО), молекулы могут в какой-то степени складываться также в плоскостях (100). Действительно, нет оснований считать, что молекулы не могут складываться в данном индивидуальном кристалле самыми разными способами. Поэтому такой кристалл должен иметь субструктуру доменов складывания, а границы доменов должны быть уже, чем у больших доменов, которые были отождествлены выше с секторами, образуемыми в идеальном случае, представленном на рис. 14. Так как в кристалле данной внешней формы возможны многие способы складывания молекул, то, по-видимому, складывание на молекулярном уровне является беспорядочным, и можно предполагать, что неупорядоченность будет возрастать при более высоких скоростях роста. Однако обнаружить на электронном микроскопе границы доменов складывания не легко, если только они не вырисовываются под влиянием неупорядоченности. Различные способы складывания почти не будут влиять на характер дифракционной картины, потому что последняя зависит в основном от порядка расположения молекул в объеме кристаллов. [c.438]

Автор и К. А. Трифонова исследовали влияние вязкостных сил в феноло-формальдегидных смолах при формовании листа текстолита на свойства прямолинейной сетки ткани. Результат этих исследований схематически изображен на рис. 78. Видно, что действие внешней нагрузки передается по закону Паскаля, т. е. происходит растекание наполнителя в радиальных направлениях в плоскости образца, перпендикулярной к направлению внешней нагрузки. [c.169]

Вариант этой схемы приведен на рис. XV.7. Источником света является точечная диафрагма 1, освещенная зеленым светом ртутной лампы. Линза 2 фокусирует этот источник на фотопленку 3V расположенную в той же плоскости, что и в диффузометре Гуи. Между пленкой и линзой расположена кювета 5 электрофоретического типа (см. п. 8) и две вертикальные щели, соответствующие двум отсекам кюветы. К внешней стенке кюветы припаяна полоска стекла, благодаря которой образцовый пучок проходит через такую же оптическую среду, как основной через отсек кюветы с установившимся Vn. Благодаря цилиндрической линзе на фотопленке получается картина типа изображенной на правой части рис. XV.7. [c.287]

Для изображения оптических изомеров (энантиомеров) обычно используют формулы Фишера (1а) — (1г), показанные ниже на примере одного из энантиомеров молочной кислоты. Для перехода от модели одного из энантиомеров молочной кислоты к формуле Фишера, надо ориентировать тетраэдр таким образом, чтобы горизонтальная пара связей была обращена к наблюдателю, а вертикальная — удалена от него. Очевидно, что при этом возможны разные ориентации на тетраэдр можно смотреть с разных сторон. В результате одна модель может дать двенадцать ( ) внешне непохожих друг на друга проекционных формул Фишера. Существуют, однако, определенные правила в случае гидроксикислот вверху помещают карбоксильную группу, а углеродную цепь располагают сверху вниз. Это расположение переносят на плоскость бумаги. [c.12]

В маннитах и внутренние и внешние тетраэдры суммируют оптическую деятельность друг друга. Частица маннита может быть разделена пополам на две совершенно однозначащие части, которые могут быть совмещены. Оптическая деятельность должна быть еще и потому, что если построить зеркальное изображение частицы, совмещения не будет при повороте в плоскости чертежа на 180° [c.185]

Стилометр СТ-7 снабжен линейным клиновым фотометром. Оптическая система (рис. 40) прибора весьма сложна, но она обеспечивает выделение аналитических линий из спектра и расположение их рядом близко одна к другой, что повышает точность фотометрирования. Для этой цели служит система из разделительной 1 и соединительной 5,5 призм (рис. 41), расположенных во входной и выходной частях клинового фотометра. Камерный объектив дает изображение части спектра внутри разделительной призмы / в плоскости Р. На внутренней грани [аа ) разделительной призмы находится прямоугольная зеркальная полоска, которая отражает лучи в одну ветвь фотометра 2, 3. 4, 5) (ход луча показан пунктиром). По обе стороны этой полоски лучи света проходят дальше и внешней поверхностью призмы (/) направляются во вторую ветвь фотометра (путь лучей показан сплошными линиями). Эти лучи вновь сходятся на поверхности ЬЬ соединительной призмы (5). Первый луч отражается на внутренней грани призм ЬЬ ) от прямоугольной зеркальной полоски, другие проходят мимо этой полоски. Таким образом, в окуляре, расположенном за призмой (5,5 ), часть спектра мы видим как бы в окне, ограниченном размерами этой полоски, часть спектра — по обе стороны окна. [c.80]

Тусть X — расстояние от средней точки между трубопроводами в направлении I и площадь излучающего элемента ёх рёх (для рис. 2 р является перпендикуляром к плоскости изображенного поперечного сечеиия и может быть названо Аг). Примем проводящее теплоту поперечное сечение равным A =Ь (рис. 2). Коэффициент переноса излучения относительно внешнего окружения равен е, а эквивалентная температура излучения, определяемая (6), равна Тг- При х=1 опорная темпера1ура равна Гд, а при д =0, исходя из условия симметрии, кт1(1х=0. Запишем основное уравнение для постоянного в области А коэффициента теплопроводности материала К [c.513]

Для измерения температуры объектов устройство помещают в электронный микроскоп и внешние выводы подключают к прибору, который регистрирует нагревание микротермопары, облучаемой электронным пучком. Плотность тока на объекте определяли по плотности тока в плоскости изображения. [c.47]

Сначала проследим, как влияет присутствие адсорбированных ионов на работу выхода электронов. Для получения количественной оценки этого влияния рассмотрим грани вольфрама с индексами (100) и (ПО). На рис. 10 показано расположение иона цезия на атомах вольфрама с соблюдением соотношения размеров (вид сверху и в разрезе). Ион цезия показан в таком положении, при котором он касается наибольшего числа атомов вольфрама. Такое положение, почвидимому, соответствует самому низкому энергетическому состоянию этой системы. Примем в качестве пов1ерхностной плоскости для электронов воображаемую плоскость, касающуюся внешних атомов вольфрама. Эта плоскость в электростатической теории называется плоскостью электрического изображения, поскольку избыточные электроны, попавшие на металл, будут стремиться расположиться в этой плоскости. Одна из теорем электростатики гласит, что электрическое поле, создаваемое положительным ионом на поверхности металла, равно полю, которое было бы создано диполем, состоящим из положительного и отрицательного зарядов, отстоящих один от другого на расстояние 21, где I — расстояние между ядром и плоскостью электрического изображения. Эта теорема позволяет сравнительно легко рассчитать поле, образованное ионом или группой правильно расположенных ионов, а также вычислить изменение потенциальной энергии электрона при вы- [c.170]

За внешней плоскостью Гельмгольца располагается диффузный слой с потенциалом, изменяющимся от г )г до нуля и с плотностью заряда, совпадающей с <72. Схематическое изображение строения двойного слоя по Грэму для незарял енной поверхности, заряженной отрицательно п положительно, дано на рис. 12.5. В соответствии с допущением Грэма о том, что следует считаться лишь с поверхностной активностью анионов (в системах, не содержащих органических растворенных веществ), в первой плоскости Гельмгольца находятся только специфически адсорбирующиеся анионы, причем их поверхностная концентрация растет при переходе от незаряженной поверхности (рис. 12.5, а) к заряженной положительно (рнс. 12.5, б). Грэм подчеркивает, чго это увеличение концентрации следует отнести прежде всего за счет упрочнения ковалентной связи, а не за счет сил кулоновского взаимодействия. При достаточно отрицательном заряде поверхности (рис. 12,5, в) во внутреннем слое Гельмгольца остается лишь растворитель, и заряд его, так же как н в растворе, не содержащем поверхностно-активных [c.271]

Весьма часто двойной слой имеет более сложное строение, чем схематически изображенное на рис. 58. Ионы двойного слоя вырьшаются тепловым движением из плоскости закрепленных обкладок конденсатора и уносятся в глубину раствора. Притягиваемым зарядом поверхности они возвращаются обратно, но под влиянием броунского движения и интерионного взаимодействия снова вырываются. В результате часть избыточных ионов определенного знака, компенсирующих заряд поверхности металла, оказывается расположенной не в закрепленной обкладке раствора, а в толще электролита. Концентрация избыточных ионов по мере удаления от поверхности металла, естественно, будет уменьшаться. Согласно взглядам Гуи, внешняя обкладка двойного слоя представляет собой ионную атмосферу (см. теорию Дебая — Гюккеля в гл. V). Толщина двойного слоя б определяется уравнением [c.201]

Тем не менсе, при использовании модели, изображенной на рис. 2.22 для случая специфической адсорбции, было показано, что учет потенциала фг во внешней плоскости Гельмгольца, в которой предположительно происходит перенос заряда, оказы-ваетс [ недостаточным для объяснения экспериментальных результатов, полученных при восстановлении протонов в водных срет ах на ртути в присутствии специфически адсорбированных галогенид-ионов. Кроме того, необходимо постулировать наличие взаимодействия между специфически адсорбированными нонами и активированным состоянием, которое возникает прн переносе заряда. Это приводит к выводу, что перенос заряда происходит ие во внешнем, а во внутреннем слос Гельмгольца [c.69]

Более сложное устройство описано Арксом и Йегером [5]. Стеклянные пластинки (в том числе разной толщины) укладывают на слои пористой резины и сжимают специальным приспособлением так, что стекла оказываются вдавленными в резину, а их внешние поверхности при этом лежат в одной плоскости. Емкость с суспензией сорбента перемещают по шинам над серией пластинок. Другое устройство для приготовления слоев на пластинках разной толщины описано в работе [85]. Его принцип изображен на рис. 9. Под емкостью с суспензией перемещаются с помощью бесконечной резиновой ленты стеклянные пластинки. Под лентой расположены валики, которыми пластинки прижимаются к направляющим планкам при этом верхние стороны пластинок оказываются в одной плоскости. Резиновая лента пр1[водится в движение двумя валиками, соединенными ременной передачей и приводимыми в движение рукояткой. Закладывание и вынимание готовых пластинок облегчается наличием боковых столиков, расположенных на уровне ленты. При приготовлении пластин емкость заполняют суспензией, открывают щель и равномерным вращением ручки ленточного механизма стеклянные пластинки пропускают под дозатором. [c.60]

Плоскость расположения зарядов определяет внутреннюю плоскость Гельмгольца (1НР). "Поверхностью раздела" будем называть монослой с диэлектрической проницаемостью т— с мв те с компактным СУ1О0М. Ширина 6 компактного слоя мала по сравнению с расстоянием <х мевду соседними элементами в решетке точечных заряженных участков липидов. Внеганяя плоскость Гельмгольца (ОНР) соответствует внешней границе диф<1 узионного слоя и определяет плоскость, на которой вводится поверхностное натяжение. Действительно, поскольку диэлектрическая проницаемость раствора велика ( жг=80), на внешней плоскости Гельмгольца имеется разрыв диэлектрической проницаемости. Влияние этого разрыва можно описать, вводя фиктивш1е заряды-изображения. Деформация внешней плоскости Гельмгольца описывается соотношением [c.68]

Хотя схемы, подобные изображенной на рис. 1У-4, весьма наглядны, к ним следует относиться осторожно. Как указывается в одной из последних глав (гл. XIII, разд. ХП1-4Б), поверхность жидкости может быть неоднородной в том смысле, что ее структура нарушается адсорбированными частицами. Поверхность ртути также, по-видимому, разумнее представлять себе в виде покрытой рябью, а не гладкой плоскости. Внутренняя и внешняя плоскости Гельмгольца являются просто плоскостями, характеризуюш,ими поверхность раздела с усредненными электрическими свойствами. Если бы удалось измерять локальные потенциалы, то оказалось бы, что они меняются в широких пределах в зависимости от точки измерения, например вблизи адсорбированного иона или в слое, в котором имеются только молекулы растворителя. [c.187]

Ионное изображение того же самого острия, также показанное на рис. 58, дает картину, типичную для хорошо очищенной поверхности. По областям вблизи ПО и 100 правильно расположенные скопления светлых точек соответствуют наиболее выступающим атомам вльфрама, расположенным на поверхности. Только в области вблизи граней 100 и на периферии острня заметна более хаотическая структура, которая, вероятно, относится к примесям. Наблюдается некоторое изменение общей интенсивности по всему изображению, наиболее четко выраженное при переходе от совершенно не эмиттирующих плоскостей (ПО) к внешним областям острия. [c.217]

Рис. 20. Схематичесжое изображение штерновской модели двойного слоя, модифицированной Грэмом. Специфически адсорбированные ионы заполняют внутреннюю область, причем их центры находятся на внутренней плоскости Гельмгольца, Ионы диффузного слоя проникают не ближе внешней плоскости Гельмгольца [77].

Геометрические методы давно нашли применение в различных областях химии. Их значение особенно велико при изучении более сложных процессов, протекающих в присутствии многих компонентов и под влиянием разнообразных внешних факторов. С увеличением обш,его числа независимых переменных, определяющих состояние системы, необходимость использования понятий и представлений многомерной геометрии становится все более настоятельной. Уже для изображения состава пятикомпонентных систем применяются фигуры четверного измерения. Простейшие из этих фигур, пригодные для построения диаграмм пятерных систем различного типа, равно как и способы построения их оптимальных проекций на плоскости чертежа, рассматриваются в ранее выпущенном труде автора Методы изображения многокомпонентных систем. Системы пятикемпонентные (М., Изд-во АН СССР, 1959). [c.3]

Определение глубины залегания дефекта. Рентгенограмма, как и снимок с помощью 7-лучей, представляет линейную проекцию объема детали на плоскость рентгеновской пленки. Координаты местоположения дефекта в этой плоскости можно определить непосредственным измерением по негативу. Однако часто важно знать третью координату дефекта в направлении рентгеновского луча (т. е. расстояние дефекта от внешней поверхности детали, прилегающей к кассете с пленкой). Для этого необходимо получить на одной и той же пленке две рентге-нограмы, снятые при разном положении источника лучей. Принцип такой съемки ясен из схемы рис. 5.7. В рассматриваемом случае деталь снимают дважды, смещая рентгеновскую трубку после первого снимка в направлении, параллельном плоскости пленки, на расстояние О. При этом изображение дефекта смещается на расстояние с1. Если расстояние от фокуса трубки до фотопленки равно Я-, то высота дефекта по отношению к пленке х определяется, очевидно, из пропорции х/ Н—х) =й10. [c.153]

В однокомпонентной системе, как видно из уравнения Гиббса, число степеней свободы при наименьшем числе фаз равно 2, поэтому все однокомпонентные системы могут быть представлены графически системой координат на плоскости. В трех компонентных системах максимальное число степеней свободы составляет 3 и состояние таких систем определяется тремя переменными давлением, температурой и концентрацией. В этом случае полная диаграмма фазового равновесия требует уже трех осей координат, т. е. пространственного изображения. Для практических целей чаще всего пользуются плоскостными диаграммами, рассматривая влияние только двух переменных и считая один из внешних факторов постоянным. Другими словами, исследование проводят или при постоянной температуре или постоянном давлении. [c.52]

Ход анализа. 50 г 2гОг уплотняют ровным слоем на дне графитового катода с полостью глубиной 10 мм, диаметром 5 мм и внешним диаметром 6,5 1Ш, следя, чтобы на поверхность пробы не попадал графит. Внутреннюю поверхность разрядной трубки и анод чистят ватными тампонами, смоченными спиртом или СС1.1. После загрузки проб в разрядную трубку откачивают атмосферу и впускают гелий до давления 12 мм рт. ст. С помощью автотрансформатора ЛАТР-1, включенного в первичную цепь выпрямителя, повышают силу тока до 80—100 ма и в течение 30 сек. производят предварительное обезгаживание катода. Затем производят экспозицию при силе тока 300 ма в течение 30 сек. на оба прибора и после этого — при 1000 ми в течение 90 сек.— на ИСП-22. Повышать силу тока следует медленно и равномерно. При резком увеличении подаваемого на трубку напряжения, когда катод еп ,е не разогрелся, возможны резкие скачки разрядного тока. Для каждой навески пробы следует использовать новый катод, так как интенсивность линий многих примесей, особенно таких, как А1, Са, Ыа и К, значительно уменьшается при повторном использовании катодов. Освещение щели спектрографа ИСП-22 производится с помощью одной конденсорной линзы. Около щели под углом 45" к ее плоскости устанавливают маленькое зеркало. Изображение половины катода в нем служит источником света для спектрографа ИСП-51, освещение щели которого производят с помощью трехлинзовой системы. Ширина щели ИСП-22—18 мк, ИСП-51—7 мк. Для регистрации коротковолновой области спектра до 2500 А на спектрографе ИСП-22 используют фотопластинки спектральные , тип III или микро области 2550—3100 А — спектральные , тип I или диапозитивные чувствительностью 0,5—0,7 ед. ГОСТ для регистрации линий VI 3184,0 А и Т1 И, 3349,0 А — спектральные , тип 1, чувствительностью 2,8 ед. ГОСТ линий Са 11 3933,7 А и А1 I 3944,0 А — диапозитивные , чувствительностью 0,25 ед. ГОСТ. Для регистрации линий К и Ь1 на спектрографе ИСП-51 используют фотопластинки инфра-720 . В прорезь кассеты в месте нахождения линии Ь1 6707,8 А устанавливают фильтр с пропусканием около 30"о. Для регистрации линий Ыа используют пластинки микро . [c.350]

Смотреть страницы где упоминается термин Плоскость изображения внешняя: [c.572] [c.82] [c.288] [c.138] [c.194] [c.125] [c.126] [c.240] [c.79] [c.11] [c.194] [c.99] [c.763] [c.339] [c.276] [c.160] [c.163] [c.174] [c.33] [c.19]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология