Кристаллы скорость

Первой стадией кристаллизации является выделение из пересыщенного раствора зародышей кристаллов — мельчайших частиц кристаллизующегося вещества. Затем кристаллы растут, причем наиболее легко осуществляется рост на острых углах зародышей кристаллизации. Если количество зародышей кристаллов невелико, то в процессе кристаллизации образуются крупные кристаллы. Скорость выделения твердой фазы из раствора зависит от вязкости среды, средней длины диффузионного пути, среднего радиуса молекул твердых углеводородов и разности между концентрацией раствора и растворимостью выделившейся при температуре твердой фазы. [c.152]

Кинетика взаимодействия в системе Ж — Т рассматривается на примере процессов растворения и выщелачивания. Обычно процессы растворения идут в диффузионной или переходной области. При физическом обратимом растворении разрушается кристаллическая решетка и частицы твердого вещества переходят в раствор. Скорость физического растворения для данной пары реагентов (Ж — Т) определяется в основном законами диффузии и поверхностью соприкосновения фаз, т. е. поверхностью кристаллов. Скорость растворения и уменьшается при повышении концентрации растворенного вещества С в жидкой фазе по логарифмическому закону в соответствии с кинетическим уравнением физического растворения, характерным для режима неполного смешения [c.199]

Другой фактор, определяющий скорость роста кристалла,— скорость диффузии частиц вещества из жидкой фазы к поверхности растущей грани кристалла. Следовательно, протекают дна одновременно противоположно направленных процесса — отвод теплоты и доставка к зародышам новых порций частиц. [c.245]

Известны непрерывно действующие кристаллизаторы циркуляционного типа двух видов — с циркулирующим раствором и с циркулирующей суспензией. В первых аппаратах в одной части аппарата (холодильнике) раствор пересыщается, а в другой происходит собственно кристаллизация. С помощью насоса суспензия непрерывно циркулирует в замкнутом контуре холодильник — кристаллизатор при этом в кристаллизаторе создается восходящий поток, который поддерживает кристаллы во взвешенном состоянии. Раствор с наибольшим пересыщением соприкасается вначале с кристаллами, находящимися в нижней части взвешенного слоя, поэтому именно в этой части аппарата происходит наибольший рост кристаллов. Таким образом осуществляется распределение кристаллов по величине на разной высоте аппарата. Раствор, выходящий с верха аппарата, практически свободен от кристаллов и поступает в холодильник. Крупные кристаллы, скорость осаждения которых больше скорости циркуляции смеси, оседают на дно и непрерывно выводятся из аппарата. Величину кристаллов регулируют, изменяя скорость циркуляции смеси и скорость отвода тепла в холодильнике. Эти кристаллизаторы пригодны для веществ, кристаллы которых оседают в растворе со скоростью более 20 мм/сек (при меньших скоростях оседания трудно избежать циркуляции кристаллов с маточным раствором). В аппаратах второго типа используется принцип совместной циркуляции. В этом случае растущие кристаллы попадают в зону, где создается пересыщение. [c.174]

В самом деле, когда мы рассматриваем какое-нибудь свойство газа или жидкости, у нас обычно не возникает необходимости определить, в каком направлении было или должно быть измерено это свойство. Теплопроводность или показатель преломления воды одинаковы во всех направлениях. Но в кристаллах многие свойства оказываются различными при измерении их в разных направлениях. К таким свойствам относятся, в частности, показатель преломления, теплопроводность, электропроводность, механическая прочность, скорость роста кристаллов, скорость растворения их и др. Известно, что слюда, например, легко разделяется на пластинки по плоскостям, параллельным ее основной поверхности, но разделение ее на части в направлениях, перпендикулярных или наклонных к этой поверхности, требует затраты значительно больших усилий. [c.123]

Во многих кристаллах скорость света и, следовательно, показатель преломления, одинаковы во всех направлениях. Такие кристаллы называют изотропными . Другие кристаллы (например, исландский шпат СаСО () анизотропны — скорость света в разных направлениях неодинакова. Эти кристаллы обладают свойством двойного лучепреломления если мы смотрим через такой кристалл на предмет, то видим его двойное изображение. Кроме того, анизотропные кристаллы вызывают появление интерференционной картины в плоскополяризованном свете. Жидкие кристаллы анизотропны. [c.142]

Кинетику формирования дисперсной фазы можно характеризовать через скорость роста кристаллов. Скорость роста кристаллов К, т.е. количество выкристаллизовавшегося в единицу времени вещества, определяется уравнением/17/ [c.49]

Второй этап конденсационного образования новой фазы — рост кристаллов. Скорость роста кристаллов определяется разностью действующей концентрации вещества в растворе и равновесной концентрации этого вещества при той же температуре. Чем больше разность, тем быстрее растут кристаллы. [c.17]

На стадии роста частиц кристаллической фазы происходит увеличение размеров первичных зародышей. Каждый зародыш может инициировать образование кристалла. Скорость роста кристаллов и образуемых ими более сложных надмолекулярных структур (Шк), как и скорость зарождения, сильно зависит от степени пере охлаждения. Температурная зависимость ы>к также имеет макси мум, лежащий между Т л и Тс (рис. VI. 21, кривая 2). [c.189]

Кинетика и механизм роста кристаллов. Скорость роста кристалла определяется линейным перемещением растущей грани кристалла параллельно самой себе в единицу времени [c.58]

Макроскопическая величина О определяется скоростью диффузионного смещения отдельного атома и геометрическими размерами решетки кристалла. Скорость диффузионного смещения определяется свойствами атома-диффузанта и кристаллической решетки, в которой наблюдается диффузия. [c.152]

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов полупроводниковых схем и р—/г-переходов (см. гл. IX) основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налета-нию молекул (атомов) из газовой фазы и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закон анизотропии кристаллов (см. гл. IV), так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано 178], что различные грани кристаллов вольфрама обладают разной активностью по отношению [c.49]

Таким образом, в гетерогенной системе, состоящей пз осадка и насыщенного относительного него раствора, непрерывно протекают два процесса с одинаковой скоростью переход ионов в раствор и их осаждение на поверхности кристаллов. Скорость перехода ионов в раствор Vi пропорциональна величине поверхности 5 осадка, т. е. [c.169]

У кристаллов многие свойства (теплопроводность, показатель преломления,электропроводность, механическая прочность, скорость роста кристаллов, скорость растворения и др.) при измерении их в различных направлениях оказываются неодинаковыми. Например, слюда легко разделяется на пластинки только в одном направлении (параллельно ее поверхности). В других направлениях для разрушения слюды требуются значительно большие усилия. [c.62]

В поликристаллической среде и металлах, обладающих упругой анизотропией, затухание определяется рассеянием энергии колебаний зернами металла. В отдельных кристаллах скорость ультразвука имеет разное значение в зависимости от направления его распространения относительно осей симметрии. Поэтому при переходе ультразвука из одного кристалла в другой вследствие различной ориентации кристаллов скорость ультразвука может существенно изменяться. В результате этого возникает частичное отражение, преломление и трансформация типов УЗВ. Ультразвуковые колебания постепенно рассеиваются во все стороны, причем степень рассеяния зависит главным образом от отношения длины Я упругой волны к среднему диаметру й зерен-кристаллов, а также от степени анизотропии металла. [c.10]

Кристаллы одного и того же вещества могут различаться по размерам и форме. В зависимости от условий образования кристаллов скорость роста их по отдельным граням может быть различной, вследствие чего кристаллы, сохраняя ту же самую кристаллическую решетку, принимают вытянутую или плоскую форму в зависимости от температуры и вязкости среды. [c.637]

Охлаждение кристаллизующихся П.м. сопровождается образованием кристаллов, скорость роста, размеры и структура к-рых зависят от интенсивности охлаждения материала. Регулируя степень кристалличности и морфологию кристаллов, можно направленно изменять эксплуатац. характеристики изделия. [c.6]

Кристаллизаторы с псевдоожиженным слоем (рис. 3.15) дают возможность регулировать размер выгружаемых кристаллов путем изменения скорости циркуляции раствора. Крупные кристаллы, скорость осаждения которых превышает скорость восходящего [c.165]

При неравномерной температуре в кристалле пузырек движется в сторону, направленную к потоку тепла, так как при повышенной температуре растворимость кристаллов выше. В результате одна стенка пузырька растворяется, а противоположная ей растет, так как происходит отложение того вещества, которое растворилось при повышенной температуре. Перепад температуры в области пузырька на расстоянии 0,01 мм ничтожен, но его достаточно для продвижения включения внутри кристалла. Скорость движения пузырька определяется величиной перепада температур и изменением растворимости вещества при различной температуре. При движении пузырьки способны разделяться на несколько изолированных полостей, имеющих разное наполнение жидкостью. Эти макродефекты так же подвижны в кристаллах, как вакансии и дислокации, но длина перемещения их ничтожна. При движении газожидких включений внутри кристалла видимого ясного следа не остается. [c.40]

Количество вводимой примеси, г/л Содержание примеси в кристалле, % Скорость роста, мм/сут [c.66]

Скорость роста кристаллов. Скорость роста кристалла описывается совокупностью линейных скоростей роста отдельных его граней. Линейная скорость роста — перемещение грани параллельно самой себе, происходящее в единицу времени. [c.39]

Рис. 59. Нормальное (верхний кристалл) и вырожденное развитие плоскости базиса. Для верхнего кристалла скорости роста Rur равны, вследствие чего грани Rur равны по площади

Наибольшее значение среди теории роста кристаллов имеют диффузионная и молекулярно-кинетическая. Согласно диффузионной теории Нернста процессы на поверхности раздела фаз протекают очень быстро, а скорость гетерогенных процессов лимитируется только диффузией. При кристаллизации поверхность кристалла покрыта тонким слоем малоподвижного раствора, в котором концентрация снижается от средней величины в растворе (с) до концентрации насыщения (со) на самой поверхности кристалла. Этот слой и создает основное сопротивление для диффузионного перехода кристаллизующегося вещества из пересыщенного раствора на поверхность растущего кристалла. Скорость отложения вещества на гранях кристалла описывается уравнением [c.364]

Количество вещества, которое может доставить диффузия при данных условиях (значении движущей силы процесса, температуре, составе среды и т. д.), не ограничивает скорость усвоения вещества кристаллом. В этом случае скорость роста будет пол-ностью определяться скоростью встраивания частиц в кристалл (скоростью межфазной, или адсорбционной, стадии). Такой процесс называют кинетически-лимитируемым (протекающим в кинетической области). [c.39]

Зная скорость роста грани при данном пересыщении, по этой формуле можно рассчитать, на каком расстоянии от переднего ребра (т. е. при каком приблизительно размере кристалла) скорость диффузии окажется лимитирующей, раствор истощится и на грани возникнет углубление. Или, например, зная скорость роста [c.45]

Последующая абразивная обработка кристаллов — шлифовка н полировка — осуществляется на шлифовально-доводочных станках. Принцип работы таких станков прост на вертикальном валу, вращающемся с частотой 5—7 с" закреплен чугунный диск (планшайба) диаметром 150—200 мм с хорошо выверенной плоскостью или иной поверхностью необходимой формы. Пастообразная суспензия абразива в жидкости, не растворяющей кристалл, небольшими порциями наносится на диск, лучше кистью. Поверхность кристалла прижимают к шлифовальному диску рукой, двигают вдоль радиуса диска и время от времени поворачивают в плоскости шлифования на 180°. Производительность шлифования зависит от твердости кристалла, скорости вращения инструмента, нажима на образец, зернистости и твердости абразива. [c.181]

Методом термического анализа доказано, что такая взрывная Полимеризация наступает в момент неравновесного фазового перевода стекла в кристалл. Скорость полимеризации лимитируется скоростью фазового превращения. При этом, по-видимому, на границе кристаллической фазы возникают лабильные заготовки из упорядоченных молекул мономера, освободившиеся на очень [c.257]

По достижении заданной температуры частично закристаллизовавшаяся смесь выдерживается некоторое время для дости->кения равномерного распределения температуры во всем объеме охлаждаемой смеси. Для получения крупных кристаллов скорость охлаждения смеси должна быть 1—3 °С/ч, поэтому кристаллизация обычно продолжается несколько часов. [c.161]

Количество перекачиваемой жидкости должно быть таким, чтобы скорость жидкости в кипятильных трубках составляла 1,5—3,5 м1сек. Если же раствор дает иа трубках значительную накипь или из него легко выпадают кристаллы, скорость его должна быть не ниже 2,5 м/сек. [c.629]

Центрифуги используют в процессах депарафинизации, когда применение фильтрования затруднено или невозможно вследствие недостаточных размеров кристаллов, низкой скорости фильтрования и быстрого засорения фильтрующей ткани мелкими кристаллами (депарафинизация с использованием в качестве растворителей нафты и смеси дихлорэтана с бензолом). Эти процессы применяют при обработке остаточного сырья, в результате при охлаждении образуются мелкие кристаллы, скорость отделения твердой фазы от жидкой невелика, а в нетролатуме содержится много масла. Депарафинизация в этих.растворителях относится к устаревшим процессам, поэтому центрифуги на современных установках не используют. [c.166]

Для кристаллизации полимеров в равновесных условиях их надо подвергнуть переохлаждению. Скорость кристаллизации чистого полимера определяется произведением скоростей двух процессов зародышеобразования и роста кристаллов. Скорости зароды-шеобразования высоки при низких температурах, когда полимерные цепи находятся на низком энергетическом уровне. С другой стороны, высокие температуры кристаллизации благоприятствуют высоким скоростям роста кристаллов это связано с тем, что цепи, участвующие в кристаллизации, должны извлекаться из расплава и перемещаться к поверхностям кристаллообразования. Повышение температуры, снижая вязкость, увеличивает подвижность цепей и скорость роста кристаллов. [c.54]

В зависимости от направления в кристалле скорость звука существенно меняется на 9% для продольных волн на 31% для поперечных волн с вертикальной поляризацией на 16 /о для поперечных волн с горизонтальной поляризацией. Меняется также коэффициент затухания волн. В результате транскристал-литной структуры изменение акустических свойств наблюдают для всего наплавленного металла шва. Он весь становится анизотропным. Это существенно отличает такой шов от изотропной (в большом объеме) крупнозернистой среды со случайной ориентацией зерен, рассмотренной в п. 2.3.5. [c.212]

Кинетика и механизм диффузионных процессов представляют огромный интерес для полупроводниковой электроники, техники квантовых оптических генераторов, процессов изготовления микроминиатюрных устройств, твердых и пленочных схем. Изготовление активных элементов, полупроводниковых схем п р— -переходов основано на диффузии легирующих примесей в полупроводниковый монокристалл из газа или расплава. Этот процесс сводится к налетанию молекул (атомов) из газовой фазьг и к диффузии их внутрь кристалла. Второй процесс медленнее первого. А так как диффузия примесей протекает по уравнениям первого порядка, то весь процесс псевдо-мономолекулярный. Таков же характер процесса травления полупроводника, если диффузионная стадия самая медленная. В этих случаях особую роль играет закош анизотропии кристалов, так как диффузия в кристаллах идет с разной скоростью в разных направлениях. Скорость роста кристаллов, скорость окисления кислородом,, скорость травления зависят от того, какая грань подвергается воздействию. Например, доказано, что различные грани кристаллов вольфрама обладают неодинаковой активностью по отношению к кислороду и разной способностью эмитировать электроны при нагревании между этими свойствами наблюдается коррелятивная зависи.мость. Медь быстрее всего окисляется в направлениях, перпендикулярных граням кубических кристаллов. Обнаружено,, что внутреннее строение пленки СигО определенным образом ориентировано по отношению к поверхности кристаллов меди, что называется явлением эпитаксии. [c.61]

При выбранных параметрах, скорости подъема кристалла, скорости вращения тигля и затравки, фикспро-ванном положении тигля относительно нагревателя осу- [c.206]

В пятой главе приводится способ подготовки механически обработанных образцов и методы седиментационного и рентгеновского анализов. Частицы порошка в дезинтеграторе подвергаются действию нескольких мощных ударов и, согласно расчетам, покидают его рабочую камеру за время порядка 0,01 с. Образцы с различной продолжительностью механической обработки получены повторным пропусканием порошков через рабочую камеру. Образцы нумеровались так, что номер образца N (он равен кратности обработки) и продолжительность обработки I связаны соотношением I = 0,01-К. Седиментационным анализом на центрифугальном СВ-3 и фотоэлектрическом Ьито8е(1 седиментографах установлено, что для исследованных веществ процесс измельчения в дезинтеграторах и центробежных мельницах завершается практически сразу после однократной обработки, в результате которой размеры частиц уменьшаются для разных веществ в 100 - 300 раз. Наблюдаемые особенности измельчения указывают, что для всех исследованных кристаллов скорости соударений порядка 200 - 300 м/с достаточны для скоростного измельчения до размеров зерен [c.23]

У нерастворимых минералов (растворимость < Ю- моль л- (вставка 3.8) , включая все силикаты и карбонаты, отделение ионов с поверхности идет очень медленно, настолько, что ионы никогда не накапливаются в растворе близко к поверхности кристалла. Скорость выветривания этих минералов, таким образом, зависит в основном от скорости отделения ионов с поверхности кристаллов, а не от эффективности вымывания (скорости потока воды). Только у очень растворимых минералов (растворимость >2 10 моль Л" )1 например эвапоритовых, ионы могут быстро отделяться с поверхности кристалла, образуя вблизи нее микросреду, которая насыщена относительно растворяющегося минерала. Скорость растворения в таком случае контролируется эффективностью рассеивания ионов и воздействие вымыванием водой становится определяющим. [c.95]

Первой стадией кристаллизации является выделение из пересыщенного раствора зародышей кристаллов — мельчайших частиц кристаллизующегося вещества. Затем кристаллы растут, причем наиболее легко осуществляется рост на острых углах зародышей кристаллизации. Если количесхво зародышей кристаллов невелико, то в процессе кристаллизации образуются крупные кристаллы. Скорость роста кристаллов на центрах кристаллизации может быть определена по уравнению [c.408]

При выборе типа и определения частоты вращения мешалок сборников оксидата следует создавать такие условия пе-ромешивания, при которых исключается осаждение кристаллов скорость циркуляции жидкости, создаваемая мешалкой, должна быть такой, чтобы исключалось осаждение кристаллов при разработке сборников больших размеров с двумя и более ярусами мешало весьма важно, чтобы нижняя мешалка у днища аппарата имела наклон лопастей, обеспечивающий движение суспензии снизу вверх. [c.80]

В том случае, когда произведение активностей реагирующих ионов превысит ПР, равновесие сместится вправо, т е в растворе окажутся недиссо-циированные молекулы, которые будут собираться в агрегаты Эти агрегаты и являются зародышами новой фазы Скорость их образования называют скоростью агрегации Молекулы в агрегатах вначале располагаются хаотич но, что является термодинамически невыгодным, поэтому происходит их самопроизвольная ориентация, что приводит к появлению дальнего порядка, и агрегаты превращаются в кристаллы Скорость этого процесса называют скоростью ориентации [c.264]