Переходы электронные разрешенные

В A. . проявляются не все возможные квантовые переходы, а лишь разрешенные правилами отбора. Так, в случае атома с одним внеш. электроном разрешены лишь переходы между уровнями, для к-рых орбитальное квантовое число / изменяется на 1 (Д/ = 1), т.е. 5-уровни (/ = 0) комбинируют с р-уровнями (/=1), р-уровни-с d-уровнями (/ = 2) и т.д. Количеста характеристика разрешенного оптич. квантового перехода-его вероятность, определяющая интенсивность спектральной линии, соответствующей этому переходу. Вероятности переходов в простейших случаях м. б. рассчитаны методами квантовой механики. [c.219]

Таким образом, энергия, поглощенная молекулой, может вызвать колебания или вращение атомов в молекуле или переход электронов на более высокие энергетические уровни. Частота излучения, при которой данная молекула способна поглощать, зависит от изменений в колебательных или вращательных электронных состояниях, которые разрешены для молекулы данного строения. Спектр соединения представляет собой график, показывающий, какая часть электромагнитного излучения поглощается (или пропускается) при каждой частоте. Он может характеризовать строение соединения. [c.399]

Трудно разрешимы. В тех случаях, когда структура в спектре существует, определенные переходы могут быть разрешены или запрещены правилами отбора для вращательных и колебательных переходов. Эти правила также основаны на приближении Борна — Оппенгеймера, предполагающем разделение волновых функций отдельных мод. В асимметричной молекуле не существует ограничений на возможные колебательные переходы, так что ее спектр соответственно достаточно сложен. В симметричной молекуле только колебательные уровни той же колебательной симметрии для частиц на верхнем и нижнем электронных уровнях могут сочетаться друг с другом. Это значит, что, хотя все симметричные колебания сочетаются друг с другом, для антисимметричных колебаний возможны лишь переходы с До = 0, 2, 4 и т. д. Вращательная структура в электронной спектроскопии особенно сложна, поскольку вращательный момент молекулы может взаимодействовать с электронным моментом, причем известно несколько типов и случаев такого взаимодействия. Более того, возможные для молекулы вращения зависят от ее формы (линейная, симметричный волчок и т. д.), так что нет смысла приводить здесь отдельные правила отбора для вращения. Достаточно одного известного примера для перехода линейной молекулы правила отбора записываются в виде АЛ = 0, 1. [c.43]

Отсюда следует, что, если колеблющаяся молекула пахучего вещества каким-то образом связывается с молекулой обонятельного пигмента и если их вибрационные частоты одинаковы или почти одинаковы, они будут резонировать и при этом резонансная частота будет отличаться от нормального значения г1)у молекулы обонятельного пигмента. Тогда между частотами г1)и и будет иметь место некоторое перекрывание, а это разрешит переход электрона с возбужденного уровня на нормальный. [c.205]

Переход электрона с 5- на рх-орбиту, например, разрешен, если электронный заряд смещается из области новой узловой г/г-плос-кости в направлении х (рис. 2). Смещение имеет трансляционный характер, и момент перехода ориентирован вдоль оси х. С другой стороны, переход с орбиты Ру на орбиту рх запрещен, поскольку перемещение электронного заряда будет иметь вращательный, а не трансляционный характер, и число узлов не изменится. Так, интенсивность п- п полосы простых карбонильных соединений мала (см. табл. I), так как переход включает ру- рх возбуждение атома кислорода, причем направление 2 совпадает с осью связи С = 0. Полосы поглощения типа и-> а обладают умеренной интенсивностью (см. табл. I), так как переходы содержат некоторые атомные компоненты вида з р или р —> 5, которые разрешены. Высокая интенсивность поглощения простых молекул вызывается а о или переходами (см. табл. I), которые [c.324]

Поглощение света в видимой и ультрафиолетовой областях приводит к изменению электронной энергии молекул, связанному с возбуждением электронов, приводящим к переходу их со стабильных орбиталей на нестабильные. Для большинства таких изменений невозможно точно изобразить структуру возбужденного состояния с помощью обычных связей, поскольку возбужденный электрон не находится на нормальной связывающей орбитали. Переход электрона из основного состояния 1 в возбужденное Е2 сопровождается изменениями колебательной и вращательной энергии молекулы, как это показано на рис. 2-8. Обычно оказывается невозможным разрешить получающиеся в результате полосы поглощения в такой степени, чтобы можно было увидеть тонкую структуру, обусловленную колебательно-вращательными переходами. Вследствие этого полосы поглощения, связанные с электронным возбуждением, оказываются сравнительно широкими. [c.44]

ПИЯ Лапорта, в соответствии с которыми запрещены переходы V между термами, выведенными для одной и той же электронной конфигурации. Отсюда следует, между прочим, запрещение переходов электронов с одних -орбит на другие (например, переходы и с одних /-орбит на другие. Причину появления в спектре полос, отвечающих этим переходам, многие авторы видят в том, что в комплексах, не имеющих центра инверсии (тетраэдрические, пирамидальные и некоторые другие конфигурации), возможно частичное смешивание и р-орбит. В таком случав переход электрона осуществляется уже не просто с одной -орбиты на другую -орбиту, а с орбиты, имеющую смешанную d,p-характеристику на -орбиту. Переходы же типа —> р и наоборот разрешены. [c.29]

Оптическая активность. Феноменологическое описание оптической активности было приведено ранее (стр. 33). Естественно, что всякая попытка строго объяснить изменения в величине угла вращения и кругового дихроизма для разных полос поглощения данного комплекса начинается с точно такого же анализа расщепления уровней или состояний свободных ионов, какой проводится прн интерпретации спектров поглощения. Однако изучение оптической активности на этом уровне потребовало бы разбора довольно сложных вопросов, касающихся физики атома и выходящих за рамки данной книги. Поэтому этот вопрос не будет здесь подробно рассмотрен, тем более что в этой области до сих пор не удалось получить строгих количественных результатов. Укажем лишь на один важный вывод. Было показано, что большие значения угла вращения плоскости поляризации могут наблюдаться только для тех электронных переходов, которые разрешены как магнитные дипольные переходы. Приведенные выше диаграммы энергетических уровней позволяют качественно определить, какие переходы могут сопровождаться большими значениями угла вращения. [c.86]

Переход электрона из одного состояния движения в другое, как и всякое качественное изменение, совершается в процессе взаимодействия противоположных тенденций (борьбы противоположностей). Тенденция электрона к изменению движения под влиянием приложенной энергии внешнего воздействия (температура, давление, действие реагента, облучение и т. д.) наталкивается на стремление сохранить первоначальное состояние движения. Причиной этого сопротивления являются внутриатомные поля и одинаково заряженные поля самих электронов. Подобное взаимодействие противоположных тенденций разрешается в переходе электрона в новое состояние движения (образование химического соединения) при условии во-первых, достаточной величины приложенной внешней энергии, во-вторых, только в том случае, если электроны в образующемся едином поле молекулы будут занимать состояние с более низкой энергией, чем они занимали в поле изолированных атомов. Это основной принцип образования любого стабильного химического соединения. [c.26]

Для понимания проблемы важно идентифицировать электронное состояние (или состояния), приводящее к излучению. Спектр поглощения ЫОг в видимой и ближней инфракрасной областях исключительно сложен и проанализирован только частично [33]. Анализ показывает сильное возмущающее действие многих состояний, но излучение, по всей видимости, обусловлено только одним электронным переходом. Согласно выполненным сравнительно недавно расчетам [201], существует пять электронных состояний, расположенных выше основного состояния и проявляющихся в спектре поглощения > в видимой области. Среди всех возможных переходов полностью разрешены только переходы в линейное состояние и в более высокое состояние [c.186]

На рис. 111.15 повторена схема энергетических уровней при сверхтонком взаимодействии в системе с одним неспаренным электроном и ядром со спином /2, которая была уже показана в правой части рис. III.4, но теперь для наглядности две пары уровней (средних и крайних) сдвинуты по горизонтали в разные стороны. По правилам отбора разрешены два электронных спиновых перехода е(1) и е(2), показанные на обоих этих рисунках, и два ядерных спиновых перехода п(1) и п(2) (см. рис. [c.80]

Интенсивность поглощения. Переходы между двумя электронными уровнями разрешены только при изменении распределения заряда в молекуле. Этим переходам соответствует большая вероятность и потому высокая ин- [c.229]

Ступенчатая столкновительная релаксация колебательных возбуждений является относительно эффективным процессом, сечения рассеяния для одноквантовой дезактивации лежат в пределах 1—100% от газокинетических сечений для многих тушащих газов. Поэтому резонансная флуоресценция не наблюдается при давлениях, для которых кинетическая частота столкновения существенно превышает скорость спонтанной эмиссии например, для Л 10 с наблюдение резонансного излучения ограничивается давлениями ниже 1 мм рт. ст. (или меньше, если Л<10 с ). Нижние колебательные уровни верхнего электронного состояния заселяются переходами с уровня V, заселяемого поглощением, и при умеренных давлениях, при которых излучательные процессы и процессы тушения за счет колебательной релаксации еще конкурируют, излучение будет происходить со всех колебательных уровней верхнего состояния вплоть до V. Например, спектр флуоресценции МОг при низких давлениях, хотя его отдельные линии и не разрешаются, по мере возрастания давления в системе все более сдвигается в длинноволновую область. [c.93]

Между различными уровнями электрона в магнитном поле возможны оптические переходы. Так как правило отбора разрешает переходы, при которых ДМ= 1, то [c.671]

В случае переходов 2— 2 и 2 — 2 квантовое число У должно быть заменено квантовым числом N. Если дублетное или триплетное расщепление очень мало и не разрешается, то переходы 2 — 2 и 2 — 2 имеют такую же вращательную структуру, как и переход 2 — 2. В качестве примера на рис. 41, а приведена спектрограмма полосы О — О фиолетовой, системы полос 2 — 2 радикала СМ, полученная в поглощении при низкой температуре. Ясно видна простая структура с отсутствующей линией при Дублетное расщепление не разрешено. На рис. 41, б показана та же полоса, полученная в испускании при высокой температуре. Здесь видны линии с высокими значениями N на участке Р-ветви, соответствующем ее обратному ходу. Как и следовало ожидать для электронного перехода 2 — 2, эти линии расщеплены, что согласуется с тем фактом, что дублетное расщепление в 2 -состоянии в первом приближении увеличивается линейно с ростом N [уравнение <51а)1. [c.75]

Полоса 0—0 электронного перехода — 2 состоит из трех подполос 2—, 111— 2 и — 2. Если состояние относится к случаю связи а по Гунду, т. е. если велико спиновое расщепление, то каждая из трех подполос должна иметь 9 ветвей при условии, что не разрешается триплетное расщепление в (нижнем) состоянии 2. Большинство из этих 27 ветвей наблюдалось [70] для перехода [c.112]

Полоса 1—1 по деформационному колебанию при электронном переходе 2 состоит из трех электронно-колебательных подполос — П, 2 и 2 П. Как для N N, так и для ССО было найдено, что эти подполосы находятся на больших расстояниях одна от другой, что говорит о сильном электрон но-колебательном взаимодействии в электронном состоянии П. Структура первой из трех подполос очень похожа на структуру полосы О—О, за исключением того, что все линии в ветвях удвоены из-за /-удвоения в нижнем состоянии. Для N N или ССО было разрешено лишь очень небольшое число из всех 54 ветвей. В двух других подполосах наблюдается триплетное расщепление, которое быстро увеличивается с ростом N. Оно не может быть связано с расщеплением в нижнем электронно-колебательном состоянии так как это состояние относится к электронному типу 2, в котором спиновое расщепление мало скорее это расщепление обусловлено электронно-колебательным взаимодействием в верхнем электронном состоянии П. Как уже говорилось, постоянные спинового расщепления X и в таких электронно -колебательных состояниях 2 весьма велики, и в результате появляется по две подполосы как для перехода 2 П, так и для перехода 2 П. Первые из этих подполос связаны с верхними состояниями 2 ь а вторые — с состояниями 2э- и 2з+ соответственно. [c.112]

ПОЛОС относительно низкой интенсивности (молярный коэффициент поглощения - экстинкция е - в интервале 1-1СЮ0 л м моль ). Эти полосы обусловлены - -переходами электронов центрального атома. В ультрафиолетовой области спектр содержит несколько интенсивных полос с экстинкцией от 10 ООО до 100 ООО л м моль . Они соответствуют электронным переходам в лигандах и переносу заряда с центрального иона металла на лиганды и наоборот (полосы переноса заряда). Видимая область и ближняя область ультрафиолетового спектра комплексного соединения обусловлены электронными переходами из основного состояния в некоторые возбужденные состояния. Правило отбора говорит, что разрешены только переходы с равной спиновой мультиплетностью, а все другие являются запрещенными. Спиновая мультиплетность определяется уравнением (23 + 1), где Я- суммарный спин электронов центрального атома, который есть произведение спинового квантового числа, равного /2, на число неспаренных электронов центрального атома. Различают триплетное и синглетное спиновые состояния. Так, триплетное состояние характеризуется мультиплетностью 3, т. е. у атома есть два неспаренных электрона, а синглетное состояние - мультиплетностью 1, т. е. у атома нет неспаренных электронов. В комплексном соединении число неспа-ренных электронов зависит от поля лиганда. [c.529]

Вследствие дисперсии поляризуемость молекулы, так же как и ее молекулярная рефракция, увеличивается с увеличением числа электро-, нов i и их собственных частот Vj. Эта классическая теория дисперсии приводила к неразрешимым противоречиям, которые не могли быть разрешены введением ангармонических колебаний электронов. Наоборот, эти противоречия исчезают при применении как классической, так и современной волново-механической квантовой теории. Согласно старой квантовой гипотезе, из всех движений электрона, возможных по классической механике, происходят только такие, для которых величина действия является целым кратным планковского кванта действия h и которые, согласно Бору (N. Bohr, 1913), в противоположность воззрениям классической механики, происходят без изменения энергии, т. е. стационарно. Изменение энергии вследствие взаимодействия излучения с электронами происходит путем поглощения или испускания энергии при переходе электронов в другие стационарные состояния, которым соответствуют энергии Ej, Eg и т. д. В первом случае излучение с частотой V поглощается по уравнению [c.86]

Примером переходов, которые разрешены как по симметрии, так и по спину, могут служить соединения с двойной связью, где электронные переходы происходят со связывающей я-орбитали на разрыхляющую я-орбиталь. Порядок величины молярных коэффициентов погашения для этих переходов соответствует 10 — 10 л/(моль-см). В случае переходов между состояниями с различной спиновой мультиплетностью или запрещенными по симметрии молярный коэффициент погашения должен быть равен нулю. В действительности же эти переходы наблюдаются. Переходы, запрещенные по епину, могут стать разрешенными вследствие спин-орбитального взаимодействия соответствующий молярный коэффициент погашения имеет величину порядка 10- — [c.70]

В настоящее время общепринято нижеследующее представление о механизме люминесценции органических молекул. При поглощении кванта света молекула переходит из нормального состояния в возбужденное 5 (рис. 19). Оба эти состояния имеют ряд колебательных уровней и переход электрона из нормального состояния в возбужденное может произойти меяоду любыми из этих уровней, конечно при условии, что соответствующие переходы разрешены квантовомехапическими правилами отбора. Обратный же переход, сопровождающийся излучением, происходит с самого низкого электронно-колебательного уровня возбужденного состояния, так как избыток колебательной энергии распределяется по внутренним степеням свободы (по осцилляторам молекулы) или передается среде вследствие соударений с молекулами растворителя. [c.52]

Переходы, которые разрешены как спиновым, так и орбитальным правилами отбора, называются полностью разрешенными и дают наиболее интенсивные полосы поглощения, характеризуемые величинами е 10 ...10 . Интенсивность разрешенных по спину, но запрещенных по симметрии переходов лежит в пределах т. е. все-таки достаточно высока, что обусловлено следующим. Пока рассматривались правила отбора для чисто электронного (0- 0) перехода, когда и Гг,-полносимметричны, или по крайней мере не обращая внимания на первый интеграл в уравнении (Х1П.22), который отличен от нуля, если прямое произведение типов симметрии X также полносимметрично. [c.318]

Таким образом, существенное различие в сверхтонком взаимодействии с протоном в плоском и неплоском радикалах состоит в следующем. В первом случае взаимодействуют с основным состоянием такие возбужденные состояния, которые возникают вследствие переходов электрона с занятого уровня на незаполненные. Переходы с участием орбиталей не разрешены. Во втором случае изогнутого радикала симметрия системы более низкая и вследствие корреляции 3а1 <— 1 " разрешены переходы с участием орбита-лей а1. Поэтому Б неплоском радикале сверхтонкое взаимодействие, которое не сводится к поляризационному механизму (как это имеет место в радикале с сидмметрней >дл), может быть большим и положительным. [c.38]

Указанное кан(ущееся противоречие легко разрешается, еслп вспомнить,, что величина Vo определяет частоту электронного перехода и что соотношение (2.1) написано для спектров поглощения и излучения, соответствующих одному и тому же электронному переходу. У веществ, обладающих второй ультрафиолетовой полосой поглощения, имеются два разных перехода электронов один—при обычном поглощении в видимой части спектра или в близкой ультрафиолетовой области, второй—при поглощении в далёкой ультрафиолетовой области нм соответствуют различные обратные излуча-тельные и безизлучательные переходы. Ход процесса поясняется рис. 44. В рассматриваемых случаях коротковолновое ультрафиолетовое поглощение переносит электрон с нижней системы / на систему уровней /// (переходы 1). Предполагая, что опыт ведётся при относительно низких температурах, вследствие чего почти все невозбуждённые молекулы находятся на самом низком колебательном уровне, из рис. 44 заключаем, что спектр поглощения в далёкой ультрафиолетовой области даёт возможность установить взаимное расположение уровней системы III. [c.110]

Оптическая вращательная способность асимметричных молекул обусловлена электронными переходами, имеющими как электрический, так и магнитный дипольный момент [1]. Таким образом, оптически активные переходы являются обязательно сложными, и в зависимости от природы магнитного момента перехода они бывают двух типов. Большая вращательная способность связана с электронными переходами, которые разрешены правилами отбора для дипольного магнитного излучения и которые смешаны с электрическими дипольными переходами, обусловленными диссимметричными заместителями оптически активной молекулы. К этому типу относятся п зт -пере-ходы в карбонильной группе [2] и других органических хромофорах [3] и -переходы с низкой энергией в комплексах металлов [4], рассмотренные ниже. Магнитный дипольный момент перехода может также возникать в результате взаимосвязи некомпланарных электрических диполей, локализованных в изолированных хромофорах оптически активной молекулы, как это происходит в случае а-спиральных полипептидов [5] или стерически заторможенных диарилов [6]. [c.75]

Электронные переходы с вышелелсащих термов на основной называют резонансными, причем резонансный переход с близлежащего возбужденного уровня соответствует наиболее яркой в большинстве случаев линии в спектре. Возмол<ность тех пли иных электронных переходов определяется квантовомеханическими правилами отбора. Разрешены переходы с AL= I и с А/ = 0, 1. Запрещены переходы с изменением спина, т. е. AS при переходе должно быть равно нулю. Количество разрешенных электронных переходов определяет число линий в спектре элемента и, следовательно, его сложность, что, в свою очередь, оказывает существенное влияние на легкость выполнения качественного эмиссионного спектрального анализа. [c.9]

Яо1г). При этом вероятность поглощения и связанная с ней интенсивность поглощения пропорциональны величине 01р. В многоатомных молекулах разрешены переходы между электронными уровнями, соответствующими электронным состояниям с различной симметрией распределения заряда, и переходы без изменения суммарного спина системы (синглет-синглетные переходы). Им в спектре чаще всего соответствуют полосы интенсивного поглощения. В отличие от них электронные переходы с изменением спина (например, синглет-триплетные) запрещены. В фотометрическом анализе за поглощение аналитических форм ответственны именно переходы без изменения спина. Теоретическое рассмотрение спектров поглощения сложно и не всегда осуществимо, поэтому при химико-аналитическом использования электронных спектров, как правило, исходят из эмпирически полученного материала. [c.54]

Правила отбора (см. ч. I, гл. XIII) запрещают электронные переходы между -уровнями свободного атома или иона, т. е. - -> -переходы, поскольку -АО имеют центр симметрии. В электронных спектрах центросимметричных ионов и молекул запрещены переходы типа и и- и, разрешены только переходы д и. [c.209]

Четко разделить различные типы спектров невозможно. Так, в электронных спектрах могут проявляться колебательные, вращательные переходы, а также переходы между уровнями магнитной структуры (ЭПР), в ядерных спектрах — уровни ЯКР. В спектрах ЭПР, как показано далее, могут проявляться уровни, обусловленные взаимодействием неспаренных электронов с магнитными ядрами, в спектрах ЯМР — взаимодействием с неспаренными элек-1ронами. Следует отметить, что в ряде случаев добавочные расщепления не разрешаются приборами, а из-за перекрывания дают уширение наблюдающихся спектральных линий. Поэтому для точной расшифровки спектров и получения надежных данных об энергиях уровней следует проводить исследование каждого типа спектров в своем спектральном диапазоне. В связи с этим мы примем следующую систему изложения электронные спектры атомов [c.217]

ВИДИМ, что СТС обусловлено магнитным полем >1т,7( л рл )> которое ядро создает вблизи электрона. Величину Яй+-4 п,/( лрл0 можно рассматривать как эффективное поле (Нзфф). Так как разрешены переходы между состояниями с разной проекцией электронного спина (Дт = 1) и одинаковой — ядерного (Ат, = 0), то при взаимодействии спина 5= /2 одним ядром должны появиться две линии равной интенсивности, если спин ядра равен /г- [c.289]

Правило Лгшорта разрешены переходы между термами разной четно1 ти. Четность терма опреде.тяется суммой /, отдельных электронов (5 //). Если сумма /, чет- [c.89]

Правило Л апорта гласит разрешены переходы между термами разной четности. Четность терма определяется суммой отдельных электронов (2")- [c.80]

Определите, какие из следующих электронных переходов разрешены в двухатовлшх молекулах а) П— П б) 2 —в) 2-А г) 4-% Д) 2 е) ж) [c.41]

Л4. Для неэквивалентных электронов (конфигурацияpd) возможны термы F, D и Р. При этом ZS 4-1 = 3 или 1. Итак, для конфигурации pd возможны термы Р D, F, Р, D, F, а для конфигурации р — Р, и 5 Разрешены следующие переходы P p )J P(pd), P(p ) D(pd), D- F. D. P(pd) и KS(p )- P(pd). [c.144]

Хотя переход линейчатого спектра поглощения в сплошной типичен для малых молекул, диссоциирующих при поглощении в континууме, спектр некоторых соединений непрерывен во всей области поглощения. Это наблюдается в тех случаях, когда одно или оба электронных состояния, участвующие в переходе, нестабильны или настолько слабо связаны, что расстояние между колебательными уровнями уже не разрешается. Конечно, маловероятно, что нижнее состояние обычной молекулы настолько неустойчиво, чтобы давать сплошной спектр, хотя некоторые квазимолекулы , например, такие, как Hg2, образующиеся при высоком давлении паров ртути, являются причиной появления сплошного спектра. Многие молекулы действительно имеют отталкивательные возбужденные состояния. На рис. 3.2 показано несколько состояний иодистого водорода, коррелирующие с атомами Н(= 51/г) и 1( Рз/г) в основном состоянии широкая полоса поглощения расположена от 300 нм до Ж180 нм и соответствует переходам и [c.49]

В качестве примера рассмотрим разрешенные электронные переходы в молекуле точечной группы или в молекуле, у которой общие элементы симметрии в верхнем и нижнем состояниях принадлежат точечной группе Перемножая с помощью табл. 13, а типы симметрии и учитывая, что компоненты дипольного момента Му и имеют типы симметрии соответственно Бь В2 и А1, можно видеть, что переходы Л1—Б1 и А2—В2 разрешены, если дипольный момент перехода направлен вдоль оси х переходы Л1—В и А 2—разрешены, если момент перехода направлен вдоль оси у переходы Л1—Л2—Л2, —Bi ИВ2—В2 разрешены, если момент направлен вдоль оси г. В молекуле точечной группы Сау только для переходов Л1— Л 2 и В — j52 нет компонент дипольного момента, для которых интеграл (158) отличался бы от нуля. Они представляют собой запрещенные электронные пepe toды. Запрещенный характер таких переходов обозначается перечеркнутыми стрелками Л1 Л2, 51- - ->В2. [c.157]

Еслн с.хе. 1а Рассела—Саунлерса не выполняется, то спины и орбитаЛ1.пые угловые моменты отдельных электронов взаимодействуют между собой (приводя к -взаимодействию), применение квантовых чисел 5 и не имеет смысла и лрави.ча отбора не действуют. По этой причине переходы между сииглстными и триплет-ными состояниями (5 = 0- — "5=1) п тяжелых атомах разрешены, если даже они запрещены с легких атомах. [c.500]

Какие пз перечнс.ченных переходов разрешены в нормальном электронном спектре атома а) 2s—>-ls, б) 2р— -Is, в) 3d—>-2р,г) 5(i—>-3s, д) 5р— -3s [c.506]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология