Скрытый рост

Во всех бактериальных культурах смерть и лизис являются последними этапами жизни, и несмотря на то, что этими процессами в основном пренебрегают, они, вместе со скрытым ростом, столь же правдоподобно объясняют уменьшение Ух/с как в условиях роста, так и в условиях голодания, что и концепция поддержания энергии. Феномены бактериальной смерти и лизиса мало изучались при температурах близких к оптимальным для роста, и для этих температур все еще остается неясным, происходят ли смерть и лизис последовательно или одновременно. Однако, если определять мертвую бактерию как бактерию, у которой полностью отсутствует биохимическая активность, можно заключить, что смерть и лизис при нормальной для роста температуре происходят одновременно. Гибель бактерий от повышенной температуры приводит к существованию мертвых клеток в фиксированном состоянии. Весьма ограниченные данные о взаимосвязи смерти и лизиса бактерий с температурой их роста [146] показывают, что лизис происходит и в отсутствие, и при наличии роста, но в последнем случае он зависит от скорости роста, так что удельная скорость смерти и лизиса ксл может быть выражена как [c.95]

Независимо от того, происходит или нет скрытый рост на продуктах лизиса, в бактериальной культуре, испытывающей в некоторой степени явления смерти и лизиса, это проявляется в снижении Ух/с- Это снижение будет, естественно, уменьшаться при наличии скрытого роста, но из-за потребности в энергии для скрытого роста углерод лизировавшейся биомассы будет не только включаться в новую бактериальную биомассу, но и выделяться в виде диоксида углерода в процессе получения энергии. Максимально возможный коэффициент выхода бактериальной биомассы для скрытого роста составляет 0,67, но в реальных условиях роста он всегда меньше, поскольку либо условия скрытого роста неоптимальны, либо некоторые из продуктов лизиса или медленно поддаются биодеградации, или вообще ей не поддаются. [c.95]

Гиббереллин инъецировали в 3 срока ранней весной— в начале периода роста, летом — в начале периода скрытого роста и осенью — в начале периода глубокого покоя. [c.289]

В работе [89] показано, что снижение на два порядка концентрации инициатора от 0,5 моль/л вызывало уменьшение содержания 1,2-звеньев от 47 до 7%- Доля г ыс-структур при уменьшении концентрации литийалкила возрастает [89]. Авторы работы [88] считают, что рост цепи возможен на ассоциированной форме, присутствующей в больших количествах при высокой концентрации инициатора. Вероятность атаки -углеродного атома при этом возрастает, так как а-углеродный атом скрыт в недрах ассоциата. [c.129]

С макроскопической точки зрения явления роста (растворения) кристаллов, диффузии молекул растворенного вещества к грани кристалла (или от нее), выделение скрытой теплоты кристаллизации (растворения) и переноса тепла в жидкой и твердой фазах, формирование полей концентраций, температур, скоростей в окрестности отдельного кристалла можно отнести к классу детерминированных систем. Однако системам присущи и явления стохастического характера зародышеобразование, агломерация и [c.3]

После смешения маточного раствора с исходным температура раствора лишь незначительно увеличивается и раствор может стать несколько ненасыщенным. Тогда в этой части аппарата могут возникнуть условия для растворения циркулирующих кристаллов. Вместе с тем после смешения увеличивается и концентрация раствора и условия могут быть таковыми, что раствор может стать насыщенным либо даже перенасыщенным. Выделяющаяся скрытая теплота при кристаллизации (или поглощающаяся при растворении) изменяет температуру раствора. Изменение температуры раствора приводит к изменению равновесной концентрации раствора, что влияет на рост (растворение) кристаллов. [c.178]

При движении раствора через слой кристаллов уменьшается пересыщение раствора по высоте аппарата за счет роста находящихся в слое кристаллов. Выделяющаяся скрытая теплота кристаллизации изменяет температуру раствора, изменение температуры смеси приводит к изменению равновесной концентрации раствора, в результате чего пересыщение оказывается зависимым от [c.211]

Приоритет был отдан валентности — дифференциации (методологически — это впадение в одну крайность). Такой путь не мог привести к построению органически целостной (естественной) Системы химических элементов. Вторая закономерная тенденция — интеграция (рост атомного веса) — была скрытой, и только мысленно химические элементы выстраивались в непрерывный ряд. Такой ответ удовлетворил меня в те далекие годы. Студенческие заботы захлестнули, надо было изучать другие дисциплины, сдавать новые экзамены. Но неудовлетворенность таблицей все-таки осталась где-то в запасниках моего мозга. К тому же, лантаноиды с актиноидами, вынесенные за рамки таблицы, побуждали к размышлениям. [c.9]

В последнее время развивается специальная группа приемов осаждения — гомогенное осаждение, или, правильнее, метод возникаюш их реактивов. Принцип этого метода заключается в том, что осадитель вводится в скрытой форме , чаще всего в виде органического соединения, которое медленно распадается в растворе. Таким образом, ионы осадителя медленно образуются и равномерно распределяются во всем объеме раствора. Концентрация этих ионов во время формирования осадка мала, механическое перемешивание отсутствует, поэтому скорость образования центров кристаллизации уменьшается. Эти условия способствуют росту отдельных кристаллов. В то же время уменьшается влияние внутренней адсорбции, и осадок захватывает меньше примесей. Методу возникающих реактивов посвящено много статей и монографий . [c.80]

Как показал эксперимент, с ростом абсолютного значения -потенциала растет и агрегативная устойчивость латексов. Повышение устойчивости латексов с увеличением отрицательного -потенциала общеизвестно. Но подобная же зависимость наблюдается и для перезаряженных латексов с положительно заряженными частицами. При pH = 3,9 в изоэлектрическом состоянии стабилизованные латексы тотчас коагулируют. При pH = 3,1 идет процесс скрытой коагуляции, переходящий за сутки в явную. При pH = 2,7 явной коагуляции не происходит в течение 25 дней. [c.383]

Температура и давление среды заметно влияют на величину скрытой теплоты испарения. Как правило, с ростом температуры и давления скрытая теплота испарения уменьшается. В критической точке, где нет различия между жидкостью и паром, скрытая теплота испарения равна нулю. [c.94]

Как видим, повышение температуры плавления этих нефтепродуктов с ростом давления идет крайне медленно. Столь же мало увеличивается и теплота плавления . Скрытая теплота плавления я застывания парафинов и церезинов приведена в табл. 32. [c.103]

Маслянокислые бактерии — строгие анаэробы, имеющие подвижные крупные спорообразующие палочки длиной до 10 мкм. Споры их цилиндрической илп эллипсоидальной формы. Наряду с масляной кислотой они могут образовывать (в меньших количествах) уксусную, молочную, капроновую, каприловую и друг е кислоты, а также этиловый и бутиловый спирты. Возбудители этого брожения развиваются главным образом в трубопроводах, насосах и других скрытых местах. Оптимальная температура для роста бактерий 30—40°С, при pH ниже 4,9 они ие развиваются. [c.210]

Неповторимость формы снежинок удается связать с представлениями о слабой стабильности. Образование кристаллов льда начинается с плоского гексагонального мотива кристалликов воды, растущих в шести эквивалентных направлениях. Поскольку вода быстро затвердевает, выделяется скрытая теплота кристаллизации, которая распределяется между шестью растущими выпуклостями. Эта выделившаяся теплота замедляет рост на участках, находящихся между выпуклостями. Такая модель дает объяснение дендритной, или древовидной, форме кристалла. Как незначительные различия в условиях роста двух кристаллов, так и их слабая стабильность обусловливают их неповторимое развитие. То, что находится на грани устойчивости, крайне чувствительно к небольшим изменениям и будет значительно реагировать на ничтожные усилия [17]. На каждой стадии такого роста реализуются слегка видоизмененные условия в микроокружении, что обусловливает новые изменения в развивающихся лучах (или ветвях). Однако приходится допускать, что для всех шести лучей условия микроокружения одинаковы, что определяет их почти полное тождество. [c.44]

При увеличении вьщержки рекомбинация частично происходит до окончания экспонирования, в результате чего рост центров скрытого изображения происходит преим. на пов-сти микрокристаллов и в относительно небольшом числе мест, т. е. образуются крупные центры, обладающие значит, каталитич. действием по отношению к восстановлению серебра проявителем, гго приводит к увеличению светочувствительности. [c.169]

Количественно эти изменения должны привести к понижению скрытой теплоты испарения при том же молярном объеме молекул, или же к росту последнего при постоянстве скрытой теплоты испарения. [c.243]

Период, когда скорость роста трещин непрерывно увеличивается (нестационарный участок). По-видимому, индукционный период является скрытой (вследствие недостаточной чувствительности динамометров) стадией этого нестационарного участка. [c.302]

При движении раствора через слой кристаллов вследствие их роста снижается пересыщение раствора. Выделяющаяся в процессе роста кристаллов скрытая теплота кристаллизации увеличивает температуру раствора, что, в свою очередь, приводит к изменению равновесной концентрации раствора. [c.359]

Коагуляция адсорбционно ненасыщенного латекса протекает в две стадии. Немедленно после введения электролита быстро возрастает мутность, характеризующая агрегацию и рост частиц (кривые /). Однако через некоторое время коагуляционный процесс резко затормаживается и останавливается, что видно из прекращения роста мутности. К этому моменту явной коагуляции латекса не наблюдается. Она наступает позднее, после индукционного периода скрытых изменений, в течение которого мутность системы остается практически неизменной. Таким образом, завершению явной коагуляции отвечает последняя опускающаяся ветвь нефелометрической кривой. [c.22]

Таким образом, влияние добавок электролитов при осаждении ванадия сказывается главным образом на величине частиц осадков поливанадатов натрия. По-видимому, это обусловлено тем, что присутствие электролита способствует коагуляции частиц осадка, когда они в процессе роста проходят диапазон размеров, соответствующих коллоидам. На это указывает и исчезновение скрытого периода кристаллизации в присутствии уже небольшого количества электролита. С другой стороны, повышение скорости осаждения ванадия при высокой концентрации электролитов до некоторой степени можно объяснить тем, что соль в растворе находится в гидратированном состоянии и поэтому в нем как бы повышается концентрация ванадия. [c.172]

Высокое электросопротивление стекла при невысоких те л-пературах позволяет весьма эффективно использовать стеклО для изготовления высоковольтных и низковольтных изоляторов. Стеклянные трубы благодаря этому свойству успешно применяют для монтажа скрытых электрических проводов, электрических предохранителей и т. д. Резкое снижение электросопротивления, а следовательно, увеличение электропроводимости стекла с ростом температур позволило применить метод высокочастотного нагрева при сварке труб между собой и при приварке-к ним стеклянных буртов. [c.21]

Понятно, что при использовании определенных аспектов теории роста бактерий влиянием многих из этих факторов можно пренебречь. К сожалению, данных, описывающих реальные процессы, в частности кинетических констант, недостаточно и всеобъемлющая модель, учитывающая большую часть перечисленных факторов, еще не построена. Тем не менее некоторые из них были исследованы. Например, Хамер с сотр. изучал зависимость процесса флокулообразования при наличии рециркуляции биомассы от жизнеспособности клеток [156, 157, наличия или отсутствия взаимодействия между клетками [158, смерти, лизиса и скрытого роста [159—161], влияния температуры и потребления в качестве субстрата твердых частиц [162], субстратов смешанного состава [163] и проявлений биологической активности в отстойниках [164], но эти подходы представляют собой только верхушку айсберга . [c.116]

Из приведенного определения понятия роста видно, что дать общий критерий, который бы позволил определить темпы этого процесса, очепь трудно. В качестве критериев можно брать 1) высоту, 2) толщину (для стебля), 3) массу (сырую и сухую), 4) площадь-(для листьев), 5) число клеток, 6) содержание белка, 7) содержапие ДНК. Однако ни один из этих показателей не дает подпой картины процесса роста. Нередко в зависимости от выбранного критерия мы получаем различные, а иногда и прямо противоположные результаты. Дело в том, что разные органы растепия растут с разной скоростью. Не всегда увеличение высоты растепия сопровождается увеличением массы, и изменение сырой массы не всегда апалогичио изменению сухой. Нередки случаи, когда параметры роста изменяются прямо противоположным образом. Так, например, при гфорастании семян увеличивается объем, но сухая масса уменьшается. Этиолированные проростки интенсивно растут в длину, но масса их не увеличивается. В покояпдахся растениях идет скрытый рост, который выражается в новообразовании элементов структуры и может не сопровождаться увеличением массы и даже объема. Говоря о росте, желательно уточнять, что именно имеется в виду — увеличение длины или массы, числа клеток или их размеров. [c.227]

Характер покоя различен, различны и части растения, впадающие в состояние нокоя. Одпако есть и общие черты, характеризующие покоящееся состояине. Это отсутствие видимого роста. В период покоя может происходить скрытый рост. Так, наблюдения показывают, что в зимний период почкы иесколько увеличиваются в размерах. Наряду с замедлением роста в период покоя уменьшается интенсивпость всех процессов обмена. [c.269]

Рост пузыря в бинарной системе. Рост пузыря в однокомпонентной системе ограничен скоростью, с которой теплота может подводиться к границе раздела для обеспечения скрытой теплоты испарения. Однако в бинарной смеси жидкостей подобное ограничение также возникает а результат-е того, что жидкость вблизи границы раздела пузыря обедняется более летучим компонентом 6]. Для продолжения парообразования и роста пузыря более летучий компонент должен 1еперь диффундировать из объема жидкости через область, обедненную им. Это видно из диаграммы, представленной на рнс. 6. Сначала в объеме жидкости содержится массовая доля Хд более летучего компонента, который перегрет иа величину (до точки ) над температурой кипения, соответствующей начальному состану жидкости Т(Хо) (точка О). На границе раздела пузыря массовая концентрация более летучего компонента в жидкой фазе уменьшается до х (точка А), тогда как состав пара в пузыре равен у (точка В). Соответствующее повышение температуры насыщения на поверхности пузыря [7 (л )—Т Ха)] обозначено ДГ. [c.414]

Большие резервы повышения рентабельности предприятия скрыты в улучшении использования производственных мощностей и основных фондов, в увеличении фондоотдачи. При этом непременным условием является опсрежающи/ г рост объема производства по сравнению с ростом стоимости основных фондов и оборотных средств. [c.301]

Уравнение Клапейрона — Клаузиуса находит многочисленные применения. Оно позволяет прежде всего весьма точно рассчитать скрытую теплоту парообразования какой-либо жидкости при заданной температуре, если известны удельные объемы жидкости и пара при этой температуре, а также ход изменения давления насыщенного пара с температурой вблизи заданных условий. Помимо этого, уравнение Клапейрона — Клаузиуса дает возможность оценить изменение V с температурой, причем это изменение не прямо пропорционально абсолютной температуре, как это можно было бы заключить по виду уравнения (1У.128). Здесь следует учесть, что оба остальных множителя также зависят от температуры, причем с1р1(1Т возрастает, а величина Уу—Ух ) резко убывает с ростом температуры. Сильное уменьшение разности удельных объемов с повышением температуры приводит к тому, что, как показывает опыт, у заметно уменьшается при росте температуры. [c.121]

Следовате.дьно, сгущение внутренней энергии в поверхностном слое в Шираком интервале температур не зависит от температуры (см. рис. I—5) и может рассматриваться, как было отмечено Эйнштейном, в качестве универсальной характеристики поверхности жидкой фазы (см. табл. 2). Постоянство г свидетельствует о том, что сгущение теплоемкости С-1 = с1е/ Т в поверхностном слое в рассматриваемом случае однокомпонентной жидкости равно нулю. Это означает, в спою очередь, что поверхность не сообщает молекулам дополнительных степеней свободы конечное же положительное значение т] говорит о том, что имеющимся степеням свободы присуща более высокая энтропия (они более свободны ) . Падению поверхностного натяжения о с ростом температуры при постоянном значении величины е отвечает рост скрытой теплоты образования поверхности т)Т. [c.21]

Маклаклан считает, что координирование роста шести лучей можно объяснить существованием термических и акустических стоячих волн в кристалле. По мере того как снежинка растет путем наслаивания молекул воды на первоначальный зародыш кристаллизации, она совершает тепловые колебания в температурном интервале 250-273 К. Движущиеся молекулы воды ударяют по зародышу, и некоторые отскакивают от него, а те, которые остаются, способствуют его росту. Разветвление происходит в местах с высокой концентрацией молекул воды. Если изначальный зародыш льда имеет гексагональную форму, показанную на рис, 2-38, <з, и условия благоприятствуют росту дендри-тов, го шесть угловых позиций будут получать больше молекул воды и будут выделять больше скрытой теплоты кристаллизации, чем остальные участки. Развитие дендрита, вытекающее из подобных условий, показано на рис. 2-38,6. Следующая стадия развития снежинки-это образование нового набора дендритных ветвей (или лучей), которые определяются характером колебаний вдоль иглообразных лучей снежинки. Считается, что длинные иглы, показанные на рис. 2-38, й, состоят из совокупности молекул, которые соответствуют структуре льда. Молекулы совершают колебания, и распределение энергии между колебательными модами находится под влиянием граничных условий. Когда одна из игл становится сильно перегруженной в некотором месте, в ней индуцируются продольные колебания, В узловых точках таких колебаний будут выбрасываться дендритные ветви, которые оказываются равноудаленными, как показано на рис. 2-38,г е. Как же стоячие волны в одной из ветвей взаимодействуют с себе подобными в других Такое взаимодействие осуществляется через центральную часть снежинки, в которой сходятся все лучи и через которую проходит ось симметрии. Это место сочленения ретранслирует все частоты колебаний, индуцируя те же самые узлы во всех лучах. Таким образом, Маклаклан утверждает, что дендритное развитие идет идентично во всех ветвях и оно не зависит от какой-либо выбранной ветви, для которой произошло изменение условии. [c.45]

Чем больше размер экспланта, тем легче идет морфогенез, в результате которого получается целое растение, но тем больше вероятность присутствия вирусов в экспланте. У многих видов и сортов растений зона, свободная от вирусных частиц, различна. Так, при клонировании апикальной меристемы картофеля размером 0,2 мм (конус нарастания с одним листовым зачатком) 70 % полученных растений были свободны от У-вируса картофеля, но только 10 % — от Х-вируса. В некоторых случаях не удается найти оптимальное соотношение между размером меристематического экспланта и морфогенезом в нем, и при этом избавиться от вирусной инфекцрш. Приходится дополнять метод культуры меристем термо- или(и) хемитерапией. Так, предварительная термотерапия исходных растений позволяет получать свободные от вирусов растения-регенеранты из меристемных эксплантов размером от 0,3 мм до 0,8 мм. Вместе с тем этот прием может вызвать отставание растений в росте, деформацию органов, увеличение латентных (скрытых) инфекций. [c.199]

Физико-химические основы процесса осадкообразования. Таким образом, введение в воду коагулянта при определенных условиях приводит к выпадению малорастворимого соединения. Система с таким осадком термодинамически неравновесна и с большей или меньшей скоростью стремится к равновесному состоянию. Этот процесс рассматривают как трехстадийный скрытый период, рост частиц твердой фазы и старение осадка. Скрытый период — это образование зародышей в пересыщенном растворе, на которых накапливается выпадающее из раствора вещество. Так как в технике водоочистки процесс гидролиза обычно протекает в разбавленных растворах, т. е. при незначительном пересьпцении, то зародышей образуется мало и они медленно растут до частиц крупного размера. На практике в сточных водах, содержащих микрогетерогенные примеси, зародыши могут образовываться в результате осаждения растворенного вещества па чужеродных частицах, присутствующих в воде [20], но при этом возможен и процесс возникновения зародышей в результате столкновения ионов или молекул. [c.20]

Из рис. 6 следует, что величина с ростом концентрации электролитов в растворах проходит через минимум и при достаточной ионной силе почти достигает своего первоначального значения. В опытах серий I и II при разнице в начальных концентрациях ванадия приблизительно в 2 раза величина к изменяется почти точно в 3 раза. В то же время при одинаковой начальной концентрации ванадия значения к для опытов в перхлоратной среде более чем в 4 раза превышают таковые для растворов, подкисленных серной кислотой в присутствии поваренной соли (кривые III и / на рис. 6). И, наконец, добавки поваренной соли при сохранении постоянства ионной силы раствора весьма суш ественпо снижают величину к (кривая IV). Таким образом, добавки электролитов фактически снижают скорость гидролитического осаждения ванадия, однако за счет уменьшения скрытого периода кристаллизации продолжительность осаждения может быть снижена в присутствии относительно больших количеств соли. [c.171]

Уже при неболыпих дозах облучения может проявляться канцерогенное действие, при кот<чюм скрытый период болезни может длиться годами или даже десятилетиями Причинную связь между п )вичным облучением и злокачественным перерождением клеток не всегда удается полностью проследить, однако бесспорна связь между изменениями ДНК и возиикновением раковых заболеваний Поскольку пороговое значение, очевидно, не существует, представляется возможным оцошть рост доли раковых заболеваний, исходя из любой достаточно большой экспозиции облучения для больших 1рупп населения При этом невозможно установить промежуток врем ш, в течение которого проявляется увеличение числа заболеваний раком Вероятность раковых заболеваний можно приблизительно определить, используя соотношение [c.213]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология