Термы отрицательные

Смысл обозначений см. в [1, 2]. Для удобства )-функ-ции сведены в табл. 1. /)-функции для отрицательных значений Ьг и 5г выписываются аналогичным образом. Здесь и в дальнейших подобных таблицах в правой стороне каждой клетки таблицы столбиком показаны термы, к которым относятся В-функции (определение В-функций см. в [1, 2]), образованные из линейных комбинаций Л-функций данной клетки. [c.70]

Электрохимическими исследованиями было установлено (рис. 9.25), что потенциал металла под кубовыми остатками без ингибитора находится в области отрицательных значений. После термо- и светостарения, а также после воздействия минусовых температур (около —40 С) наблюдается резкое смещение потенциала металла под этими пленками в сторону отрицательных величин, в то время как потенциал металла под ингибированными покрытиями до и после воздействия указанных факторов продолжает оставаться в области положительных значений. [c.191]

Аномально отрицательные значения коэффициентов парных взаимодействий объясняются образованием ассоциатов между молекулами за счет действия специфических сил, которое сопровождается значительным экзотермическим эффектом [79,97,98]. Рассчитанные термо- [c.237]

Следует отметить, что величина характеризующая влияние контактных сопротивлений на характеристики ТТН, обратно пропорциональна высоте термоэлементов 1 и удельному сопротивлению полупроводникового вещества р. Известно, что довольно значительное увеличение удельного сопротивления полупроводникового термоэлектрического вещества, полученное за счет уменьшения концентрации носителей тока по сравнению с оптимальной величиной, изменяет 2 в небольших пределах, так как при этом растет коэффициент термо-э. д. с. [8, 9]. В то ЖЕ время увеличение р позволяет изготовить термобатарею из элементов меньшей высоты, не увеличивая при этом отрицательного влияния контактных сопротивлений. Это обстоятельство используют для получения материалов, хотя и обладающих несколько пониженным значением параметра добротности, однако допускающих уменьшения толщины термобатареи и значительного сокращения расхода полупроводникового материала [29]. [c.47]

Р". Отрицательный ион одноатомного фтора в основном состоянии имеет электронную конфигурацию 15 25 2р , которой соответствует один терм 5. По аналогии с изоэлектронным атомом Ne энергии перехода в возбужденные состояния иона Р должны превышать 100 ООО м- . Поскольку потенциал ионизации Р существенно ниже этой величины (см. стр. 244), можно предполагать, что рассматриваемый ион, так же как отрицательные ионы других галогенов, не имеет стабильных возбужденных состояний. Это предположение находит подтверждение в неудаче попыток получить спектры отрицательно заряженных одноатомных ионов галогенов. [c.238]

С1 . Отрицательно заряженный ион одноатомного хлора в основном состоянии имеет 1з 25 2р Зз Зр электронную конфигурацию, которой соответствует терм 5. По аналогии с атомом аргона, имеющим такую же электронную конфигурацию, можно предполагать, что энергии возбужденных состояний иона С1 должны иметь величины около 100 ООО смГ" ,. [c.249]

Вг . Отрицательно заряженный ион одноатомного брома имеет в основном состоянии электронную конфигурацию 15 25 2р Зр 4 4р , которой соответствует один терм 5. По аналогии с изоэлектронным атомом Кг энергии возбужденных электронных состояний иона Вг должны быть не меньше 80 ООО см . Поскольку потенциал ионизации Вг существенно ниже этой величины (см. стр. 275), можно предполагать, что ион Вг , так же как и отрицательно заряженные одноатомные ионы других галогенов, не имеет стабильных возбужденных состояний. [c.268]

Управляемый выходным сигналом усилителя источник нагревателя теплового экрана представляет из себя усилитель мощности, охваченный глубокой отрицательной обратной связью (рис. 5). Выходное напряжение его может изменяться в пределах 5—80 в при токе до 0,2 а. Потенциометр служит для ручной регулировки выходного напряжения, выключатель (g/ ) для включения автоматической регулировки (при включении вк подается сигнал от усилителя термо-э. д. с.). [c.23]

Измерения термо-э. д. с. графитовых и турбостратных угольных пленок, полученных в вакууме при термическом разложении ряда алифатических углеводородов, были выполнены в работе [24]. Найдено, что термо-э.д.с. имеет отрицательный знак относительно меди и становится еще более отрицательной при увеличении температуры. Обнаружено также, что при определенных условиях эксперимента, когда облегчен рост больших кристаллов и повышается содержание углерода, получаю 1ся [c.331]

Аналогичная структура была зарегистрирована и в сечениях упругого рассеяния электронов на молекулах Н2, D2, N2, О2, СО, СО2, NO2, H2S, N2O, С2Н4, СН4, СбНб [36, 70]. Эти резонансы обусловлены образованием промежуточных отрицательных молекулярных ионов в различных электронно-возбужденных состояниях. В работе [71] теоретически было показано, что конфигурация таких ионов соответствует остову положительного иона, в поле которого находится два слабосвязанных ридберговских электрона. Поэтому такие резонансы должны иметь место только при возбуждении уровней, энергии которых близки к энергиям ридберговских состояний нейтральной молекулы. Однако расчеты электронных термов отрицательных ионов (например, [7, 72, 73] ) показывают наличие у отрицательных ионов низколе-жащих валентных состояний. С ними также могут быть связаны резонансы в сечении более низколежащих электронных уровней молекул. Такие резонансы наблюдались в дифференциальных сечениях возбуждения N2 A Zt, [c.126]

Если пару концов двух проволок из разнородных металлов спаять, а ко второй паре концов соединительными проводами подключить электроизмерительный прибор, то получим схему термоэлектрического пирометра, в которой спаянные разнородные проволоки называются термопарой. Электрод термопары, по которому электрический ток идет от спая, называется положительным, а другой, но которому ток идет в сторону спая,— отрицательным. Принято называть термопары по материалу, из которого они изготовлены. При этом материал положительного электрода ставится на первое место. Спаянные концы термопары называются рабочими концами, или горячим спаем. Вторые концы проводов термопары называются свободными, или холодными концами. Величина термо-э. д. с., развиваемая термопарой в замкнутом контуре, зависит от разности температур горячего сиая и свободных концов, а также от материала, из которого изготовлены электроды термопары. Поддерживая температуру свободных концов термопары постоянной и зная величину термо-э. д. с., можно определить температуру горячего спая. В лабораторных условиях для большого количества термоэлектрод ных пар составлены градуировочные таблицы с ука-зани( м температуры горячего спая и величины термо-э. д. с. в ши- [c.55]

Рассмотрим сущность эффекта расщепления терма. В качестве центрального иона возьмем ион переходного металла, внешняя оболочка которого содержит один -электрон (терм Ю). В свободном ионе -состояние вырождено пятикратно, т. е. имеется пять -орбиталей, эквивалентных по энергии, на которых может находиться рассматриваемый электрон (см. 7). Если поместить ион в центр поля лигандов, имеющего сферическую симметрию, энергия иона повысится, но в поле любой другой симметрии вдобавок произойдет расщепление уровня на подуровни. В октаэдрическом поле шести отрицательных лигандов две из пяти -орбиталей направлены в сторону расположения лигандов, именно и -орбитали (рис. 53). Отталкивание электронов на этих орбиталях от отрицательных лигандов значитель- [c.121]

Из приведенных на графике оксидов наиболее отрицательное значение AGj имеют MgO и AI2O3. Следовательно, магний и алю миний могут выступать в качестве восстановителя любого из рло сматриваемых оксидов. На этом основана магнийтермия и алюмо термия соответственно. [c.193]

Следует заметить, что взаимодействие частиц на больших расстояни 1х, характеризуемое наличием на потенциальной кривой неглубокого отрицательного минимума, до сих пор не имеет специального названия. Ученые называют это взаимодействие по разному дальней коагуляцией, коагуляцией во вторичном минимуме, дальней агрегацией, флокуляцией. В дальнейшем мы будем пользоваться всеми этими терминами за исключением флокуляции, поскольку термии флокуляция имеет чйсто описательный характер (образование хлопьев, фло-кул) и не зависит от того, происходит ли она в результате истинной коагуляции или дальйей агрегации. Термином коагуляция будем обозначать все виды агрегации частиц, начиная от коалесценции и непосредственного слипания частиц и кончая дальней агрегацией. Наконец, под истинной коагуляцией будем пбнимать непосредственный физический контакт между частицами. [c.279]

Уравнение (56.6) можно рассматривать как микроскопическое соотношение БПС (для отдельного элементарного акта). При Д6/о< /з, что обычно характерно для простых редокс-реакций, а 1/2. Однако в обш,ем случае коэффициент а должен зависеть от потенциала, причем можно получить как отрицательные значения а (когда —АОо>и , и минимум начального терма попадает внутрь конечного), так и значения а >1 (когда А6 о>[Уз и минимум конечного терма попадает внутрь начального). Таким образом, коэффициент переноса отдельного элементарного акта а не идентичен макроскопическому (наблюдаемому) коэс х )ициенту переноса а. [c.287]

Рассмотрим расщепление -уровней в ионе Т1 + под действием октаэдрически симметричного к молекул Н2О (комплекс [Т1(Н20)б] пять электронных -уровней ( у, хг, у2, 22, ж2-у2) равноценны с энергетической точки зрения. Их энергетическое состояние характеризуется пятикратно вырожденным термом 0-. М.жся-мум электронной плотности у-орбит ( 2-у2, гз-орбиты) расположен вдоль осей связи, а у -орбит ( жу, с1хг, (1уг) —в стороне от линии связи ясно, что характер отталкивания - и 6-электронов от отрицательно заряженных концов шести аддендов диполей, расположенных на осях координат будет различен. В комплексе Т1(ОН2)б +, например, равными по энергии окажутся йху-, йхг- и у2-0рбиты, с ОДНОЙ СТОрОНЫ, И 2 И х2-у2—С [c.254]

Как указывалось выше, кулоновское взаимодействие атомов дает притяжение, которое, однако, обеспечивает лишь около 10% энергии химической связи. Член А содержит взаимодействие электронов, находящихся на молекулярных орбитах с ядрами и друг с другом. Он имеет отрицательный знак и, следовательно, приводит к притяжению атомов для терма и, и к 01талкиванию для терма и [c.473]

Второй период образует атомы от до Ne. В направлении — Ке растет эффективный заряд ядра, в связи с чем уменьшаются размеры атомов (см. Гшах), возрастает потенциал ионизации и осуществляется, начиная с В, переход к неметаллам. Потенциал ионизации отражает не только рост в ряду —Ке, но и особенности электронных конфигураций потенциал ионизации у бора ниже, чем у бериллия. Это указывает на упрочнение заполненных нодоболочек ( у бериллия). Более высокий потенциал ионизации азота по сравнению с кислородом указывает на повышенную прочность конфигурации р , в которой каждая орбиталь занята одним / -электроном. Аналогичные соотношения наблюдаются и в следующем периоде у соседей Mg—А1 и Р—5. У атомов второго периода отрыв электрона с внутреннего Ь -слоя требует такого высокого ПИ (75,62 эВ уже у лития), что в химических и оптических процес--сах участвуют только внешни электроны. Сродство к электрону в ряду Ы—Р имеет тенденцию к возрастанию. Но у берилжя оболочка заполнена, и сродство к электрону эндотермично так же, как и у гелия (1л ). Обладая самым высоким потенциалом ионизации ю всех неметаллов и высоким сродством к электрону, фтор является наиболее электроотрицательным элементом в периодической системе. Для атома неона СЭ (Ке)=—0,22 эВ. Оболочка з р атома Ке, электронный октет, характеризуется суммарным нулевым спином и нулевым орбитальным моментом (терм 5о). Все это, вместе с высоким потенциалом ионизации и отрицательным сродством к электрону, обусловливает инертность неона. Такая же з р конфигурация внешнего слоя характерна для вСех элементов нулевой группы. Исследования последних лет показывают, что 1 п, Хе,Кг и Аг дают химические соединения со фтором и кислородом. Очевидно, что з р конфигурация не влечет как непременное следствие химической инертности. Все атомы со спаренными электронами (терм о) — диамагниты (Не, Ве, Ке и т. д.). Конфигурации внешнего электронного слоя у атомов 2-го и 3-го периодов, стоящих в одних и тех же группах, одинаковы, чем объясняется близость химических свойств элементов, стоящих в одних и тех же группах (сравните Ка иЬ1 в табл. 5). Но наблюдается и различие элементы второго периода обладают постоянной валентностью, а третьего — переменной. Это связано с тем, что у атомов третьего периода есть вакантные -состояния в третьем квантовом слое, а во втором слое таких соединений нет. [c.62]

Продемонстрируем метод на наиболее симметричных конфигурациях и простейших системах. Рассмотрим сушность эффекта расщепления терма. В качестве центрального иона возьмем ион переходного металла, внешняя оболочка которого содержит один -электрон, терм /). В свободном ионе -состояние вырождено пятикратно, т. е. имеется пять /-орбиталей, эквивалентных по энергии, на которых может находиться рассматриваемый э.тектрон (см. 7). Если поместить ион в центр поля лигандов, имеющего сферическую симметрию, энергия внешних электронов иона повысится из-за дополнительного отталкивания от отрицательных лигандов, создающих цоле, но в поле любой другой симметрии вдобавок произойдет расщепление -уровня на подуровни. Последнее зависит от симметрии поля. В октаэдрическом поле шести отрицательных лигандов (симметрия Он) две из пяти -орбиталей направлены в сторону расположения лигандов, именно -орбитали (рис. 100). Отталкивание электронов на этих орбиталях от отрицательных лигандов значительнее, чем на трех оставшихся орбиталях (1 у, ,.. и ,, лепестки которых направлены к ребрам октаэдра, т. е. между лигандами. Поэтому энергия электрона на первых двух орбиталях оказывается вьипе, чем на трех последних. Таким образом, первоначальный -уровень ( О терм) расщепляется на два подуровня — более низкий,трижды вырожденный, и более высокий, дважды вырожденный (е ). При заполнении электронами более низких уровней (здесь г ) система стабилизируется по сравнению с произвольным заполнением -орбиталей. Достигаемый за счет этого выигрыш энергии, называемый энергией стабилизации кристаллическим полем (ЭСКП), упрочняет химическую связь. [c.238]

Термоэлемент ПР-30/6 имеет положительный электрод, состоящий из платинородиевого сплава с содержанием родия 307о, и отрицательный — из такого же сплава, но с содержанием родия 6%, Он может работать при температуре до 1800° С, причем до 200° С его термо-ЭДС практически равна нулю, вследствие чего не требуется компенсация температуры свободного конца. [c.27]

В дырочных полупроводниках (р-типа) возникновение термо-ЭДС аналогично описанному, но разница состоит в том, что на холодном конце скапливаются положительно заряженные дырки, а на горячем — соответствуюпгий отрицательный заряд. На рис. 10.4,6 в этом случае в стержне В знаки электрических зарядов изменяются на обратные и ЭДС термопары в соответствии с формулой (10.1) возрастает, так как абсолютные величины ал и ав будут не вычитаться, а складываться. Поэтому в термоэлементах всегда применяются пары, составленные из разных — дырочных и электронных полупроводников (р-и /7-типа). Вещества со смешанной проводимостью в термоэлементах не используются, так как в них на холодном конце стержней одновременно концентрируются и электроны, и дырки, заряды которых компенсируют один другой. В результате термо-ЭДС или не возникает сов- [c.285]

Несмотря на то что для щелочных металлов заряд Ze больше, чем для атома водорода, эффективный заряд ядра не может сильно отличаться, так как влияние общего положительного заряда - -Ze в значительной мере компенсируется отрицательным зарядом остальных (Z—1) электронов. И действительно, на опыте найдено, что для атомов щелочных металлов W меньше, чем для водорода. Кроме того, для водорода величина W зависит только от главного квантового числа п и не зависит от азимутального квантового числа к. В атомах щелочных металлов внеядерные электроны влияют на орбиту оптического электрона по-разному в зависимости от эксцентр1тситета электронной орбиты. Для вытянутых орбит п/к велико) электрон испытывает более сильное влияние внутренних электронов, чем для круговых орбит (n/k = i) поэтому термы для атомов щелочных металлов в отличие от водород оподобных атомов должны зависеть как от п, так и от к. Вот почему в данном случае при описании спектров следует учитывать большее число термов, а сами спектры, казалось бы, должны содержать больше линий. Однако иа опыте установлена иная картина. Гипотетический спектр, составленный из полного числа возможных комбинаций термов, содержит значительно больше линий, чем спектр, наблюдаемый в действительности. Отсюда становится ясным, что не все мыслимые переходы являются физически возможными и что существует закон, управляющий запретом переходов. [c.123]

Величина поправочного коэффициента у может быть как положительной, так и отрицательной, причем оценка показывает, что [ -([ < 0,1. Отсюда следует, что величину оптимального тока с достаточной для практики точностью можно определять из соотношения (5-2). Величина оптимального тока в первом приближении не зависит от перепада температур между средами и термических сопротивлений на холодных спаях, а определяется лишь температурой охлая<даемой среды и терми- [c.62]

Проведенные в последние годы иссл ских свойств гексаборидов редко- и позволяют выделить среди них три гр5 лантана, церия, празеодима, неодима, г сравнительно невысоким электросопрот значениями термо-эдс, относительно небольшой по величине и отрицательной по знаку константой Холла (4,2 5 10 см 1кул) и положительным термическим коэффициентом электросопротивления, изменяющимся в интервале значений от ЫО (для СеВ ) до с помощью однополосной модели удель сителей тока на атом металла (п ) для г [c.44]

Молекула, как и атом, характеризуется мультиплет-ностью электронных состояний. Мультиплетность уровня определяется и обозначается по указанным выше правилам. По отношению к отражению в плоскости симметрии, проходящей через ось молекулы, электронные состояния разделяются на положительные (-1-) и отрицательные (—), что указывается вверху справа у квантового числа Л. Для линейных молекул, обладающих центром симметрии, электронные состояния делятся на четные (g и нечетные (и), что указывается справа внизу у Л. В ряде случаев перед символом терма Л дается дополнительный символ (А, В, С, X,. .., а, Ь, с,. ..), приписываемый каждому конкретному терму и не связанный однозначно со спектроскопическими характеристиками молекулы. [c.649]

ТакиЖ- образом измерения, поверхностного потенциала или работы выхода (методами контактной разности потенциалов, термо- и фотоэлектронной эмиссии и т. п.) при адсорбции могут дать информацию о за-ряженности адсорбированного слоя. Влияние адсорбированного слоя на величину ф было экспериментально показано в ряде работ (например [195, 197—206]). Направление изменений ф в результате адсорбции указывает на природу образующейся связи. Однако если увеличение ф характерно для образования как ковалентной связи, так и для образования отрицательно запяженного слоя, однозначный результат [c.59]

Простейшим примером является конфигурация [например, у Ti (III)] в поле шести молекул воды, расположенных октаэдрически, каждая на расстоянии а от иона (рис. 27) и представляющих собой точечные отрицательные заряды величины Z (или точнее, диполи (64, 65, 79, 159]) Ti (III) имеет конфигурацию... Ър Ъд , терм и мультиилетные компоненты м [c.222]

Очевидно, что первые два члена (являющиеся соответственно постоянными и сферически симметричными) могут вызывать только общее смещение всех уровней энергии в сторону больших энергий (Z — отрицательно). Можно полагать, что это обусловлено тем, что электрону в процессе ионизации (служащем для определения абсолютной энергии) помогает оторваться наличие шести отрицательных зарядов, и, следовательно, эти члены просто смещают все энергии термов, относящихся к одной конфигурации, на одинаковую величину в сторону больших энергий и не вызывают расщепления уровней. Член же с четвертыми степенями, как будет показано ниже, приводит к расщеплению уровней. [c.223]

Переход Ч д Ед интересен тем, что с конфигурационной точки зрения он является переходом t ge - t geg и, следовательно, должен быть широким, а его максимум должен смещаться при понижении температуры к низким частотам, поскольку кривая энергии верхнего состояния в зависимости от Dq имеет более отрицательный наклон, чем кривая для основного терма. [c.270]

Эти результаты находятся в соответствии с данными об электронной проводимости массивных образцов РеО, Рез04 и 7-Ре20з за счет избыточного железа в решетке, полученными в обычных условиях по знаку эффекта Холла или термо-э.д. с. Из рис. 1,6 можно видеть, что при потенциалах активного растворения значение отрицательной ф. э.п. растет до потенциала пассивации (+0,45 В). Это указывает, согласно (1,25), на преимущественно катионный характер переноса в окисной фазе при этих потенциалах и на то, что активное растворение железа связано с увеличением отклонения от стехиометрического состава поверхностного окисла и ростом концентрации дефектов структуры — анионных вакансий (ионов Ре2+ и свободных электронов). [c.21]

Термостатирование камеры с нефтепродуктом и капилляра при положительных температурах осуществляется при помощи термо-статирующего цилиндра 29, который привинчивается к гайке 5 при помощи другой гайки 30. Штуцера 31 служат для подсоединения тер мост атирующего цилиндра к циркуляционному термостату ТС-15. При отрицательных температурах используется открытый термостатирующий сосуд 27 с двойными стенками, между которыми помещена теплоизоляция термостатирующая жидкость в сосуде перемешивается при помощи ручной мешалки. Приемник 28 служит для сбора нефтепродукта и предохранения тем самым термостатирующей жидкости от загрязнения. [c.201]

В а и р термы ядерного притяжения преобладают над кинетическим термом и термом электронного отталкивания, поэтому оба интеграла отрицательны. Определение аир зависит от определения Н ив. В этом разделе, как и в разделе VII. , одноэлектронный оператор Гамильтона и орбитальная энергия определены в соответствии с правилами самосогласованных молекулярноорбитальных расчетов, поэтому а и Р содержат термы я—я-электронного отталкивания. Нужно отметить, однако, что аир (особенно в старой литературе) часто определяются таким образом, что не содержат энергию я—я-отталкивания. Это эквивалентно отбрасыванию 1/Г12 из Н, в (200) или (201) и сглаживанию различий в энергии между антисимметризованной и неанти-симметризованной волновыми функциями, основанными на одних и тех же конфигурациях. [c.79]

Когда требуются значения а-термов в методе Пэриса и Парра, то берут несколько измененные отрицательные значения энергий ионизации атомов с учетом изменений в потенциальной энергии при переходе от атома к молекуле (изменения в кинетической, анергии. игнорируются). Интегралы р вычисляются эмпирически с использованием спектральных данных точно так же, как в исходном методе Хюккеля интегралами, содержахцими не соседние атомы, пренебрегают. [c.87]

Электронные свойства углей и графитов широко изучали [1—4] в последние два десятилетия, однако сравнительно мало внимания было уделено изучению термо-электродвижушей силы (тер-мо-э. д. с.) графита, и особенно вопросам теории. Частично это связано с трудностью получения однородных беспримесных графитовых тел, которые имели бы достаточные размеры для проведения термо-электрических исследований. Кроме того, отсутствовала теория, с которой можно было бы сопоставлять экспериментальные данные. Не удивительно поэтому, что влияние хемосорбции газов на термо-э.д.с. графита практически не было изучено, несмотря на то что графит — идеальный объект для проведения таких исследований. Как будет показано ниже, графит обладает единственной в своем роде я-зонной структурой, причем концентрации положительных и отрицательных носителей близки по величине, а общая концентрация носителей мала по сравнению с металлами (10 /слг вещества). Поэтому термо-э. д.с. очень чувствительна к любому процессу, например хемосорбции кислорода, в результате которого происходит захват отрицательного носителя. [c.328]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология