Атома основное

Если мостик образован двухвалентным циклическим углеводородным радикалом, низшие номера в нем должны быть даны атомам углерода, составляющим кратчайший путь между атомами основной структуры, а далее нумерацию ведут вокруг кольца. [c.340]

Полимераналогичные превращения - химические реакции боковых групп или атомов основной цепи с низкомолекулярными соединениями, протекающие без разрыва химических связей между звеньями макромолекулы и не приводящие к изменению строения ее скелета. Принимается, что степень полимеризации при этом остается постоянной. [c.403]

Макромолекулы пептона содержат 45,5% хлора. Однако хлор-метильные группы полимера связаны с теми углеродными атомами основной цепи, при которых не имеется атомов водорода. При нагревании полимера это исключает возможность отщепления хлористого водорода, обычно ускоряющего дальнейшую термическую деструкцию таких полимеров, как поливинилхлорид, поливинилиденхлорид, и кроме того, придает пептону высокую термическую устойчивость. Расплав пентона имеет сравнительно низкую вязкость, что облегчает его переработку в изделия методом литья под давлением. Коэффициент термического расширения пентона значительно ниже, чем для полиэтилена, и примерно аналогичен коэффициенту расширения полистирола и полиами- [c.406]

Когда концентрация примеси высока, то при определенных условиях внутри твердого вещества образуются кристаллы или некристаллические включения примеси. Одно из этих условий состоит в том, что атомы примеси образуют между собой более прочные связи, чем атомы основного твердого вещества, обычно называемого матрицей. Естественно, что атомы примесей при этом в первую очередь соединяются друг с другом. Кристаллы и некристаллические включения примесей отнюдь не изолированы от матрицы, а находятся в самом тесном контакте с ней, хотя межатомные связи с матрицей образуются не всегда. В последнем случае имеет место межмолекулярное взаимодействие. [c.116]

Многие силикаты склонны к образованию твердых растворов, или к изоморфизму. Это обусловливает большое разнообразие составов силикатов. Физические свойства твердых растворов меняются постепенно с изменением концентрации растворенного вещества, НО в значительной степени отличаются от свойств чистых кристаллов даже тогда, когда процент растворенной в кристалле примеси очень мал. Объясняется это тем, что атом построенного вещества, попадая в решетку на место атома основного вещества, искажает ее в довольно большом объеме. В общем случае твердые [c.169]

Твердые растворы замещения называются твердыми растворами первого рода. В отличие от них фазы переменного состава, в которых атомы одного элемента не заменяют в структуре атомы второго, а располагаются в промежутках между ними, называются твердыми растворами внедрения или твердыми растворами второго рода. Твердые растворы внедрения образуются при значительном различии размеров атомов основного вещества и примеси. Тип химической связи у обоих компонентов может быть также совершенно иным. [c.172]

Рис. 22.22. Сплавы различных типов а-сплавы замещения б-сплавы внедрения. Светлые кружки соответствуют атомам основного металла в сплаве, цветные-атомам других компонентов сплава.

Установите, исходя из строения атома, основные химиче--ские свойства элемента, имеющего порядковый номер 20. [c.148]

Кислотные остатки могут содержать самые разные атомы. Основное требование, предъявляемое к их строению, чтобы связь между атомами в кислотных остатках была значительно прочнее связи между кислотным остатком и атомом водорода. Тем самым в хими- [c.11]

Молекулярная структура полимера определяется составом и геометрическим расположением атомов, входящих в его элементарное звено, очередностью появления тех или иных заместителей у атомов основного скелета макромолекулы. В молекулах белков такая структура называется первичной. В зависимости от взаимного пространственного расположения атомов скелета макромолекулы, в молекулярной структуре полимеров различают линейные, разветвленные, лестничные и пространственные полимеры (рис. 31.1). [c.614]

Примесные ядра, находясь в чужой матрице, локально возбуждают ее, но и в самом примесном атоме происходят изменения электронной конфигурации вследствие взаимодействия примеси с атомами основной решетки. Это изменение, а именно изменение распределения электронов вокруг примеси, определяется потенциальными полями кристаллической решетки. Следовательно, величина изомерного сдвига на примесном ядре в разных матрицах должна характеризовать электронное строение матрицы. [c.203]

Рассмотрим моль металла одновалентного элемента как огромную молекулу, возникающую в результате сближения Ыл атомов. Основной уровень атома при этом расщепится на весьма близких друг к другу уровней, которые составят первую бриллюэнов-скую зону. Таким образом, спектр уровней металла представляет собой как бы расщепленный (превращенный в зоны) спектр атома. Такой подход к объяснению зон показывает число состояний в зоне. [c.507]

Изоморфное замещение — это процесс образования твердых растворов замещения. Твердые растворы другого типа — растворы внедрения — образуются, если радиусы внедряющихся атомов или ионов сильно различаются, а размеры пустот между узлами решетки близки к размерам внедряющегося атома. Это значит, что размер внедряющихся атомов должен быть меньше размеров атомов основной кристаллической решетки (обычно не более 0,6 от размеров атома растворяемого вещества). [c.165]

Электрические свойства большинства полупроводящих веществ объясняются тем, что число электронов в кристаллической решетке не равно числу дырок. Такое состояние достигается введением примесей легированием). Примесь, атомы которой в кристаллической решетке основного вещества отдают электроны, называется донорной. У полупроводников с донор-ными примесями пЗ>р, и они относятся к полупроводникам п-типа, т. е. с электронной проводимостью. Примесь, атомы которой захватывают электроны от атомов основного вещества, называется акцепторной. У полупроводников с акцепторными примесями р п, и они являются полупроводниками р-типа с дырочной проводимостью. Характер проводимости, достигаемый легированием, можно предсказать сравнением обычных валентных состояний атомов примеси и основного вещества. Если валентность атомов примеси выше валентности основного вещества, то атомы примеси отдают электроны, л>р и примесь донор-ная. Если же валентность атомов примеси ниже, то ее атомы захватывают электроны, р >п и примесь акцепторная. Легирование всегда повышает проводимость полупроводника. [c.186]

Полимераналогичные превращения — это химические реакции боковых (в основном функциональных) групп или атомов основной цепи с низкомолекулярным соединением, протекающие без разрыва химических связей в макромолекуле и не приводящие к изменению строения ее скелета. [c.58]

Внутримолекулярные превращения — это химические реакции функциональных групп или атомов основной цепи одной и той же макромолекулы, приводящие к изменению ее строения. [c.59]

Масса одного протона составляет 1,673 10 г. Нейтрон близок по массе протону. Электрон приблизительно в 1820 раз легче протона и нейтрона и его масса равна 9,108 10" г. Таким образом, основная масса атома сосредоточена в атомном ядре. Поскольку оперировать со столь малыми величинами масс не всегда удобно, массы атомных ядер, атомов, молекул чаще всего выражают не в граммах, а в специальных атомных единицах массы (а. е. м.). За атомную единицу массы принята углеродная единица — Via массы атома основного изотопа углерода С. Массы протона, нейтрона и электрона в а. е. м. приведены в табл. 1. [c.19]

Рассмотрим основные свойства образующих атом частиц — электронов, протонов и нейтронов. Протоны и нейтроны (нуклоны) образуют атомное ядро. Масса одного протона составляет 1,673-10 г. Нейтрон близок по массе протону. Электрон приблизительно в 1820 раз легче протона (нейтрона), масса электрона 9,108-10 г. Таким образом, основная масса атома сосредоточена в атомном ядре. Поскольку оперировать со столь малыми величинами масс не всегда удобно, массы атомных ядер, атомов, молекул чаще всего выражают не в граммах, а в специальных атомных единицах массы (а. е. м.). За атомную единицу массы принята углеродная единица, т. е. /12 массы атома основного изотопа углерода, ядро которого образовано из шести протонов и шести нейтронов 1 а. е. м.= ], 66057-кг. [c.22]

Характерные особенности взаимодействия р-излучения с веществом обусловлены сравнительно небольшой массой Р-частиц, а также непрерывным энергетическим спектром р-излучения. Р-Частицы теряют энергию, ионизируя и возбуждая атомы. Энергия теряется также вследствие тормозного излучения, возникающего при взаимодействии быстрых электронов с электрическим полем ядра атома. Основные потери энергии р-частиц происходят при их взаимодействии с электронами атомных оболочек. [c.305]

Физические и химические свойства мономерных соединений определяются не только природой и количеством атомов, содержащихся в молекуле мономера, но в значительной степени порядком. Различными возможностями образования связей между атомами или группами атомов (основного каркаса молекулы и функциональных групп) и соответственно существованием различных пространственных структур обусловлено многообразие органических соединений. Часто это различие в структуре является единственным отличительным признаком для соединений с одинаковым качественным и количественным составом (изомеры). [c.406]

В общем донорными являются все примеси, атомы которых содержат больше валентных электронов, чем атомы основного вещества. И соответственно акцепторными будут те примеси, атомы которых содержат меньше валентных электронов, чем атомы основного вещества. [c.458]

Количественным показателем степени чистоты вещества служит концентрация в нем примесей, выраженная в атомных либо молярных долях. В СССР принято несколько способов классификации чистоты химических веществ. Так, вещества подразделяют по допустимой области их применения, например вещества реакторной, полупроводниковой чистоты и т.п. Чистоту вещества можно оценить по так называемому баллу чистоты , равному десятичному логарифму числа атомов основного вещества, приходящихся на один атом примеси. В производстве химических реактивов вещества по степени их чистоты подразделяют на три класса и десять подклассов класс А с содержанием примесей от 10 (I) до 10 (II) % класс В с содержанием примесей от 10 (III) до 10 (VI) % и класс С с содержанием примесей от 10 (VII) до 10 (X) %. Начиная с 10 %, примесные компоненты называют микропримесями. Те или иные примеси в веществе по-разному влияют на его свойства, поэтому их предельно допустимая концентрация может быть различной. Компоненты, влияние которых на рабочие характеристики материала наиболее значительно, получили название лимитирующих примесей. Примерами подобных примесей в материалах ядерной энергетики служат бор, гафний и кадмий, атомное содержание которых в основном материале не должно превышать 10 —10 %, в то [c.344]

Н и С1 происходит с поглощением тепла —АЕх- Наоборот, сближение отдельных атомов на весьма малые расстояния (1 —5A)—сопровождается уменьшением полной потенциальной энергии системы и может привести к образованию твердых и жидких соединений или многоатомных молекул. Выделяемая при этом энергия находится обычно в пределах 0,5—5эв в расчете на один из участвующих в процессе атомов. Основная часть этой энергии связана с образованием между атомами так называемых химических связей. [c.62]

Гипотеза Резерфорда о планетарном строении атома явилась фундаментом, на котором методами квантовой, а позднее — волновой механики строятся и уточняются модели атомов. Основная масса атома (более 99,9%) сосредоточена в его ядре, размер которого порядка 10 м и на 5 порядков (10 ) меньше размера самого атома (10 м). [c.21]

При написании формулы по названию следует а) написать главную цепь углеродных атомов основного названия и пронумеровать б) расставить заместители под соответствующими номерами в) дополнить формулу необходимым числом атомов водорода. Например, напишем формулу 2-метил-4-пропил-5-этиЛ гептана [c.213]

Атомы слоя IV — заместители — в реакции не участвуют, но влияют, и иногда очень сильно, на скорость реакции в слое III. Это влияние сказывается на энергии связи, иногда внося лишь небольшую поправку, а иногда и сильно изменяя ее значение. Аналогичным влиянию заместителей является влияние атомов катализатора в слое I, не входящих в активный центр. Слой I является сложным. К нему относятся как глубинные атомы решетки кристаллического катализатора, так и атомы, соседние с активным центром атомы основного вещества катализатора разной степени непредельности, вызываемой разным положением на поверхности, разным числом соседей, и атомы добавок, образующих твердый раствор или отдельную фазу. К ним можно отнести и влияние носителей. Все эти соседние атомы вследствие деформации влияют на активный центр и на энергии связи его с атомами катализируемых молекул. [c.96]

Основность — сродство к протону, нуклеофильность — способность образовывать связь с электрофильным атомом углерода. Нуклеофильность анионов зависит от электронной плотности на атакующем атоме (основности) и от поляризуемости электронов. Если атакующий атом в сравниваемых нуклеофилах один и тот же, то нуклеофильность изменяется симбатно основности. Если сравниваются группы с разными нуклеофильными центрами, то нуклеофильность обычно прямо пропорциональна их поляризуемости. См. также [13], I, с. 186-191. [c.220]

Понятие о чистоте вещества имеет принципиальное значение в современной неорганической химии. Абсолютно чистые вещества в природе не существуют, поскольку загрязнение примесями (образование ограниченных растворов) происходит самопроизвольно вследствие резкого возрастания энтропии . Поэтому нет абсолютно нерастворимых веществ и, следовательно, любое вещество загрязнено примесями. Даже в тех случаях, когда вещество очищено до очень высокой степени, абсолютное число атомов примеси в единице массы или объема все еще остается огромным. Так, в германии полупроводниковой чистоты 99,9999999% Ое содержание атомов примесей не превышает Ю ат. доли, %, т. е. один атом примеси приходится на миллиард атомов основного вещества. Тем не менее 1 см этого особо чистого германия содержит около 10 атомов примеси. Примеси коренным образом влияют на свойства вещества. Например, хорошо известная хрупкость и исключительная твердость металлического хрома, как выяснилось, является следствием наличия небольшого количества примесей, в основном кислорода. Хром, полученный в условиях глубокого вакуума, оказался мягким и пластичным. [c.46]

В карбоцепных полимерах такими участками являются двойные связи между углеродными атомами основной цепи. Как известно, цис-транс-тоиг ш в цепях этих полимеров приводит к принципиальному различию в их свойствах. Так, транс-изомеры полимеров бутадиена и изопрена, более вытянутые в пространстве, кристалличны вплоть до сравнительно высоких температур, в то время как с-изомеры при обычных температурах в основном аморфны и являются важнейшими эластомерами. Для других карбоцепных полимеров, например, полипентенамеров, более ценными свойствами, как эластомеры, обладают транс-изомеры в связи с тем, что температура плавления кристаллов цас-изоме-ров смещена в область очень низких температур . [c.19]

Поверхность твердых тел жесткая, имеет кристаллическое строение (металлы - сталь, бронза, медь, алюминий и др.). На поверхности твердых тел и жидкостей (нефтепродукты, вода) находятся молекулы с нескомпенси-рованными связями. Поверхность деталей двигателей и механизмов всегда неоднородна и не может быть идеально гладкой. Полированные металлические поверхности состоят из нескольких тонких слоев оксидного, псевдо-аморфного (с электрическим зарядом) и зон деформации основного металла. На твердой поверхности имеются микроскопические участки с химически активными группами атомов основного металла и примесных металлов (активные центры). [c.45]

Элементарные кремний и германий представляют собой полупроводниковые материалы, которые в настоящее время очень широко применяются для производства транзисторов, термистеров, фотоэлементов и других деталей радиоэлектроники, радио- и электротехники. Электропроводность кристаллических германия и кремния (и других полупроводников) в значительной степени обусловлена ничтожными примесями атомов других элементов, замещающих атомы германия и кремния в их кристаллических решетках. Появление некоторого числа свободных слабосвязанных электронов или электронных вакансий, так называемых дырок, придает кристаллам полупроводниковых материалов свойство избирательной проводимости отрицательной — электронной — или положительной — дырочной. Электропроводность полупроводников определяется не только природой и концентрацией примесных элементов (которая, вообще говоря, обычно бывает очень мала атома примеси на 10 —10 атомов основного элемента), но и физическими [c.104]

Однако реальные полупроводники всегда имеют примеси, которые существенно влияют на характер электрической проводимости, в этом случае называемой примесной. Примеси бывают донорные и акцепторные. Донорные примеси имеют на валентной электронной оболочке большее число электронов, чем их число на валентной электронной оболочке атома основного элемента полупроводника. Например, примеси атомов элементов V или VI главных подгрупп периодической системы в кристаллической решетке кремния (IV главная подгруппа) будут донорными. В зонной структуре полупроводника появляются дополнительные электроны проводимости. Если атом примеси содержит меньше валентных электронов, чем атом основного элемента, то полупроводник содержит в валентной зоне дополнительные свободные МО, на которые могут переходить валентные электроны. Такие примеси называются акцепторными, они приводят к появлению дополнительных дырок проводимости. По отношению к кремнию такими примесями будут элементы III главной подгруппы. Полупроводники с преобладающим содержанием донорных примесей называются полупроводниками с электронной проводимостью или п-типа. Если же преобладают примеси акцепторные, то полупроводники называются полупроводниками с дырочной проводимостью или р-типа. Для получения примесных полупроводников полупроводники, полученные специальными кристаллофизическими методами в сверхчистом состоянии, легируются элементами акцепторами или донорами электронов в микродозах, не превышающих 10 %. Примеси резко изменяют собственную электрическую проводимость полупроводников, поскольку количество носителей заряда, поставляемых ими обычно больше, чем их число в чистом полу-прово,цнике. Так, чистый кремний имеет удельное электрическое сопротивление электронной проводимости около 150-10 Ом-м, дырочной проводимости в.4 раза, электронной проводимости после легирования фосфором и дырочной проводимости после легирования бором — в 20 раз меньше. [c.636]

Однако при решении этой задачи в рамках рентгеноструктурного анализа возникают дополнительные трудности, обусловленные, с одной стороны, увеличением длительности экспозиции, так как величина амплитуды рассеяния для рентгеновских лучей значительно меньше, чем для электронов. Если в электронографии время фиксирования дифракционной картины на фотопластинку длится от нескольких секунд до двух-трех минут, то в рентгенографии экспозиция исчисляется часами, а в нейтронографии иногда и несколькими десятками часов. С другой стороны, более сильная зависимость амплитуды рассеяния рентгеновских лучей от порядкового номера атомов (по сравнению с электронами) не позволяет надежно исследовать строение молекул с резким различием в величинах зарядов атомных ядер. Поскольку рассеяние рентгеновских лучей происходит на электронных оболочках атомов, основной вклад в интенсивность рассеяния этого вида излучения вносится атомами с большим зарядом ядра. Рассеяние же на легких атомах будет незначительно, и поэтому отвечающие им межъядер-ные расстояния находят с невысокой точностью. [c.128]

Быстрое развитие новых отраслей техники (атомная энергетика, полупроводниковая электроника, жаропрочные материалы) требует производства очень чистых металлов. О необходимой степени чистоты материалов, применяемых в ряде специальных случаев, можно судить по используемому для их оценки способу выражения концентрации — число атомов примеси на 10 атомов основного металла (р. р. т. — parts per million, т. e. число частей на миллион). [c.101]

Для процессов окислительно-восстановительного типа в целом или для их отдельных стадий существенны переходы электронов от катализатора или к катализатору. Поэтому активными добавками должны быть в первую очередь вещества, обладающие резко выраженными донорпыми или акцепторными свойствами. Это атомы или кристаллы металлов, атомы кислорода, серы, мышьяка и т. п. или посторонние ионы переменной степени окисления, резко отличные от атомов основной решетки по своему заряду и сродству к электронам (например, Ре + в решетках MgO и С(10, в решетке N 0 и т. п.). [c.136]