Дефекты, связанные с группой

Точечные атомные дефекты в кристаллической решетке обладают определенными свойствами. Например, вакансии в ионных кристаллах выступают носителями заряда, причем катионная вакансия несет отрицательный, а анионная — положительный заряд. Конечно, собственно заряд в вакансии не содержится, но возникающее вокруг нее электрическое поле такое же, какое возникло бы, если бы в вакансии располагался заряд, по значению равный, а по знаку противоположный заряду иона, который покинул данный узел решетки. Любые точечные дефекты обладают способностью к миграции (диффузии) в кристаллической решетке в результате тепловых флуктуаций или приложения к кристаллу внешнего электрического поля. Например, катион в междоузлии может переходить при соответствующем возбуждении в соседнее междоузлие, вакансии мигрируют за счет перемещения соседнего иона в вакантный узел, т. е. путем последовательного обмена позициями между ионами и вакансиями (при таком так называемом вакансионном механизме диффузии перемещение вакансий в одном направлении эквивалентно перемещению ионов в другом). Точечные дефекты могут взаимодействовать друг с другом, образуя в простейшем случае ассоциаты—дефекты, занимающие соседние кристаллографические позиции. Например, в решетке могут возникнуть связанные группы вакансий (кластеры). Связанные пары вакансий способны диффундировать быстрее, чем изолированные вакансии, а тройные кластеры еще быстрее. [c.87]

СИЛЬНО связанными группами, могут быть полностью локализованы в дефектах сетки. Тем не менее линейное изменение электронных характеристик с увеличением концентрации остаточных примесей, если только оно имеет место до образования кристаллического соединения, явилось бы некоторым подтверждением модели объединенных электронных уровней. В связи с этим остаточные соединения могли бы быть истолкованы точно таким же образом, как и твердые растворы с замещенными сетками, к которым относятся соединения графита с бором [362, 413]. Роль инородных атомов, присутствующих в этих двумерных углеродных сетках, с точки зрения электронных свойств аналогична роли инородных атомов в трехмерных сетках таких полупроводников, как германий, (ср. также [748]). [c.153]

До сих пор мы рассматривали атомные дефекты, связанные с неправильным расположением отдельных атомов, каждый из которых проявляет себя как некоторая изолированная квазичастица. Такие дефекты обычно называют точечными (нульмерными). Вместе с тем в реальных твердых телах всегда существует большое число разнообразных нарушений идеальной кристаллической структуры, одновременно охватывающих значительные группы атомов и проявляющих себя как протяженные (одно-, двух- и трехмерные) дефекты. Детальное описание протяженных дефектов не является целью данной книги, так как это потребовало бы существенно иного подхода и иного формализма, не меняя при этом принципиального содержания излагаемой здесь теории. Поэтому мы ограничимся лишь краткой характеристикой простейших протяженных дефектов, рассматривая их по степени усложнения пространственной структуры. [c.44]

Дефекты, связанные с группой Т(3) или 50(3) 83 [c.83]

ДЕФЕКТЫ, СВЯЗАННЫЕ С ГРУППОЙ Т(3) ИЛИ ГРУППОЙ 50(3) [c.83]

У больших таксономических групп, стоящих на сильно удаленных друг от друга ступенях филогенеза, степень развития отдельных этапов основного обмена может также довольно резко отличаться. Например, у оомицетов цикл Кребса, видимо, развит слабо, так как они используют предпочтительно для питания уже готовые аминокислоты. У паразитов часто выявляются вторичные дефекты, связанные с паразитарным образом жизни. [c.62]

По своему составу материал мембраны представляет собой смесь двух- и трехзамещенных эфиров целлюлозы. Дефекты в структуре, а также функциональные группы придают ацетату целлюлозы ионообменные свойства, причем ее ионообменная емкость незначительна и находится в пределах 10 —10 г-экв/л сухого вещества [235]. Наличие ионообменного взаимодействия позволяет некоторому числу ионов разделяемого раствора проникать в слой связанной воды, причем, чем [c.210]

Анализ изменения распределения дефектов внутренней поверхности трубопровода, выявленных при повторных прогонах внутритрубного ультразвукового дефектоскопа-снаряда, показал, что увеличение их числа произошло неравномерно по длине трубопровода и имело место в основном на тех участках, где при первом прогоне было зафиксировано наибольшее количество дефектов. Следовательно, рост числа дефектов за последние годы не был явлением случайным, а непосредственно связан с усилением воздействия одного или группы рассмотренных факторов на отмеченных участках трубопровода. [c.114]

В [9.13] было показано, что ПИБ может кристаллизоваться при растяжении и охлаждении. Переход, проявляющийся в закристаллизованном ПИБ ниже температуры стеклования, обусловлен переориентацией концов цепей, находящихся в пределах дефектов. Максимумы на кривой высвечивания эластомера СКИ-3 (рис. 9.3) можно отнести к следующим релаксационным процессам 1) переход при температуре — 63° С обусловлен размораживанием сегментальной подвижности 2) переход при температуре —113° С связан, как и в случае ПИБ, с вращением метильных групп 3) переход при температуре —147° С может быть связан с размораживанием подвижности отдельных атомных групп в основной цепи. [c.244]

Наиболее простым дефектом является примесный атом пятой или третьей группы таблицы Менделеева, Рассмотрим, например, атом мышьяка в германии. Мышьяк имеет пять валентных электронов. Для реализации ковалентной связи с ближайшими соседними атомами кремния требуется четыре электрона пятый электрон связан положительным зарядом иона. В этом связанном состоянии электрон обладает более низкой энергией, чем электрон, находящийся в зоне проводимости. При высокой температуре под влиянием тепловых колебаний связанный электрон может отрываться от иона мышьяка и перемещаться как свободный электрон иными словами, электрон может перейти в зону проводимости. Такого рода примеси или дефекты кристаллической решетки называют донорами. В основном состоянии они нейтральны, а при возбуждении дают положительно заряженный ион и один свободный электрон. [c.239]

Рандомизация от англ. га/гйо/п— случайно, наугад) —прием, переводящий систематические погрешности в разряд случайных. Возможность рандомизации основана на том, что систематическая погрешность единичного явления (прибора, процесса, метода, исполнителя анализа) при рассмотрении ее в более широком классе однотипных явлений (серия приборов, группа процессов или методов, коллектив аналитиков) становится величиной переменной, т. е. приобретает черты случайной погрешности. Например, каждая единичная бюретка одного класса точности характеризуется своей систематической положительной или отрицательной погрешностью. Однако, если проводить объемное определение, используя последовательно не одну, а несколько бюреток, можно, ожидать, что результат объемного анализа, усредненный по всем определениям и для всех бюреток, будет отягощен меньшей погрешностью, чем при использовании одной бюретки, за счет того, что при усреднении систематические погрешности разных бюреток частично компенсируют друг друга. Аналогичным образом, если одновременно со сменой бюреток менять пипетки для отбора аликвотных проб, то при усреднении можно рассчитывать на дополнительное уменьшение погрешности анализа (двухфакторная рандомизация). Переход от серии анализов, выполненных одним аналитиком, к серии однотипных анализов, выполненных тем же методом группой исполнителей, позволяет рандомизировать субъективные погрешности (ошибки, связанные с некоторыми дефектами зрения, а также со спецификой индивидуальных эксперимен--тальных навыков аналитика). [c.41]

Эта схема, в целом, соответствует классификации Международного института сварки, согласно которой причины аварий сварных конструкций принято подразделять на три группы. Группа А включает факторы конструктивно-технологического характера ( наличие технологических дефектов трещиноподобного типа, конструктивные концентраторы напряжений и т. п ) группа В- факторы, связанные с наличием высоких напряжений от внешних нагрузок, температуры и т. д. группа С- факторы, определяемые исходным химическим составом и структурой материала, а также их изменением в процессе изготовления конструкции и ее эксплуатации [15]. [c.16]

Анализ возникающих при работе цилиндро-поршневой группы дефектов и вызывающих их причин, связанных в основном с приработкой, позволяет обоснованно наметить мероприятия по резкому улучшению процесса приработки и устранению дефектов, возникающих как в период начальной работы при обкатке двигателя, так и в последующий период его эксплуатации, повысить срок службы и надежность работы двигателя. [c.133]

Важную роль для катализа играют активные центры, т. е. участки поверхности, обладающие повышенной активностью. Это геометрические неоднородности поверхности пики, углы, ребра кристаллов, или микроструктурные дефекты поверхности. Активные центры можно рассматривать как группы атомов, наименее связанных с поверхностью и находящихся в наиболее благоприятных условиях для электронного или протонного обмена ввиду наличия ненасыщенных валентных связей у этих атомов. [c.226]

Главные элементы образуют самостоятельные химические соединения (минералы), а входящие во вторую группу преимущественно рассеяны в природных минералах. Исследования показали, что в горных породах рассеянные элементы либо входят в кристаллохимическую структуру породообразующих минералов, либо приурочены к различного рода дефектам кристаллов, главным образом - микротрещинам. Связанные с такими дефектами адсорбционными силами элементы легко извлекаются слабыми растворами кислот и оснований. [c.36]

Третье направление — установление зависимости свойств твердых фаз от их состава и структуры. Исследование корреляции между составом и строением твердых тел, с одной стороны, и их свойствами — с другой, осуществляется путем использования комплекса физических и химических методов определения газов в металлах. При этом, наряду с задачей определения валового содержания того или иного газообразующего элемента, возникает и задача их раздельного определения в разных формах нахождения. Химическая форма и место локализации в металле газовой примеси могут быть различны. Газ может находиться в кристаллической решетке металла в виде раствора внедрения или замещения (в атомном или ионном состоянии) может быть связан в химические соединения (гидриды, нитриды, оксиды и т.д.) как с основным элементом исследуемого материала, так и с различными случайными примесями или легирующими добавками может быть сорбирован на поверхностях металла (как наружных, так и внутренних) в виде атомов, молекул или химических соединений может быть зажат под большим давлением в пузырьковых дефектах внутри металла в состоянии молекулярного газа может находиться в составе случайных загрязнений поверхности металла, возникающих в результате небрежного их хранения (влага, тонкие пленки нефтепродуктов и пр.). Совокупность методов определения газов в металлах может быть представлена несколькими основными группами. [c.931]

Низкотемпературный релаксационный максимум для полиэтилена обнаруживается приблизительно в той же области температур, что и для исследуемых сополимеров. Механизм этого процесса связывается с ограничениями вращательного движения последовательности из нескольких метиленовых групп как в аморфных, так и в кристаллических областях полимера [13]. Предполагается, что процесс релаксации в кристаллических областях связан с локальными движениями в местах дефектов кристалла, образованных присутствием концов цепей в кристалли- [c.125]

Переходы в верхние состояния с к О возможны, если основное электронное состояние [см. уравнение (12)] имеет связанные с ним колебания решетки или же если кристалл имеет дефекты или содержит примеси. В случае колебаний решетки, связанных с основным электронным состоянием, формальное требование постоянства вектора к при переходе может выполняться, если в верхнем состоянии волновой вектор равен волновому вектору колебания решетки в основном состоянии. Такие переходы проявляются в спектрах поглощения слабо, так как их интенсивность зависит от способности колебания решетки вызвать в электронной волновой функции компонент не равного нулю вектора к. Однако изучение соответствующего момента перехода показывает, что правила отбора, как можно было ожидать, выводятся из группы волнового вектора. Если группа волнового вектора не имеет элементов симметрии, то направление поляризации не связано с осями кристалла. В противном случае направление поляризации может быть ограничено определенной плоскостью или осью кристалла. В каждом из случаев, приведенных в табл. 4, поглощение происходит только в направлении оси Ь или в плоскости ас в кристаллах [c.524]

К дефектам первой группы можно отнести следующие а) не всегда предусматривается необходимая контрольно-измерительная аппаратура для замера температуры масла б) наблюдается превышение температуры масла выше допустимой из-за отсутствия устройств для промежуточного охлаждения масла в) повышенный износ цилиндров, компрессорных колец, прямоточных клапанов и сальников из-за разжижения масла, связанного с попаданием конденсата в систему компримировання г) некачественное изготовление отдельных деталей и узлов компрессора (узлы крепления крейцкопфов, подшипники, затяжные шпильки сальников, внутренние элементы редукторов и т. п.). [c.217]

В дальнейшем при рассмотрении теории полупроводников будет рассмотрена особая группа дефектов, связанных с отклонением от стехиомегрии в некоторых химических соединениях. Так, если нагреть Na l в атмосфере паров натрия, то в решетке соли появляются избы-, точные количества натрия. [c.194]

Накопившиеся фактические клинические данные и подробные генетические и биохимические исследования позволили отнести подобные заболевания к врожденным нарушениям обмена и функций витаминов, которые уже описаны для тиамина, пиридоксина, биотина, фолиевой кислоты, витамина никотиновой кислоты, витаминов А, О, Е, К и др. В настоящее время имеется достаточно оснований считать, что причиной развития этих болезней являются генетические дефекты, связанные с нарушениями или всасывания витаминов в кишечнике, или их транспорта к органам-мишеням, или, наконец, с нарушениями превращений витаминов в коферменты (или в активные формы-в случае витаминов группы О). Имеются также доказательства наследственного дефекта синтеза белковой части фермента (апофермента) в развитии некоторых врожденных расстройств обмена и функций витаминов, а также нарушения взаимодействия (связи) кофермента (или активной формы витамина) со специфическим белком-апоферментом, т.е. дефект формирования холофермента. [c.207]

Дефекты (примеси, атомы в междоузлиях, вакансии, перестановки атомов и т. д., а также в определенном смысле поверхность кристаллов) оказывают в общем случае такое же влияние на коэффициент объемного расширения и теплоемкость, как и высшие ангармонические члены Фз, Ф4, Ф Фб. .., т. е. они тоже приводят к отклонению от линейной температурной зависимости теплоемкости и коэффициента расширения. Влияние дефектов на теплоемкость проявляется также в том, что они в ряде случаев вызывают существенное изменение колебательного спектра (см. рис. П. 13). Кроме этого, дефекты могут приводить к возникновению так называемых локальных колебаний, а в случае примесных включений с большой массой — и к низкочастотным колебаниям [Марадудин (1966, 1967)]. В полиэтилене подобное влияние оказывают прежде всего цепи с гош-конформацией [Янник (1968) Миазава, Сакаки (1968)] и дефекты, связанные с изгибом цепи (кинкен-дефекты) [Пекхолд (1968)], а также, вероятно, разветвления и концевые группы. Теплоемкость полиэтилена со 100 /о-ной кристалличностью (см. табл. П1.8) не содержит по крайней мере до —75°С вкладов от дефектов [Баур (1970)]. Это указывает на то, что при этих температурах концентрация дефектов очень мала. При более высоких [c.115]

Помимо дефектов, связанных с образованием неэффективных цепей, возможна неполная конверсия функциональных групп, обусловленная диффузионными и стерическнми препятствиями. Стерические препятствия возрастают с повышением плотности сетки и увеличением физического взаимодействия между звеньями. Диффузия затрудняется по мере нарастания вязкости среды. Если температура реакционной системы на какой-то стадии становится ниже температуры стеклования образовавшегося на этой стадии полимера, то из-за замедленной диффузии реакция прекращается. [c.206]

Термин поверхностный центр в хемосорбции определяется как один или микроскопическая группа атомов на поверхности, которая в каком-либо смысле химически активна. Наряду с рассмотренными выше атомами, связанными, например, с дефектами, кристаллографическими ступеньками и т. д., это может быть, иапример, атом с оборванной связью , катион, нескомпенсированный необходимым числом аииоиов, кислотный или основной центр . Кислотные центры Льюиса обладают свободными орбиталями с высокой энергией сродства к электронам, кислотные центры Врен-стеда обладают тенденцией отдавать протон. Один вид этих центров может переходить в другой. Так, при взаимодействии с водой -f НоО = (L ОН) 4-Hs на поверхности, кислотный центр Льюиса L+ делит электронную пару с ОН , а остающийся адсорбированный протон Н+ может вступать в химические реакции, представляя собой теперь кислотный центр Вренстеда, Если группа ОН связана с катионом менее прочно, чем Н+ с решеточным ионом О , она становится основным центром Вренстеда и вещество будет проявлять основные свойства. Они связаны с электроотрицательностью металла и кислотность окислов уменьшается в следующем ряду [c.130]

Аминоацидурия. Качественный и количественный состав аминокислот мочи человека имеет прежде всего диагностическое значение, поскольку некоторые болезни человека возникают вследствие первичного нарушения обмена отдельной аминокислоты или группы аминокислот. Кроме того, для ряда органических поражений органов и тканей человека, а также аномалий обмена характерен свой аминокислотный спектр мочи. Ввиду этого, а также благодаря легкой доступности объекта исследования анализ мочи на наличие аминокислот приобретает большое клиническое значение. На экскрецию аминокислот большое влияние оказывают возраст, характер питания, пол, гормоны и другие факторы. Установлено, что у младенцев с мочой вьщеляется больше аминокислот, чем у взрослых. Обычно различают повышенную и пониженную экскрецию аминокислот. В свою очередь гипераминоацидурия делится на почечную, связанную с приобретенными или врожденными дефектами реабсорбции аминокислот в почках, и внепочечную, обусловленную увеличением концентрации всех или отдельных аминокислот в крови (см. главу 18). [c.466]

В результате реакций, проводимых в вакууме или в токе газа, наблюдается дестабилизация, т. е. образование метастабиль-ной декатионированной формы цеолита, содержащей структурные дефекты. Для второго типа явлений характерно образование стабилизированной формы (или структуры с повышенной термодинамической стабильностью) с минимальным содержанием структурных дефектов типа кислородных вакансий. Эти реакции происходят в результате взаимодействия между катионными алюмогид-роксильными группами и подвижными кислотными атомами водорода, связанными с атомами кислорода каркаса (см. выше). [c.531]

Дефекты продукции после обработки давлением подразделяют на две группы связанные с дефектами слитка и вызываемые самой обработкой. К первым относят волосовины и расслоения, в которые деформируются усадочная раковина, газовые поры и шлаковые включения слитка ликвацию по химсоставу плены, в которые деформируются заливины и приставшие к поверхности слитка брызги металла незаварившиеся в процессе деформации поверхностные и внутренние трещины слитка скворечники — раскрытые в процессе горячей деформации термические трещины, образующие полости различных размеров и очертаний. [c.27]

Отметим, что видимое разнообразие процедур активного ТК в значительной степени является субъективным, связанным скорее с терминологическими предпочтениями отдельных исследовательских групп, нежели с физикой контроля. Большинство существующих процедур могут быть классифицированы как разновидности импульсного ТК (pulsed thermal NDT), который предусматривает нагрев изделия импульсом тепловой энергии определенной длительности и регистрацию температуры на передней, задней или боковой поверхностях изделия в течение действия импульса (на стадии нагрева) или после его окончания (на стадии охлаждения). При таком определении активного ТК большинство процедур, описанных в табл. 1.1, связаны либо с физической реализацией нагрева, либо с особенностями обработки температурной информации, причем специфика процедур ТК связана с тем, как количественная или качественная информация о скрытых дефектах извлекается из базовой температурной функции Т х,у,т), описывающей изменение избыточной температуры изделия во времени для каждой точки изделия (х, у). В процедурах тепловизионного ТК эта функция определена для последовательности записанных термограмм (рис. 1.4, а) и привязана к элементам изображения (пикселям) [c.24]

Как указывалось выше, при рассмотрении зависимости числа активных цепей от плотности сшивок удобно сопоставлять реальную сетку с идеальной, в которой число активных цепей определяется. числом сшивок и функциональностью узлов. Наличие непрореагировавших функциональных групп в молекулах сетки (дефекты первого рода) и циклов, связанных с сеткой в одной точке, приводит к тому, что в реальной сетке число активных цепей меньше, чем в идеальной, при той же глубине реакции сшива1ния. С другой стороны, в реальной сетке имеется такой фактор, как захлесты, или переплетения цепей, который приводит к эффективному увеличению числа активных цепей. Наглядно это показано в работе [41], где исследовались радиационные вулканизаты полисилоксана. Поскольку с большой долей вероятности число сшивок в этом случае пропорционально дозе облучения, следовало ожидать, что и равновесный модуль будет пропорционален дозе. Экспериментальные точки действительно ложатся на прямую, начиная с некоторых значений доз облучения (рис. 10). Если [c.57]

Релаксационные процессы в кристаллической фазе. Они могут быть двух типов 1) включающие кооперативные движения молекулярных цепей по длине кристаллита и зависящие от толщины ламелей и 2) связанные с дефектами кристаллов, например, концевыми группами, а также движениями цепей. [c.166]

Нагревание до температуры выше 680°С приводит к удалению всех гидроксильных групп, кроме тех, что дают полосу при 3740 см . При этом, согласно рентгеноструктурным данным, редкоземельные ионы смещаются из мест Г в места I, которые являются наиболее выгодными в отсутствие взаимодействия с остаточными молекулами [93, 97]. К сожалению, данные в табл. 1-3 не вполне убедительны, возможно, из-за трудности контроля атмосферы в рентгеновской аппаратуре, однако о цая тенденция вполне ясна. По-видимому, комплекс РЗЭ — ОН в содалитовой ячейке теряет гидроксильную группу, которая отрывает протон от каркасного гидроксила и удаляется в виде воды, а освободившийся РЗЭ-ион переходит на место I. Такой механизм реакции более правдоподобен [1], чем предположение о том, что каркасный гидроксил соединяется с протоном гидроксила на ионе РЗЭ, в результате чего образуются кислородная вакансия в каркасе и ион кислорода, связанный с РЗЭ-ионами [141]. Последний механизм предполагает образование комплекса РЗЭ—О — РЗЭ, который должен находиться в содалитовой ячейке и предотвращать смещение катионов в места I, что противоречит рентгеноструктурным данным. Наличие льюисовской кислотности может объясняться взаимодействием с небольшим числом РЗЭ-ионов, находящихся в местах II, а не обязательно связано с кислородными дефектами каркаса. Регидроксилирова-ние цеолита РЗЭ- не происходит, если вода добавляется при комнатной температуре чтобы гидроксильные группы регенерировались, образец следует нагреть до температуры выше 200°С [141]. В процессе такой обработки молекулы воды проникают в содалитовые ячейки,, где они реагируют с РЗЭ-ионами, занимающими места I. [c.75]

Особенно трудно правильно оценить значение мест с дефицитом кислорода в каркасе. На первом этапе изучения цеолитных катализаторов к ним пытались применить представления, развитые для аморфных алюмосиликатов. При этом было вполне естественно приписать дефектам каркаса наблюдаемую льюисовскую кислотность. Особенно широкое распространение получила ничем не подтвержденная концепция о роли трехкоординированного алюминия. Однако позднее стало ясно, что льюисовская кислотность должна проявляться просто при взаимодействии с любым катионом. Поэтому теперь к представлению о трехкоординированном алюминии приходится прибегать только для описания нестабильных продуктов, получающихся при дегидратации Н-фожазита. Удаление двух ОН-групп должно привести к потере одного кислорода из каркаса и, таким образом, к удалению электростатического экрана между двумя Т-атомами. Все происходящие при этом структурные изменения не поддаются экспериментальной проверке, и их можно описать лишь чисто умозрительно. Поскольку кислород связан с алюминием в тетраэдрической координации слабее, чем с кремнием, удаляющийся из каркаса атом кислорода должен быть связан с двумя атомами алюминия или с одним атомом алюминия и одним атомом кремния. Существование кислорода между двумя атомами алюминия в высококремнеземных цеолитах маловероятно, но в цеолитах с большим содержанием алюминия вполне допустимо. Отталкивание двух Т-атомов должно привести к сильному искажению каркаса, возможно, с образованием трехкоординированных атомов, если при этом не происходит более существенных изменений. В соответствии с законами кристаллохимии при этом должна наблюдаться тенденция к перекристаллизации в фазу с повы- [c.98]

Для алюмогеля зависимость теплот смачивания образцов и содержания структурной ВОДЫ от температуры их обработки представлена на рис. 2. Как следует из этого рисунка, по мере увеличения температуры прокаливания образца, содержание структурной воды падает, а теплота смачивания соответственно растет. На кривой содержания структурной воды заметны перегибы, причем значительное количество содержащейся в образце воды (около половины) выделяется до 200°. Представляло интерес получить зависимость между теплотой смачивания поверхности алюмогеля и содержанием структурной воды в образце. На рис. 3 подобная зависимость построена по данным, приведенным на рис. 2. Сравнение полученной кривой с приведенными на рис. 1 показывает, что характер найденной зависимости совершенно иной, чем для силикагеля и алюмосиликатов. На кривой для алюмогеля (рис. 3) можно различить 5 участков. Участок 1 соответствует температурам обработки от 20 до 150°. Рост теплоты смачивания в этом случае, так же как и для силикагеля, может объясняться освобождением поверхности от адсорбированной воды или уменьшением числа гидроксильных групп, связанных между собой водородной связью. Участок 2 лежит в интервале температур 170—200°. Здесь, несмотря на значительную потерю воды, свойства поверхности образца не изменяются. Если считать, что свойства поверхности алюмогеля, как и силикагеля, определяются степенью ее гидратации, это может происходить в том случае, если О бразец содержит объемный гидрат глинозема. Тогда выделение воды из образца может происходить за счет диссоциаций объемного гидрата, в данном случае байерита АЬОз ЗНгО, наличие которого было обнаружено рентгенографически , гидратация же поверхности остается неизменной. Такой процесс, очевидно, будет происходить до полного разложения объемного гидрата . Рост теплоты смачивания на участке 3, который соответствует обработке образцов при температурах от 200 до 500°, показывает, что по мере дегидратации поверхности энергия взаимодействия ее с водой увеличивается. Значительный интерес представляет участок 4, соответствующий интервалу температур 500—700°. В этом интервале температур содержание структурной воды меняется мало, как это видно из рис. 3, а теплота смачивания (теплота гидратации поверхности) резко возрастает. По-видимому, этому участку кривой соответствует появление новых твердых фаз в результате перестройки кубической решетки уАЬОз, образование которых лишь начинается с поверхности, а затем, с повышением температуры, распространяется в объем. Промежуточные высокотемпературные модификации глинозема к, 0, б, а также корунд (а-АЬОз), рентгенографически были обнаружены только для образцов, обработанных при 800—900°, т. е. там, где эти модификации составляют уже объемное соединение и присутствуют в достаточном количестве для их рентгено-графического определения. Процесс образования новой твердой фазы путем перестройки кристаллической решетки исходной фазы, очевидно, начинается с наиболее слабых мест этой решетки, которыми могут быть различные ее дефекты. Поэтому, естественно, было предположить, что образование новой твердой фазы [c.424]

Лаусон и др. [7], исследовавшие низкотемпературную диснерсию в полипирролндоне [найлон-4], предположили, что водородные связи в амидных группах молекулы полиамидов могут участвовать в распространении релаксации вдоль главной цепи полимера. На этом основании они пришли к выводу о том, что низкотемпературная у-релаксация, связанная с движением метиленовых групп, может иметь место в линейных полимерах, если в цепи содержится последовательность, состоящая не менее чем из трех метиленовых групп. Позднее Гоффман и др. [8] предположили, что у-релаксационный максимум в полиэтилене и полихлортрифторэтилене обусловлен наличием двух независимых релаксационных механизмов, один из которых (ус) был отнесен к движению концов полимерных цепей в дефектах кристаллов, а другой (уа) к движению в аморфных областях. Это предположение можно использовать для объяснения экспериментальных данных, полученных при изучении [c.159]

В С. с. сегментальная подвижность сильно ограничена, однако происходят релаксационные процессы, связанные с вращением концевых или боковых групп, переориентацией небольших участков молекулярной цепи в области дефектов структур, напр, на поверхности микротреищн. Соответствующие релаксационные переходы можно наблюдать но появлению максимумов на температурных зависимостях физич. свойств, наир, механич. и диэлектрич. потерь. [c.251]

Сажи образуются при неполном сжигании углеводородов. Они являются микрокристаллическими материалами образующие их графито-подобные слои, отсто5Шше друг от друга на 3,6 А, собраны в пакеты" из 3-30 слоев толщиной примерно 10-100 А. Однако спои часто содержат тетраэдрически связанные атомы углерода, в результате чего образуются поперечные связи, являющиеся причиной дефектов решетки. Ненасыщенные связи на гранях плоскостей графитовых слоев высокореакционноспособны и в процессе производства реагируют с примесными атомами или группами. Например, при низкотемпературном окислении углеродные адсорбенты обычно образуют поверхности, содержащие кислотные окислы, что обусловлено наличием карбоксильных, карбонильных и фенольных групп. Обнаружены были также группы основного характера. [c.82]

Электронная проводимость обнаружена у полимеров с гетероциклами в цепи типа полиимидов, полибензоксазолов, а также у поливинилкарбазола, громоздкие боковые группы к-рого образуют цепь сопряженных связей. Для виниловых полимеров связи С—С полностью насыщены, ширина запрещенной зоны велика (напр., для политетрафторэтилена 10,07 ав). Однако и в этом случае под воздействием ионизирующей радиации, тепла, сильного электрич. поля может происходить ионизация макромолекул и образование свободных или слабо связанных электронов (полиэтилен, полистирол и др.). Электроны м. б. также инжектишваны в полимерные образцы из металлич. катода. Эти электроны застревают в дефектах структуры образующиеся объемные заряды препятствуют дальнейшей инжекции и являются причиной возникновения токов, ограниченных пространственными зарядами (т. наз. ТОПЗ). Этот вид электронной Э. п. исследован в полимерах сравнительно мало. [c.471]