Примеси в галлии и его

Какой тип проводимости преобладает у кремния, содержащего примесь галлия, и какой тип — у кремния с примесью селена [c.287]

Из приведенных результатов следует, что предложенный амперометрический способ определения галлия может быть рекомендован для определения галлия в присутствии больших количеств алюминия. Эта задача представляет определенный практический интерес ввиду того, что металлический алюминий большей частью содержит примесь галлия и может служить сырьем для получения последнего. [c.55]

Наиболее благоприятны для очистки диаграммы состояний с эвтектиками и с очень узкой областью гомогенности твердых растворов примеси в основном веществе, например индия в германии (как на рис. 52). Чем меньше единицы коэффициент распределения /(=Ств/Сж, тем лучше. Гораздо менее благоприятные условия создаются, когда примесь образует непрерывный ряд твердых растворов с основным веществом (как на рис. 6). Для примесей первого рода К=Стп/С-д,>1 (например, для бора в германии /(=17,3), а для примесей второго рода /(<1. Например, для алюминия и галлия в германии /( = 0,01, для индия /( = 0,001, для теллура и висмута /( = 4-10- и т. д. Чем К<, тем легче очищается вещество от этой примеси. Для примесей с К> метод мало эффективен, а при /С=1 очистка совсем не происходит. Например, таким образом нельзя удалить бор из кремния, так как Этим методом не достигают однородности химического состава слитка и совершенство структуры. [c.323]

Брауэр [3] получал хорошие результаты и при более простой конструкции катода (рис. 284,6), которую он использовал прн выделении больших количеств галлия. Примесь алюминия остается после электролиза в раство- [c.913]

Примеси галлия и вольфрама в структурной форме удалось ввести при выращивании кварца во фторидных растворах. В опытах, которые проводились при сравнительно невысоких температурах (<600 К), применялись фторопластовые футеровки для предотвращения коррозии стенок автоклава и попадания в раствор неконтролируемых примесей. В нижнюю зону автоклава вместе с кварцем-шихтой помещалась примесь оксида галлия или вольфрама в количествах, указанных в табл. 9. Там же приведены данные спектрального анализа на эти элементы в выросших кристаллах и для сравнения результаты аналогичного опыта, но в щелочной системе. [c.66]

Избыток метилового фиолетового оказывает благоприятное влияние на степень извлечения окрашенного соединения галлия в слой хлороформа. Однако при содержании красителя >5 мг возникают помехи со стороны малых количеств Fe (П1) (примесь в реактивах). Экстрагирование соединения Fe (HI) с метиловым фиолетовым может быть устранено введением в раствор аскорбиновой кислоты. [c.122]

Как показано Коршуновым, Фрумкиным и Иофа, при pH 10 начинает играть существенную роль выделение водорода за счет химического взаимодействия воды с амальгамой [78, 79]. Что же касается прямого электрохимического восстановления молекул воды, то на чистой поверхности ртути этот процесс можно обнаружить лишь при значительно более отрицательных потенциалах, в щелочных растворах солей тетраалкиламмониев. Благоприятным объектом для обнаружения прямого электрохимического восстановления воды является электрод из жидкого галлия [80, Щ. — Прим. ред. [c.205]

Кейер и Чижикова [71 ] исследовали окисление окиси углерода на окиси цинка, па окиси ципка, содержащей от 0,5 до 1,2% атомн. лития, и на окиси цинка с 1 % атомн. галлия. Они нашли, что 1) присутствие лития повышает энергию активации электропроводности окиси цинка, 2) адсорбция кислорода понижает электропроводность за счет уменьшения концентрации электронов, 3) примесь лития тормозит адсорбцию окиси углерода и ее окисление на ZnO и 4) энергия активации окисления окиси углерода повышается при прибавлении лития, но остается неизменной при прибавлении галлия. Отсюда был сделан вывод, что механизмы окисления на ZnO и NiO сходны. Литий изменяет электронно-обменные свойства ионов цинка, связанные с наличием дефектов в ZnO и, таким образом, в значительной степени понижает концентрацию свободных электронов. Полученные данные объясняются влиянием примесей, о которых упоминалось ранее. Адсорбция кислорода не определяет скорость. Тем не менее она в значительной степени влияет на стадию, которая определяет скорость окисления. Такой стадией может быть либо адсорбция СО, либо взаимодействие адсорбированного кислорода с окисью углерода из газовой фазы. В последнем случае повышение энергии активации реакции с концентрацией лития приводит к понижению скорости реакции. [c.335]

Однако чистый теллур как полупроводник применяют ограниченно — для изготовления полевых транзисторов некоторых типов и в приборах, которыми меряют интенсивность гамма-излучения. Да еш,е примесь теллура умышленно вводят в арсенид галлия (третий по значению после кремния и германия полупроводник), чтобы создать в нем проводимость электронного типа . [c.18]

Некоторые элементарные вещества и среди них в первую очередь германий отличаются полупроводниковыми свойствами. Эти свойства обусловлены особым состоянием электронов в кристаллической решетке полупроводников. Германий по структуре кристаллов напоминает алмаз. Каждый атом германия связан с четырьмя другими ковалентными связями. Однако в отличие от алмаза в кристаллах германия валентные электроны закреплены непрочно и под влиянием нагревания или облучения могут, возбуждаясь, отрываться от связываемых ими атомов и свободными уходить в междуузлия решетки. Наличие таких свободных электронов в кристаллах германия сообщает ему некоторую электронную проводимость. При переходе электрона в свободное состояние у данного атома остается свободная орбиталь, так называемая д ы р к а . Эта дырка может заполниться при перескоке валентного электрона соседнего атома, в котором тогда возникает новая дырка. Если при наложении электрического поля свободные электроны будут передвигаться к положительному полюсу, то дырки будут передвигаться к отрицательному полюсу. Это передвижение дырок, равносильное передвижению положительных зарядов, сообщает кристаллам германия еще так называемую дырочную проводимость. В совершенно чистом германии в каждый данный момент число дырок равно числу свободных электронов. Это обусловливает равное значение электронной (п) и дырочной р) проводимости в общей электропроводности чистого германия, значение которой очень невелико. Однако соотношение между числами свободных электронов и дырок в кристалле германия можно изменить. Если в германий ввести даже очень незначительную примесь, например мышьяка, в атомах которого на наружном уровне находится пять электронов, то в кристаллической решетке твердого раствора замещения число свободных электронов окажется больше числа дырок и электронная проводимость в этом случае будет играть решающую роль. Наоборот, если ввести в германий примесь галлия, на наружном уровне атомов которого имеется только три электрона, то число дырок в кристаллической решетке раствора замещения станет превышать число свободных электронов и решающая роль будет уже принадлежать дырочной проводимости. Однако в случае образования с элементарным полупроводником твердого раствора внедрения примесь активного металла усиливает элек- [c.205]

В сплавах ТЬ—и и Ри—ТЬ—и примесь галлия (а также Ве, 1п, рзэ, 2г, Н1, Не) определяют спектральным методом [905]. Для этого примеси предварительно отделяют от основы с помощью двухфазной хроматографической колонки с анионитом дауэкс 1 Хв для сорбции Ри (IV) и ТЬ (IV) и с трифтор-хлороэтиленовым полимером, покрытым ТБФ, для удерживания урана. Основа сплава сорбируется в виде анионного нитратного комплекса. [c.198]

Если в собственно полупроводник ввести акцепторную примесь, например в германий ввести атом галлия, у которого лищь три валентных электрона, то к нему от германия перейдет один из электронов, и в валентной зоне появится дырка. Условием такого перехода является близость энергетического уровня примеси, располагающегося в запрещенной для германия зоне, к верхнему уровню валентной зоны германия. Концентрация дырок в этом случае становится преобладающей, и собственно полупроводник превращается в примесный полупроводиик р-тла, или в р-полупроводник. Для полупроводников с примесной проводимостью пфрфп[ и вместо (5.46) следует писать [c.139]

Природные ресурсы. Содержание в земной коре составляет Ga In 1-10- %, Т1 3-10- %. Это редкие и рассеянные элементы. Они встречаются как примесь к различным рудам — галлий сопутствует алюминию и цинку, небольшие количества индия и таллия изоморфно распределены в сульфидных полиметалличе--ских рудах. [c.344]

Добавление к селениду мышьяка галлия и бора, образующих донорно-акцепторные связи, приводит к тому, что в его каркасную структуру включаются тетраэдрические структурные единицы, сквозная проводимость при этом повышается. Примесь от 10 до 1 ат. % меди к сульфиду мышьяка повышает электропроводность от 10 5 до Ом- -см2. Но в ряде случаев примесь 1—3 ат.% элементов II—III групп не влияет на электропроводность халькогенидных стекол, чем они резко отличаются от полупроводников, свойства которьй резко изменяются примесями. По-видимому, это связано с тем, что атомы примесей оказываются захваченными молекулярными включениями, обособленными от проводящего каркаса халькогенидного стекла. [c.120]

ПрнооАНые ресурсы. Содержание а земной коре составляет Са 1,5 10- % (масс.), 1п 1,4 -10- %, TI 4,5 -10- %. Это редкие и рассеянные элементы. Они входгт как примесь в различные руды. Галлий сопутствует алюминию и цинку, небольшие количества ицдия и таллия изоморфно распределены сульфидных полиметаллических рудах. [c.356]

Галлий — довольно распространенный в природе, но рассеянный элемент, содержится как примесь в бокситах, каменном угле, цинковой обманке. Однако встречается и собственно минерал галлия — гал-лит uGaSj. Получают галлий электролитическими методами из отходов производства алюминия и цинка. [c.306]

Следовательно, если бы удалось найти пути получения идеально чистых веществ, не содержавщх никаких примесей (в том числе и влаги), то работать с ними было бы практически невозможно. Малейшее соприкосновение с воздухом сводило бы на нет идеальную чистоту. Более того, даже если такое. идеальное вещество хранить в запаянной ампуле, то помимо неизбежных загрязнений материалами ампулы пришлось бы столкнуться еще с некоторыми опасностями. Известно, что космические лучи, достигающие поверхности нашей планеты, приводят к некоторым ядерным процессам. Например, в чистейшем образце галлия постепенно возникала бы примесь герианпя. Ничтожная -радиоактивность калия неизбежно приведет к появлению в любом соединении калия примеси кальция. [c.17]

Таким образом, свойства этих элементов подтверждают представление о том, что длинный период можно описывать как короткий, содержащий в средней части десять дополнительных элементов. Введение этих элементов отвечает включению десяти дополнительных электронов в пять З -орбиталей М-оболочки, в результате чего эта оболочка из 8-электронной, как в атоме аргона, становится 18-электронной. Длинный период поэтому удобно описывать как период, включающий десять переходных металлов, соответствующих присоединению указанных десяти электронов. В дальнейшем примем, что десять элементов, от титана в группе IVa до галлия в группе III6, составляют десять переходных элементов в первом длинном периоде, и в последующих периодах родственные им более тяжелые элементы также будем называть переходными . [c.472]

Автор указывает положение переходных металлов в соответствии с развернутой (длинной) формой периодической таблицы (табл. 5.1). В принятой таблице химических элементов Д. И. Менделеева (воспроизведенной иа форзаце книги) переходные металлы расположены иначе железо и платиновые металлы занимают правую часть таблицы (У1Пб группа), медь, цинк, галлий и родственные им металлы — левую часть, а титан, ванадий, хром и марганец со своими аналогами находятся в средней части (группы 1Уб, Уб, У1б, УИб). О природе переходных металлов см. также разд. 16.2. — Прим.. перев. [c.543]

Если в решетку кремния добавить фосфор, он зайхмет место одного из атомов кремния, но внесет в систему один дополнительный электрон. Это почти так, как если бы в решетку добавили ион Si Поскольку валентная зона кристалла заполнена, эти дополнительные электроны должны перейти в зону проводимости. Таким образом, примесь фосфора дает проводимость /1-типа. Элемент третьей группы, например галлий, будет при введении в решетку почти эквивалентен иону S + и, таким образом, создаст дырку в зоне проводимости, так что возникнет проводимость р-типа. [c.237]

Вариант с электрораспылением был разработан в начале 1980-х гг. в СКВ аналитического приборостроения в Ленинграде группой под руководством Л. Н. Галль. Метод был назван ЭРИАД (электрораспыление при атмосферном давлении). Одновременно или даже чуть позже метод разработала группа Дж.Фенна в США. В 2002 г. Дж. Фенн получил за эту работу Нобелевскую премию — Прим. ред. [c.627]

Рассмотрим природу р—/г-перехода. При легировании полупроводника донорными и акцепторными примесями образуются области с электронной и дырочной проводимостью. Например, при введении в кристалл фосфида галлия примеси серы, замещающей фосфор, образуются донорные уровни, поско.1)ьку у серы на один валентный электрон больше, чем у фосфора. Когда вводится примесь цинка, замещающего галлий, то образуется акцепторный уровош., так как у цинка на один валентный электрон меньше, чем у галлия. Вносимые этими примесями избыточные электроны или дырки (недостающие электроны) при комнатной температуре являются свободными, т. е. переходят с примесных уровней в зону проводимости (электроны) или валентную зону (дырки). Стремление носителей тока к равномерному распределению по кристаллу приводит к тому, что часть электронов переходит на ближайшие акцепторы это обедняет электронами /г-область и дырками р-область. На границе раздела возникает отрицательный заряд со стороны р-области и положительный — со стороны -области (рис. VI. 15). Эти заряды создают поле, препятствующее дальнейшему движению электронов пз п- в р-область. Собственно р—/г-переход находится в том месте обедненного слоя, где уровень Ферми пересекает середину запрещенной зоны. [c.143]

Принципиальная схема аппаратуры для газофазной эпитаксии за счет реакций химического переноса показана на рис. VI.18. Галлий транспортируется в виде субхлорида, образующегося при пропускании хлористого водорода над расплавом металла. Мышьяк и фосфор — в виде арсина и фосфина. Донорную примесь (селен) вводят в виде селеноводорода. Иногда применяют теллур или кремний в виде теллурорганических соединений и силанов. Акцептор (цинк) поступает обычно за счет диффузии из пара уже после выращивания эпитаксиального слоя. Газом-носителем служит водород, очищенный пропусканием через нагретый палладиевый фильтр. Скорость выращивания достигает 40 мкм/мин. К достоинствам этого метода относится высокая чистота конечного продукта и большая степень его однородности кроме того, этот метод отличается простотой, надежностью, производительностью, и, следовательно, экономичностью. Недостаток метода — низкая степень использования исходных продуктов ( 3%), а также необходимость работы с токсичными веществами (гидриды мышьяка, фосфора, селена и теллура). Схему, показанную на рис. 1.18, обычно используют в лабораторных условиях. Для повышения производительности [c.148]

Подробный обзор методов синтеза и свойств триметилгаллия и других галлийорганических соединений см. в книге Несмеянов А. П., Соколик Р. А. Методы элементоорганической химии. Бор, алюминий, галлий, индий, таллий.—М. Наука, 1964, с. 386. — Прим. перев. [c.916]

Следует подчеркнуть, что система N1—Мп — графит при соотношении металлических компонентов, близком к эвтектическому, обладает высокой вопроизводимостью результатов спонтанной кристаллизации алмаза по сравнению с системами на основе других переходных металлов. Поэтому данную систему целесообразно было использовать при изучении влияния добавок различных элементов к металлу-растворителю на процесс спонтанной кристаллизации. Элементы, воздействие которых изучалось, можно разделить на три основные группы. К первой относятся бор, азот, алюминий, способные в различной степени входить в решетку алмаза, образуя структурную, электрически активную для алмаза примесь. Вторая группа представлена металлами, образующими прочные химические соединения с углеродом и хорошо смачивающими поверхность алмаза — титан и цирконий. В третью группу входят металлы, взаимодействие с углеродом которых носит преимущественно физический характер и которые обладают низкой адгезией к алмазу и графиту (разжижающие добавки), — индий, галлий, медь, олово, сурьма. [c.379]

В обзоре О Донохью упоминается также, что оливин и крайний член этой группы — форстерит (Mg2Si04) были выращены в виде чистых кристаллов путем плавления в пламени [13]. При синтезе применялась горелка с тремя наконечниками, а питающий порошок состоял из кремнезема и магний-аммониевого сульфата. Прекрасные кристаллы оливина получил Ларри Ротрок из Юнион карбайд , применивший метод вытягивания из расплава. В качестве добавок служили железо, галлий, литий, никель и ванадий, и примесь двух последних элементов позволила получить привлекательные соответственно зеленые и синие кристаллы. [c.142]

Применяют как примесь для легирования полупроводников. Галлий-алю-миниевые сплавы, содержащие немного алюминия, представляют собой жидкости и реагируют с водой так же агрессивно, как натрий. [c.310]

Выводы автора основаны в первую очередь на измерениях Грэма, в распоряжении которого был лишь галлий недостаточной чистоты. Измерения электрокапиллярных кривых и дифференциальной емкости, а также определение потенциала нулевого заряда, выполненные с галлием высокой степени чистоты (>99,9998%), привели, однако, к иным результатам [171—174]. При достаточно высоких отрицательных зарядах поверхности электрокапил-лярное поведение галлия действительно близко к поведению ртути разница между потенциалами, соответствующими одинаковым зарядам на обоих электродах, составляет 0,17 в. При смещении потенциала в положительную сторону наблюдается резкое возрастание дифференциальной емкости, которое в отличие от ртути не может быть объяснено специфической адсорбцией анионов. Причина его, по-видимому, заключается в изменении ориентировки адсорбированных диполей воды, которые по мере снижения отрицательного заряда поверхности поворачиваются своим отрицательным кислородным концом к поверхности галлия. Возможность такого изменения ориентировки привлекалась в случае ртути для объяснения появления горба на кривых дифференциальной емкости (гл. IV). Это явление, несомненно, сильнее выражено на поверхности галлия, что связано, по-видимому, с более сильной адсорбцией воды на незаряженной поверхности галлия по сравнению с поверхностью ртути. Более прочная адсорбция воды приводит также к заметным различиям между поведением анионов на обеих границах раздела. Так, ион СЮ " который положительно адсорбируется на ртути, обнаруживает отрицательную адсорбцию на границе раздела галлий/водный раствор. — Прим. ред. [c.135]

Галлий всегда взвешивают в виде окиси ОэзОз после осаждения амми- аком, купфероном, сульфитом" аммония и др. из растворов его солей, где он находится в трехвалентном состоянии. Так как хлорид галлия ОаС1з летуч, осаи дение лучше проводить из растворов, свободных от хло-рид-ионов. Окись галлия, полученная прокаливанием при температуре ниже 1000° С, гигроскопична, и с нею следует обращаться должным образом. В окислительной атмосфере галлий можно прокаливать без потерь при 1300° С. Образующаяся при такой температуре окись не гигроскопична . Окись галлия белого цвета. Если она окрашена, то это указывает на наличие в ней примесей. Так, нанример, примесь окиси ин дия окрашивает ее в желтоватый цвет. [c.554]

Это позволяет отогнать все или большую часть примесей, которые испаряются легче, чем основа. Этому способствует также введение в пробу носителя. Его температура кипения имеет промежуточное значение между температурой кипения примесей и основы пробы. Температура электродов определяется температурой кипения носителя, что способствует полному испарению примесей и подавляет поступление в разряд основы до Н тех пор, пока в электроде есть носитель. Например, при анализе урана в виде закиси-окиси избе добавляют носитель — окись галлия, вес которой составляет 2% от веса пробы. Это повышает интенсивность спектральных линий 33 элементов, присутствующих в виде приме-Рис 148 Форма уране. Большинство из них полностью ис-электрода, позво- паряется вместе С носителем ДО начала поступ-ляющего увеличить ления В разряд урана. [c.280]

Си. Для получения без носителя облучению дейтронами подвергают металлический цинк. Мишень растворяют в 6 AI H i, примесь радиоактивного галлия экстрагируют эфиром, раствор нейтрализуют NaOH до pH = 1 и экстрагируют 0,001%-ным раствором дитизона в U. Четыреххлористыи углерод удаляют выпариванием, остаток прокаливают при 500° С. [c.245]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология