Выращивание охлаждением

Более ранняя работа по выращиванию монокристаллов нафталина в некоторых отношениях отличается от рассмотренной. Постоянная разность температур между плечами и-образной трубки поддерживалась с помощью бань, которые содержали с одной стороны лед и воду, а с другой — лед и соль в различном соотношении, причем эти смеси перемешивались предварительно охлажденным воздухом. Образование зародышей кристаллов достигалось охлаждением камеры роста до пересыщения, выходящего за пределы метастабильной области. Для выращивания кристалла был выбран один зародыш, а другие образовавшиеся зародыши были уменьшены в размерах точечным нагреванием боковых стенок. После этого медленно нагревали всю камеру роста до испарения всех зародышей кристаллов, кроме одного, выбранного для выращивания. Охлаждение камеры роста до температуры на 0,76° ниже температуры питающей камеры давало линейную скорость роста, равную десятым долям миллиметра в час. [c.221]

В монографии рассмотрены вопросы фазового равновесия при переходе веществ из жидкого состояния в кристаллическое, кинетические закономерности образования и роста кристаллов. Обсуждены особенности теплообмена при охлаждении различных расплавов. Приведена классификация методов кристаллизации расплавов. Проанализированы особенности различных технологических методов кристаллизации расплавов, в том числе методов отверждения расплавов, фракционной кристаллизации, очистки веществ от примесей и выращивания монокристаллов. Рассмотрены вопросы аппаратурного оформления разных процессов кристаллизации расплавов. [c.728]

Для проведения простого эксперимента по выращиванию кристаллов, в котором успешно можно использовать квасцы, нитрат калия, дихромат калия и сульфат меди, готовят насыщенный при 80 °С раствор вещества, фильтруют и помещают его для медленного охлаждения в ячейку с термоизоляцией (изоляционным материалом может быть древесная шерсть, опилки, кизельгур) или в термос. [c.488]

A.-а. растворяется в горячей воде, при охлаждении застывает в студень. Применяется в пищевой, особенно в кондитерской промышленности, в химии, медицине и в микробиологии при приготовлении питательных сред для выращивания микроорганизмов. В СССР получают из красных водорослей Белого и дальневосточных морей. [c.6]

СКИХ деформаций сдвига. Это вызовет при охлаждении кристал- лов образование структурных дефектов — дислокаций, плотность которых только по этой причине может достигнуть весьма больших значений (до 10 м" ). Структурные дефекты, как известно, ухудшают свойства кристаллов, поэтому при выращивании монокристаллов предпринимают различные меры, чтобы поверхность раздела кристалл — расплав имела плоскую форму. Сохранение плоского фронта кристаллизации важно также для равномерного распределения примесей в поперечном сечении монокристалла. Чтобы избежать этих недостатков и создать достаточно однородное распределение температуры в расплаве и кристалле, последний в процессе роста вращают со скоростью до 50 об/мин, а тигель вращают в обратном направлении со скоростью до 30 об/мип. [c.59]

Схема установки для выращивания монокристаллов кремния (германия) приведена на рис. 2.5. Рабочее пространство для выращивания кристалла представляет собой вакуумную камеру 1 с двумя крышками — верхней 2 и нижней 3. Через нижнюю крышку вводится шток 4, на котором крепятся тигель 5 и электроды 6, подводящие питание к нагревателю 7 тигля. Тигель 5 выполнен из чистого графита. Через верхнюю крышку вводится охлажденный шток 8, на котором закрепляется затравка 9. Верхний шток центрирован относительно тигля с расплавом. Для хорошего перемешивания расплава оба штока соединены с механизмами, обеспечивающими их поступательное и вращательное движение в любом направлении. [c.60]

Наилучшие показатели по активности культуры достигаются при выращивании гриба на среде, температура которой 15°С. При подаче охлажденного воздуха с относительной влажностью 98— 100% подсыхания среды не происходит при снижении влажности воздуха до 67—70% влажность питательной среды изменяется мало. Амилолитическая активность культуры возрастает до 36 ч, а затем снижается. Потери сухих веществ за 36 ч составляют около 25%. Общая продолжительность цикла выращивания культуры с учетом подготовительных и заключительных операций в камере 48 ч. [c.158]

Технологические показатели зрелой бражки характеризуют работу не только бродильного цеха, но и всех предыдущих цехов и участков производства — разваривания сырья, выращивания солода или культуры плесневых грибов, осахаривания, вакуум-охлаждения, приготовления дрожжей и др. Ошибки в технологии, допущенные в предыдущих цехах, обнаруживаются в показателях зрелой бражки. Важнейшие из этих показателей содержание РВ и истинных сухих веществ видимая плотность, кислотность и крепость бражки (содержание спирта). [c.246]

Приготовление питательной среды. Приготовляя питательную среду для выращивания дрожжей, смешивают охлажденную барду с растворами фосфор- и азотсодержащих солей. Если концентрация барды больще 8%, ее разбавляют лютерной водой до содержания сухих веществ 6,8 — 7,2%. Для приготовления питательной среды используют сборник-смеситель, вместимость которого рассчитана на 30—40-минутную производительность цеха. При выращивании дрожжей по двухстадийному способу питательную среду для вто- [c.372]

О влиянии тепловых условий на качество выращиваемых монокристаллов неоднократно отмечалось в ряде работ [39—42]. Придавая огромное значение тепловым режимам выращивания монокристаллов, авторы указывают, что центральное место в технологии получения слитков должны занять процессы их охлаждения выращивание качественных монокристаллов заключается в решении проблемы управления температурой и температурными градиентами в расплаве и слитке [39, 40]. [c.109]

Третья стадия выращивания дрожжей ведется в аппаратах чистой культуры (АЧК) Общий объем малого АЧК — 500 л, полезный—300 л. Перед заполнением АЧК хорошо промывается горячей водой и прогревается паром при давлении 0,05—0,06 МПа в течение 1 ч. После охлаждения аппарат заполняется водой в количестве около 300 л. Вода подогревается до кипения и кипятится около 1 ч. После этого прекращается подача пара, горячая вода спускается по продуктовой коммуникации в большой АЧК, а малый АЧК вновь пропаривается при давлении 0,05—0,06 МПа в течение 1 ч. [c.249]

Суть способа периодического культивирования состоит в том, что все операции — подготовка сусла, ввод посевных дрожжей, выращивание, ввод дрожжей, промывка стенок и их стерилизация, охлаждение и повторение наполнения — осуществляют последовательно. [c.1037]

Аппарат итальянской фирмы Пресс-индустрия (рис. 20.12) предназначен для выращивания дрожжей в концентрированных средах. Дрожжерастильный аппарат (рис. 20.12, а) установлен на опорной раме 14 яв нижней части содержит штуцеры для подачи сжатого воздуха 12, для вывода продукта 13, а также люк 1. Охлажденное дрожжевое сусло подается через штуцер И, установленный в средней части аппарата. Здесь же находится патрубок 2 для установки датчиков температуры и pH. На верхней крышке аппарата размещены люк 3 и смотровое окно 10, а. также патрубок 4 для установки датчиков регулятора и сигнализатора уровня и штуцеры [c.1039]

Выращивание кристаллов из растворов производят путем кристаллизации на заранее полученных зародышах или осколках кристаллов. Кристалл при этом растет медленнее и будет тем совершеннее, чем меньше величина пересыщения. Линейная скорость роста не должна превышать 1—2 мм за сутки (это соответствует построению около 100 плоскостей в секунду). Предпочтительно работать при повышенных температурах, так как при этом меньше вязкость раствора и выше скорость диффузии. При кристаллизации из неподвижного раствора следует позаботиться о создании условий для чрезвычайно медленного охлаждения пересыщенного раствора (хорошая теплоизоляция) или о поддержании постоянной температуры при одновременном медленном испарении растворителя. Процесс можно проводить в сосуде [c.134]

В кристаллах кварца бурого цвета всегда наблюдается спектр ЭПР ионов Ре +, которые характеризуются гораздо меньшими начальными расщеплениями, чем ионы Ре +, изоморфно замещающие 5 + в кристаллах природных и синтетических аметистов. Б буром кварце интенсивность линий ЭПР Ре + при медленном нагреве до 400—450 °С и осторожном охлаждении убывает незначительно, тогда как бурый цвет образцов при этом переходит в зеленоватый. Высокотемпературный отжиг (при 600—700 °С) приводит к помутнению бурых и зеленых кристаллов при этом, по данным ЭПР, интерстициальные Ре +-центры разрушаются практически полностью. В зеленых (выращенных) кристаллах наблюдается аналогичный спектр ЭПР Ре + несколько меньшей интенсивности, чем в бурых слоях из тех же кристаллов. В кристаллах кварца с бурой окраской наблюдается сильное поглощение в фиолетовой и УФ-областях (см. рис. 61). Бурая окраска дихроична, особенно в области коротких длин волн с Оо>Ое. Зеленая окраска отличается от бурой повышенным поглощением в области 700—1100 нм, где отчетливо выявляются полосы поглощения в области 740 и 960 нм при почти полном отсутствии дихроизма. Как уже отмечалось, при нагревании бурых кристаллов до температуры 450 °С происходит необратимое изменение окраски кварца, которая переходит в зеленую, аналогичную во всех отношениях зеленой окраске, получаемой непосредственно при выращивании. [c.190]

Выпускаемые промышленностью установки по выращиванию высокотемпературных монокристаллов методом ГНК требуют охлаждения водой с жесткостью не более 3,5 мг/л при содержании 170 [c.170]

Усилению напряжений способствуют различия в коэффициентах термического расширения молибденового контейнера и кристалла, а также неравномерность его охлаждения за счет теплоотвода через контейнер и сквозь массу прозрачного для инфракрасных лучей кристалла. Неравномерность распределения температур по кристаллу вызывает неодинаковое тепловое расширение различных его участков, их упругое взаимодействие и, как следствие, возникновение в кристалле напряжений. Неравномерность температурного поля при выращивании кристаллов методом ГНК исследовалась при синтезе рубина и лейкосапфира [5]. Оказалось, что вблизи фронта кристаллизации температурный градиент в кристалле составляет 6—7 К/см, В пяти сантиметрах от фронта кристаллизации температурный градиент возрастает до 19—21 К/см и остается постоянным на протяжении 10 см. Общий перепад температур достигает 250 К. Вероятно, эта цифра действительна и для монокристаллов граната, выращиваемых методом ГНК. [c.184]

Длл выращивания крупных кристаллов в начальный период зародышеоб-разования требуются очень низкие скорости охлаждения раствора сырья в растворителе в маловязкой суспензии. Постепенное охлаждение можно проводить в объемном кристаллизаторе с перемешивающим устройством. [c.237]

Практические рекомендации по режицу охлаждения парафинового дистиллята обеспечивают выращивание крупных кристаллов парафина и исключают вторичное зародышеобразование. [c.95]

Все это справедливо для одиночных кристаллов (монокристаллов), линейные размеры которых достигают нескольких десятков сантиметров. В полупроводниковой технике выращивание монокристаллов — одна из важнейших задач (см. гл. X). При быстром охлаждении расплавов обычно получаются поликристаллические тела с размерами зерен в них от 10" до 10 мкм. В поликристаллических телах произвольность ориентировки отдельных зерен приводит к статисти- [c.116]

Благодаря тому, что кристаллы очищаются от маточного раствора противо-точным процессом, а не в результате стеканйя жидкости, как в центрифуге, размеры кристалла играют второстепенную роль. Поэтому меньшее внимание можно уделять стадиям получения кристаллов и отпадает необходимость в емкости для выращивания кристаллов. Для получения продукта высокой чистоты не требуется несколько ступеней процесса. За одну ступень из сырья, содержащего лишь 20% параксилола, возможно получать параксилол чистотой 99%, но весьма значительный температурный градиент в противоточной колонне (от —73° до +13°) требует очень точного регулирования ее работы. Поэтому на первой промышленной установке для промышленного производства ксилола чистотой 98,5% было признано целесообразным пспользовать двухступенчатый процесс. Схема этого процесса производства нараксилола представлена на рис. И. Сырье, содержащее 15—20% параксилола, предварительно охлаждают приблизительно до —40° путем теплообмена с холодным маточным раствором, выходящим при —73° из фильтров первой ступени. Предварительно охлажденное ксилольное сырье дополнительпо охлаждают до —73° в обычном кристаллизаторе со скребками для кристаллизации параксилола. [c.75]

Один из общих технол. методов изготовления полимерных и металлич. волокнистых и слоистых К. м. - выращивание кристаллов наполнителя в матрице непосредственно в процессе изготовления деталей. Такой метод применяют, напр., при создании эвтектич. жаропрочных сплавов на основе Ni и Со. Легирование расплавов карбидными и интерметаллич. соед., образующими при охлаждении в контролируе. гых условиях волокнистые или пластинчатые кристаллы, приводит к упрочнению сплавов и позволяет повысить т-р) их эксплуатации на 60-80 °С. [c.444]

Чтобы избежать нежелательного появления слоистой неоднородности, необходимо вести выращивание кристалла в условиях, когда величина Р располагается как можно дальше от значения ее, соответствующего максимуму функции Р(Р, о) для заданного кй. Одним из способов реализации этого условия является снижение средней скорости кристаллизации йУко, так как регулирование других параметров, входящих в выражение для вряд ли возможно. Кроме того, выращивание кристаллов при сравнительно небольших скоростях кристаллизации уменьшает расстояние между примесными полосами, что повышает вероятность их исчезновения в процессе охлаждения закристаллизовавшегося материала. [c.93]

Л1М, с углом наклона конической части 30---45°. Выращивание монокристаллов осуществляли на промышленных печах в вакууме [133,3 кн/м lO (10 мм рт. ст.)] и в атмосфере инертного газа с избыточным давлением среды 30—40 кн м (0,3—0,4 ат). Эффективность экрана оценпвали непосредственным сопоставлением плотности дислокаций в кристаллах, полученных в различных тепловых условиях. Кроме того, при выбранных параметрах выращивания в двух-трех кристаллах измеряли температуры, используя при этом методику, изложенную в главе V. Из опытных данных определяли темп охлаждения слитка [см. (V.6)]. Сравнением этих величин, полученных для кристаллов, выращенных в различных условиях, можно было установить эффективность теплового экранирования, т. е. по скорости охлаждения слитка оценить увеличение или уменьшение теплообмена кристалла с окружающей средой. [c.220]

Питательную среду для второй стадии готовят аналогии первой стадии. После доведения pH до 4,8, стерилизации при тем1 ратуре 121—125° С в течение 40—60 мин и охлаждения до 26° С г тательную среду разливают в сосуды вместимостью 6 л по 2,5 л каждый и засевают жидкой посевной культурой первой стадии в i личестве 10—12% к объему среды. Выращивание проводят при те пературе 24—26 С при частоте колебаний качалки 200—220 мин—. [c.58]

Производственное выращивание культуры. Процесс выращиЕ ния глубинной культуры Азр. awamoгi-466 в производстве осуш ствляется в ферментаторе из нержавеющей стали в стерильных ловиях при постоянном перемешивании и аэрировании среды. Те нологнческнй цикл состоит нз следующих операций подготов ферментатора к приему питательной среды, приготовление пит тельной среды, стерилизация питательной среды, охлаждение и а сс в питательной среды в ферментаторе, ферментация. [c.62]

При выращивании культуры грнба Asp. awamori-673 влажность отрубей должна составлять 50—60%. Увлажненные отруби раскладывают в бюксы и стерилизуют в автоклавах в течение 1,5 ч при давлении 0,15 МПа. После охлаждения до 40—42° С среду засевают суспензией конидий. Для засева используется культура гриба, выращенная в больших маточных колбах. [c.78]

Технология получения кормовых дрожжей нз барды спиртовых заводов, перерабатывающих крахмалистое сырье, состоит нз следующих операций отделение дробины и получение грубого фильтрата приготовление питательной среды (охлаждение грубого фильтрата барды, добавление минерального питания) выращивание чистой и засевиой культур кормовых дрожжей производственное выращивание дрожжей выделение и сгущение дрожжевой суспензии сушка дрожжевого концентрата упаковка и хранение сухих кормовых дрожжей. Аппаратурно-технологическая схема производства сухих кормовых дрожжей представлена иа рис. 18. [c.243]

Основной задачей успешного хранения плодов и овощей является создание благоприятных условий, сохраняющих их стойкость к физиологическим заболеваниям и препятствующих воздействию на них микроорганизмов. Сохраняемость плодов и овощей связана с замедлением процессов жизнедеятельности в период хранения, причем их температура должна быть выше либо равна криоскопической в большой степени сохраняемость плодов и овощей зависит от качественных характеристик сырья. К качественным характеристикам сырья относятся способность помологического сорта к длительному хранению, условия выращивания, климатические условия района, степень зрелости, способы уборки продукции, ее обработки, сроки и скорость охлаждения и закладки на хранение. [c.144]

Для выращивания крупных кристаллов гипса в экстракторах поддерживают температуру 70—75°. Это достигается за счет теплз реакции и регулируется охлаждением. [c.119]

Возникает вопрос может ли для кристобалита и тридимита устанавливаться истинное равновесие По-видимому, нет примеров того, что при выращивании в гидротермальных условиях эти кристаллы образовывались преимущественно по сравнению с кварцем. Фурнье и Рове [137] полагали, что осаждение кристаллического кремнезема в гидротермальных условиях приводит в основном к образованию кварца. По этой причине в своем исследовании растворимости кристобалита они осуществляли контакт кристобалита с водой в течение продолжительного времени при постоянной температуре. При этом достигалось состояние, когда раствор, не пересыщался больше, чем было необходимо. После резкого охлаждения системы измеряли концентрацию мономера — единственного типа растворенного в воде кремнезема. Представленная на рис. 1.4 линия О убедительно подтверждает, что значение растворимости кристобалита было оценено правильно. [c.52]

При выращивании кристаллов из расплава следует избегать одновремен- юго роста кристаллов вокруг значительного числа центров кристаллизации. 1 ледует позаботиться о том, чтобы выращиваемый кристалл вследствие со-1рикосновения с проводником тепла (с охлаждаемой трубкой или стержнем, отличающимся хорошей теплопроводностью) всегда являлся самым холодным местом в системе. Метод, особенно пригодный для выращивания кристаллов галогеиидов щелочных металлов, предложен Киропоулосом [9]. Расположение при этом методе частей прибора показано на рис. 89. Расплав в тигле, нагреваемом электрическим током, сначала следует довести до температуры выше точки плавления приблизительно на 150 °С, а затем путем погружения в иего охлаждающего стержня охладить до температуры выше точки плавления приблизительно на 70 °С. Лишь после этого начинают интенсивно охлаждать передатчик тепла. И когда на его кончике образуется кристалл, обыкновенно имеющий полусферическую форму, этот кристалл на передающей тепло трубке осторожно поднимают при помощи микрометрического винта на такую высоту, чтобы он едва лишь касался поверхности расплава. Тогда, начиная от этой точки, образуется более крупный, очень правильно образованный округленной формы кристалл (охлаждение передающей тепло трубки необходимо при этом усилить). Наконец, этот кристалл следует также поднять из расплава и очень осторожно охладить. [c.135]

Для выращивания монокристаллов 1 г MoN la растворяют в 25 мл PO la, при необходимости раствор фильтруют, помещают в холодильник н через несколько часов получают большие (до 2 мм) кристаллы. Их промывают небольшим количеством охлажденного H2 I2 и сушат в вакууме. [c.1652]

При выращивании микроорганизмов глубинным методом клетки суспендированы в жидкости и находятся во взвешенном состоянии. В небольшую (50—250 мл) колбу наливают жидкую питательную среду, в которую засевают чистую культуру либо с поверхности косого агара, либо из ампул. Затем колбу на сутки или более помещают в термостат с определенной температурой, где культура растет и размножается. Чисто аэробные микроорганизмы выращивают в специальных колбах, которые ставят на качалку в термокамере. После этого культуру пересевают в лабораторные ферментаторы со средой такого же или несколько измененного состава. Лабораторные ферментаторы — стеклянные аппараты емкостью 1—10 л, в которых можно обеспечить продувание среды воздухом, регуляцию температуры, pH и других условий роста. По описанной выше схеме обычно организуют исследование культур микроорганизмов. Кроме того, таким путем готовят и чистую культуру для производственных нужд. Дальнейшее размножение чистой культуры в производственных условиях идет в несколько стадий при использовании металлических инокулято-ров объемом от 0,1 до 100 м и более. Инокуляторы снабжены мешалками, аэраторами, устройствами для стерилизации и охлаждения, арматурой, измерительными приборами. Для каждой следующей стадии необходимо 3—20% посевного материала (по объему). [c.68]

Основным дефектом синтетических аметистов, как, впрочем, и всех ромбоэдрических кварцевых кристаллов, выращиваемых из растворов карбоната калия, является трещиноватость. Длительное время массовое растрескивание аметистов во время выращивания и при охлаждении кристаллов препятствовало промышленному освоению методики синтеза. Широким распространением пользовалось мнение о том, что основной причиной растрескивания синтетических аметистов является гетерометрия. Этому в значительной степени способствовали результаты прецизионных измерений параметров элементарной ячейки кварцев с различными структурными примесями. Исследование несоответствия параметров в кристаллических слоях кварца с различным содержанием структурной примеси алюминия позволило установить причины растрескивания затравок в синтетических кристаллах. Было выделено два характерных морфологических типа трещин, вызванных, соответственно, напряжениями сжатия и растяжения. Зеркальные трещины сжатия рассекали затравку параллельными, пересекающимися под углом, близким к прямому, рядами и возникали при охлаждении сформировавшегося кристалла. Трещины разрыва имеют пилообразный профиль. В их полости между ребристыми поверхностями разрыва возможны двухфазные включения минералообразующей среды, что свидетельствует о нарушении сплошности кристалла во время его роста. [c.185]

Следовательно, индивидуальные особенности диэлектрических параметров отдельных кристаллов синтетического алмаза определяются количественным содержанием дефектов в объеме кристаллов, их природой, структурой, размерами, формой и отражают локальные условия алмазообразования. Очевидно, этим объясняется зависимость диэлектрических свойств алмазов от условий выращивания. Как правило, все исследованные кристаллы алмаза были получены в закалочном режиме охлаждения ( 33 °С в 1 с) от температуры синтеза. Следовательно, можно полагать, что состав включений и неоднородное распределение компонентов среды кристаллизации в них зафиксированы при закалке. [c.452]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология