Схема по линии кристаллов

Основным достоинством этого процесса являются его простота и экономичность, так как пропан одновременно является и растворителем, и хладоагентом. Кроме того, пары пропана используют и для отдувки осадка на фильтре. Это позволяет исключить из схемы линию инертного газа. При депарафинизации пропаном вследствие малой вязкости раствора при низких температурах скорость охлаждения значительно выше, чем при использовании кетонов. В процессе охлаждения, особенно остаточного сырья, совместная кристаллизация твердых углеводородов и смолистых веществ приводит к образованию крупных дендритных кристаллов, что обеспечивает высокую скорость фильтрования — до 600— 1000 кг/(м2-ч) по сырью из расчета на полную поверхность фильтра. [c.185]

Поскольку рассматривается процесс очистки основного вещества от примеси, то при заданной схеме процесса кристаллы в низу колонны будут содержать меньше примеси, чем кристаллы в верху колонны, и. следовательно, имеет место случай, когда а<1. В дальнейшем для удобства будем оперировать величиной а =1/а. Таким образом, с введением безразмерных координат (1) уравнение рабочей линии [уравнение (111.42)] запишется как 1 1 [c.185]

Для получения кристаллической фазы высокой чистоты можно применять схему последовательной перекристаллизации по линии кристаллов с отбором маточников после каждой ступени [c.74]

Анализ схемы последовательной перекристаллизации по линии кристаллов показывает, что с увеличением числа ступеней чистота кристаллического продукта возрастает, а его выход падает. При этом эффективность разделения, как и в предыдущей схеме, зависит от степени переохлаждения расплава на каждой ступени разделения Д/с. С уменьщением Ate эффективность разделения возрастает. [c.75]

Рис. 239. Схема движений кристалла и кассеты в прецессионной камере при съемке ненулевой слоевой линии а — расположение га-ной сетки обратной решетки б — расположение кристалла, ширмы и кассеты в — область сетки обратной решетки, пересекающая сферу отражения

Н аиболее распространенными являются схемы последовательной перекристаллизации расплава по линии маточника или по линии кристаллов. Первая из этих схем применительно к бинарному расплаву представлена на рис. 1У-3. Исходный расплав Р поступает в первый кристаллизатор, где образуются кристаллы и маточник [c.144]

На рис. 1У-5 представлена схема последовательной многократной перекристаллизации по линии кристаллов, позволяющая получать практически чистые кристаллы. Выход последних с увеличением числа ступеней, однако, быстро падает. Процесс разделения по данной схеме, изображенный на диаграмме равновесия (рис. 1У-5, б), позволяет при п ступенях получать п маточников различного состава и конечную кристаллическую фазу с концентрацией высокоплавкого компонента С , Выходы кристаллического продукта и маточника на га-ой ступени выразятся [c.147]

Рис. 1У-5. Схема последовательной перекристаллизации по линии кристаллов.

Схема кристаллизации показана на рис. 272. Если примесь П образуют с основным металлом А твердый раствор ЛЯ, то в этом случае кристаллизация при медленной остывании пойдет по схеме, показанной на рис. 272. Если состав сплава отвечает точке N, то в начале кристаллизации будут выделяться кристаллы твердого раствора, отвечающие точке N. По мере выделения сплава, богатого компонентом А, состав жидкой фазы и его температура кристаллизации будут меняться по линии ликвидуса, а состав твердой фазы — по линии солидуса. Повторные расплавления и кристаллизация сблизят состав сплава N с исходным чистым компонентом А. [c.589]

Схема рентгеносъемки по методу вращения кристалла, наглядно иллюстрирующая формирование слоевых линий на рентгенограммах, приведена на рис. VI.3, а, а на рис. VI.3, б показана рентгенограмма вращения монокристалла кварца вокруг оси с. [c.115]

Первоначальные схемы рентгеносъемок по методу Вайсенберга предполагали строго фиксированное расположение первичного пучка по отношению к оси вращения кристалла и составлявшее угол 90°. В результате этого при рентгеносъемке ненулевой слоевой линии с большими значениями п существует слепая область, точки которой не отображаются на рентгенограмме. [c.117]

На рис. XI.7 представлена схема расщепления мессбауэровской линии для случая, когда в кристалле существует градиент элект- [c.206]

Естественно, что возможна и промежуточная схема — поворота и кристалла, и детектора. В частности, можно имитировать схему обычного дифрактометра, работающего по методу перпендикулярного пучка (см. рис. 34) кристалл вращается вокруг оси, перпендикулярной первичному пучку, а детектор наклоняется по дуге для регистрации лучей заданной слоевой линии (и остается неподвижным в процессе регистрации всех лучей этой линии). [c.77]

Рассмотрим теперь закономерности в характеристических рентгеновских спектрах элементов, открытых в 1913—1914 гг. английским ученым Мозли. Рентгеновские излучения возникают в рентгеновской (вакуумной) трубке под влиянием бомбардировки потоком электронов (катодных лучей) материала антикатода, который и является их излучателем. Длины волн рентгеновских излучений 0,006—2 нм (см. схему в гл. III). По выходе из трубки они с помощью кристаллов могут быть разложены в спектр. В этих спектрах обнаруживаются линии характеристических излучений, индивидуальных для каждого элемента и почти не зависящих от того, в каком соединении находится элемент в материале антикатода. Характеристические спектры состоят из ряда серий К, L, [c.92]

На схеме рис. 11 для упрощения линии технологической воды не показаны. Ее подают во все аппараты и кристаллизаторы, а также на вращающийся вакуумный фильтр, на котором промывают кристаллы перед подачей их в секцию формования таблеток. Воду предварительному умягчению не подвергают. [c.75]

Как это происходит, можно проследить по двумерной схеме. На рис. 2.5 показана часть квадратной решетки. Структурной единицей для такой квадратной решетки служит квадрат когда этот квадрат повторяется параллельно самому себе таким образом, что заполняет определенную плоскость, образуется модель двумерного кристалла. В данном случае показаны решетка атомов одного вида, изображенных малыми шарами в точках пересечения линий решетки, и решетка атомов другого вида, представленных более крупными шарами в центрах элементарных квадратов. Такую структуру можно описать при помощи коорди- [c.33]

Закон Брэгга можно легко получить с помощью схемы, представленной на рис. 5.2. Пусть когерентный пучок рентгеновских лучей зеркально отражается от параллельных кристаллических плоскостей, расположенных на расстоянии друг от друга. Из двух лучей, ход которых показан на рис. 5.2, нижний на пути выхода из образца проходит дополнительное расстояние AB =2d sin в. Если это расстояние равно целому числу длин волн пк, то отраженные лучи будут совпадать, по фазе и пропорциональный счетчик зарегистрирует максимум интенсивности. Если используется. высококачественный кристалл-анализатор, дифрагированный пучок получается довольно узким. Например, измеренная полуширина линии составляет при близительно 10 эВ при собственной полуширине 2 эВ. Рентгеновское излучение, длины волн которого не удовлетворяют закону Брэгга, поглощается в кристалле илп проходит сквозь него в его держатель. [c.191]

Кварцевая проточная кювета (объемом 0,5—0,1 см ), лампа — источник УФ-излучения. С одной стороны кюветы имеется заслонка для установки прибора на нуль, с другой ее стороны — фотоумножитель. Применяется для измерений при 254 нм в непрерывном анализе. Линейная шкала поглощений (О — 0,5 или О — 2,5), которую можно использовать для регистрации результатов с помощью отдельного записывающего устройства. Может быть использовано для управления устройством отбора фракций. Сменные детекторы. Предусмотрена возможность работы в различных спектральных диапазонах. Однолучевая схема путем выделения (фильтрами) спектральной линии при 254 нм, излучаемой ртутной лампой низкого давления диапазон видимого света 410—700 нм с использованием клинообразного интерференционного фильтра с полушириной полосы пропускания 25 нм ближняя ИК-область спектра (700—950 нм) —с применением клинообразного интерференционного фильтра с полушириной полосы пропускания 40 нм. Двухлучевая схема (по выбору 254 или 280 нм) используется с применением флуоресцирующего кристалла в качестве источника (полуширина 17 нм). В модели 660 для анализа непрерывного потока вещества можно выбирать различные линии спектра излучения ртути (254, 313, 364, 405, 435, 546, 679 нм). Выбор нужной линии осуществляется с помощью сменных фильтров. [c.408]

Рис. ХУ-19. Схемы многоступенчатой перекристаллизации а по линии маточника 6 — по ЛИНИН кристаллов.

Опыт эксплуатации аппаратов гидротермального выращивания кристаллов указывает на необходимость тщательного изучения различных вариантов теплоизоляции несущего сосуда и выбор оптимального на стадии проектирования, а также ее модернизации и совершенствования при внедрении и эксплуатации. Осуществить это на практике с помощью натурного экспериментирования, особенно для крупногабаритных промышленных установок, чрезвычайно сложно и связано со значительными трудовыми и финансовыми затратами. Например, чтобы получить экспериментальные данные (в объеме, достаточном для последующих численных расчетов) о распределении температур по поверхностям корпуса и затворных деталей на опытном сосуде емкостью 1,5 м , потребовалось установить около 150 термодатчиков (с общей длиной коммуникационных линий 2000 м) и провести около 10 экспериментальных циклов. Естественно, что такой подход неприемлем, когда требуется получить оперативные данные о возможности влияния предполагаемой реконструкции теплотехнической оснастки сосуда на температурный режим в реакционной камере и энергопотребление аппарата. В этом случае наиболее целесообразным является создание для каждого типа промышленных аппаратов математической модели теплового баланса установки на основе использования современной вычислительной техники. Конечно, для указанных целей нет необходимости в разработке громоздких вычислительных схем, основанных на моделировании всего комплекса теплофизических процессов, происходящих в аппарате. Достаточно иметь сравнительно простую модель теплообмена с окружающей средой установки, схематично разбитой на основные теплотехнические зоны. Как правило, целесообразно разбить моделируемую установку на следующие зоны нижний и верхний затворные узлы, нижняя, верхняя и средняя части корпуса, зоны крепления сосуда. Можно использовать и более детализированные модели, однако увеличение числа зон свыше 20—25 нецелесообразно. Математической основой таких моделей является простое соотношение теплового баланса для каждой зоны при условии ее изотермичности [c.276]

Метод ЭПР-спектроскопии был впервые применен для исследования облученного природного кварца Дж. Гриффитсом, Дж. Оуэном и Дж. Бардом в 1954 г. Они идентифицировали центры, получившие впоследствии название А1-центров дымчатой окраски и присутствующие во всех синтетических кристаллах кварца, содержащих структурную примесь алюминия. Наблюдаемый (при 7<]50 К) спектр ЭПР состоит из шести групп по шесть линий в каждой (магнитная кратность (/ а=6). Появление сверхтонкой шестикомпонентной структуры (СТС) обязано взаимодействию неспаренного спина с магнитным моментом ядра алюминия (спин ядра / = 5/2). На основе экспериментальных данных О Брайен в 1955 г. рассмотрела модель такого парамагнитного центра и провела расчет схемы его электронных уровней в рамках приближения молекулярных орбиталей — линейных комбинаций атомных орбит (МО ЛКАО). По этой модели центр представляет собой дырку , локализованную на кислородах дефектного тетраэдра, в котором ион кремния замещен ионом алюминия, а недостающий заряд компенсируется щелочным ионом (Na+Li+) или протоном (Н+), располагающимся в структурном канале вблизи такого тетраэдра. [c.53]

Последовательная перекристаллизация. Различают схемы последовательной перекристаллизации по линии маточника и по линии кристаллической фазы [1, 68]. В соответствии с первой схемой (рис. 2.14, а) исходный расплав Р поступает в первый кристаллизатор, где образуются кристаллы К и маточник Ми подвергаемый вторичной кристаллизации во второй ступени. При этом образуются маточник М2 и кристаллы К2. Маточник М2 подвергается дальнейшей кристаллизации и т.д. При наличии п ступеней получается п кристаллических фракций и один маточник Мп- [c.72]

Один из главных типов дислокаций — краевая, или линейная, дислокация. Схема образования краевой дислокации показана на рис.У-9. На этом рисунке представлено сечение решетки кристалла с одной избыточной полуплоскостью (перпендикулярной плоскости рисунка). Ниже плоскости скольжения АВ кристалл растянут, а выше ее — сжат. Линия, находящаяся в плоскости скольжения и проходящая через точку С (перпендикулярно плоскости рисунка), называется линией дислокации. Дислокация выходит на поверхность в виде ступеньки. Сила, действующая на поверхность выше АВ, приводит к скольжению одной части решетки относительно другой, что отражается на виде поверхности кристалла. При непрерывном движении С влево линия дислокации выйдет на поверхность и решетка верхней части тела примет нормальный вид. Этот процесс весьма напоминает движение сложенного пледа, который тянут за нижние складки. [c.216]

Кристаллизация вдоль пятерных линий также может иметь либо ко нгруэнтный, либо инконгруэнтный характер по схемам Ьг - -->-кристаллы Р + кристаллы Я + кристаллы (конгруэнтно) или 1+кристаллы кристаллы 2+. кристаллы Р + 1 (однократно инконгруэнтно) или, наконец, 1-Икристаллы Р+кристаллы > кристаллы (двукратно инконгруэнтно). [c.203]

Летор и Ричард предложили схему превращения кристаллов мономера в полимер. На рис. 22 цифрой / обозначена группа четырех смежных молекул мономера А, В, С и О, принадлежащих ряду ОХ. В начальной стадии (II) молекула 1, занимающая положение А, перемещается на 1,75 А в положение А1 вдоль линии, соединяющей атом углерода карбонильной группы молекулы 1 и атом кислорода молекулы 4, занимающей положение В. Для завершения образования димера А —В после перемещения молекулы 1 в положении А1 требуется следующий процесс [c.109]

Обычно оптические элементы фокусирующих приборов, работающих на отражение, устанавливают по схеме Иоганнсона или Иоганна. В обоих случаях кристалл устанавливают так, что выполняется условие Брэгга [уравнение (10)]. Это условие уже было рассмотрено выше в разделе плоских кристаллов. Теоретически установка по Иоганнсону обладает хорошей фокусировкой, и точечный источник изображается линией. Кристалл изгибают по кругу радиуса К и шлифуют до получения радиуса К 2. Радиус изгиба кристалла равен диаметру круга фокусировки, известного под названием круга Роуланда (см. рис. 8,а). Можно показать, что в случае выполнения условия Брэгга Ь, = 2, где [c.212]

Высокотемпературная рентгеновская камера для съемки монокристаллов РКВТ-400 представляет собой модернизацию рентгеновской камеры вращения тина РКВ-86А, приспособленную для исследований монокристаллов и поликристаллических веществ в температурном интервале от 20 до 400 °С. Она обеспечивает получение нулевых слоевых линий рентгенограмм вращения и качаний монокристалла и дебаеграмм поликристаллов. Рентгеносъемка проводится на воздухе на фотопленку, помещенную в цилиндрическую кассету с расчетным диаметром 114,59 мм. Кристалл, установленный на гониометрической головке, нагревается е помощью термостатнрующего устройства, обеспечивающего вдоль оси камеры постоянную температуру. Кассета с пленкой крепится вне термостата, что позволяет производить замену пленки без нарушения теплового режима образца. Измерение температуры производится термопарой хромель-капель , а ее стабилизация достигается с помощью специальной электрической схемы, обеспечивающей точность не хуже +013°- [c.140]

Проблема получения оптимального энергетического разрешения зависит не только от качества кристалла-детектора, окружающей его среды и связанной с предусилителем электроникой, но также и от рабочих характеристик главного усилителя. Для системы 51 (Ь )-детектора это имеет в особенности критическое значение, поскольку в отличие от кристалл-дифракционного спектрометра вся спектральная дисперсия осуществляется в электронной системе. Для обеспечения макоимальной линейности, низкого уровня шумов, быстрого восстановления при перегрузке и стабильности при высоких скоростях счета должны использоваться специальные схемы. Большинство промышленных усилителей снабжено схемами гашения для компенсации выброса импульса, когда используется внутренняя связь по переменному току, и схемой восстановления постоянной составляющей для привязки базовой линии импульсов к постоянному [c.223]

Второе следствие заключается в том, что при данной установке 0 на конкретном кристалле с межплоскостным расстоянием <1 будет дифрагировать рентгеновское излучение с различной энергией, которое удовлетворяет одному и тому же значению произведения. Так, если дифракция происходит прн п= и она также будет иметь место при п = 2 и Л=(Л1/2) и т. д. В качестве примера рассмотрим серу в железо-кобальтовом сплаве. Длина волны линии 5/ ( =1) равна 5,372 А, а линии Со/С( (п=1) равна 1,789 А. Линия Со в третьем порядке отражения приходится на длину волны 3X1,789 = 5,367 А. Длины волн этих линий настолько близки, что они не разделяются обычным кристалл-дифракционным спектрометром. Такие помехи встречаются редко, но исследователь должен знать об их существовании. Хотя взаимное наложение пиков невозможно разделить спект роскопическп, рентгеновские линии 5/ и Со имеют различные энергии и их можно разделить с помощью электронных схем. Принцип этого метода заключается в. том, что [c.289]

Типичная схема вакуумной кристаллизационной установки приведена на рис, 10.1. Исходный раствор поступает во всасывающую линию циркуляционного насоса I, где смешивается с циркулирующим раствором и направляется в испаритель 2. В испарителе, находящемся под вакуумом, происходит понижение температуры раствора вследствие испарения части растворителя до точки кипения, соответствующей остаточному давлению в аппарате. Пересыщенный в результате охлаждения раствор поступает по барометрической трубе в кристаллорастительгде происходит кристаллизация, Образовавшаяся суспензия кристаллов удаляется из нижней части кристаллорастителя. Вакуум в кристаллизационной установке создается с помощью барометрических конденсаторов 4— 6 и паровых эжекторов 7— 0. [c.312]

Химическая связь в Ш-нитридах имеет смешанный ионно-ковалентный тип. Эффекты зарядовой поляризации (в направлении М Н, где М = В, А1, Оа, 1п), обеспечиваюцще ионную составляющую связи, можно проследить на рис. 1.4, где приводятся контуры распределения зарядовой плотности (р) вдоль линии связи М— К, а также карты изоэлектронных контуров в х2-плоскости кристаллов. Общее представление о характере изменения ионности связи в ряду ВК -> АЫ -> ОаК 1п позволяют составить данные табл. 1.2, где суммированы величны эффективных атомных зарядов (схеме анализа Малликена и методом интегрирования р в атомных сферах [47]. В целом расчеты фиксируют значительную долю ковалентной составляющей связей М—Н существенные различия в двух схемах определения вклада ионной составляющей отражают известные трудности корректного расчета эффективных зарядов [c.14]

Для устранения закупорки оксидатных линий, которая может произойти при нар ушении режима ведения процесса, в технологической схеме предусмотрена продувка их паром или азотом давлением 39,2-10 Па и промывка 5%- Ным раствором щелочи. В первом случае в арматуре или в трубопрово-де устраняются локальные забивки в виде пробок. Практически плотные пробки механически удаляют из кристаллов ТФК энергией [c.75]

Перелив из сатуратора в циркуляционную кастрюлю не должен превышать 10—12 м /ч, что обеспечивается насосом соответствующей производительности Циркуляция раствора производится по схеме циркуляционная кастрюля—сборник—насос—кастрюля обратных токов—сатуратор—циркуляционная кастрюля или сатуратор—насос 12—сатуратор Часть маточного раствора, отстоявшегося от кристаллов сульфата аммония, из верхней части кристаллоприемника 5 непрерывно отводится в нейтрализатор пиридиновой установки Маточный раствор в пиридиновую установку может также отбираться из нагнетательной линии циркуляционного насоса Количество этого раствора зависит от содержания в нем пиридиновых оснований, которое составляет 10—15 г/л и в свою очередь определяется содержанием пиридиновых оснований в коксовом газе, температурой и кислотностью маточного раствора в сатураторе Чем выше концентрация пиридиновых оснований в маточном растворе, тем меньшее количество раствора необходимо выводить для переработки в пиридиновое отделение Обеспиридиненный маточный раствор из пиридинового отделения поступает в реактор-подкислитель, где подкисляется серной кислотой до концентрации 10—12 % и затем поступает в сборник или в циркуляционную кастрюлю 8, откуда насосом 10 подается в сатуратор 226 [c.226]

Измерения проводили на рентгеновском спектрометре УКА-ЗО, фирмы Карл Цейс Йена (ГДР). Режимы измерения интенсивностей рентгеновских спектральных линий кобальта (X = 0,179 нм) рентгеновская трубка с Сг-анодом, 50 кВ, 14 мА аналитические линии выделяли по схеме Соллера, коллиматор 0,7°, кристалл-анализатор Ь1Р(200) детектор проточно-пропорциональный + + сцинтилляциоиный счетчик, газ для счетчика — аргоно-метапо-вая смесь время набора импульсов 60 с. Измерения проводили на воздухе. [c.77]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология