Провода для полупроводниковых приборов

С точки зрения параметров полупроводниковых приборов весьма существенно отношение кремния и германия к воде и кислороду. Это обстоятельство вызвано тем, что в воздухе и в водных средах проводятся обычно последние стадии обработки полупроводниковых приборов, а также тем, что из всех соединений германия и кремния при комнатной температуре наиболее устойчивы гидратированные окислы этих элементов. [c.92]

При НК уровень генерационно-рекомбинационных флуктуаций прежде всего используется для контроля полупроводниковых приборов. Измерение уровня флуктуаций тока, проходящего через полупроводниковый прибор при постоянных потенциалах на его электродах, лишь приблизительно характеризует рассматриваемый вид флуктуаций, так как флуктуация тока создается всеми видами флуктуаций. Поэтому не удается установить строго детерминированную связь уровня генерационно-рекомбинационных флуктуаций с другими показателями качества полупроводниковых приборов. В то же время уровень флуктуаций позволяет проводить разбраковку полупроводниковых приборов, а в ряде случаев и прогнозировать их техническое состояние. [c.670]

Для защиты диодной матрицы в полупроводниковых приборах были опробованы пресс-порошки КЭП-1 и КЭП-2 взамен пресс-материалов К-81-39С и ЭФП-60. Предварительно матрицы были защищены компаундом ЭКМ. После опрессовки и никелирования проводилось термоциклирование при температурах от —60 до +125° С и токовая тренировка под обратным напряжением при температуре 85° С. После термоциклирования и токовой тренировки замерялись статические параметры. Наибольшее количество годных приборов получено с опрессовкой премиксом КЭП-2. [c.70]

При создании полупроводниковых приборов, изготовленных на основе высокочистого селена, необходимо контролировать микропримеси, в частности, серу и галогены, особенно влияющие на физические свойства элементарного селена. Обычно определение микроколичеств серы, содержащейся в селене, проводят окислением образца для перевода серы в окислы. В дальнейшем идут одним из двух путей либо проводят определение сульфит-сульфатно/й серы [1, 2], либо восстанавливают серу до сероводорода [3]. Возможен другой метод анализа — гидрирование непосредственно исходного элементарного селена с последующим определением сероводорода. Элементарные сера и селен легко гидрируются водородсодержащими соединениями [4, 5]. Химическая термодинамика позволяет рассчитать количественный и качественный состав газов, образующихся при гидрировании селена продуктами пиролиза предельных углеводородов. [c.219]

Испытание полупроводниковых приборов проводится на универсальных измерительных приборах сборной специальной схемы, а также на испытателе ИПП-1. Последний значительно ускоряет процесс испытания и дает больщую точность. Упрощенная схема прибора для испытания транзисторов на постоянном токе с общим эмиттером приведена на рис. 123. Основным параметром, определяющим отсутствие пробоя между эмиттером и коллектором, а также между базой и коллектором, является начальный ток коллектора /кн. По параметру /ко можно судить об утечках тока. Утечка — увеличение тока коллектора во времени при постоянном напряжении на коллекторе вследствие дефекта. [c.247]

В последние годы появление цилиндрических корпусов и многих совершенных электронных и полупроводниковых приборов позволило проводить измерение орбиты вращения цапф в гидродинамических опорах. Поскольку этот метод является новым и имеющийся опыт сравнительно ограничен, то определяющих критериев, которые пригодны для общего использования и с помощью которых можно было бы судить о серьезности вибраций, в настоящее время существует мало. По табл. 6.1, составленной на основании литературных данных и нашего ограниченного опыта, можно делать заключения, касающиеся цилиндрических корпусов или легких роторов. [c.266]

Лак К-55 — для покрытия проводов, пропитки обмоток электродвигателей, для изготовления защитных покрытий полупроводниковых приборов. [c.79]

Использование энергии оптических квантовых генераторов открывает новые перспективы использования МОС в электронике. Этот метод позволяет проводить локальное осаждение металлических и диэлектрических пленок как с использованием масок, так и без них. Перспективными направлениями использования лазера в микроэлектронике являются получение проводящих дорожек, формирование электронно-дырочных переходов в полупроводниковых приборах, создание многослойных схем и создание объемных микросхем. [c.208]

Пример применения катодного распыления — нанесение покрытий из двуокиси кремния на поверхность полупроводниковых приборов [37]. Реактивное распыление кремния проводилось в атмосфере кислорода. Предварительно подготовленные кремниевые и германиевые пластины помещались сначала в шлюзовую камеру для их обезгаживания, которое производилось в течение 30 мин при давлении 5-10 мм рт. ст. После этого с помощью штока пластины вводились в рабочий объем, в котором создавалось давление 1-10" мм рт. ст. Далее через игольчатый натекатель в рабочий [c.241]

Неизолированные гибкие провода предназначены для соединения электрооборудования автомобилей и тракторов с корпусом, антенн радиостанций, для соединения щеток электрических машин и электропечей, выводов силовых полупроводниковых приборов и др. [c.499]

ПРОВОДА ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ [c.503]

В настоящее время функции ключевых элементов выполняют полупроводниковые приборы различных типов. К элементам силовой электроники относят приборы, рассчитанные на предельные значения среднего или действующего значения тока более 10 А. Классификацию ключевых элементов проводят по степени их управляемости. При этом под признаком управляемости подразумевают возможность переводить прибор из проводящего состояния в непроводящее и обратно посредством воздействия на него маломощным управляющим сигналом. [c.136]

Тиристоры — не полностью управляемые полупроводниковые приборы, обладающие двумя устойчивыми состояниями равновесия открытым (проводящим ток) и закрытым (не проводящим тока). Тиристор (рис. 5.9, а), имеющий три электрода (анодный вывод А, катодный К и управляющий электрод У), начинает проводить ток в том случае, если к анодному выводу (по отношению к катодному выводу) приложен положительный потенциал и одновременно к управляющему электроду подается положительный управляющий сигнал. При приложении к анодному выводу положительного потенциала сопротивление тиристора будет зависеть от управляющего тока. При отсутствии управляющего сигнала (Ц = 0) сопротивление тиристора велико. При появлении управляющего тока (1у = тиристор перейдет в открытое состояние и проводимость его будет высокой. [c.150]

Метод зонной плавки в том виде, в котором он используется обычно для полупроводниковых материалов, можно перенести на уран. Из-за высокой плотности урана работу проводят в тиглях из ВеО, хотя это и невыгодно, так как при затвердевании расплава тигли трескаются. Уран в виде стержня толщиной до 6 мм можно очистить зонной плавкой без тигля, если ширина расплавленной зоны не превышает 5-6 мм. Метод является дорогостоящим о аппаратурном отношении подходящий вариант прибора описан в работе [17]. [c.1285]

Термометры сопротивления. Чувствительным элементом этих термометров служат металлические или полупроводниковые термосопротивления, которые включают в одно из плечей мостовой схемы (см. рис. 32, г). Для устранения погрешностей, связанных с изменением общего сопротивления вследствие изменения температуры в подводящих проводах, термосопротивления подключают к мосту по так называемой трехпроводной схеме (рис. 64, а). В этой схеме изменение температуры вызывает одновременное изменение сопротивления двух подводящих проводов, находящихся в соседних плечах моста, что не отражается на точности измерений. Для большей точности измерений в схеме имеется переменное сопротивление При изменении температуры и соответственно сопротивления стрелка нуль-гальванометра НГ отклоняется от нуля. Изменяя сопротивление НЗ, добиваются, чтобы стрелка снова вернулась на нуль (нулевое положение фиксируется значительно точнее, чем, другие положения на шкале). Рукоятка НЗ связана со стрелкой шкалы вторичного прибора. Такую схему, работающую по компенсационному методу, называют схемой равновесного моста. [c.122]

Содержание примеси Ag в полупроводниковом материале (PbS) составляет ЬЮ атомов/см . Установить, возможно ли определение серебра с п-диметиламинобензилиденроданином, если известно, что фотометрирование следует проводить при % = = 460 нм в кювете с толщиной слоя 1 см. Молярные коэффициенты светопоглощения при 460 нм комплекса и реагента равны соответственно 20 ООО и 900 состав комплекса 1 2. Минимальная оптическая плотность, измеряемая прибором, равна 0,01 плотность PbS равна 7,5 г/см . [c.389]

Термическое О. обычио осуществляют при нагр. изделий в атмосфере, содержащей Oj или водяной пар. Напр., термическое О. железа и низколегир. сталей, называемое воронением, проводят в печах, нагретых до 300-350 °С, или при непосредств. нагревании изделий иа воздухе, добиваясь необходимого цвета обрабатываемой пов-сти. Легир. стали термически оксидируют при более высокой т-ре (400-700 °Q в течение 50-60 мин. Магнитные железоникелевые сплавы (пермаллои) оксидируют при 400-800 °С в течение 30-90 мин. Термическое О.-одна из важнейших операций пм-нарной технологии создаваемые диэлектрич. пленки защищают готовые полупроводниковые структуры от внеш. воздействий, изолируют активные области дискретных полупроводниковых приборов и интегральных схем. Наиб, часто термическое О. применяют при изготовлении кремниевых структур. При этом Si окисляется на глубину ок. 1 мкм при 700-1200 С. С нач. 80-х гг. в произ-ве кремниевых больших интегральных схем О. проводят при повышенном (до Ю Па) давлении О2 или водяного пара (термокомпрессионное О.). [c.352]

Плазменное О. проводят в кислородсодержащей низкотемпературной плазме, образуемой с помощью разрядов постоянного тока, ВЧ и СВЧ разрядов. Таким способом получают оксидные слои на пов-сти кремния, полупроводниковых соед. типа А В при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем, при создании туннельных переходов на основе пленок Nb и Pb в крио-электронных интегральных схемах, а также для повышения светочувствительности серебряно-цезиевых фотокатодов. Разновидность плазменного О.-ионно-плазменное О., проводимое в высокотемпературной кислородсодержащей плазме СВЧ или дугового разряда в вакууме (ок. 1 Па) и т-ре обрабатываемой пов-сти не выше 430 °С. При таком способе о. ионы плазмы достигают пов-сти изделия с энергиями, достаточньп для их проникновения в поверхностный слой и частичного его распыления. Качество оксидных пленок, полученных этим методом, сравнимо с качеством пленок, выращенных при термическом О., а по нек-рым параметрам превосходит их. [c.352]

П. т. основывается на создании в приповерхностном слое подложки областей с разл. типами проводимости или с разными концентрациями примеси одного вида, в совокупности образующих структуру полупроводникового прибора или интегральной схемы. Преимуществ, распространение в качестве полупроводникового материала для подложек в П. т. получил монокристаллич. Si. В ряде случаев используют сапфир, на пов-сть к-рого наращивают гетероэпитак-сиальный слой (см. Эпитаксия) кремния и- или р-типа проводимости толщиной ок. 1 мкм. Области структур создаются локальным введением в подложку примесей (посредством диффузии из газовой фазы или ионной имплантации), осуществляемым через маску (обычно из плетси SiOj), формируемую при помощи фотолитографии. Последовательно проводя процессы окисления (создание пленки SiO ), фотолитографии (образование маски) и введения примесей, можно получить легир, область любой требуемой конфигурации, а также внутри области с одним типом проводимости (уровнем концентрации примеси) создать др. область с др. типом проводимости. Наличие на одной стороне пластины выходов всех областей позволяет осуществить их коммутацию в соответствии с заданной схемой при помощи пленочных металлич. проводников, формируемых также с помощью методов фотолитографии. [c.556]

В настоящее время составы фоторезистов, в которых под действием света проходит циклодимеризация полимерного компонента, продолжают использоваться в производстве печатных плат и полупроводниковых приборов. Особенно следует отметить их применение в защитных масках печатных плат, создаваемых под пайку навесных элементов из олова или свинца. Это, а такл<е их использование в двухслойных вариантах светочувствительных покрытий способствует сохранению устойчивого интереса к циклодимеризую-щимся системам. Число патентных разработок последних лет в этой области фоторезистов невелико, однако теоретическое изучение фотоциклодимеризации в растворах и слоях проводится довольно интенсивно, что позволяет надеяться на создание новых ценных композиций фотодимеризующихся резистов. [c.177]

Германий (кларк 7 10" %) встречается в природе в виде Ое8з как примесь к сульфидам 2п, Си и Ag. Иногда сырьем для его производства служит зола некоторых видов углей. Сначала получают концентрат, содержащий 2-10% Ое, затем его хлорируют до газофазного ОеС1 , гидролизуют до ОеОз и восстанавливают до металла водородом или аммиаком. Для окончательной очистки проводят зонную плавку, основанную на большей растворимости примесей в жидкой фазе по сравнению с твердой. При перемещении расплавленной зоны по слитку примеси собираются на концах слитка, который идет в переплавку. Германий — хрупкое с металлическим блеском вещество, из которого изготавливаются транзисторы, т. е. полупроводниковые приборы с электронно-дырочной проводимостью. [c.150]

Механическое взаимодействие компаунда и залитых эле-tteHTOB, рассмотренное выше, является частным случаем проблемы совместимости компаундов и защитных элементов. Меха-(ическое взаимодействие описано более подробно потому, что )Н0 больше исследовано и наблюдается практически всегда. Однако во многих случаях не меньшее значение имеют и дру- ие взаимодействия например, некоторые компоненты компаундов или примеси в них могут взаимодействовать с поверх- 10стью заливаемых деталей, изменяя их характеристики. Это особенно явно проявляется при использовании компаундов для герметизации полупроводниковых приборов, в микроэлектронике при заливке катушек из проводов с эмалевой изоляцией и др. В некоторых случаях работоспособность определяется адгезией, отсутствием газовыделения, водостойкостью, термостойкостью и т. д. Методы оценки совместимости компаундов с залитыми элементами практически не разработаны, и эта проблема остается наиболее сложной и важной для эффективного применения этих материалов. Некоторые данные имеются только для систем пропиточный компаунд — эмалированный провод [1, 3, 8, 63, 64]. В частности, в [63, с. 71] приведены сравнительные данные о влиянии различных компаундов на время жизни провода при повышенной температуре, когда разрушение изоляции происходит под действием внутренних напряжений в компаунде. Эпоксидные компаунды значительно в большей степени снижают срок службы изоляции, чем другие компаунды, что объясняется именно высокой адгезией, хорошими механическими свойствами и сравнительно высоким уровнем внутренних напряжений в эпоксидных компаундах благодаря этому раньше происходит разрушение пленки эмаль-лака, а не компаунда или адгезионной связи на границе раздела. Таким образом, при выборе эпоксидных компаундов для подобных систем необходимо помнить, что они могут значительно ухудшать работоспособность системы. [c.175]

Важное место в производстве радиоэлектронной аппаратуры занимает электромонтажная пайка, однако она не всегда приемлема, поскольку при той температуре, при которой проводят пайку, нередко нарушается режим работы термочувствительных элементов [118, с. 66]. В связи с этим все чаще начинают применять токопроводящие клеи, называемые контактолами. Основное назначение — монтаж термочувствительных полупроводниковых приборов, получение внутренных соединений в [c.90]

В последние годы появились публикации по использованию ал-килалюмоксановых соединений для получения окисных пленок алюминия (нанесение окисных пленок проводили на кремний и германий). Применение этих соединений позволяет получать пленки с более высокими электрофизическими свойствами, что в свою очередь дает возможность использовать их при изготовлении полупроводниковых приборов [9]. [c.236]

В последнее время большое значение получили так называемые аолупроводники. К их числу относятся закись меди (СигО), окись цинка (2пО), сернистый свинец (РЬ5) и др. Характерная особенность этих материалов состоит в том, что при низкой температуре они почти не проводят электрический ток (по величинам сопротивления приближаются к изоляторам) при повышении же температуры их электропроводность резко возрастает, они становятся проводниками. Полупроводниковые приборы в настоящее время каходят все возрастающее применение (выпрямление тока, чувствительное измерение температур, превращение тепловой энергии непосредственно в электрическую и т. д. широкое применение полупроводники получают в радиотехнике). [c.141]

Провода для полупроводниковых приборов изготовляют из медных луженых проволок диаметром 0,08—0,20 мм с шагом скрутки не более 14 ). Размеры, масса и электрическое сопротивление постоянному току при температуре плюс 20 С проводов ПГЛ и ПГОЛ приведены в табл. 28.9. [c.503]

В последние годы развитие химического эксперимента происходит в направлении не только его соединения с педагогической техникой (проекционной аппаратурой), но и с электроникой в направлении максимального сокращения времени для подготовки демонстрационных и лабораторных опытов (про-цессоризация химического эксперимента) . В этом плане для сборки и конструирования приборов по химии применяются радиотехнические материалы (монтажные провода, пластмассы и пластики, металлы и сплавы) и полупроводниковые детали (диоды, транзисторы, конденсаторы, резисторы). Все это позво- [c.152]

Требования практики всегда стимулировали развитие А. X. Так, в 40-70-х гг. 20 в. в связи с необходимостью анализа ядерных, полупроводниковых и др. материалов высокой чистоты были созданы такие чувствительные методы, как радиоактивационный анализ, искровая масс-спектроме-трия, химико-спектральный анализ, вольтамперометрия, обеспечивающие определение до 10" -10" % примесей в чистых в-вах, т.е. I часть примеси на 10-1000 млрд. частей осн. в-ва. Для развития черной металлургии, особенно в связи с переходом к скоростному конвертерному произ-ву стали, решающее значение приобрела экспрессность анализа. Использование т. наз. квантометров - фотоэлектрич. приборов для миогоэлементного оптич. сйектрального ли рентгеновского анализа позволяет проводить анализ в ходе плавки за неск. минут. [c.159]

С помощью недисперсионного рентгенофлуоресцентного спектрометра ШАХ модель 311 В проводят анализ стандартных силикатных пород [764]. Прибор снабжен кремниевым полупроводниковым детектором 3 мм X 30 мм с разрешением 185 эв — 5,9 кэв и соединен с многоканальным анализатором. При определении хрома в качестве радиоизотопного источника использован Подготовка проб для анализа включает прессование таблеток расплавленных проб с добавлением Li2B407 и LajOg в виде порошка. Преимущество метода заключается в быстром проведении анализа. Описана методика применения данного метода для анализа хромистых и марганцевых руд [528]. С целью учета эффекта взатгаого [c.115]

При конструировании испытательного оборудования необходимо учитывать специфику условий работы испытательного оборудования дополнительными требованиями к механической прочности, времени успокоения измерительных приборов, влияния температуры окружающей среды и других факторов. Так, при массовом выпуске производительность испытательного оборудования должна быть согласована с производительностью остального оборудования, и это исключает применение малостабильных источников питания, так как ручная корректировка режима испытания, обычно проводимая в лабораторных условиях, невозможна. Автоматизация процесса измерения также требует применения высокостабильных источников питания, в качестве которых очень широко используются различные типы стабилизирующих устройств. Для этих целей могут быть применены феррорезонансные стабилизаторы, различные виды магнитных усилителей, газовые стабилизаторы, различные электронные и полупроводниковые стабилизаторы тока и напряжения. Применение различных электронных и полупроводниковых схем стабилизации, кроме получения высокой стабильности в условиях изменения нагрузки и питающего напряжения сети, позволяет получить малое значение пульсации выходного напряжения (тока), а также решить целый ряд проблемных задач техники испытаний. Большое значение имеют механические и климатические испытания ламп. Надежность электронных ламп зависит от их способности противостоять различным механическим (удары, вибрации, ускорения и т. д.) и климатическим (температура, влажность, давление и т. д.) воздействиям, сохраняя заданные значения электрических параметров и не увеличивая число отказов аппаратуры. Механические испытания обычно проводятся после электрических и заключаются в определении изменений (по результатам электрических испытаний, которые могут проводиться как во время, так и после механических испытаний), происходящих в испытываемых лампах при различных механических воздействиях. Для обнаружения ослабления прочности конструктивных элементов лампы и выявления в ней различных посторонних частиц в условиях ударных нагрузок, тряски и вибраций проводятся испытания на вибропрочность. В зависимости от назначения ламп ТУ оговаривают условия испытаний. Один из видов испы- [c.224]

Возникновение электрохимии пблуироводников как новой главы теоретической электрохимии обусловлено двумя основными причинами. Во-первых, многие электрохимические процессы, протекающие на границе электрод — электролит, совершаются фактически на поверхности, обладающей полупроводниковыми свойствами, со всеми особенностями, присущими такого рода материалам. Проводимость этих поверхностных слоев — окислов металлов, их гидридов, интерметаллических соединений и т. п.— по своей величине лежит между проводимостью металлов и диэлектриков. Она чувствительна к внедрению в основной слой следов примесей и в отличие от металлов увеличивается с температурой. Прохождение тока через полупроводники в общем случае осуществляется электронами (п-проводимость) или дырками, т. е. вакансиями, оставшимися после ухода электронов в другую энергетическую зону (р-проводи-мость). В отличие от металлов в полупроводниках вблизи их поверхности раздела с другими фазами имеется широкая область объемного заряда, что значительно усложняет картину двойного электрического слоя. Выяснение кинетики многих электрохимических реакций (процессы в химических источниках тока, анодное растворение металлов и т. д.) становится поэтому невозможным без разработки электрохимии полупроводников. Во-вторых, в самой технологии получения полупроводниковых материалов,, идущих на изготовление радиотехнических приборов, солнечных батарей и т. д., важную роль играют процессы, являющиеся по своей природе электрохимическими. К ним относятся, например, анодное и обычное травление полупроводников, осаждение тонких слоев металла на поверхность полупроводников и др. [c.543]

Известно, что процесс старения полупроводниковых триодов и обратимый дрейф коэффициента усиления связаны с поверхностными процессами с продолжающимся процессом окисления и с изменением степени гидратации поверхности. На практике проводят искусственное старение, а также проверяют приборы на так называемый 48-ча-стовой эффект (обратимый дрейф). Мы прводили температурную тренировку контрольных и сульфидированноых триодов при температуре 65 и 85° С. [c.226]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология