Кристаллы мономолекулярные

Глубина фронта реакции зависит от плотности кристалла и у идеального кристалла может соответствовать мономолекулярному слою воды, а у дефектных —десяткам слоев. Гидратированные на поверхности кристалла ионы немедленно переходят в раствор. В процессе разрушения поверхностного слоя кристалла может происходить отрыв не только отдельных ионов, но и групп ( блоков ), насчитывающих сотни и тысячи структурных единиц. Гидратация таких блоков в растворе происходит подобно гидратации исходного кристалла. Возможно протекание реакции путем соединения по- [c.310]

Вследствие неровностей на поверхности твердых катализаторов свободная поверхностная энергия будет распределяться также неравномерно так, например, при погружении кристалла медного купороса в спиртовой раствор сероводорода наблюдается почернение в первую очередь углов и ребер кристалла за счет образования сульфида меди. Для отравления некоторых катализаторов специфическими ядами достаточно самых малых их количеств, гораздо меньших, чем требуется для покрытия всей поверхности катализатора мономолекулярным слоем яда. [c.104]

Вследствие неровностей на поверхности твердых катализаторов свободная поверхностная энергия будет распределяться также неравномерно так, например, при погружении кристалла медного купороса в спиртовой раствор сероводорода наблюдается почернение в первую очередь углов и ребер кристалла за счет образования сульфида меди. Для отравления некоторых катализаторов специфическими ядами достаточно самых малых их количеств, гораздо меньших, чем требуется для покрытия всей поверхности катализатора мономолекулярным слоем яда. Это указывает на активность не всей поверхности катализатора, а ее отдельных участков, получивших название активных центров или пиков. Адсорбция веществ на этих центрах объясняется неуравновешенностью электростатического поля. Это легко представить, если воспользоваться схемой профиля катализатора, предложенной Тейлором (рис. 38). [c.126]

В небольшой химический стаканчик с раствором жидкого стекла (15—20 мл) опустите по два кристалла солей хлорида кальция, сульфата меди, сульфата никеля. Обратите внимание на появление и рост длинных окрашенных нитей образующихся солей кремниевой метакислоты. Отметьте их цвет и напишите ионные уравнения реакций их получения. Появление длинных цветных нитей обусловлено явлением осмоса в связи с образованием мономолекулярных полупроницаемых оболочек из получающихся малорастворимых силикатов. [c.160]

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов полупроводниковых схем и р—/г-переходов (см. гл. IX) основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налета-нию молекул (атомов) из газовой фазы и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закон анизотропии кристаллов (см. гл. IV), так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано 178], что различные грани кристаллов вольфрама обладают разной активностью по отношению [c.49]

В точке перехода кубических кристаллов в гексагональные при V = =20 мл/моль для гексагональных кристаллов 0д= 35 К, а для кубических 0д = 29 К- Теплоемкость твердых гексагональных кристаллов Не также определяется формулами (XI. 28) и (XI. 29). Значения де-баевских температур при этом совпадают со значениями 0д для кубических кристаллов Не [58]. Любопытно, что дебаевская температура ОЦК кристаллов Не и ПГУ кристаллов Не очень близка к дебаевской температуре адсорбированных мономолекулярных пленок этих веществ в интервале температур от 0,25 до 4 К- [c.253]

В виде адсорбированного слоя. Даже после самого тщательного удаления жидкости на каждом кристалле, вероятно, остается тонкая (возможно, даже мономолекулярная) пленка жидкости, удерживаемая за счет адсорбционных сил. Однако если кристаллы имеют достаточно большие размеры и правильную форму (в частности, отсутствуют поры и карманы на их поверхности), то вес адсорбированного слоя весьма мал по сравнению с весом кристаллов и влияние этого фактора на чистоту продукта оказывается незначительным (разумеется, если не требуется исключительно высокая чистота продукта, порядка 99,99%). [c.65]

При выводе изотермы адсорбции Ленгмюра неявно делаются следующие допущения 1) адсорбируемый газ в газовой фазе ведет себя как идеальный 2) адсорбция ограничивается мономолекулярным слоем 3) поверхность однородна, т. е. все адсорбционные центры имеют одинаковое сродство к молекулам газа 4) молекулы адсорбата не взаимодействуют друг с другом 5) адсорбированные молекулы газа локализованы, т. е. не передвигаются по поверхности. Первое предположение справедливо при низких давлениях. Второе почти всегда перестает соответствовать реальности при увеличении давления газа. Как показано на рис. 8.6, когда давление газа приближается к давлению насыщенного пара, пар начинает неограниченно конденсироваться на всех поверхностях, если краевой угол 0 равен нулю. Третье допущение неудовлетворительно, потому что реальные поверхности неоднородны разные грани кристалла обладают разным сродством к молекулам газа, а ребра, трещины и дефекты кристалла образуют дополнительные адсорбционные центры. Неоднородность приводит к уменьшению энергии адсорбции по мере заполнения поверхности. Неправильность четвертого допущения была показана экспериментально, когда обнаружилось, что в некоторых случаях теплота адсорбции может увеличиваться с увеличением поверхностной концентрации адсорбированных молекул. Этот эффект, противоположный тому, к которому должна приводить неоднородность поверхности, обусловлен взаимным притяжением адсорбированных молекул. Пятое допущение неправильно, так как имеется ряд доказательств того, что поверхностные пленки могут быть подвижными. [c.251]

Замечательно, что бензол, не имеющий, в отличие от нитробензола, полярных групп в молекуле, образует граничные фазы на стекле только тогда, если последнее покрыто мономолекулярным адсорбированным слоем нитробензола. Можно полагать, что ориентированный на поверхности стекла монослой нитробензола вызывает своего рода эпитаксиальное действие, распространяющееся в бензоле от слоя к слою и ориентирующее несколько десятков монослоев последнего. Отсюда видно, что состояние поверхности, ее чистота могут играть решающее значение для процесса эпитаксиального наращивания. В дальнейшем нас будут в основном интересовать процессы, обусловленные автоэпитаксией, в условиях, когда затравочный кристалл является метастабильной модификацией.Процесс наращивания алмаза на алмазные затравочные кристаллы назван физико-химическим синтезом, поскольку он основывается на явлениях, изучением которых занимается физическая химия поверхностных явлений. [c.18]

Слой раствора, в котором проявляется взаимодействие поверхности кристалла со средой, называется адсорбционным. Он состоит из ближайшего к грани мономолекулярного по толщине химического адсорбционного подслоя, в котором проявляется химическое взаимодействие частиц с поверхностью, и более удаленного физического адсорбционного подслоя, включающего остальную часть поверхностного слоя раствора. В последнем подслое взаимодействие кристалла со средой проявляется более слабо и постепенно затухает по мере удаления от поверхности кристалла. Таким образом, здесь имеется полная аналогия с описанными выше ближней и дальней гидратацией отдельных ионов и молекул. При наличии эпитаксиальных соотношений между гранью кристалла-подложки и гранью кристалла-растворителя адсорбционный слой будет сравнительно более прочным, упорядоченность в растворе будет распространяться на большую глубину в объеме жидкости. [c.18]

На изотерме адсорбции аргона была получена четкая ступень в области мономолекулярного заполнения, свидетельствующая о довольно высокой однородности тонкого слоя этилена и об уменьшении однородности по мере увеличения количества пред-адсорбированного этилена (рис. 11,34). По-видимому, и в этом случае избыток этилена при сильном охлаждении переходит в объемные кристаллы [377], что увеличивает неоднородность поверхности. [c.77]

Процесс дальнейшего роста кристаллов может быть до некоторой степени аналогичен их образованию. Молекуле растворенного вещества, попадающей на наружную грань кристалла, как показано многими авторами легче присоединиться к последнему по этой грани, если на таковой уже имеется небольшой островок —двухмерный зародыш нового мономолекулярного слоя. Появление на свет подобного двухмерного зародыша связано с затруднением в образования периметра этого зародыша, обладающего избыточной свободной линейной энергией р. При этом, как и в трехмерном случае, будет существовать некоторый критический размер двухмерного зародыша зародыши меньших размеров неустойчивы и распадаются. [c.96]

Заметим, что представление о потенциальном барьере, расположенном около поверхности кристалла и преграждающем доступ к поверхности медленных газовых молекул, не является обязательным для объяснения активированной адсорбции. Теория активированной адсорбции может быть построена и без представления о потенциальном барьере. Действительно, предположим, что никакого потенциального барьера нет и что поверхность кристалла содержит на себе постоянное (не меняющееся с температурой) число адсорбционных центров, но при этом будем считать, что не все центры способны к адсорбции, а только те из них, которые находятся в возбужденном (активном) состоянии. Пусть и — энергия возбуждения (активации) адсорбционного центра. Адсорбция в этом случае, представляя собой реакцию соединения газовой молекулы с адсорбционным центром, будет требовать энергии активации и. Мы имеем здесь перенос на гетерогенный случай представлений, хорошо известных в химии гомогенных реакций. Эта картина в полной мере совпадает с нашей, в которой адсорбция происходит без активации, но зато число адсорбционных центров не остается постоянным, а возрастает с температурой (тепловой беспорядок). Действительно, в случае, когда возникновение и исчезновение адсорбционных центров описываются мономолекулярным законом [c.380]

То, что рост таких мономолекулярных кристаллов происходит в направлении, перпендикулярном направлению ориентации, как видно из рис. П1.54, е, в силу анизотропии макромолекул следует считать очевидным фактом. Кроме того, становится понятным и возрастание ориентации в результате кристаллизации. [c.217]

Джермер применил этот метод для исследования адсорбиро-ванньЬс газов и нашел два типа адсорбции. Один из них соответствовал мономолекулярному слою, расположенному на поверхности никеля и обладающему кристаллической структурой, подобной параллельному слою атомов никеля, но с расстоянием между атомами газа вдвое большим, чем между атомами никеля. При 150 С газ, покрывающий кристалл мономолекулярным слоем, не давал дифракционной картины. Это значит, что при 150° С мы находимся выше точки плавления двумерного газового кристалла. Другой тип газовой адсорбции сопровождался заметным ослабление.м дифракционной картины самого никеля. Это ослабление было объяснено тем, что поверхность кристалла покрывалась многочисленными слоями атомов газа. Это соответствует естественному обычному состоянию кристалла в вакууме. Нагревание кристалла до 900° С сопровождалось полным удалением всего газа с поверхности. Новое образование полимолекулярного адсорбционного слоя происходило в yMepemiOM вакууме через несколько часов, а в хорошем вакууме постепенно через много дней. [c.75]

Коллоидная стабильность смазок лишь отчасти связана с синерезисом, поэтому эти свойства нельзя отождествлять. Чем выше загуш аюш ая способность загустителя и чем больше его в смазке, тем лучше связана в ней жидкая фаза. Высокой коллоидной стабильностью при хранении отличаются углеводородные смазки — гомогенные сплавы минеральных масел с твердыми углеводородами (церезином и парафином), распределенными в смазках в виде тонких, мономолекулярных слоев — кристаллов (см. рис. 12. 1, ж). мазки, загуш енные мылами, менее стабильны, так как структурный каркас не так плотен, а кристаллическая решетка мыл значительно менее масло- мка, чем кристаллическая решетка углеводородов механически задерживаемого масла в каркасе мыл относительно больше, а удерживается оно хуже. Кроме того, мыльные смазки больше подвержены процессам старения, следствием которых являются структурные изменения и связанное с ними выделение масла. [c.662]

Чистая уксусная кислота представляет собой бесцветную прозрачную жидкость с резким запахом, разъедающую кожу. В безводном состоянии она. затвердевает уже при + 16° в кристаллы, похожие на лед, и поэтому называется также ледяной уксусной кислотой (т. кип, 118°). Даже при температуре выше температуры ее кипения плотность паров значительно выше плотности, отвечающей мономолекулярной форме. При этой температуре кислота все еще ассоциирована и распадается на отдельные молекулы лишь при значительно более высокой темпераауре. [c.250]

Глиоксаль СНО—СНО. Этот простейший диальдегид может быть получен из гликоля, этилового спирта или ацетальдегида окислением азотной кислотой, а также путем окисления ацетилена или омыления тетрахлорэтана 65%-ной серной кислотой (Воль). При этом он всегда получается в виде полимерной модификации, распадающейся при перегонке над Р2О5 с образованием мономолекулярной формы — еленого газа с резким запахом. При охлаждении этот газ образует желтые кристаллы, очень быстро вновь превращающиеся в полимерную модификацию. Стремление к полимеризации свонственно всем ди-альдегидам алифатического ряда. [c.317]

Кабрера (1949 г.) и другие предложили подразделять идеализированные поверхности на три типа сингулярные вициналь-ные и диффузионные, или несингулярные [4]. Сингулярные поверхности раздела фаз отличаются от диффузионных количеством атомных (молекулярных) слоев, параллельных поверхности кристалла, в которые осуществляется переход от кристалла к пару. Если поверхность сингулярна, переход осуществляется в одном (незначительно утолщенном — рис. 183, а) слое, если несингулярна — в нескольких слоях. Вицинальные поверхности (рис. 183, б) имеют ступенчатую структуру, в которой довольно широкие участки плоскости с малыми индексами отдалены друг от друга моноатомными (мономолекулярными) подъемами, ступеньками. [c.444]

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов, полупроводниковых схем п р— -переходов основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налетанию молекул (атомов) из газовой фазьг и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закош анизотропии кристалов, так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом,, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано, что различные грани кристаллов вольфрама обладают неодинаковой активностью по отношению к кислороду и разной способностью эмитировать электроны при нагревании между этими свойствами наблюдается коррелятивная зависи.мость. Медь быстрее всего окисляется в направлениях, перпендикулярных граням кубических кристаллов. Обнаружено,, что внутреннее строение пленки СигО определенным образом ориентировано по отношению к поверхности кристаллов меди, что называется явлением эпитаксии. [c.61]

Известны два механизма набухания кристаллический и ос- мотический. Кристаллическое набухание (которое называют/го-верхностной гидратацией) происходит в результате адсорбции мономолекулярных слоев воды на базальных поверхностях кристаллов как наружных, так и межслоевых в случае глин с разбухающей решеткой (см. рис. 4.6). Как видно на рис. 4.11, пер-j вый слой воды удерживается на поверхности водородными связями с шестигранной решеткой атомов кислорода. Следовательно, молекулы воды также образуют шестигранную структуру, как показано на рис. 4.12. Следующий слой имеет аналогичное строение и связан с первым. То же относится и к последующим слоям. Прочность связи уменьшается с увеличением расстояния от поверхности кристалла, однако считают, что вода, входящая в структуру кристалла (структурированная вода), j внедряется на расстояния до 10 нм от наружной поверхности. [c.149]

Механизм образования граничной пленки заключается в следующем полярные молекулы смазочной ореды сталкиваются при своем беспорядочном движении с поверхностью трения, попадают в ее электрическое силовое поле и, присоединяясь к ее активным центрам, образуют на поверхности адсорбированный ориентированный мономолекулярный слой (ворс). Этот слой служит как бы зародышем для образования квазикристаллической структуры в граничащей со сма-, занной поверхностью зоне. После этого, в случае достаточной концентрации поверхностно-активных веществ в масле, происходит образование дальнейших рядов молекул, присоединяющихся к свободным концам молекул первичного слоя, В результате создается мультимолекулярный слой, образующий длинный ворс, В ближайшей к твердой поверхности зоне молекулы фиксированы так же, как и в твердых кристаллах, и поэтому граничная пленка близка к твердокристаллической. [c.9]

Ископаемые соли обычно подвергают флотационному обогащению с различными коллекторами. Например, сильвинит отделяют от остальных солей с помощью первичных аминов, пользуясь тем, что аминовая группировка катиона R-NHJ, образующаяся в результате диссоциации амина или его соли, может изоморфно замещать катион калия в кристаллической решетке. В результате поверхность кристаллов сильвинита покрывается жирной мономолекулярной пленкой из радикалов R-, становится гидрофобной и уносится в пену пузырьками воздуха. При обогащении магниевых солей, например, карналлита, пользуются тем, что ионы Mg образуют с карбоновыми кислотами R- OOH нерастворимые соли ( мыла ). В результате этого карбоновые анионы присоединяются к поверхности карналлитовых минералов и делают ее гидрофобной. [c.54]

Связанная вода удерживается на поверхности минеральных частиц с разной степенью прочности. Вокруг зерен могут образоваться пленки связанной воды толщиной в один или несколько мономолекулярных слоев. Наиболее прочно с кристаллической решеткой минералов связаны два ближайших слоя — химически связанная вода и физически прочно связанная вода. Эти прикон-тактные слои сильно прижаты к поверхности минеральных частиц. К связанной воде в значительной мере относится вода, находящаяся в межслоевом (межпакетном) пространстве глинистых минералов. Особенно это относится к смектитовым разбухающим глинистым минералам типа монтмориллонита. По-видимому, на поверхности решеток глинистых минералов молекулы воды занимают фиксированное положение и образуют относительно упорядоченную структуру типа жидкого кристалла. [c.203]

Существует несколько теорий, из которых наиболее распространена теория мономолекулярной адсорбции Ленгмюра. Ленгмюр исходил из того, что, во-первых, адсорбция вызывается валентными силами или силами отстаточной химической валентности, во-вторых, адсорбция молекул адсорбтива происходит на активных центрах, всегда существующих на поверхности адсорбента. Такими центрами могут являться возвышения, углы или неровности на поверхности адсорбента (ребра и углы кристаллов, например). Ленгмюр считал, что вследствие малого радиуса действия адсорбционных сил, имеющих природу, близкую к химической, на поверхности адсорбента может образоваться только мономолекулярный слой ад-сгрбтива. [c.77]

Андерсон и Досон [11, 12] изучали образование зародышей и возникновение дислокаций, наблюдая в электронном микроскопе кристаллы п. пропилового эфира п. пентаконтановой кислоты на очень ранней стадии развития. Авторы показали, что рост начинается из двумерных зародышей, представляющих собой мономолекулярные слои. Дислокации возникали на краях таких островков в виде нарушений правильной упаковки молекул и можно было проследить последовательные стадии развития кристалла начиная от зарождения дислокаций до образования монокристалла со ступеньками спирального роста. И здесь высота ступенек (75+12 А), определенная на микрофотографиях по длине тени, соответствовала длине одной молекулы (70 А). Авторы пришли к заключению, что у соединений с длинной цепочкой дислокации возникают не только за счет примесей, по и за счет внутренних деформаций решетки. На ранней стадии развития зародыша, еще до появления дислокаций, часто происходит двойникование. [c.170]

Досон и Уотсон [13, 14] изучали влияние ассоциации молекул н. пентаконтанола (С5дН1(,10Н) в растворе на высоту ступенек, образующихся нри его кристаллизации из ряда полярных и неполярных растворителей. Кристаллы, полученные из растворов в полярных растворителях (амилацетате, диоксане), в которых вещество не ассоциировано, имели, как правило, мономолекулярные ступеньки роста. При кристаллизации же из растворов в неполярных растворителях (петролейном эфире, ксилоле и т. п.), содержавших ассоциированные молекулы, наблюдались преимущественно бимолекулярные ступеньки роста. Ранее подобные результаты отмечались нри кристаллиза- [c.170]

Возвращаясь к вопросу о зародышеобразовании, следует сказать, что теория вовсе не запрещает кристаллизацию с образованием кристаллов с выпрямленными цепями (КВЦ). Если какой-нибудь зародыш, образованный распрямленными цепями (мультимолекулярный зародыш) [43], достигнет устойчивого размера, то в принципе на нем возможен рост КВЦ даже при тех условиях кристаллизации, при которых наиболее вероятно образование мономолекулярных складчатых зародышей, на которых растут КСЦ (см. ниже). [c.35]

Лз уравнений [3, 2] и [12, 2] определяются неизвестные N и Л в- В рассмат-эиваемом здесь случае бимолекулярной реакции [11], так же как и в слу-1ае мономолекулярной реакции [9], адсорбционные центры А рождаются 13 дефектов С. При нагревании число дефектов А растет за счет исчезнове-1ИЯ дефектов С. Таким образом, реакции [9] или [И] являются источни-сами теплового беспорядка на поверхности кристалла, [c.369]

Учет этих особенностей в поведении дефектов приводит в тому, что равновесная концентрация адсорбционных центров оказывается зависящей от температуры, а при данной температуре меняется по мере заполнений поверхности адсорбированными молёкула.ми. В работе рассматривается случай, когда число центров возрастает с температурой, т.е. когда беспорядок на поверхности кристалла увелииивается с нагреванием за счет наложения теплового беспорядка на первоначальный биографический беспорядок. При этом мы ограничиваемся рассмотрением двух наиболее простых механизмов возникновения теплового беспорядка, а именно случаем,, когда тепловой беспорядок обусловливается мономолекулярной реакцией [c.382]

В литературе сообщается [132] интересный пример такого промотирования для никелевых и кобальтовых катализаторов на носителях. Эти металлы неременной валентности осаждают в таких количествах, чтобы на носителе образовался слой менее 0,8 статистического мономолекулярного слоя. Таким образом сводится до минимума возможность образования кристаллической решетки на новерхности катализатора и резко повыгнается стойкость катализатора к измельчению, вызываемому внедрением атомов углерода в решетку кристалла. Описана также [133] стабилизация никелевых катализаторов на носителях добавками меди. [c.393]

Осадок, возможно, состоит из соли кальция с фосфонатом [21], хотя это еще не подтверждено. Если принять, что одна молекула фосфоната будет покрывать примерно 0,1 нм2 поверхности затравки, то при концентрации этого вещества 10 М будет занято около 0,6 м л поверхности в условиях описанных здесь опытов. Так как поверхность затравки гидроксифосфата кальция составляла около 6 м /л (30 м г), то для полного ингибирования роста кристаллов необходимо покрыть около 10% поверхности затравки. Это довольно малая величина, так как для фосфоната эффективное покрытие поверхности может составлять 0,3 нм /молекула. Удельная поверхность твердых фаз была измерена путем адсорбции азота эффективная поверхность для твердо-жидкостного взаимодействия могла отличаться от этой величины по крайней мере в 2 раза. Таким образом, получается, что для полного ингибирования осаждения фосфата кальция должно быть покрыто минимум около 10% и максимум около 50% поверхности затравки. Учитывая, что фосфонат может занимать около половины поверхности, следует сделать вывод, что при концентрации (1+3) 10 М фосфоната, при которой наблюдается эффект полного ингибирования, будет достигнуто мономолекулярное покрытие поверхности. Результаты данной работы показывают, что скорость осаждения значительно снижается, когда фосфонат покрывает от 1 до 10% поверхности (см. рис. 2.4). Важно, что количество ионов магния и цитрата, адсорбированное на поверхности при полном ингибировании, оказывается примерно таким же, как для фосфоната. При снижении концентрации этих ионов менее чем до 0,1 этих уровней влияние их на скорость осаждения фосфата кальция также уменьшается. Данные результаты согласуются с изотермой адсорбции Ленгмюра, и можно предположить, что число активных центров роста на затравочном материале из гидроксифосфата кальция относительно мало. Подобные предположения были сделаны также для процесса роста затравочных кристаллов других умеренно растворимых солей [22]. Изотерма ограничена областями самопроизвольного осаждения цитрата кальция, фосфата магния или фосфоната кальция. [c.25]

Применяя оптический метод Фрэзера и Герцфельда, Зильберман 22] исследовал адсорбцию метилового спирта на пластинках каменной соли, полученных путем раскалывания кристаллов. Его кривые для давлений от 2 см и выше похожи на II тип изотерм. Он также нашел, что при давлет1ях между 10 и 10- мм образуется мономолекулярный слой адсорбированного метилового спирта на каменной соли. Это, без сомнения, был хемосорбированный слой. [c.443]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология