Дефекты, влияние линейные

Влияние линейных и плоских дефектов на свойства твердых тел. Более сложным видом нарушений структуры кристалла являются линейные дефекты или дислокации. Их возникновение обусловлено нарушением местоположения целой группы частиц, размещенных вдоль какой-либо воображаемой линии в кристалле. Возникновение дислокаций требует большой энергии, поэтому их число мало зависит от температуры кристалла и в обычных кристаллических образцах имеет порядок 10 —10 в 1 см . Как правило, дислокации образуются в процессе выращивания кристалла или при его механической и термической обработке. [c.81]

Другие механизмы. Кроме указанных механизмов, основанных на точечных дефектах, необходимо рассмотреть возможное влияние линейных дефектов. Имеется явное доказательство (основанное на опытах по окрашиванию и авторадиографии) того, что дислокации могут обеспечивать благоприятные участки для диффузии. [c.32]

Наконец, помимо рассмотренных точечных дефектов возможны линейные, плоскостные и объемные искажения кристаллической решетки. Один из видов искажений — краевая дислокация— показан на рис. 5.10. Такие искажения маловероятны у ионных кристаллов из-за увеличения энергии отталкивания катион — анион . Однако они имеют место в решетках металлов и оказывают сильное влияние на некоторые физические свойства, такие, как пластичность. [c.137]

Обычная трактовка эффекта адсорбционного понижения прочности является энергетической. Эффект характеризуется снижением работы образования новых поверхностей твердого тела в процессе деформации и разрушения под влиянием возникновения на них адсорбционного слоя. Однако, очевидно, что возможна и силовая трактовка этих дефектов проникновение адсорбционного слоя по поверхностям развивающегося дефекта (микротрещины) связано с возникновением раздвигающего усилия, пропорционально двухмерному давлению, т. е. понижению поверхностной энергии вдоль границы слоя (стерического препятствия). После разгрузки (снятия напряженного состояния) адсорбционный слой, попавший в микротрещину, развивающуюся под напряжением, вновь вытесняется из нее под влиянием молекулярных сил сцепления, которые действуют в тупиковой области по линейной границе трещины. Именно клиновидный характер сечения трещины в ее тупиковой части неразрывно связан с возможностью обратного смыкания трещины после разгрузки. Трещины же в представлении Гриффитса имеют эллиптическое сечение с поверхностной энергией постоянной вдоль всего контура, кривизна которого повсюду конечна и сохраняет постоянный знак. [c.219]

Рассмотрим, какие искажения вносят тепловые и примесные дефекты в структуру кристаллов, а также влияние подобных искажений на свойства твердых тел. Тепловые дефекты возникают как следствие тепловых колебаний частиц в узлах пространственной решетки кристалла. Обычно тепловые колебания частиц не приводят к нарушениям идеальной структуры кристалла. Исключения возникают, если та или иная частица или группа частиц приобретают повышенный запас кинетической энергии и покидают узлы кристаллической решетки. В зависимости от геометрии возникающих при этом дефектов их можно разделить на три группы точечные, линейные и поверхностные. [c.79]

СТОЯНИЯ 3000 (поз. 1, 3) и 2000 мм (поз. 2, 4), а для аппаратуры США оно было равно 1830 мм. При этом использовались усиливающие экраны из свинца. Относительная чувствительность линейных ускорителей, определенная по эталонам, для изделий из стали толщиной от 50 до 500 мм составляла 0,5—1,0%. Из-за влияния геометрических факторов изображение дефекта на снимке обычно несколько больше, чем его реальные размеры (см. рис. 81). Чем ближе будет располагаться дефект к пленке и чем меньше будет фокусное расстояние, тем меньше эта разница. Увеличение изображения дефектов особенно заметно при просвечивании сварных соединений больших толщин. Например, для толщин 80— 200 мм коэффициент увеличения составляет 1,4—1,7 [76]. [c.125]

В импульсных дефектоскопах применяют короткие (по сравнению с длиной волны) совмещенные преобразователи, которые в рабочем диапазоне частот (диапазоне А) ведут себя как сосредоточенные массы. Это увеличивает влияние дефектов на несущую частоту импульсов, служащую одним из информативных параметров при амплитудно-частотной обработке. Последняя реализуется, например, применением линейно-нарастающей частотной характеристики усилителя 12 в области рабочих частот совмещенного преобразователя. [c.323]

Лукьянов В.Ф. выделяет три характерных типа расположения инициаторов разрушения точечный, линейный и плоскостной [158]. К первому типу относят дефекты и концентраторы малой протяженности, расположенные так, чг их взаимное влияние на процесс разрущения исключено. Линейные инициаторы — это дефекты или концентраторы, ориентированные вдоль линии. Взаимное влияние соседних очагов разрушения способствует возникновению трещин на различных участках линии инициатора, их подрастанию и слиянию, с образованием протяженной магистральной трещины. К плоскостным инициаторам относят скопления дефектов, расположенных в плоскости, нормальной к направлению главного напряжения (рис. 10.3.1). Переход к ускоренному росту наступает для плоскостного и линейного инициаторов раньше и идет интенсивнее, чем для точечного [158]. [c.376]

Оценки влияния погрешности измерения при неразрушающем контроле дают следующее. Если измеренная методами неразрушающего контроля площадь дефекта в 2 раза превышает истинную, то эта погрешность обусловливает занижение расчетной предельной нагрузки приблизительно в 1,2 раза или завышение скорости роста усталостной трещины в 2 раза (при /w = 4). При той же погрешности измерения линейного размера а расчетная предельная нагрузка оказывается заниженной в 1,4 раза, а скорость роста усталостной трещины завышенной в 4 раза. [c.109]

Для учета влияния на выявляемость двух линейных размеров дефекта глубины в направление поверхности а и протяженности с, в работе [57] использовали уравнение [c.196]

При относительно высоких температурах (выше Од) рассеяние электронов полностью зависит от их взаимодействия с ионами решетки, энергия которых пропорциональна температуре соответственно р линейно зависит от температуры. Влияние примесей и дефектов решетки, все более усиливающееся при понижении температуры, приводит к тому, что ниже температуры Дебая (Т <0,1 0о) электросопротивление следует рассматривать как состоящее из двух составляющих [c.187]

Адсорбция примесей вызывает нарушения в построении кристаллической решетки, которая содержит точечные (вакансии и примеси), линейные (краевые и винтовые дислокации) и плоскостные дефекты. Высокая концентрация вакансий обуславливает резкое повышение скорости диффузионных процессов, количество дефектов в кристаллической решетке увеличивается. Дефекты кристаллической решетки оказывают существенное влияние на физические свойства образующихся осадков. В некоторых случаях на электроде возникает жидкоподобная структура — металлические стекла. Не имея границ зерен, они являются однородными метастабильными системами и часто обладают более высокой коррозионной стойкостью по сравнению с кристаллическими осадками такого же химического состава. [c.267]

Несмотря на трудности интерпретации Ф использование теории плавления кристаллитов конечного размера дает возможность оценить равновесную температуру плавления гомополимеров и сополимеров. Температура плавления, полученная линейной экстраполяцией, по-видимому, действительно является нижним пределом, так как не делалось никаких допущений о влиянии внутренних дефектов на кажущуюся температуру плавления. Необходимо отметить, что если даже соотношение (266) выполняется независимо от значения Ф, это еще не означает, что цепи в кристаллите сложены регулярно, а указывает лишь на конечную толщину кристаллитов. [c.312]

Любое искажение или нарушение регулярности в расположении атомов кристалла естественно считать дефектом кристаллической решетки. Наличием дефектов реальный кристалл отличается от идеальной кристаллической решетки, и ряд свойств реального кристалла определяется его дефектной структурой. Характер влияния дефекта на физические свойства кристалла существенно зависит от размерности дефекта. Под размерностью мы понимаем количество измерений, по которым дефект имеет макроскопические размеры. . Точечным (или нульмерным) дефектом называется искажение кристаллической решетки, сконцентрированное в объеме порядка величины атомного объема. Если правильное расположение атомов нарушается лишь в малой окрестности некоторой линии, то соответствующий дефект мы будем называть линейным (или одномерным). Наконец, когда нарушение правильного расположения атомов в решетке сосредоточено вдоль участка некоторой поверхности, захватывая слой толщиной порядка межатомных расстояний, то в кристалле существует поверхностный (или двухмерный) дефект. [c.174]

На рис. 76 показано влияние ширины пластины Ъ на прочностные характеристики склейки. Из рисунка видно, что с увеличением ширины пластины сдвигающая сила Р растет линейно, следовательно, величина средних сдвигающих напряжений (прямая 2) не изменяется. Интересно отметить, что при хрупком характере разрушения масштабный фактор прочности при такой схеме испытаний не проявился. Это, вероятно, можно объяснить тем, что дефекты расположены параллельно межфазной плоскости, а следовательно, и направлению сдвигающей силы и напряжений, поэтому дефекты не оказывают существенного влияния на сдвиговую прочность Та в отличие от нормальной (см. рис. 76). [c.98]

При более высоких температурах приходится также принимать во внимание ангармоничность колебаний решетки (разд. 11,4.5). Для веществ с большим коэффициентом объемного расширения члены Фз и Ф4 разложения потенциальной энергии [ряд (II. 98)], характеризующие ангармоничность. приводят к линейной зависимости теплоемкости от температуры. Вследствие этого значения теплоемкости таких веществ больше значения, предсказываемого законом Дюлонга — Пти. Члены Ф5 и Фб (а также более высокие степени Фз и Ф4) вызывают дополнительное увеличение теплоемкости пропорционально Т . Эффект ангармоничности в полимерах пока не исследован. Однако вследствие небольшого изменения энтропии при плавлении полимеры имеют высокие температуры плавления для величин их межмолекулярных сил. и поэтому следует ожидать, что ангармоничность влияет на теплоемкость полимеров. Дефекты (разветвления в цепях, концевые группы, гош-конформации, пустоты, поверхности кристалла) оказывают на теплоемкость влияние, подобное влиянию высших членов в (11.98). [c.61]

Все закономерности, полученные для материала, формованного продавливанием через мундштук, при нагреве повторяются и для материала близкого гранулометрического состава, но полученного прессованием в пресс-форму. Однако в материале, прессованном в пресс-форму, в зеленых образцах пористость отсутствует, так как при прессовании способом продавливания через мундштук вероятность возникновения различного рода дефектов типа надрывов и трещин несравненно больше, чем при прессовании в пресс-форму. При нагреве материала, прессованного в прёсс-форму, пористость образуется сразу в двух областях эф--фективных радиусов. Как видно из п эиведенных данных о влиянии давления прессования на пористость крупные макропоры (около 10 мкм) этого материала мало отличаются по величине эффективных радиусов от крупных пор в материале, прессованном продавливанием, однако поры в области меньших эффективных радиусов оказываются несколько больших размеров, что может быть результатом различия фракционного состава наполнителя для этих материалов. В связи с присутствием в материале, прессованном в пресс-форму, крупных транспортных пор, проницаемость его оказывается по величине большей, чем материала, прессованного продавливанием через мундштук, однако ход ее изменения с температурой для обоих материалов одинаковый (см. рис. 16). Увеличение общего объема пор без изменения величины их средних радиусов дает линейное возрастание проницаемости с пористостью на стадии ее развития (при карбонизации). Резкое возрастание проницаемости в области высокотемпературной обработки может быть также объяснено развитием трещин усадки. [c.42]

В четвертой главе подробно освещен термомеханический метод определения температуры стеклования и текучести полимеров, проанализированы особенности интерпретации термомеханических кривых для аморфных и кристаллических полимеров, приведен расчетный метод определения по химическому строению полимера величины механического сегмента. Рассмотрены две основные концепщш механизма процессов застекловьшания полимеров - релаксационная и межмолекулярная. Рассматривается более универсальный, чем широко распространенный групповой подход расчета свойств полимера по их химическому строению, атомистический подход, с использованием которого получены аналитические выражения для расчета по химическому строению температуры стеклования линейных и сетчатых полимеров. Выполнен анализ влияния типов разветвлений линейных полимеров, а для сетчатых полимеров - числа звеньев между узлами сшивки, типа и строения этих узлов, наличия и вида дефектов сетки на температуру стеклования полимеров. [c.15]

ДЕФЕКТЫ в кристаллах (от лат. <1еГес1из - недостаток, изъян), нарушения полностью упорядоченного расположения частиц (атомов, ионов, молекул), характерного для идеального кристалла. Образуются в процессе роста кристалла из расплава или р-ра, а также под влиянием внеш. воздействий (тепловых, электрич., мех., при разл. видах облучения), при введении примесей. Различают точечные (нульмерные), линейные (одномерные), поверхностные (двухмерные) и объемные (трехмерные) Д (см. рис. 1). [c.29]

Вместе с тем, увеличение плотности структуры кокса из жирных и коксовых углей в связи с большей их спекаемостью приводит к увеличению электропроводности и, в свою очередь, способствует снижению РС кокса. Наоборот, чем меньше спекаемость углей и менее плотный контакт между остаточным материалом угольных зерен или микрокомпонентов в зерне, тем больше дефектов в структуре вешества кокса, выше его РС и УЭС. Особенности углей, обусловливающие физико-химические свойства кокса, отчетливо проявляются в шихтах, составленных на основе или с их участием. РС и УЭС линейно зависят от толщины пластического слоя шихт (рис.3.7). При близких значениях толщины пластического слоя проявляется влияние его кажущейся вязкости, выхода летучих веществ и молекулярного строения вещества угля. РС и-УЭС кокса можно повышать с помощью углей в большей мере газовых, в меньшей отошенных, или понижать хорошо спекающимися углями. [c.76]

Отражения более высоких порядков имеют место при значениях Ь, кратных его значению для отражений первого порядка. Обычно в спектрометрах выдаются показания непосредственно в значениях Ь. Реально в большинстве спектрометров с полной фокусировкой используются кристаллы, лишь изогнутые по радиусу кривизны 2Н, без шлифовки их поверхности до полного совпадения с кругом фокусировки, так как шлифовка кристалла приводит к потере разрешающей способности из-за увеличения количества дефектО В и зон с мозаичной структурой. Такой компромиссный вариант, известный как оптика Иоганна, приводит к некоторой расфокусировке изображения на детекторе, но не вызывает заметного ухудшения разрешающей способности. В другом типе спектрометра с оптикой Иоганна поддерживается постоянньгм расстояние от источника до кристалла и кристалл изгибается так, чтобы К менялась с изменением Я в соответствии с (5.2). Несмотря на то что механическое устройство спектрометра такого типа несколько проще, чем линейного спектрометра, лишь только некоторые кристаллы, такие, как слюда и Ь1Р, допускают повторный изгиб без значительных повреждений. По этой причине спектрометры с изгибаемым кристаллом практически не используются в микроанализе. Оптика Иоганна была реализована в другом приборе — в спектрометре с полуфокусировкой , в котором также остается постоянным расстояние от источника до кристалла. Но в этом приборе в карусельном устройстве монтируются несколько изогнутых кристаллов с различными радиусами кривизны, каждый из которых можно устанавливать в рабочее положение, вместо одного изгибаемого кристалла. Однако условие фокусировки для каждого кристалла строго выполняется только для одной длины волны, и поэтому для других длин волн будут иметь место некоторая расфокусировка и потеря разрешающей способности и максимальной интенсивности. Достоинство этого устройства заключается в том, что положение источника рентгеновского излучения на круге фокусировки менее критично, в связи с чем рентгеновское изображение, получаемое при сканировании электронного луча по поверхности образца, менее подвержено влиянию эффектов расфокусировки, поскольку изображение уже расфокусировано в целом. [c.194]

Влияние условий электролиза и пластической деформации на МО,дуль упругости железных покрытий. Присутствие дефектов может привести к изменению модуля упругости шосредстенно- вследствие изменения плотности межатомных связей и косвенно - через влияние дефектов на движение дисло(саций. Приравняв внешнее напряжение к линейному натяжению дислокаций, можно получить зависимость величины изменения модуля А I от плотности дислокаций и средней длины дислокационных петель L [ЗбО] [c.117]

Спектры люминесценции допированного BI4Ge30i2 изучены в [340]. Показано, что ионы редкоземельных элементов действуют как доминирующие центры рекомбинации и определяют спектр эмиссии. Это объясняют прямым переносом заряда от внутренних дефектных ловушек к редкоземельным центрам рекомбинации. Влияние добавок ионов меди и иттербия на сцинтилляционные свойства ортогерманата висмута показано в [341]. Область гомогенного и гетерогенного захвата примесей, точечных и линейных дефектов, связанных с люминесценцией чистых монокристаллов Bi4Ge30i2, а также допированных ванадием, иттербием, хромом и железом, изучены в [342]. Исследован спектральный состав быстрой катодолюминесценции. Обнаружены изменения интенсивности и длины волны катодолюминесценции в зависимости от типа примесей и конфигурации дислокаций. [c.297]

Еще одним ограничением является то, что при измерении глубины поверхностного дефекта электропотенциальный метод работоспособен при условии существенной линейной протяженности дефекта, что характерно для трещин (длина дефекта должна, как минимум, в 3 раза превышать его глубину). Если это условие не выполняется, то существенно возрастает влияние на и составляющих тока, охватывающих края дефекта, при снижении влияния йд на и. Поэтому электропотенциальный метод, эффективно оценивающий глубину трещины, оказывается порой мало пригодным для определения геометрических параметров таких дефектов, как раковины, лунки, объемные включения, поры и т.п. [c.502]

Особый интерес представляет механическая активация твердых тел и реакций с их участием, так как установлено, что часть механической энергии, подведенной к твердому телу во время активации, усваивается им в виде новой поверхности, линейных и точечных дефектов. Кроме того, известно, что химические свойства кристаллов определяются наличием в них дефектов, их природой и концентрацией. С помощью механической активации удается использовать в химии ряд физических явлений, происходящих в твердьгх телах при больших скоростях деформации. К ним относятся изменение структуры твердьгх тел ускорение процессов диффузии при пластической деформации образование активных центров на свежеобразованной поверхности возникновение импульсов высоких локальных температур и давлений и т. д. Впервые к использованию этих эффектов в химии подошли исследователи, изучавшие влияние ударных волн и высоких давлений со сдвиговыми деформациями на свойства твердых тел. Однако указанные эффекты можно получить и с использованием измельчительного оборудования, что с практической точки зрения более целесообразно и осуществимо, особенно для непрерывных процессов. В результате совершенствования этого оборудования появились аппараты с высокой интенсивностью подвода энергии, и роль этих эффектов при измельчении сильно возросла. [c.803]

Задачей программы PIS -I было исследование достоверности определения линейных размеров дефектов по методике УЗК, рекомендованной для НКЭ оборудования АЭС правилами ASME (XI). Методика основана на использовании 50%-ной ДАС калибровки и рекомендована для ручного УЗК контроля сварных швов и зоны термического влияния корпусов реакторов с внешней стороны. [c.135]

Влияние дефектов на распределение напряжений в двумерном теле было впервые рассмотрено Инглисом [84, с. 219]. Гриффит [75] рассмотрел модель Инглиса применительно к случаю линейной трещины. Для определения условий механического разрушения были приняты два критерия. Первый — механическое разрушение происходит тогда, когда напряжение в вершине микро трещины достигает критического значения, определяемого струк турой и когезионными силами материала второй — общая энер ГИЯ системы уменьшается с увеличением размера дефекта с Система становится нестабильной, и размер трещины будет увели чиваться, если [c.53]

В отличие от теорий, в которых дефектность материала не учитывалась, Бикки [7.102] и Хэлнии [7.103, 7Л04], предложили молекулярные теории разрушения эластомеров с учетом дефектов и неоднородностей материала. В результате были получены уравнения, описывающие временную зависимость прочности, в частности, сложный степенной закон. Однако существенным недостатком подхода Бикки и Хэлпнна является то, что, признавая существенную роль вязкости, они в своих уравнениях пе учитывают в явном виде вклад гистерезисных потерь. Кроме того, их уравнения сложны и не поддаются простой физической трактовке [7.89, с. 196—203]. Поэтому обратимся к экспериментальным результатам по исследованию временной и температурной зависимости прочности эластомеров. Уже первые исследования [7.98, 7.105] выявили значительное влияние временных эффектов иа прочность эластомеров. Для эластомеров между прочностью и скоростью деформации е наблюдается линейная зависимость характерная для релаксационных процессов [c.224]

Влияние беспорядочного разветвления достаточно ясно второй дефект требует некоторого пояснения. В линейных углеродных цепях со звеньями типа СНг — СНХ все атомы углерода через один асимметричны, и отсюда возможна стереоизометрия. Это означает, что могут существовать несколько различных пространственных расположений атомов в звеньях мономера. Аркус [285а] довольно обстоятельно рассмотрел различные возможности. Ниже показано несколько возможных структур с исполь- [c.273]

Линейная механика разрушения. Наиболее эффективно проблема хрупкого разрушения решается с помощью линейшй механики разрушения. Анализ напряженного состояния в зоне острой трещины упругого материала в сочетании с критическим коэффициентом интенсивности напряжений при плоской деформации (/С/с) позволяет найти условия, при которых трещина будет быстро распространяться [54]. Определив вязкость разрушен1йя, устанавливав допустимые величины дефекта и остроту надреза, которые при заданном напряжении не будут распространяться. При этом для каждой части конструкции необходимо исполь ю-вать соответствующую ей вязкость разрушения, так как метал" . листа, шва и зоны термического влияния сварки имеет разную , вязкость при разрушении. Этот метод применяется при выборе высокопрочных материалов (а , = 150 кгс/мм ) дорогостоящих конструкций или когда разрушение конструкции приводит к катастрофическим последствиям. [c.162]

Зарождение и развитие трещин при КР должно в связи с этим зависеть от характера и расположения дислокаций. Считают, что копланарная (плоскостная) дислокационная структура способствует КР однофазных сплавов в связи с тем, что. такие дислокации легко расщепляются, удерживаются в плоскости скольжения, в то время как поперечное скольжение дислокаций затруднено. Троманс и Наттинг [45] считают, что плоскостное расположение дислокации способствует КР благодаря тому, что линейные ряды тесно расположенных точечных изъязвлений легко сливаются воедино, образуя щель, которая быстро распространяется под влиянием растягивающих напряжений. Ячеистая дислокационная структура более благоприятна сплавы с подобной структурой менее расположены к внутрикристаллитному КР в связи с тем, что в них облегчено поперечное скольжение дислокаций, а сама структура является неупорядоченной с высокой энергией дефектов упаковки. Структуры с низкой энергией дефектов упаковки, наоборот, способствуют внутриристаллитиому растрескиванию, поскольку поперечное скольжение дислокаций в них затруднено, что приводит к образованию строя дислокаций. Эдстрем и Фореман [8], отдавая должное этим исследованиям, отмечают, однако, что, исходя из этих позиций, нельзя объяснить вы- [c.110]

Дефекты структуры реальных кристаллов разнообразны. Прежде всего различают точечные, линейные и поверхностные дефекты. Простейшие и в то же время важнейшие точечные дефекты — это незанятые узлы решетки, или вакансии, и атомы, находящиеся в междуузлиях. Существование таких дефектов связано с тем, что отдельные атомы или ионы решетки имеют энергию, превышающую ее среднее значение при данной температуре. Такие атомы колеблются интенсивнее других и могут пере.меститься с одного места на другое, например, из узла решетки в междуузлие. Вышедший из узла атом называется дислоцированным, а незаполненное место, где он ранее находился,вакансией. В любой момент соседний с вакансией атом может перейти на ее место, освободив новую вакансию. Таким образом, вайаисии переходят с одного места на другое. Точечные дефекты оказывают очень большое влияние на свойства полупроводниковых материалов. [c.155]

Поглощаемая в процессе облучения мономерными кристаллами энергия может оказать существенное влияние не только на акты зарождения цепей, но и на условия их роста. Как указывалось выше, энергия возбуждения обычно локализуется на примесях либо на дефектах, где инициируется рост цепей. Процесс роста цепей можно также рассматривать как процесс развития новых дефектов в кристалле, а активный конец цепи — как примесь или дефект Например, дефект аналогичный дефекту Шотке, характеризующийся наличием вакансии или микрополости в решетке мономера, непосредственно у активного центра, может возникнуть в результате уменьшения линейного размера полимерной цепи по сравнению с мономерной заготовкой, из которой она образовалась. [c.101]

В табл. 3 приведены значения межплоскостных расстояний для атактических сополимеров А-16 с ИПА и МА-16 с МАК. Как видно из этих данных, при введении до 50—60 мол. % сомономера сополимеры сохраняют кристаллическую структуру гексагонального типа и величину большого периода, свидетельствующую о сохранении слоевой упаковки макромолекул. Значения температур и теплот плавления для сополимеров уменьшаются с увеличением содержания ИПА. Снижение температуры плавления сополимеров происходит медленнее, чем должно быть по теории Флори, что связано с кристаллизацией сополимеров за счет боковых ответвлений. Теория Флори применима для кристаллизации линейных полимеров и не учитывает особого случая кристаллизации гребнеобразных полимеров за счет упаковки боковых цепей. Таким образом, для сополимеров гребнеобразного строения кристаллизация за счет упаковки боковых цепей осуществляется легко и в широком интервале составов, т. е. введение посторонних звеньев вносит сравнительно небольшой дефект в упаковку гребнеобразных молекул. Наоборот, при введении даже небольших количеств А-16 (4—6 мол. %) в нолинзопронил-акрилат изотактического строения последний становится аморфным, а при увеличении содержания А-16 до 10% сополимер обнаруживает все признаки гексагональной упаковки цепей, что наглядно демонстрирует влияние длинных боковых групп на способность полимеров к кристаллизации и открывает перспективы возможного регулирования этих процессов за счет введения длинноцепных мономеров в линейные полимеры путем сополимеризации. [c.147]

IV. 14. Дислокация не может оканчиваться внутри кристалла. Следовательно, если дислокация выходит на поверхность растущей грани, она будет продолжать выходить на поверхность и по мере роста грани, и может покинуть ее только в результате перемещения к боковой поверхности. Следовательно, если дислокация влияет на скорость роста кристаллической грани, это влияние будет сохраняться по мере роста кристалла. Этим линейные дефекты — дислокации—отличаются от точечных, которые если и могут воздействовать на скорость роста, то только во время нарастания одного молекулярного слоя. (Дислокации могут также исч езать путем аннигиляции с дислокациями противоположного знака.) [c.125]

Хейер [178] оптическим путем измерял зависимость / от а на кристаллах уротропина, арсенолита и иода при их росте в откачанных запаянных стеклянных трубках. Для всех трех веществ наблюдались две последовательные стадии бездефектный и дефектный рост. Вторая стадия заключалась в том, что по достижении кристаллом определенного размера на его гранях появлялись обнаружимые дефекты, а скорость роста подчинялась линейному закону на первой стадии, когда кристалл был еще невелик, действовал квадратичный закон. Эти результаты согласуются с предсказаниями Бартона, Кабреры и Франка [41], если предположить, что появление видимых дефектов соответствует существенному повышению плотности дислокаций, причем расстояния между ступенями оказываются меньше или сравнимыми с Xs. Измеренные коэффициенты конденсации оказались, вообще говоря, меньше единицы даже в линейной области, что может свидетельствовать о влиянии инородного газа в системе. [c.458]

Даже в случае непрерывной однофазной системы неупорядоченные или дефектные участки могут представлять собой не только точечные, линейные или поверхностные дефекты, но и, вероятно, некоторые области типа участков проходных молекул, некри-сталлпзующихся компонентов и примесей, влияние которых на свойства должно быть весьма существенным. [c.52]

Предельной является цепь со статистически беспорядочным расположением элементов А и В. Такая цепь — простейший пример неупорядоченной решетки. Сравнение спектра этой цепи со спектром регулярной цепи. ..АВАВ... позволяет получить первое представление о влиянии неупорядоченности и дефектов на распределение частот. Плотность спектрального распределения частот р(о)2) для статистически беспорядочной цепи АВ представлена на рис. П. 13 [Дин (1960), ср. также Мартин (1960, 1961) Дин (1961) Матсуда, Ожита (1967)]. В протироположность спектру цепи с чередующимися элементами в этом случае между оптическими и акустическими ветвями щелей практически нет. У верхнего края акустической ветви число частот резко уменьшается, а в оптической ветви появляется множество новых максимумов, которые связаны с локальными колебаниями в цепи (ср. разд. 11,4.5). Если линейная цепь из элементов одинаковой массы все больше принимает конформацию, отличную от конформации полностью вытянутой цепи, то ее спектр все больше изменяется [Янник (1968)]. С увеличением в цепи числа статистически распределенных гош-конформаций плотность спектрального распределения частот на обоих краях спектра уменьшается и, наконец, в области и = (72) %тах становится равной нулю, В возникающих в результате этого щелях появляются частоты локальных колебаний оставшихся участков цепи с транс-конформацией. Строго линейная одномерная цепь является прежде всего простой математической моделью в общей теории колебаний. Однако она имеет мало общего с реальной цепной молекулой. По крайней мере следует учитывать, что [c.82]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология