Захват электрона коэффициент

При исследовании детектора по захвату электронов, работающего в импульсном режиме, Вентворт [12] предложил зависимость сигнала, полностью основанную на кинетике процесса, включающую захват электрона (рис. 10). Сигнал детектора обычно показывается как уменьшение тока /ь- Если остающийся ток в присутствии поглощающего соединения /е, тогда пик можно представить в виде разности /(, -- 1 . Изменение сигнала по закону Бэра будет выражаться как 1 (/ ,/7 ), равный концентрации электронов, умноженный на некоторый коэффициент захвата. Однако уравнение, выведенное Вентвортом, представляет только отношение 1ь — /е К оставшемуся току 7 . [c.244]

Рекомбинация может происходить также ступенями [22] ион захватывает электрон и образуется сильно возбужденный атом, при этом испускается кванте энергией e V —1/ ), где — потенциал возбуждения данного состояния. Затем, например, электрон переходит в основное состояние и испускается второй квант с энергией eV . Причем этот квант имеет энергию меньшую, чем энергия границы серии. Коэффициент рекомбинации при захвате электрона на верхние уровни атома будет обозначаться в дальнейшем р. [c.170]

Коэффициент рекомбинации при нейтрализации зарядов, сопровождающейся излучением, оценивается следующим образом. Пусть т — время жизни возбужденного состояния, а — радиус орбиты, на которую захватывается электрон перед излучением м v — скорость электрона перед захватом. Электрон остается в атоме в течение времени а/г . Допустим, что оно порядка 10 /10 = 10 сек. Принимая т- 10 сек, получим вероятность излучения, равную Ю это означает, что на каждые 10 столкновений приходится в среднем один акт спонтанного излучения. Число столкновений в 1 см /сек между Ыд электронами и N молекулами газа равно но только [c.171]

По аналогии с коэффициентом ионизации удобно ввести для данного значения Xjp величину ajp, представляющую собой число актов захвата электронов молекулами на 1 см пути в направлении поля при давлении 1 мм Hg. На рис. 95 и рис. 96 показана зависимость ajp от Xjp для различных газов. Хотя численные данные и не очень достоверны, несомненно, что при возрастании Xjp величина ajp проходит через максимум. Это связано с тем, что при возрастании Х1р все большее [c.196]

Рис. У1.43. Зависимость коэффициента захвата электронов Кэз от напряжения переменного тока высокой частоты (средней энергии электронов) 56].

Таблица VI.13. Относительные коэффициенты захвата электронов некоторых соединений

В работе [156] было высказано мнение, что наблюдаемый эффект объясняется более медленным захватом электрона индиевым электродом по сравнению со ртутным, поскольку коэффициент диффузии электрона, константа скорости захвата его акцептором, а также длина сольватации, которые входят в выражение для фототока (3.14), не должны зависеть от природы металла. Если соблюдается неравенство Qxg 1, то для фототока справедливо уравнение (3.13), из которого следует, что зависимость фототока от концентрации акцепторов должна спрямляться в координатах 1// — 1/ са. Из рис. 5.8 видно, что опытные данные, построенные в таких координатах, действительно, хорошо укладываются на прямую линию. С помощью указанной обработки и на основании литературных значений константы скорости захвата электрона ионом водорода и коэффициента диффузии гидратированного электрона [29] была оценена константа скорости захвата электрона поверхностью. Согласно оценкам, значение ее для индиевого электрода составляет около 100 см/сек. Замедленное окисление электрона на поверхности индия естественно связать со специфической адсорбцией на поверхности индия молекул воды [157]. [c.90]

Оценим вероятность радиационного захвата электронов с энергией 1 эв. Такой электрон имеет скорость 6-10 см-сек и будет находиться в поле атома (размером порядка 10 см) около 10" сек. Коэффициент спонтанного излучения имеет величину порядка 10. Таким образом, вероятность излучения за это время составит около 10" Следовательно, лишь одно из 10 соударений электрона с атомами приведет к его захвату и образованию отрицательного иона. Такой расчет показывает, что вероятность радиационного захвата относительно невелика. На рис. 17 приведен график зависимости эффективного сечения захвата электрона атомом водорода от энергии электрона (по расчетным данным). [c.51]

Для рекомбинации ионов с излучением применимы соображения, которые были изложены выше при рассмотрении радиационного захвата электрона атомом и ионом. По-видимому, рекомбинация ионов с излучением может происходить не более чем при одном из Ю соударений. Коэффициент рекомбинации для такого процесса имеет величину порядка 10 с.ч -сек . [c.74]

Детектирование электроноакцепторных веществ в режиме тока проводимости основано на захвате электронов молекулами этих веществ, приводящем к уменьшению тока. Изменение природы носителей отрицательных зарядов влияет на их подвижность и на коэффициент рекомбинации зарядов. [c.121]

Влияние природы газа-носителя и энергии р-излуче-ния на чувствительность детектирования. Существует несколько причин влияния изменения природы газа-носителя на чувствительность детектирования. Во-первых, в разных газах при неизменных условиях опыта различны энергия и подвижность электронов, а следовательно, и вероятности захвата электронов электроноакцепторными веществами неодинаковы. Во-вторых, отличаются коэффициенты рекомбинации зарядов и подвижности ионов. Поэтому вольт-амперные характеристики разрядов в разных газах отличаются, например, по дифференциальной проводимости. Наконец, поскольку при этом Р-излучение проникает на различные расстояния, ионизация газа в камере осуществляется более или менее равномерно. Следовательно, в разных газах влияние объемных зарядов на ток проводимости неодинаково. [c.143]

Физический смысл коэффициента К сводится к соответствующему электрохимическому процессу, в котором принимают участие молекулы примеси. В случае галоидсодержащих примесей, отличающихся, как правило, большим сродством к электрону, — это процесс захвата электрона и последующий акт ион-ионной рекомбинации. В этом случае коэффициент К отражает число актов ион-ионной рекомбинации за время нахождения примеси в активной зоне. [c.83]

Своеобразием характера взаимодействия высокоэнергичного кванта рентгеновских лучей с зернами фотоэмульсии объясняется и справедливость закона Бунзена — Роско для этой области спектра. Согласно современным представлениям, механизм образования скрытого изображения включает два следующих друг за другом процесса. Первый из них заключается в освобождении под действием излучения электрона, который улавливается центрами светочувствительности второй — в концентрации атомов серебра вокруг этого центра путем электролитического перемещения положительно заряженных ионов металла по направлению к узлу решетки галоидного серебра, захватившему электрон. Первый процесс практически безинерционен второй — совершается относительно медленно, за время порядка 2-10 сек. Основной причиной, вызывающей нарушение закона взаимозаменяемости в видимой области спектра, является зависимость коэффициента использования квантов света для образования скрытого изображения от интервала времени между последовательными попаданиями квантов в зерно. Если это время больше, чем необходимо для завершения процесса воссоединения положительного иона серебра с электроном, захваченным в центре светочувствительности, то закон Бунзена — Роско должен оправдываться. При обратном соотношении времен наблюдается отступление от этого закона. [c.26]

Диссоциативная рекомбинация. В последние годы было показано, что скорость процесса диссоциативной рекомбинации е+АВ - -А+В может быть существенно больше скоростей всех остальных рекомбинационных процессов, если только в плазме имеется достаточное число молекул. Для сложных атомных систем коэффициент диссоциативной рекомбинации может достигать 10" —10 см сек . Расчет безызлучательного диссоциативного захвата электронов молекулярными ионами 0 , и Не в полуклассическом приближении выполнен в работе [183], в которой установлено соответствие с экспериментальными данными. Б работах 184—186 ] в рамках теории возмущения проведено последовательное рассмотрение диссоциативной ионизации водорода. Результаты удовлетворительно согласуются с экспериментальными данными. Обсуждается возможность обобщения этих расчетов на случай тяжелых молекулярных ионов. Задача расчета диссоциативной рекомбинации иона водорода решена также методом Монте-Карло [187] по схеме с образованием промежуточного возбужденного комплекса Нд и распадом его на атомы. [c.70]

Свинец-204 т . Четно-четный изотоп, свинец-204, представляет собой интересный пример ядерной изомерии. 68-минутный изомер, распадающийся путем испускания у-лучей с энергией около 1 Мэв, был уже известен в течение некоторого времени. Он образуется из висмута-204 при захвате электрона. При "-распаде этот изотоп не возникает. В 1950 г. электронный спектр этого изомера свинца исследовали с помощью магнитного спектрометра. Для К- и Z-оболочек были обнаружены конверсионные линии двух у-квантов с энергиями 374 и 905 кэв и отношениями KIL, равными соответственно 2,1 и 1,5. Из величин отношений-ff/Z следует, что переход с энергией 374 кэв относится к типу Е2, а переход с энергией 905 кэв — к типу Е5 (ср. табл. 18). Кривые поглощения у-лучей и электронов, полученные с помощью счетчика Гейгера — Мюллера, показывают, что приблизительные значения полных коэффициентов внутренней конверсии для переходов с энергией 374 и 905 кэв равны соответственно 0,05 и 0,1. Эти значения также не противоречат предполагаемым типам переходов —Е2 и Е5. В соответствии с данными табл. 17 можно предположить, что период полураспада = 68 мин соответствует переходу типа Е5 с энергией 905 кэв, но не Z 2-переходу с энергией 374 кэв.Отсюда был сделан вывод, что переход с энергией 905 кэв является изомерным, а переход с энергией 374 кэв следует за ним. [c.431]

Решая совместно эти уравнения при условии = оо, получим стационарную концентрацию электронов [е ]о в отсутствие А и их стационарную концентрацию в присутствии А, которую обозначим [е"]А- Коэффициент захвата электрона К, определенный как [c.301]

К сказанному следует еще добавить, что выражение (31. 3) справедливо только для простейшего случая, когда можно пренеб- )ечь процессом повторного захвата электронов. Как показал Ч. Б.. Лущик [158], в общем случае коэффициент Л является функцией МНОГИХ величин. Так, для наиболее глубоких уровней захвата при бимолекулярном механизме кинетики можно получить следующее выражение для А [c.84]

При 100 ммИц измерение р, делается чрезвычайно трудным из-за захвата электронов молекулами примесей. Последние образуют отрицательные ионы, которые рекомбинируют значительно быстрее, что приводит к завышенным значениям коэффициента рекомбинации. [c.178]

Рис. 96. Зависимость относительного коэффициента захвата электронов а р от приведенного поля Х р для галогенов и, Н2О при р= 1 [29, 169].

Поскольку коэффициенты захвата электронов пропорциональны не сродству к электрону, а среднему сечению захвата , введенному автором работы [69], шкала относительной чувстви- [c.441]

ЛОВ И проще всего объясняются предположением о прямом захвате электрона этими частицами. В ходе реакции могут образовываться также положительно заряженные ион-радикалы, так как они, вероятно, имеют похожий спектр. Поскольку коэффициенты поглощения известны, можно определить ионные выходы, представляющие сумму выходов положительных и отрицательных ионов. Некоторые результаты таких расчетов представлены на рис. 2.3. Предельный ионный выход при высоких концентрациях растворенных компонентов совпадает с выходом, полученным из экспериментов по исследованию протодимости. [c.93]

Применение малых концентраций эффективного акцептора позволяет определить радиационный выход только свободных ионов. Удобным акцептором является свободный радикал галь-виноксил, образующий при захвате электрона анион с максимумами поглощения при 540 и 575 нм (коэффициенты экстинкции соответственно 1,03-10 и 2,2-10 л моль-см). Импульсный радиолиз в микросекундной области различных жидкостей, содержащих гальвиноксил в концентрации 10 М, позволил определить ра- [c.41]

При выводе уравнения (2) введено условие, что электрон могут потерять только те ионы Рп в, которые не стоят рядом с поверхностной вакансией. Но такой ион может оказаться рядом с вакансией в следующем за поверхностью более глубоком слое. Если учесть эти вакансии, коэффициент при а в уравнении (2) должен быть >2, что противоречит экспериментальным данным По-видимому, практически все анионные вакансии в объеме кристалла, имеющие эффективный положительный заряд, являются центрами локализации (захвата) электронов, которые остаются после удаления из кристалла атомов фтора. Локализованный на ближайшем к вакансии ионе Со " электрон должен иметь сильно вытянутую в сторону вакансии орбиту. Таким образом, происходит компенсация эффективного заряда вакансии. Поверхностная вакансия, вероятно, не может захватить электрон и, сохраняя эффективный положительный заряд, снижает энергию электронов соседних ионов фтора. Если бы поверхностная вакансия была способна захватить электрон от иона фтора, несомненно, должен был бы наблюдаться автокатализ. То же самое нужно сказать об объемной вакансии, захватившей уже один электрон, оставшийся после удаления из кристалла атома фтора. Далее, совершенно очевидно, что сечение, представленное на рис. 4, не является поверхностью кристалла СоРз, так как над поверхностными ионами Со + должно находиться некоторое число ионов фтора, образующих еще один малозаполненный слой. Эти ионы также способны вступать в реакцию и покидать кристалл, в результате чего возникают вакансии. Однако последние практически не (Имеют эффективного заряда и не должны влиять на образование Ртов в указанном выше сечении. С другой стороны, ионы фтора малозаполненного слоя до взаимодействия с водой должны терять электрон. Так как кристалл СоРз является изолятором, а описываемые ионы фтора наименее связаны с кристаллом, электроны последних, по-видИмому, могут переходить лишь на имеющиеся в сечении (см. рис. 4) атомы PSob, что не должно привести к изменению ранее вычисленной концентрации (Рпов) =/С(1 — 2а). [c.57]

Теория электронозахватного детектирования в режиме тока проводимости впервые была рассмотрена Лавлоком и Липским [29, 80]. Основана она на представлении о большом различии в скорости ион-ионной и электрон-ионной рекомбинаций. Эту теорию мы в дальнейшем будем называть рекомбинационной. Рекомбинационная теория электронозахватного детектирования до недавних пор являлась общепризнанной и не пересматривалась. Она была лишь уточнена Калмановским и Шешениным, обратившими внимание на несущественную роль изменения коэффициента рекомбинации при захвате электронов. [c.122]

В методе облака электроны дрейфуют под действием электрического поля в газовой среде, испытывая многократные столкновения с молекулами исследуемого вещества и молекулами газа-наполнителя. Энергия электронов имеет значительный разброс, характеризуемый функцией / (е, Е1Р), где е — энергия электрона Е Р — отношение напряженности электрического поля к давлению. По величине определяемой скорости дрейфа в направлении поля при определенном Р и по величине коэффициента диффузии облака электронов в принципе можно определить сечение захвата электронов молекулами, 5ШшиДд5сертр таа и ревтрльтатов экспе- [c.17]

На рис. 1 и 2 представлены результаты по зависимости а// парц от величины Е1р для смесей озон — кислород, озон — аргон и озон — азот. Как можно видеть из этих рисунков, во всей изученной области средних энергий электронов коэффициент захвата а в озонных смесях много больше, чем аналогичная величина для кислорода, причем различие достигает 10—1000 раз. [c.263]

Sullivan J.J. - J. hromatogr., 1973,87,Щ,9-16 РЖХим,1974,ЮД57. Оценка величины коэффициентов чувствительности электронно-захватного детектора в случае сильно электрофильных веществ. (Теоретически вычислен верхний предел величины константы скорости захвата электронов). [c.119]

Частота диффузионной гибели электронов 2д равна произведению коэффициента Од на скорость дрейфа электронов Удр. Так как Удр прошорциональна приведенному полю E/N, об изменении диффузионного времени жизни электронов можно судить по поведению величины ajxEjN. Изменение этого параметра с током разряда показано на рис. 3, а. Полученные данные показывают, что возрастание приведенного поля с током нельзя объяснить ускорением диффузионной гибели электронов. Таким образом, причиной возрастания E/N может быть деформация электронной функции распределения или рост объемных потерь электронов. При этом скорость процесса объемной гибели должна расти быстрее плотности тока (нелинейный процесс). Оценки показывают, что таким процессом мажет быть только захват электронов возбужденными молекулами (ступенчатое прилипание). [c.17]

Дальнейшие исследования спектра конверсионных электронов РЬ о41 2 с помощью магнитных спектрометров выявили три дополнительных перехода с малой интенсивностью два перехода примерно равной интенсивности (0,3% интенсивности основного перехода) с энергиями 289 и 622 кэв и еще один переход с энергией 633 кэв и еще меньшей интенсивностью. Наиболее вероятное размещение и порядок мультипольности этих переходов представлены на рис. 99 совместно с данными о коэффициентах внутренней конверсии, подтверждающими эти предположения. Таким образом, в схеме распада появляется второй (4+) уровень с энергией 1,563 Мэв. Следует отметить, что схема распада Pb204i 2 gg обязательно включает все возбужденные уровни РЬ в рассматриваемом энергетическом интервале. При распаде 12-часового Bi , протекающем путем захвата электрона, по-видимому, заселяются два дополнительных уровня между состояниями с энергией 1,563 и 2,186 Мэв. Эти состояния, хотя и не вполне еще охарактеризованные, имеют, видимо, довольно низкие значения спинов и, следовательно, практически не заселяются при распаде изомера с характеристикой 9—. РЬ располагается в переходной области между сферически симметричной конфигурацией РЬ с завершенными оболочками и областью сильно деформированных ядер, которая начинается около осмия. В этой переходной области трудно интерпретировать спектры, поскольку состояния, возникающие при возбуждениях отдельных частиц, и колебательные состояния могут располагаться в одном энергетическом интервале (ср. гл. IX, стр. 295). Однако, как следует из зависимостей, наблюдаемых для соседних четно-четных ядер [36], два первых возбужденных состояния РЬ ", по-видимому, следует приписать возбуждению за счет коллективных колебаний. [c.433]

Метод определения сродства к электрону, описанный выше, применяется при процессах недиссоциативного захвата электрона. Ограничения метода тщательно рассмотрены Вентвортом и Беккером [И]. Кроме того, изменение коэффициента электронного захвата с температурой является необходимым условием для действительных измерений сродства к электрону. Неучет этого явления может привести к ошибочным результатам [12]. [c.302]

ОПЫТОВ была определена относительная эффективность захвата электрона различными ароматическими углеводородами, и полученные результаты приведены в табл. VI. 12. Можно было ожидать, что относительная эффективность захвата будет увеличиваться с размером молекулы или ее поляризуемостью. В действительности этого не происходит. Однако Хамилл сообщил о симбатности эффективности захвата и электронного сродства исследуемого ароматического углеводорода. Такой вывод вызывает вопрос, являются ли эти данные результатом равновесия, устанавливающегося в стеклообразном веществе, или определяются кинетикой процесса электронного захвата. По-види-мбму, кинетический фактор является доминирующим. Эффективность захвата, определенная Хамиллом, слабо зависит от природы ароматического субстрата для всех исследованных молекул наблюдаемые величины отличались не более чем в 3 раза. Если же за наблюдаемые эффекты ответственны термодинамические процессы, можно ожидать изменений эффективности углеводородов на несколько порядков. Относительная эффективность электронного захвата в стеклообразном веществе определяется так же, как в газовой фазе (см. разд. 3 и 4, а также работу [91). Коэффициенты захвата электрона в газовой фазе также не сильно зависят от природы акцептора и их величины различаются не больше, чем в 10 раз. Однако анализ этих последних данных не дает никаких корреляций с электронным сродством акцепторов. [c.334]