Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Дырки энергия образования

    Это выражение получено в результате разделения энергии активации вязкого течения на энергию образования дырки и энергию перемещения кинетической единицы в эту дырку. [c.167]

    Энергию образования дырки можно рассчитать, воспользовавшись решеточной моделью полимерного раствора. Допустим, что в системе имеется п дырок, каждая из которых занимает одну ячейку. Число ячеек, занятых первым компонентом, обозначим через П, а вторым — через п . Компоненты могут входить в одну молекулу, образуя сополимер, или входить в разные молекулы, когда имеется смесь двух полимеров. Учитывая это, для общности рассмот- [c.49]


    Если энергия образования дырки линейно уменьшается с концентрацией [c.35]

    Полярность неподвижной фазы может быть оценена также и по инкременту удерживания на одну метиленовую группу сорбата, [10]. При увеличении полярности неподвижной фазы сумма энергий дисперсионного и индукционного взаимодействий остается примерно постоянной или несколько возрастает однако при этом увеличивается энергия образования дырки и снижается мольная энтропия растворения вследствие торможения движения молекулы в более плотной среде неподвижной фазы. В результате удерживание неполярного парафинового соединения при возрастании полярности неподвижной фазы, в первом приближении, падает (исключения — неподвижные фазы, содержащие гидроксильные группы). Этот фактор действительно коррелирует с полярностью. [c.24]

Таблица 1.2. Энергия образования дырки (в кал/моль) для четыреххлористого углерода, циклогексана и воды Таблица 1.2. Энергия образования дырки (в кал/моль) для <a href="/info/1356">четыреххлористого углерода</a>, циклогексана и воды
    Представляют интерес работы, в которых установлена связь между параметрами удерживания и составляющими энергии растворения. Если АЕа — энергия, необходимая (при постоянной температуре) для удаления молекул растворенного вещества из дырок в среде растворителя, АЕс — энергия, освобождающаяся при заполнении дырок молекулами растворителя (т. е. энергия образования дырки), то [129] [c.55]

    В теории диффузии остается не определенным относительный вклад в энергию активации при постоянном давлении энергии скачка иона в дырку и энергии образования дырки. Эту задачу можно было бы решить, если бы имеющиеся данные позволяли определить энергию активации при постоянном объеме, которая совпадает с энергией активации ионных скачков, поскольку число дырок не должно изменяться с температурой при постоянстве объема [76]. Помимо этого, измерения диффузии при постоянном объеме должны дать величину активационного объема, т. е. суммы активационных объемов для образования дырки и скачка. Если эта величина окажется близкой к объему, необходимому для ионного скачка, предложенный механизм диффузии можно будет считать доказанным [77]. [c.32]


    Благодаря наличию структурных пустот энергия образования дырки в самодиффузии воды не имеет особого значения. Поскольку в воде молекулы обычно перемещаются в уже существующие структурные пустоты, т. е. пространство, которое будет занято молекулами при самодиффузии, уже существует, самодиффузия не требует увеличения энергии активации. Это соответствует выводам работы [116], где установлено, что изменение объема при образовании активированного состояния, вычисленное из зависимости коэффициента самодиффузии от давления, отрицательно. Можно показать также, что энергия активации, требуемая для преодоления потенциального барьера, одинакова и для перемещения молекул, и для перемещения ячеек, т. е. в уравнении (3. 4.11) Е1=Е2=Е. Поэтому коэффициент самодиффузии [c.264]

    Окончательно теория концентрационной зависимости диффузии еще не создана. Существующие теоретические воззрения основаны на предположениях, что либо при увеличении концентрации растворителя уменьшается энергия образования дырки необходимых размеров, либо подвижность молекул полимера зависит от величины свободного объема, который изменяется с ростом концентрации растворителя в полимере [63, 64]. Если предположить, что [c.355]

    Энергия образования пары электрон — дырка в кристаллах кремния в германия значительно ниже — около 3 эв (см. гл. VII). [c.62]

    Л. Пастером (1860 г.) было показано, что оптическая активность органических соединений является результатом их асимметрического строения. Однако лишь тетраэдрическая теория Я. Вант-Гоф-фа и А. Ле-Беля (1874 г.) позволила объяснить явление оптической активности. Физический механизм вращения плоскости поляризации света асимметричной молекулой заключается в поглощении ею кванта света, перехода электрона на уровень с большей энергией, образовании на месте этого ушедшего электрона пробела ( дырки ), к которому будут винтообразно двигаться электроны из других частей молекулы. Направления вращения этого электронного потока противоположны для правого и левого изомеров. Это вращательное движение электронов создает добавочную магнитную компоненту в световой волне, испускаемой молекулой, что и приводит к вращению плоскости поляризации. [c.184]

    Вакансии. В металле, к примеру, отдельные узлы решетки, которые должны быть заняты атомами, могут оставаться вакантными, в результате в структуре образуются дырки. Атомы, окружающие дырку, не будут, конечно, оставаться в тех же положениях, которые они занимали бы, если бы в вакантном узле присутствовал атом. Они будут смещены таким образом, чтобы частично заполнить брешь. Вакансии могут быть либо равновесными, либо неравновесными. Для большинства металлов при температурах, близких к точке плавления, свободная энергия образования вакансий достаточно низка для того, чтобы равновесная концентрация вакансий была [c.119]

    Здесь —энергия образования дырки, приближенно вычисляемая из поверхностного натяжения 7 расплавленного электролита по уравнению [c.193]

    Это предполагает, что большая часть теплоты активации для вязкого течения фактически представляет собой энергию образования дырки в жидкости. [c.217]

    В общем случае энергия активации диффузии складывается [20] пз энергии образования дырки в растворителе и энергии, необходимой для отрыва диффундирующей молекулы от соседней и перехода ее в вакансию. Однако Френкель [20] указывает, что энергия активации диффузии и самодиффузии — совпадающие величины, [c.34]

    Ширина запрещенной зоны Д о определяет энергию, необходимую для переноса электрона из валентной зоны в зону проводимости, т. е. определяет энергию образования пары электрон — дырка. Чем меньше ширина запрещенной зоны, тем меньшую энергию нужно затратить для перевода электрона из валентной зоны в зону проводимости, а значит тем больше тепловая генерация собственных носителей тока при данной температуре. [c.172]

    Компонентом химических равновесий является всякий дефект или примесь в кристалле, энергия образования которого велика по сравнению с кТ. Если же эта энергия мала по сравнению с кТ, то дефекты или примеси находятся в мгновенном равновесии и не могут рассматриваться как отдельные компоненты. Следовательно, атомы примеси, ионы, вакансии, электроны, дырки должны рассматриваться как компоненты химических равновесий, устанавливающихся в объеме кристалла. [c.171]

    Механизм проводимости, основанный на представлениях о наличии состояния с переносом заряда, был развит в работах Риля и Лайонса Согласно Лайонсу, энергию образования разделенных ионов (т. е. электрона и положительной дырки, локализованных на удаленных друг от друга молекулах) [c.65]

    Аналогичным образом можно рассматривать и ассоциацию нейтральных вакансий металла, эквивалентных нейтральным атомам галогена [77]. Различие состоит в том, что в одинарных вакансиях металла дырка не распределяется по всем расположенным рядом с вакансией ионам галогена, а ограничивается только двумя из них, т. е. образуется молекулярный ион. Такой вывод подтверждается изучением содержащего V-центры кристалла LiF методом парамагнитного резонанса, которое показало наличие молекулярных ионов ЕЕ вблизи одинарной вакансии лития [78]. В результате энергия образования пар в рассматриваемом случае дается в виде [c.217]


    Энергетика вращательной диффузии складывается из двух составляющих энергии образования дырки, т. е. флуктуации свободного объема, и кинетической энергии частицы, достаточной для преодоления активационного барьера вращения в дырке. Энергия активации измеренная при постоянном давлении, содержит оба эти вклада энергия активации Е , измеренная при постоянном объеме, не содержит первой составляющей и является истинным энергетическим барьером вращения. [c.221]

    Весьма вероятно, что энергия образования в растворе дырки молекулярного размера определяется более сложной функцией от размеров растворяемой молекулы чем выражение Но в отношениях- -ь/. -б,н+ и т.п. влияние этого фактора в первом приближении все же сокращается, так как изменение объема или других геометрических параметров молекулы при присоединении протона к ней незначительно . [c.503]

    В соответствии с теорией Вундерлиха [235], абсолютное значение скачка теплоемкости при стекловании АСр связано с мольной энергией когезии полимера при температуре стеклования и энергией образования дырки согласно зависимости [c.165]

    При конденсации одного моля идеального газа выделяется энергия, равная ЯТ. При образовании раствора для неидеальных систем между молекулами сорбата и неподвижной фазы возникают межмолекулярные силы, которые оцениваются как АНвГ, в то же время необходимо затратить энергию образования дырки в среде неподвижной фазы ДЯ  [c.13]

    При постоянном объеме А5 = 0 и тГо,у = то. Сопоставление уравнений (7) и (8) с экспериментальными результатами (см. табл. 8) показывает, что основным фактором (в рамках теории абсолютных скоростей реакций), определяющим вращательную подвижность спинового зонда в полимерах, является энергия образования флук-туационного свободного объема (а не энергия, необходимая для переориентации молекулы в дырке). [c.137]

    Центры окраски различаются по длине волны собственного поглощения и положению их собственного уровня в запрещенной зоне электронные центры дают уровни выше середины запрещенной зоны, дырочные центры — ниже середины запрещенной зоны. Электронные центры могут отдавать избыточный электрон, т. е. они являются донорами, дырочные центры могут захватывать электрон и являются акцепторами. Энергия образования центра окраски оценивается по положению и интенсивности полосы поглощения. Если полоса поглощения попадает в область видимого света, меняется видимая окраска кристалла. Так, в результате нагревания щелочногалоидного кристалла в парах щелочного металла заметно меняется его окраска например, бесцветные кристаллы Na l, K l в парах Na приобретают ярко-синюю окраску. Появляющиеся спектральные полосы поглощения характерны для кристалла и не зависят от того, какой щелочной металл использован для испарения.Этим подтверждается предположение, что центр окраски создается при взаимодействии собственного точечного дефекта кристалла с электроном или дыркой, поставляемыми из щелочных паров. [c.312]

    Хираи и Эйринг [267] в качестве характеристики жидкого состояния использовали равновесие между дырками и фонснами. Дырки характеризуются мольным объемом Юп и энергией образования 8/,. Исчезновение дырки вызывает упругое напряжение, распространяющееся со скоростью упругих волн. Энергия расходуется на изменение жидкостной решетки. Перемещение молекул или их сегментов, являющееся медленным процессом, было описано с помощью теории переходных состояний. [c.142]

    В случае дырочного механизма часть величины IV составляет энергия активации самого колеблющегося атсжа, тогда как другая относится к его ближайшему окружению, характеризуя энергию образования дырки [45]. [c.168]

    В рамках дырочных моделей диффузии в полимерах и жидкостях существует два равнораспространенных подхода модель активированной диффузии и модель свободного объема. В соответствии с первой моделью перескок молекулы произойдет в том случае, если она обладает энергией, большей или равной энергии активации процесса Ев- Эта величина, в соответствии с (1.35), равна критической энергии образования дырки Ен необходимого размера и энергии диссоциации межмолекулярных связей Еъ- Поскольку Ек>Еь, обычно в расчетах прцримают Ео Ен. Однако в [19] для объяснения экспериментальных результатов в области высоких температур 7 >Гс+100° автор предлагает рассматривать Ев как сумму всех трех элементарных составляющих трансляционного движения [c.17]

    Оценка константы Kst- Энергия самозахватывания Est дырки из валентной зоны равна той доле энергии образования молекулы-иона, которая связана с укорачиванием связи С1 — С1. Прямые измерения этой величины не проводились. Делбек [63] показал, что ниже определенной критической температуры (—100° для КС1, —130° для КВг, —180"" для KI) ориентация, а следовательно, и местоположение молекулы-иона замораживается. По-видимому, разумно допустить, что переориентация возможна при достаточно высокой температуре, когда расстояния С1 — С1 в молекуле-ионе и невозмущенном кристалле практически совпадают. В этом состоянии дырка способна не только свободно мигрировать, но и принимать участие в образовании связи между другой парой ионов, т. е. она располагается в валентной зоне. Поэтому предположим, что энергия активации переориентации (fro) равна энергии захватывания (Est)- [c.397]

    Полупроводники в качестве ионизационных камер. При использовании кристаллических счетчиков возникают серьезные ограничения, обусловленные тенденцией носителей заряда (электронов и положительных дырок ) захватываться примесями и дефектами кристалла захваченные заряды искажают приложенное поле и ведут к поляризации кристалла и к различным амплитудам импульса от моноэпергетических ионизирующих частиц. Помимо этого, воспроизводимость недостаточно хороша при смене кристаллов. Эти недостатки в значительной мере устранены в недавно разработанных полупроводниковых приборах. Подвижности и времена жизни носителей заряда в полупроводниках гораздо больше, чем в изоляторах, и поэтому захват носителей представляет существенно менее сложную проблему. Кроме того, энергетическая щель между самой верхней заполненной полосой и полосой проводимости составляет в полупроводниках, как правило, всего лишь 1 эв это означает, что необходимая для образования пары электрон — дырка энергия относительно невелика и, следовательно, полупроводниковые детекторы потенциально обладают хорошим энергетическим разрешением. [c.142]

    И. Хабер (Краков, ПНР). Авторы доклада 12 обсуждают различия в прочности Ч5ВЯЗИ кислород — Сг + в шпинели и твердом растворе в свете представлений теории кристаллического поля. Однако, чтобы наблюдать какую-либо разницу в величинах энергий стабилизации кристаллического поля, необходимо, чтобы дырка, образующаяся во время хемосорбции, была локализована в твердом растворе и делокализована в шпинели. Мне кажется, что энергия образования ассоциации с дефектом слишком мала, чтобы при сравнительно высоких температурах, применяемых авторами, быть ответственной за наблюдаемые различия. Необходимо также обратить внимание на тот факт, что весьма опасно сравнивать поведение ионов хрома в шпинели и в твердых растворах с MgO, исходя только из представлений о симметрии и взаимодействии Сг — Сг, так как кристаллические решетки этих веществ различны и отличаются поэтому по энергиям и другим свойствам, которые являются функциями характера решетки. Кроме того, следует указать на то, что шпинель — это дефектная структура и растворение MgO в шпинели, соответственно, повышает концентрацию вакансий хрома. Эти дефекты могут значительно влиять на хемосорбционные свойства указанных катализаторов. [c.208]


Смотреть страницы где упоминается термин Дырки энергия образования: [c.50]    [c.249]    [c.175]    [c.24]    [c.250]    [c.293]    [c.356]    [c.293]    [c.137]    [c.471]    [c.492]    [c.205]    [c.64]    [c.222]    [c.886]    [c.391]    [c.535]   
Новые проблемы современной электрохимии (1962) -- [ c.193 ]

Новые проблемы современной электрохимии (1962) -- [ c.193 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Дырки

Энергия образования



© 2025 chem21.info Реклама на сайте