Температура влияние на рост кристаллов

Температура оказывает двоякое влияние. С одной стороны, с ростом температуры возрастает диффузия ионов, что дает возможность увеличить плотность тока, при которой еще не начали образовываться дендриты, а также губчатые осадки. С другой стороны, повышение температуры электролита ведет к увеличению скорости роста кристаллов, что благоприятствует возникновению грубозернистой структуры. При не слишком высоких температурах преобладает влияние первого из рассмотренных факторов, вследствие чего качество покрытий улучшается. При высоких же температурах образуются покрытия худшего качества. Следует заметить, что при осаждении почти всех гальванических покрытий (за исключением хрома) с ростом температуры увеличивается выход по току. При этом улучшается и электропроводность раствора. [c.218]

Влияние изменения температуры на рост кристаллов. К 1 мл раствора нитрата свинца добавить равный объем раствора иодида калия выпадает желтый осадок. К осадку прилить 10 М.Л воды и нагреть до кипения. Если осадок полностью не растворился, то добавлять еще воды и кипятить. Бесцветный раствор разлить в две пробирки, нагреть до кипения и одну пробирку поставить в штатив для медленной кристаллизации, а другую быстро охладить водой. После охлаждения растворов до комнатной температуры сравнить величину кристаллов. Как следует охлаждать насыщенный раствор, чтобы получить мелкие кристаллы [c.99]

Влияние изменения температуры на рост кристаллов. К 1 мл раствора нитрата свинца добавить равный объем раствора иодида калия выпадает желтый осадок. К осадку прилить [c.89]

Алюминиевые оболочки герметичны и в 2-2,5 раза прочнее, чем свинцовые, имеют повышенную стойкость к вибрационным нагрузкам. В алюминиевых оболочках отсутствует наблюдаемый у свинцовых оболочек при повышении температуры самопроизвольный рост кристаллов. Основные физикомеханические свойства алюминия приведены в табл. 1.19. Благодаря большей механической прочности алюминия кабели в алюминиевых оболочках могут применяться небронированными. Высокая электрическая проводимость алюминия позволяет использовать алюминиевые оболочки в качестве экрана для защиты кабеля от внешних электрических влияний или в качестве нулевой жилы силовых кабелей. [c.22]

Рассмотрим влияние давления, температуры и длительности процесса на образование и рост кристаллов алмаза. Эксперименты по синтезу алмаза в системе N1—Мп — графит проводились в камере с реакционными объемами 0,7-10 м при изменении р, Т, -условий соответственно в интервале (с учетом температурной поправки) 4,8—5,6 ГПа, 1300—1590 К и длительностью от 10 с до 2400 с. В одинаковых контролируемых условиях проводилось не менее 15 опытов. Последующая статистическая обработка результатов подсчета числа образовавшихся кристаллов (реализованных центров кристаллизации) в каждой серии опытов позволила установить, что заметное образование центров кристаллизации при условии плавления металла-растворителя и длительности процесса 60 с наблюдается при давлении не менее 4,9 ГПа. Увеличение давления в реакционном объеме до 5,3 ГПа при постоянных Т слабо влияет на число образующихся Кристаллов. Экспоненциальный характер этой зависимости обна- [c.369]

Температура кристаллизации в общем оказывает положительное влияние на скорость роста кристаллов. При более высокой температуре сни-жаетсй вязкость раствора и, следовательно, облегчается диффузия. Однако в большей степени влияние температуры отражается на увеличении числа зародышей, что, как известно, приводит к образованию более мелких кристаллов. При положительной растворимости с повышением температуры кристаллизации уменьшается степень пересыщения раствора, что, в свою очередь, вызывает снижение движущей силы процесса. [c.636]

Имеются решения, основанные на более сложных кинетических зависимостях [19]. Например, учитывается влияние новых центров кристаллизации на скорость образования поверхности уже имеющихся кристаллов (индукционное зародышеобразование), рассматривается зависимость скорости роста кристаллов от диффузионного сопротивления и кинетики собственно образования кристаллической решетки, анализируется зависимость скорости роста кристаллов и интенсивности образования зародышей от температуры процесса. [c.157]

Влияние температуры на скорость роста кристаллов сказывается в том, что наибольшая скорость роста наблюдается при определенной оптимальной температуре, выше и ниже которой рост кристаллов замедляется. Так, при изучении скорости роста кристаллов глицерина (темп. пл. 19,5°) оказалось, что быстрее всего кристаллы растут при —3,5° (рис. 8). [c.56]

Систематических исследований зависимости скорости роста от давления в автоклаве в период роста кристаллов до настоящего времени не проводилось. Тем не менее имеющиеся отдельные экспериментальные и литературные данные позволяют сделать оценку влияния этого фактора. Несомненно, что повышение давления при сохранении неизменными остальных условий кристаллизации увеличивает скорость роста кварца. По-видимому, повышение скорости роста кристаллов с увеличением давления, а следовательно, и степени заполнения автоклава следует объяснить увеличением растворимости кварца и образующегося одновременно силиката натрия вследствие повышения плотности растворителя при высоких давлениях. В настоящее время мы не располагаем еще точным аналитическим выражением, связывающим изменение плотности раствора, давления и растворимости кварца, однако линейная зависимость между температурой и растворимостью силикатов натрия при постоянном давлении дает основание предполагать, что такая зависимость должна существовать и между давлением, плотностью раствора и растворимостью силикатов. На линейный характер зависимости скорости роста от коэффициента заполнения указывает Р. Лодиз [17] (см. рис. 7). Он отмечает, что такой характер зависимость имеет при низких степенях заполнения как для содовых, так и для щелочных сред. Если же степень заполнения в растворах гидроксида натрия превышает 82%.то, начиная с температуры 380 °С (давление порядка 200 МПа), эта зависимость отклоняется от линейного вида. При этом небольшое увеличение степени заполнения сосуда приводит к существенному повышению скорости роста. Р. Лодиз также указывал, что постановка опытов в растворах ЫаОН при высоких степенях заполнения позволяет выращивать однородные кристаллы с высокими скоростями роста без признаков вырождения растущей поверхности. [c.40]

Рассмотрим вопрос о влиянии размера кристалла на его ско-)ость роста и растворения с точки зрения диффузионной теории 331, 332]. Пусть рост единичного кристалла происходит в условиях, когда концентрация и температура раствора, в котором находится этот кристалл, не меняются во времени. Кроме того, примем, что кристалл имеет форму шара (рис. 27) радиусом г и окружен диффузионным слоем толщиной б, не изменяющейся во времени. Обозначим концентрацию раствора на границе раздела кристалл — диффузионный слой Со, а на внешней границе диффузионного [c.86]

Установлено, что первоначальный рост кристаллов (до раз мера около 0,1 м) происходит преимущественно в форм октаэдров (рис. 129). Дальнейший рост кристаллов сопровож дается резким увеличением на них числа граней куба. Причел этот характер неустойчивости гранкой формы алмаза сохраня ется в широком интервале р-Г-условий, а их влияние на габиту наблюдается только на последующих этапах эволюции кристал лов. Таким образом, отмечавшаяся выше зависимость габитус, синтетического алмаза от температуры его роста справедлив для кристаллов размером более (0,1—0,2) 10 з м. [c.372]

Для исследования влияния неоднородности расплава фторфлогопита на температуру его кристаллизации была определена температура начала кристаллизации iн. кр. расплава массой 100 кг по термопарам, установленным в разных местах боковой поверхности тигля. С этой целью печь с тиглем, находящимся в изотермической зоне, временно отключалась, и по,показаниям каждой из термопар строились зависимости iн. кр. от времени. Установлено, что расхождение между значениями кр., найденными по термопарам, расположенным на одном уровне по высоте тигля, не превышало 7 С, разница же в величинах Гн. кр по термопарам, находящимся на разных высотах, достигала 40 °С. Таким образом, несмотря на равномерное охлаждение всего расплава, кристаллизация начинается со дна, а затем сверху тигля, что приводит к встречному росту кристаллов как в вертикальном направлении, так и с боковой поверхности тигля к его центру. [c.30]

Из проведенного анализа можно сделать вывод, что причиной рекристаллизации в условиях периодического колебания концентрации или температуры межкристального раствора может быть различное влияние размера кристаллов на их скорость роста и растворения. [c.80]

Такой вид зависимости коэффициента Е от tp можно объяснить влиянием на процесс разделения двух факторов скорости роста кристаллов и наличием жидкой пленки маточника, увлекаемой барабаном при выходе его из ванны. С увеличением температуры (перегрева) расплава скорость роста, с одной стороны, замедляется, что способствует образованию более концентрированной кристаллической фазы в виде плотного слоя. С другой стороны, по мере роста температуры расплава уменьшается толщина кристаллического слоя при практически неизменной толщине жидкой пленки. В результате с ростом температуры расплава доля кристаллической фазы, образующейся к моменту выхода барабана из ванны, постепенно падает, а доля жидкой пленки маточника, отличающегося более высокой концентрацией низкоплавкого компонента, постепенно возрастает. Вследствие этого с увеличением температуры расплава концентрация высокоплавкого компонента в получаемом продукте понижается. Действием двух отмеченных факторов обусловлена экстремальная зависимость эффективности разделения от tp. [c.155]

Повыщение температуры часто способствует образованию хорощо сформированного осадка. Однако повыщение растворимости оказывается менее важным фактором, чем происходящее при этом увеличение скорости реакции на поверхности раздела фаз в период роста кристаллов. Влияние температуры на скорость кристаллизации станет более ясным при рассмотрении явлений старения (см. гл. 9). [c.161]

Количественные исследования кинетики кристаллизации полимеров в присутствии низкомолекулярных жидкостей проводили главным образом методом наблюдения за валовой скоростью кристаллизации вблизи температуры плавления. Кроме того, проводились и непосредственные микроскопические наблюдения роста кристаллов из очень разбавленных растворов полиэтилена [71]. Разбавление расплава должно оказывать влияние как на свободную энергию нуклеации, так и на процессы переноса, играющие определенную роль при нуклеации и росте кристаллов. [c.265]

Предполагается, что кроме температуры на рост кристаллов платины оказывает влияние и участие платины в каталитических реакциях. Участки контакта, на которых наиболее интенсивно протекает каталитический процесс, подвергаются наибольшим изменениям. По мнению А. А. Баландина [28], причиной значительного ускорения миграции атомов катализатора является подвижность промежуточных каталитических комплексов Когда Ха-к, к сравнительно невелика, мультиплетные комплексы вследствие теплового движения могут потерять связь со своим первоначальным местом на поверхности решетки и распасться в другом месте, отчего произойдет миграция атомов катализатора, невозможная в отсутствие каталитической реакции . А. А. Слинкпн [128] не согласен с этим мнением и считает, что для большинства каталитически активных металлов упругость паров незначительна при температурах ниже 800 К и поэтому отрыв атомов от кристалла в условиях каталитической реакции маловероятен. [c.174]

Наличные данные недостаточны для выяснения относительного влияния л и О на параметр В при той илн иной температзфе. Следовательно, мы не можем быть уверены, что для того отрезка времени, когда наклон кривой диагрзхммы рис. 2 достигает максимума, п достаточно велико и наклон зависит существенно только от О. Если бы это было так, то значение этого наклона выражало бы приближенно линейную скорость кристаллизации. Отметим, что наклон увеличивается при понижении температуры до — 25°С, а ниже этой температуры изменяется весьма незначительно. Тамман [128] получил подобные же результаты, исследуя линейную скорость кристаллизации некоторых веществ с низким молекулярным весом. Было бы весьма интересно продач-л<ить эти исследования в отношении выеокополимеров. Как и при исследованиях Таммана, влияние периода индукции могло бы варьироваться в ходе эксперимента, при котором определенные центры кристаллизации образовывались бы при данной температуре, а рост кристаллов происходил бы при другой температуре. [c.126]

Оценим кинетические константы. Для каждого падающего кристалла можно построить зависимость v=v i) и определить величину dvldt с точностью до малых первого порядка dvldt Lv—Подставив dvldt в уравнения (3.185), (3.186), можно разрешить их относительно диаметра сферы, масса которой совпадает с массой падающего кристалла. Подставив найденные значе- ния а в уравнения (3.185), (3.186), легко получить значения для скоростей роста кристаллов в соответствующих временных точках. Однако в нашу задачу входит не только определение скоростей роста по длине трубы, но и определение влияния на скорость роста кристалла пересыщения, температуры раствора, скорости обтекания кристалла раствором, вязкости и плотности среды, окружающей его. Если кристаллизация идет во внешней области (диффузионной), то массовую и линейную скорости роста кристалла можно представить в виде [c.295]

Рекристаллизация твердых тел как с изменением химического состава кристаллов, так и с сохранением его заключается в образовании одних зерен тела за счет других и протекает особенно интенсивно в пластически деформированных телах (например, катализаторы, получаемые смешением Компонентов с введением связующих добавок). Внешне рекристаллизация проявляется в изменении размеров и количества кристаллов. Движущей силой этого процесса считают уменьшение термодинамического потенциала катализатора в результате снижения суммарной поверхности границ кежду зернами или снятие искажений и напряжений в кристаллической решетке [5, 6]. Кинетика рекристаллизации характеризуется скоростью зарождения центров и линейной скоростью роста новых кристаллов. Значения этих величин зависят в первую очередь от чистоты твердого тела, степени его деформации и размера зерен [7—14]. Установлено, что чистые вещества рекристаллизуются особенно интейсивно. Малые количества примесей (иногда < 0,01 %) могут уменьшать скорость рекристаллизации на несколько порядков [5, 7—10]. Влияние температуры на скорость зарождения и роста кристаллов при определенной степени деформации катализатора приближенно выражается уравнением Аррениуса. [c.59]

Температура электролита. Повыщение температуры электролита так же, как и перемешивание, способствует интенсификации процесса электроосаждения металлов. При нагревании электролита возрастают катодный и анодный выходы по току (устраняется пассивирование анодов), увеличивается растворимость солей металлов и электропроводимость растворов, улучшается качество осадков вследствие снижения внутренних напряжений. В ряде случаев при комнатной температуре компактные, доброкачественные осадкк вообще не образуются-(станнатные) или качество осадюв существенно ухудшается (пирофосфатные электролиты), поэтому электролиты нагревают до 50—80°С. При этом появляется возможность работать при более высоких плотностях тока. Вместе с повышением температуры обычно снижается катодная поляризация, а в этих условиях скорость роста кристаллов преобладает над скоростью возникновения активных, растущих кристаллов, что должно приводить к образованию крупнозернистых и более пористых осадков, В то же время в горячих электролитах можно значительно увеличить допустимую плотность тока и как бы нейтрализовать отрицательное влияние температуры на структуру осадков. [c.252]

В идеальной инертной срёде алмаз начинает быстро графити-зироваться лишь с 1600 С [1]. При наличии даже самых незначительных следов кислорода графитизация начинается при температуре около 1000 С. Именно это каталитическое действие кислорода вызвало такую неопределенность в литературе. В синтетическом алмазе на графитизацию оказывают большое влияние еще и следы металла-растворителя, захватываемые ири росте кристаллов. Причем тип металлических включений играет огромную роль в оценке температурного влияния. Отсутствие Данных по кинетике графити-зации синтетических алмазов стимулировало, настоящую работу. [c.110]

Приводит к большей подвижности структуры кремнезема. Например, как это было отмечено Милликеном, Миллсом и Обладом [356], добавление 2 % АЬОз к силикагелю при нагревании до 1160°С дает более прочную кристаллическую решетку кристобалита, чем в случае чистого силикагеля, не содержавшего оксида алюминия. С другой стороны, при еш,е большем содержании оксида алюхминия кристаллическая решетка кристобалита начинает ослабевать. Наиболее важной концентрационной точкой оказывается такая, когда незначительное количество оксида алюминия в наибольшей степени упрочняет кристаллическую решетку кристобалита в кремнеземе после нагревания силикагеля до высокой температуры. Эти авторы констатировали, что поскольку кристобалит имеет ту же самую структуру, что и алюминат калия, но в отсутствие ионов калия, то влияние кремнезема на склонность оксида алюминия к кристалличности, вероятно, оказывается очень большим. Аналогично структура алюмината влияет на ориентацию кремнекислородных тетраэдров, примыкающих к алюминатной структуре, так что на границе раздела, вероятно, существуют отчетливые кристобалит-ные кольца. Такое влияние кристаллизации, или кристобалит-ных центров кристаллизации , по-видимому, простирается только на глубину в несколько молекул внутрь частицы кремнезема. Эти кристобалитные центры кристаллизации могут действовать как затравочные центры для роста кристаллов, как это наблюдалось, когда силикагелевые катализаторы с низким содержанием оксида алюминия нагревались до 1150°С. [c.756]

Рассматривая влияние химизма среды на процессы кристаллизации алмаза, особое внимание следует уделить воздействию азота — основной структурой примеси в алмазе. Выявить механизм этого влияния на зарождение и рост кристаллов и оценить его количественно позволяют эксперименты по синтезу в системе, обогащенной соединениями азота. Рассмотрим стадию зародышеобразования. Результаты экспериментов, проводившихся в диапазоне температур 1370—1570 К. Ар = 0,4 ГПа и при постоянной длительности 300 с, в ходе которых оценивалось число центров кристаллизации приведены в табл. 22. При этом в систему N1 — Мп — графит в качестве источника азота вводились соединения двух типов— нитрид марганца Мп4Ы и содержащие СЫ-группы цианамид кальция СаСЫг и гексациомоферроат калия К4ре(СЫ)б. Пред- [c.352]

Установлено, что первоначальный рост кристаллов (до размера около 0,1 10 м) происходит преимущественно в форме октаэдров (рис. 129). Дальнейщий рост кристаллов сопровождается резким увеличением на них числа граней куба. Причем этот характер неустойчивости гранной формы алмаза сохраняется в щироком интервале р-Г-условий, а их влияние на габитус наблюдается только на последующих этапах эволюции кристаллов. Таким образом, отмечавшаяся выше зависимость габитуса синтетического алмаза от температуры его роста справедлива для кристаллов размером более (0,1—0,2) 1о з м. [c.372]

При повышении температуры скорость межфазной стадии возрастает быстрее, чем скорость диффузии. Таким образом, с повышением температуры должны возрастать диффузионное влияние на рост кристалла, вероятность возникновения включений, скелетного роста, появления толстых слоев на гранях. Тем не менее частота образования включений, например на некоторых гранях кристаллов нитрата калия, с температурой уменьшается. Для объяснения указанного факта можно привлечь уже изложенные представления о существовании адсорбционного слоя раствора на грани. Поскольку повышение температуры ослабляет химические связи в адсорбционном слое, следствием этого является уменьшение ориентирующего действия поверхности кристалла на раствор, специфическое (зависящее от конкретной грани) уменьшение толщины этого слоя, короче говоря, десольватация грани. Видимо, этот процесс идет с повышением температуры достаточно интенсивно, что и вызывает уменьшение частоты возникновения включений раствора. Другая возможная причина уменьшения частоты возникновения включений может заключаться в так называемом недиффузионном захвате материала, обусловленном тем, что кристалл при росте занимает пространство, часть которого уже была занята веществом, находившимся в растворе и непосредственно использованном на постройку кристалла. Так как с повышением температуры концентрация раствора увеличивается, то увеличивается и часть объема, занятая этим веществом. Соответственно уменьшается и роль объемной диффузии. Роль недиффузионного захвата в уменьшении частоты возникновения включений может быть особенно заметна для нитрата калия, растворимость которого сильно возрастает с температурой. [c.47]

Амплитуда колебания температуры скажется на глубине периодического роста и растворения кристаллов. Если амплитуда колебания температуры равна нулю, то периодический рост и растворение частиц дисперсной фазы отсутствуют. Влияние размера частиц на скорость их роста и растворения не Ароявляется, и процесс рекристаллизации по указанному механизму не происходит. Если же амплитуда колебания температуры настолько большая, что при нагреве все частицы растворяются, а при охлаждении растворенное вещество выкристаллизовывается в виде мельчайших частиц предельной, коллоидной дисперсности, то такое колебание температуры может привести не к укрупнению частиц дисперсной фазы за счет перекристаллизации, а к увеличению дисперсности. Следовательно, для проявления указанного механизма рекристаллизации амплитуда колебания температуры должна быть умеренной и ее величина должна находиться в промежутке между описанными двумя крайними случаями. В этих условиях большая амплитуда колебания температуры приведет к более глубоким процессам роста и растворения кристаллов. Причем в большей степени скажется влияние размера кристалла на его скорость роста и растворения, и процесс рекристаллизации пройдет более интенсивно. [c.155]

Повышение температуры кристаллизации оказывает голожительное влияние на скорость роста кристаллов (при увеличении температуры уменьшается вязкость среды и облегчается диффузия), Однако рост температуры [c.346]

Влияние суспендированных твердых частичек онределяется прежде всего размером их. Так, при добавлении самого незначительного количества (следов) хлорного золота к расплавленнному стеклу оно остается бесцветным или желтоватым после охла к-дения, но при повторном нагревании стекло приобретает густой синевато-красный цвет рубинового золота. Перегрев изменяет цвет до темнокоричневого в отраженном свете и синего—в нрохо-дяш ем свете. Такая окраска стекла возникает благодаря наличию в стекле коллоидного золота (стр. 127). Вследствие высокого разбавления соли золота размер частичек вначале так мал, что их влияние на окраску незначительно. При подогревании происходит коагуляция или аггломерация частичек, вызывающая явления коллоидной окраски. Перегрев способствует увеличению размера частичек и соответственно понижает интенсивность окраски, особенно синих и красных компонентов. Меднорубиновое стекло получается таким же образом при применении закиси меди СпаО, повидимому, растворяющейся при высокой температуре, но нерастворимой при низкой, или, возможно, восстанавливающейся до металла. Здесь опять-таки для возникновения окраски необходимо повторное нагревание. Окись селена дает красную окраску без повторного нагревания. Матовые бесцветные стекла получаются при добавках плавикового шпата, криолита или фосфорнокислого кальция в виде костяной золы. Избыток окисей олова, цинка или алюминия производит такое же действие, но в меньшей степени. Прежде опаловые стекла вырабатывались из сплавов, в которых нерастворимые вещества выделялись при охла-,кденпи стекла самопроизвольно. Теперь есть возможность управлять этим процессом, создавая сплавы, в которых рост кристаллов опалесцирующих компонентов определяется кривой 2 рис. 9, а скорость образования зародышей — кривой А того же рисунка. При охлаждении стекла в области ниже кривой А в течение заданного периода времени может возникнуть [c.306]

Некоторые полимеры, особенно в присутствии воздуха, структурируются, образуя более хрупкие нерастворимые вещества. Такой процесс наиболее характерен для пластмасс на основе олеосмол. Эти материалы содержат катализаторы, способствующие структурированию, происходящему при образовании отверждающихся покрытий. Подобным же образом добавление перекисей и нагревание приводят к сшиванию поли-олефинов. Под влиянием температуры в полимерах, кроме описанных химических превращений, происходит ряд физических явлений. При нагревании осуществляется кристаллизация и рост кристаллов. Эти процессы могут усложнить предсказание поведения полимеров экстраполяцией данных, полученных при высоких температурах в условиях кратковременных испытаний. [c.190]

Из формулы следует, что при одинаковых условиях кристаллизации скорость роста кристаллов парафина прямо пропорцио- альна их концентрации и обратно пропорциональна вязкости среды. Влияние последней обычно проявляется в большей мере и потому в высоковязком топливе даже при наличии большого количества кристаллов выделившегося парафина в результате меньшей скорости их диффузии размеры кристаллов пара 1)ина будут значительно меньше, чем в маловязком топливе. Это в равной мере относится как к высококипящим топливам (дизельные топлива ДЛ и ДС, соляровое масло), обладающим высокой вязкостью при температурах от О до —15- —20 X, так и к Солее ни.чкокичящим дизельным топливам ДЗ и ДА, имеющим высокую вязкость при —ЗО г- —45 °С, а также и к реактивным топливам (Т-1 и в меньшей мере ТС-1), вязкость которых достигает высоких значений при температурах ниже —50- —60 С. [c.38]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология