Система концентрация дефектов, влияние

Таким образом, из различных факторов упорядочения сплавов системы Мд — d более или менее подробно изучалось влияние состава сплава на кинетику процесса. Полностью отсутствуют даже качественные данные по влиянию концентрации дефектов (закалочных, деформационных) на ход процесса упорядочения. [c.41]

Часто оказывается, что на скорость. процесса между твердыми веществами, по крайней мере в небольшой степени, оказывает влияние газ, присутствующий в системе. Это, очевидно, обусловлено какими-то процессами на поверхностях реагентов, природа которых в большинстве случаев не выяснена. Скорость процесса может в значительной мере зависеть от того, протекает ли реакция в окислительной или в восстановительной атмосфере, под действием которой может изменяться концентрация дефектов решетки, например в нестехиометрических окислах. [c.406]

Когда концентрация дефектов в кристалле невелика, отдельные дефекты удалены друг от друга и нх взаимным влиянием можно пренебречь. При больших концентрациях дефектов расстояния между соседними дефектами невелики и можно ожидать частичного перекрытия областей локального искажения энергетического поля кристалла, связанных с образованием точечных дефектов. Перекрытие этих областей приводит к возникновению сил взаимодействия между дефектами (притяжение или отталкивание). Любое взаимодействие, если оно осуществляется в системе частиц (например, в кристалле), стремится привести систему в некоторое упорядоченное состояние, при котором позиции атомов и дефектов будут обусловлены требованием минимума энергии. [c.153]

Исследуемая система является хорошим объектом для изучения химической связи, роли и природы дефектов, влияния ближнего и дальнего порядков и других характеристик связи атомов в кристалле благодаря наличию мессбауэровских атомов в катионной и анионной подрешетках матрицы и значительной концентрации структурных дефектов. [c.106]

Несколько экспериментов дало прямые доказательства, что скрытое изображение представляет собой металлическое серебро в галогенидных зернах, но во много раз меньших концентрациях, чем в отпечатанном виде. С помощью методики, способной регистрировать изменения оптической плотности порядка 10 , можно обнаружить оптическое поглощение за счет появления серебра в областях скрытого изображения даже на пороге предельно малых экспозиций. Существует также заметное сходство влияния окружающих факторов (например, электрических полей или кристаллических дефектов см. ниже) на локализацию отпечатавшихся серебряных частиц и центров проявления. Поэтому наше обсуждение первичных фотохимических процессов будет касаться преимущественно образования серебра в результате экспонирования и последующего проявления. При этом предполагается, что процессы образования скрытого изображения фотохимически идентичны упомянутым процессам, но дают во много раз меньшее количество металлического серебра. Однако есть и различия. Важным свойством процесса образования скрытого изображения является падение чувствительности эмульсии при очень низких интенсивностях света (нарушение закона обратной пропорциональности чувствительности и экспозиции), которое свидетельствует о существовании многоквантового процесса. Доказано, что обычно одиночный атом серебра в галогенидной решетке нестабилен, его время жизни составляет лишь несколько секунд. Для получения стабильной системы требуются по крайней мере два атома, если только нет заранее введенного стабилизирующего центра. [c.246]

Эта формула совместима с формулой (3.12.1) только при предельно большой концентрации частиц. Следовательно, можно полагать, что в грубодисперсных системах ПКС реализуется только при п = п . То, что в действительности ПКС возникают и при несколько меньших концентрациях частиц, означает, что структура на самом деле не является строго периодической. Наиболее вероятная причина отклонения от периодичности состоит в том, что ряд узлов кристаллоподобной решетки частицами не занят. Подобные нарушения структуры ПКС, как и обычных кристаллов, принято называть вакансиями (вакантными узлами решетки). Вакансии и другие дефекты решетки кристаллов оказывают, как известно, решающее влияние на свойства реальных твердых тел. Их роль в коллоидных структурах не менее ответственна. [c.689]

Адсорбция примесей вызывает нарушения в построении кристаллической решетки, которая содержит точечные (вакансии и примеси), линейные (краевые и винтовые дислокации) и плоскостные дефекты. Высокая концентрация вакансий обуславливает резкое повышение скорости диффузионных процессов, количество дефектов в кристаллической решетке увеличивается. Дефекты кристаллической решетки оказывают существенное влияние на физические свойства образующихся осадков. В некоторых случаях на электроде возникает жидкоподобная структура — металлические стекла. Не имея границ зерен, они являются однородными метастабильными системами и часто обладают более высокой коррозионной стойкостью по сравнению с кристаллическими осадками такого же химического состава. [c.267]

После отверждения жидкого адгезива в нем обычно развиваются внутренние напряжения, концентрирующиеся вокруг различных полостей, включений и дефектов в слое твердого адгезива или на границе раздела адгезива с соединяемой поверхностью. Если в системе не возникает концентрации напряжений и изменения плотности адгезива, обычно наблюдающегося при его отверждении, обратимая работа адгезии должна быть еще более близка по своему значению к величине, рассчитанной ранее для жидкого адгезива. Этот результат совершенно естественен, поскольку принимается, что основной причиной адгезии является силовое поле молекул твердой поверхности, которое притягивает молекулы адгезива, находящиеся в непосредственной близости от этой поверхности. Действие этого весьма локализованного силового поля, которое уже неоднократно рассматривалось ранее, распространяется как в адгезив, так и в твердое тело практически на глубину всего одной молекулы. Это действие, естественно, не зависит от изменений, происходящих в объемных фазах, если только процессы, происходящие в объемной фазе, не приводят к изменению плотности или молекулярной ориентации на межфазной границе раздела. Эффекты, связанные с изменением плотности в результате отверждения адгезива, могут быть достаточно хорошо оценены. Однако оценить влияние переориентации значительно труднее, так как в ее основе может лежать некоторый кристаллизационный процесс, начинающийся в центрах кристаллизации, удаленных от границы раздела адгезив —твердая поверхность. [c.303]

Равновесие между поверхностью и объемом кристалла. Адсорбция и ее влияние на люминесценцию. Расчет концентрации электронов, дырок и заряженных точечных дефектов внутри однородного по свойствам кристалла производится без привлечения величины энергии Ферми и даже, наоборот, последняя обычно находится из уравнения (IV. 21) по известному значению п. Однако представление об уровне Ферми весьма полезно для анализа равновесия между различными по свойствам участками системы, в частности между объемом и поверхностью кристалла. [c.137]

В работах [18, 102, 134, 155] показано, что рассмотренное влияние концентрации пленкообразователей на процесс электроосаждения, структуру и свойства образующихся покрытий связано с различием в надмолекулярной структуре растворов пленкообразователей. На рис. 34 и 35 представлено изменение вязкости и электропроводности растворов резидрола и акрилового пленкообразователя, а на рис. 36 и 37 — кривые кондуктометрического их титрования триэтиламином при различной концентрации. Из этих результатов следует, что при повыщенном значении концентрации, при котором на покрытии начинают наблюдаться дефекты типа наплывов и шагрени, а также снижение электросопротивления анода и защитных свойств покрытий, в исследуемых системах начинаются процессы структурообразования. В результате увеличивается масса каждой структурной единицы раствора, принимающей участие [c.67]

Другим очень важным следствием предлагаемого общего подхода к механизму радиолиза является новый путь анализа механизма накопления первичных продуктов радиолиза как в полярных, так и в неполярных средах. Действительно, хотя на начальных стадиях радиолиза соединений типа КН и АгН преобладает гомолитический механизм, по мере накопления в системе свободных радикалов, сродство которых к электрону достаточно велико, они смогут существенно изменить ход радиолиза. В случае КН, когда исходные молекулы обладают лишь ничтожным сродством к заряду, влияние радикалов может сказываться при достаточно малых (К). Наоборот, в случае ароматических молекул, нарушение первичного механизма может проявиться лишь при значительно больших концентрациях радикалов. Этот вывод находится в хорошем соответствии с результатами работы Трофимова, Чхеидзе и Бубена [91], которые нашли, что хотя начальный радиационный выход свободных радикалов (Од ) при радиолизе АгН в 20—40 раз меньше, чем при радиолизе КН, линейный характер кривой накопления радикалов в АгН сохраняется до концентраций 3—5-10 см , тогда как в случае КХ максимальные значения при самых больших дозах не превышают 1 —1,5-102° см . Нужно отметить, что вывод о возможности локализации зарядов на свободных радикалах был сформулирован в работе [92] и доказан в специальном исследовании по термо- и фотолюминесценции облученных углеводородов [93]. Есть все основания полагать, что рассмотрение всех этих данных с единой точки зрения позволит подойти к анализу механизма накопления радиационных дефектов в ходе облучения, основываясь на представлении о вероятности локализации свободного заряда в решетке исследуемого вещества. [c.333]

Дефекты по Френкелю состоят в наличии вакансий и междоузель-ных ионов в эквивалентных соотношениях. Механизм образования дефекта по Френкелю заключается в том, что ионы, испытывающие время от времени большие смещения под влиянием тепловых флуктуаций, покидают свои нормальные положения в узлах и переходят в междоузлие, результатом чего является возникновение вакансии ( дырки ) в решетке (рис. 49, а). Междоузельный ион движется в кристалле, переходя из одного междоузельного положения в другое ва- -кансии также подвижны. При встрече междоузельные ионы и вакансии рекомбинируют друг с другом. Между процессом образования вакансий и процессом рекомбинации устанавливается динамическое равновесие. Равновесная концентрация вакансий и междоузельных ионов в кристалле зависит от температуры (по условию электронейтральности системы концентрации вакансий и междоузельных ионов при любой температуре одинаковы). Как правило, дефекты по Френкелю об- [c.333]

И. Я. Мелик-Гайказян и Е. К. Завадовской [6] была установлена связь между дефектностью и полушириной / -полосы различных твердых растворов. Из таблицы следует, что с увеличением дефектности растет и отклонение полуширины f-полосы от аддитивных значений Это ука- ывает на то, что измеренная дефектность кристаллов твердых растворов обусловлена повышенной концентрацией дефектов Шоттки, так как наличие трещин и пор в кристалле не может повлиять на полуширину / -полосы. Кроме того, если предположение о влиянии дефектов на полуширину / -полосы правильно, должно наблюдаться совпадение максимума с максимумом Ху на кривых состав — свойство . Рис. 1 иллюстрирует указанное совпадение для кристаллов КС1 — КВг. Из всех кристаллов системы КС1 — КВг, выращенных из расплава, наибольшей дефектностью и максимальной полушириной обладает кристалл состава [c.186]

Иногда считают, что у бертоллиды, можно рассматривать как логическое расширение класса твердых веществ, чьи оптические, электрические и кинетические свойства можно интерпретировать на основании механи ма, впервые предложенного Шоттки [279] и Френкелем [115] для чрезвычайно низких концентраций дефектов. В системах окислов и халькогенидов концентрация дефектов достаточно высока и оказывает влияние на формулу соединения и объем элементарной ячейки. В связи с тем, что в окислах и халькогенидах структура сама влияет на изменения состава или зависит от них, предложенный Шоттки и Френкелем механизм потребовал дальнейшего уточнения. [c.108]

Расчет дефектов по Шоттки можно выполнить с помощью известных термодинамических функций состояния. При возникновении дефектов в рещетке повышается как внутренняя энергия U, так и энтропия системы S. Равновесная концентрация дефектов получается тогда из условия минимума свободной энергии, из уравнения AF—AU—TAS (7.15). Следовательно, расчет концентрации дефектов сводится к определению величин AU и AS. Предположив, что никакого изменения объема не происходит и концентрация дефектов настолько мала, что исключается взаимное влияние атомных дефектов структуры, можно вычислить концентрацию дефектов по Шоттки для моноатомного кристалла, т. е. для кристалла, состоящего из атомов одного сорта. [c.218]

Когда речь идет о высокотемпературных превращениях, наблюдающихся для ряда тугоплавких окислов С А-, С -> В-переходы редкоземельных окислов, превращения в системе кремнезехма, двуокиси титана и др.), такие факторы, как дефекты структуры, примеси, т. е. незначительные нарушения химического состава, могут играть существенную роль в соотношении устойчивости рассматриваемых фаз. Оценка роли этих факторов осложнена не только трудностями теоретического порядка, но и необходимостью экспериментального получения данных об их влиянии на процесс превращения. Поэтому большой интерес представ.тяет собой попытка качественного рассмотрения зависимости термодинамической устойчивости конкурирующих фаз от малых нарушений их состава [1], а также работа по термодинамической оценке влияния концентрации дефектов на смещение температуры фазового равновесия [21, включая и случай их малой концентрации. [c.54]

Совокупность упрощенных решений обобщенной системы уравнений будет содержать и все решения, найденные в предыдущем разделе для чистого кристалла. Прежде всего, это очевидно для исчезающе малых концентраций примеси. Так, если концентрация примеси мала по сравнению с одной из констант собственного разупорядочения ионных кристаллов Кз, Кр или Кар (обладающих соответственно дефектами Шоттки, Френкеля или антифренкелевскими дефектами), влияние примеси несущественно и концентрации доминирующих дефектов во всем интервале давлений неметалла определяются решениями I—III, полученными в предыдущем разделе. Аналогично, в случае полупроводника реализуются решения I—III, приведенные в разделе 4.4, если концентрация примеси мала по сравнению с константой собственной ионизации К1. [c.160]

Первые публикации по ускорению топохимических процессов в результате предварительного воздействия ионизирующего излучения появились в 1955—1956 гг. [122,123]. За последующие годы было опубликовано большое число работ, выполненных под руководством В. В. Болдырева, Б. В. Ерофеева, Г. М. Жабровой и С. 3. Рогинского. В них исследовалось влияние структуры и состава системы, характера и концентрации дефектов различного типа на скорость топохимического разложения разнообразных облученных солей [124, 125]. В. В. Болдыревым было показано, что основной причиной ускорения топохимических процессов является возникновение дополнительных дефектов структуры по всему объему вещества за счет выбитых излучением электронов [124[. [c.356]

Вопрос о влиянии второй конденсированной фазы на выбор условий эксперимента можно пояснить следующим образом [311. Предположим, что мы вычисляем концентрации дефектов в системе МХ + Р как функции и рр, не накладывая сначала никаких ограничений на эти величины. Результаты изображаем графически. Проследим, как сказывается на полученной схеме обра- [c.455]

Автор настоятельно рекомендует пользоваться трехэлектродной системой в текущем полярографическом анализе. Без потенциостатического и гальваностатического контроля соответствие эксперимента теории получить нелегко. Кроме того, установлено, что многие приборные и другие дефекты наряду с теми, которые обусловлены хорошо известным омическим падением напряжения, также сводятся к минимуму или даже полностью устраняются трехэлектродной системой. Исследование постояннотоковых максимумов, выполненное Хаукриджем и Бауэром [88, 89], является прекрасным примером такого рода возможностей, как это видно на рис. 2.21. С двухэлектродной системой максимум на волне восстановления меди в некоторых средах наблюдается в очень широком интервале потенциалов. Если попытаться определить другой элемент, восстанавливающийся при более отрицательных потенциалах, чем медь, в присутствии высоких концентраций меди двухэлектродным полярографом, то возникнет ряд трудностей, так что определение вообще может стать невозможным. Однако при определении на трехэлектродном потенциостатическом приборе максимум меди ограничен небольшим интервалом потенциалов, и определение более катодно восстанавливающихся ионов теперь не составляет труда. Опыт автора показывает, что значительное число помех в полярографии, особенно в современных полярографических методах, являются не чем иным, как приборными дефектами, обусловленными влиянием омического падения напряжения в двухэлектродной полярографии. В последующих главах будет подразумеваться использование трехэлектродной системы. [c.288]

Термодиффузионный износ. Основная причина такого износа режушего инструмента — перемещение атомов в кристаллических решетках металлов под влиянием тепловых колебаний, направленное на достижение термодинамического равновесия в системе деталь — инструмент — окружающая среда. Взаимная диффузия атомов детали и инструмента обусловлена процессом выравнивания температур и концентраций в этих элементах системы в результате стремления системы к минимальному значению свободной энергии н максимуму энтропии. Диффузии способствуют дефекты кристаллической структуры, возникающие по разным причинам. [c.26]

Заметим, что в случае высоких концентраций я,- система уравнений (VI.1,2,3) решается методом итераций (последовательных приближений). Конечно, приведенная теория — упрощенная, не учитывает взаимодействия дефектов между собой н влияния поверхностных электрических уровней и ряда других факторов. HoaTOiMy эксперимент хорошо согласуется с простой теорией лишь в области не слишком высоких концентраций л,. [c.107]

Как уже указывалось, заряд примесного атома одного типа часто можно изменить, изменяя условия приготовления образцов. (Например, в системе КС1 f Са высокие давления хлора p ij способствуют образованию центров Сак, а низкие значения p ia — центров Сак-) Следовательно, можно ожидать, что общее влияние примесных доноров и акцепторов на концентрации собственных дефектов также будет зависеть от условий приготовления образцов. При этом возникают следующие частные случаи [c.516]

До сих пор при изучении диффузии нами учитывалось только влияние взаимодействия дефектов внутри кристалла. В реальных системах заметную роль могут играть и поверхностные эффекты. Два таких эффекта были рассмотрены Смитсом с сотр. [71]. Первый эффект обусловлен ограничениями поверхностной концентрации, которые возникают из-за малой скорости переноса между кристаллом и соседней фазой. Этот эффект необходимо учитывать при диффузии вещества из кристалла в газовую фазу или наоборот. Авторы работы [71] приводят формулы, с помощью которых можно определить как коффи-циент диффузии, так и скорость переноса вещества на поверхность. Эта теория была применена для объяснения диффузии калия из газовой фазы в КС1 [34а]. Второй эффект, возникающий у кристаллов, находящихся в контакте с газовой фазой (или вакуумом), связан с испарением самого кристалла. Этот эффект обусловливает стационарную диффузию с такой глубиной проникновения в кристалл, при которой скорость внедрения примесного атома равна скорости испарения поверхностных слоев. [c.586]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология