Вторичное излучение электромагнитное

Поглощая электромагнитные излучения, молекулы и атомы вещества переходят в энергетически возбужденное состояние. Поглощенная атомами нли молекулами избыточная энергия расходуется на повышение их колебательной, вращательной или поступательной энергии, а в некоторых случаях выделяется вторичное излучение или проходят фотохимические процессы. [c.292]

Электромагнитная волна индуцирует в атоме, молекуле или ионе периодический электрический диполь, так как электрический вектор падающего излучения стремится сдвинуть электроны от их положения равновесия относительно ядра. Энергия, связанная с электрической поляризацией, немедленно высвобождается, если частота падающего излучения не является характеристической частотой, которая поглощается частицей. Это вторичное излучение частицы интерферирует с падающим излучением подобная интерференция является основой таких явлений, как отражение, преломление и рассеяние света. [c.220]

Если электромагнитная волна (рентгеновское излучение) падает на ПОКОЯЩИЙСЯ электрон, то под действием электрического поля волны электрон приходит в колебательное движение с частотой, равной частоте колебаний электрического поля падающей волны. Но всякое колебательное движение заряженной частицы сопровождается излучением электромагнитных волн во всех направлениях (с разной интенсивностью в разных направлениях), частота которых равна частоте колебаний частицы. Таким образом, когерентное рассеяние (рассеяние без изменения длины волны) описывается в виде двух последовательных процессов энергия первичной волны передается электрону, который отдает ее обратно в виде вторичных (рассеянных) рентгеновских лучей той же частоты. [c.148]

При попадании электромагнитной волны на любую частицу вещества происходит частичное рассеяние излучения. Это обусловлено тем, что падающее излучение вызывает колебания между положительно и отрицательно заряженными элементами частицы, в результате чего возникает колеблющийся диполь. Такой диполь сам по себе является источником электромагнитного излучения. Теория этого явления подробно обсуждается в гл. 5. Здесь только отметим, что вторичное излучение характеризуется той же длиной волны, что и первичное, и оба эти излучения по фазе различаются ровно на 180°. Вторичное излучение рассеивается по всем направлениям с интенсивностью, определяемой углом рассеяния. Интенсивность рассеянного излучения в значительной степени зависит от длины волны падающего излучения и от природы рассеивающих частиц. При рассеивании рентгеновских лучей от- [c.27]

Интенсивность вторичного электронного излучения, возникающего под действием электромагнитной радиации, достигает максимальной величины на некотором расстоянии от поверхности облучаемого вещества. Это расстояние приблизительно равно наибольшему пробегу вторичных электронов. Затем интенсивность вторичного излучения постепенно падает по мере ослабления первичного пучка. Таким образом, непосредственно у поверхности внутри поглотителя в небольшом объеме возникают вторичные электроны и дополнительно появляются электроны, попавшие в этот объем из окружающих участков поглотителя (рис. 3.11), т. е. каждый элемент объема получает дополнительно со всех сторон рассеянные электроны. Исключение составляют области поглотителя, непосредственно прилегающие к поверхности. По мере удаления от поверхности возрастает доля электронов, попадающих в данный объем извне. Это наблюдается до расстояния, равного наибольшему пробегу вторичных электронов, когда интенсивность вторичного излучения в элементе 58 [c.58]

Рассеяние рентгеновских лучей. Вещество, которое подвергается действию рентгеновского излучения, испускает вторичное излучение, длина волны которого либо равна длине волны падающих лучей (когерентное рассеяние), либо незначительно отличается. При рассеянии без изменения длины волны переменное электромагнитное поле, создаваемое пучком рентгеновских лучей, вызывает колебательное движение электронов облучаемого вещества, и они становятся источниками когерентного излучения. Ввиду когерентности лучи, рассеиваемые различными атомами, могут интерферировать. Расстояния же между атомными плоскостями в кристаллах сравнимы с длинами волн рентгеновских лучей. Кристалл служит дифракционной решеткой для рентгеновских лучей. [c.8]

Люминесценцией называют замедленное испускание электромагнитного излучения после возбуждения под действием ультрафиолетового света или бомбардировки частицами. Если испускание происходит непосредственно после облучения (за время меньше 10- сек), процесс называется флуоресценцией, если же испускание замедленное — фосфоресценцией. Механизм в обоих случаях по существу одинаков, и его можно представить в виде трех стадий поглощения энергии, сохранения энергии и вторичного излучения. [c.108]

Примером таких вторичных излучений регулярных структур является когерентное вторичное биогенное излучение , формирующееся биологическими объектами в ответ на облучение ядерной радиацией (у-квантами) в ультрафиолетовом диапазоне электромагнитных излучений (Кузин, 1995 и 1997). Причем в этом случае возбужденные состояния (предположительно белки) - поляри-тоны оказываются весьма долгоживущими. Время их жизни составляет до 15-30 минут- [c.12]

Кроме теплового излучения, тела могут испускать лучистую энергию других видов. Бомбардировка вещества электронами дает излучение, которое мы называем рентгеновскими лучами. Выдерживание вещества под облучением одного вида часто приводит к тому, что оно дает другое или вторичное излучение например, некоторые минералы флуоресцируют в ультрафиолетовом свете. В действительности существует целый спектр электромагнитного излучения, различные части которого получили название, отражающее способ их получения или некоторое характерное свойство. Все виды электромагнитного излучения имеют одинаковую скорость распространения, но отличаются длиной волны и происхождением, При поглощении всех видов излучения выделяется тепло. Однако, только одно электромагнитное излучение, возникающее благодаря нагретому состоянию излучающего тела, мы называем тепловым излучением. Часть этого теплового излучения мы называем также видимым светом, но большая часть его, однако, лежит за пределами спектра видимого света и обычно включается в понятие об инфракрасном излучении, В табл. 28, 1 приводятся примерные пределы длин волн некоторых видов излучения. [c.384]

При прохождении любого электромагнитного излучения, в том числе и рентгеновского, через вещество происходит частичное рассеивание излучения. Под действием периодически изменяющегося электрического поля электроны вещества начинают колебаться с частотой, равной частоте падающего излучения.Колеблющиеся электрические заряды становятся источниками вторичного электромагнитного излучения гой же частоты, которое распространяется во всех направлениях и наблюдается как рассеянное излучение. Пучок рассеянного излучения, выбранный в некотором направлении, складывается из волн, рассеянных в этом направлении. Однако в подавляющем большинстве направлений эти волны на фронте рассеянной волны не совпадают по фазе и частично или полностью гасят друг друга, и заметного рассеяния не происходит. Однако при прохождении пучка через периодическую структуру — кристалл в некоторых определенных направлениях рассеянные волны совпадают по фазе и, усиливая друг друга, дают интенсивный пучок рассеянного излучения. Возникновение интенсивного рассеяния рентгеновского излучения по неко-торы.м дискретным направлениям в результате взаимодействия их с периодическими структурами называется дифракцией рентгеновского излучения. [c.160]

Рентгенографические, электронографические и нейтронографические исследования атомной и молекулярной структур жидкостей и аморфных тел основываются на анализе углового распределения интенсивности рассеянного рентгеновского излучения, электронов и нейтронов. Рассеяние веществом этих трех видов излучений не одинаково, что объясняется различием их физической природы. Рентгеновское излучение рассеивается электронами атомов и молекул. Процесс рассеяния не характерен обычному отражению или преломлению. Рентгеновское излучение, взаимодействуя с электронами, приводит их в колебательное движение. Колеблясь с той же частотой, что и электрический вектор первичной электромагнитной волны, электроны порождают вторичное электромагнитное излучение, распространяющееся во всех направлениях. Интенсивность рассеянного излучения, фиксируемая в некоторой точке, пропорциональна электронной плотности атомов и молекул. [c.26]

Из электродинамики известно, что осциллирующий диполь излучает электромагнитные волны его излучение обладает цилиндрической симметрией относительно оси диполя. Поэтому напряженность вторичной волны определяется углом <р между направлением ее распространения и осью диполя, а именно излучающий диполь проектируется на плоскость, перпендикулярную направлению распространения вторичной волны (см. рис. У1-1), [c.193]

На рис. 18.4 представлена схема прибора для измерения люминесценции растворов на просвет или в проходящем свете . По такой схеме построены приборы ФАС-1 и ФАС-2. Электромагнитные волны источника излучения / проходят первичный светофильтр 2, выделяющий монохроматическое излучение, которое попадает на кювету с раствором 3. Возникающий в растворе свет люминесценции проходит через вторичный светофильтр 4 и попадает на фотоэлемент 5. Интенсивность люминесценции регистрируется гальванометром. Как видно из рис. 18.4, все элементы схемы расположены на одной оси. Первичный светофильтр должен выделять электромагнитные колебания с длиной волны возбуждения, а вторичный— с длиной волны только излучения. Эту схему обычно применяют при возбуждении ультрафиолетовым участком спектра с применением достаточно [c.361]

Рассеяние, представляющее собой взаимодействие электромагнитного излучения с частицами на его пути с индуцированием осцилляций электрических зарядов вещества. Индуцированные диполи излучают во всех направлениях вторичные волны (гл. 13). [c.153]

Электронный пучок, определяемый параметрами й, з и а, входит в камеру объекта и попадает на определенное место образца. Внутри области взаимодействия происходит как упругое, так и неупругое рассеяние, как описывалось в гл. 3, в результате чего в детекторах возникают сигналы за счет упругих, вторичных и поглош енных электронов, характеристического и непрерывного рентгеновского излучения, катодолюминесцентного излучения. Измеряя величину этих сигналов с помощью соответствующих детекторов, можно определить в месте падения электронного пучка некоторые свойства объектов, например локальную топографию, состав и т. д. Чтобы исследовать объект не только в одной точке, пучок нужно перемещать от одной точки к другой с помощью системы сканирования, как показано на рис. 4.1. Сканирование обычно осуществляется с помощью электромагнитных отклоняющих катушек, объединенных в две пары, каждая из которых служит для отклонения соответствен- [c.99]

Растровый (сканирующий) электронный микроскоп включает следующие основные узлы катод, испускающий электроны, электромагнитные линзы для сбора излучения, детектор электронов и систему электроники для формирования изображения [10]. Электроны фокусируются в тонкий электронный зонд диаметром менее 10 нм, которым поверхность образца построчно сканируется. При взаимодействии узкого электронного пучка с поверхностью образца он испускает излучение видимого и рентгеновского диапазона, приводящее к обратному рассеянию. Прибор позволяет получать объемное изображение объекта, поразительно сходное с изображением при освещении светом и наблюдении глазом, так как испускаемые вторичные электроны достигают детекторной системы по кривым траекториям, воспроизводя изображение даже тех частей объекта, которые находятся в тени . [c.357]

В то время как свет поглощается полимером только когда его частота соответствует частоте поглощения молекулы, радиационное излучение поглощается всеми молекулами, вызывая акты ионизации и переводя молекулы в возбужденное состояние. Ионизирующее излучение делят на корпускулярное (электронное, протонное, нейтронное) и электромагнитное (рентгеновское излучение, у-излучение). Под действием ионизирующего облучения происходит не только обрыв, но и сшивание молекул. В качестве стабилизаторов-антирадов могут быть предложены вторичные амины. [c.109]

Радиоволновый вид неразрушающего контроля основан на регистрации изменений параметров электромагнитных волн радиодиапазона, взаимодействующих с контролируемым объектом. Обычно применяют волны сверхвысокочастотного (СВЧ) диапазона длиной 1—100 мм и контролируют изделия из материалов, где радиоволны не очень сильно затухают диэлектрики (пластмассы, керамика, стекловолокно), магнитодиэлектрики (ферриты), полупроводники, тонкостенные металлические объекты. По характеру взаимодействия с объектом контроля различают методы прошедшего, отраженного, рассеянного излучения и резонансный. Первичными информативными параметрами являются амплитуда, фаза, поляризация, частота, геометрия распространения вторичных волн, время их прохождения и др. [c.14]

Область применения фотоэлектронной спектроскопии (ФЭС) простирается в настоящее время от аналитической химии до физики твердого тела. В ФЭС измеряют энергию электронов, испускаемых молекулами газа или твердым телом под действием электромагнитных излучений. При таком возбуждении наряду с прямой фотоионизацией происходят и вторичные эффекты, например эффект Оже. [c.40]

Задача об определении коэффициентов ослабления, рассеяния и поглощения излучения сводится к нахождению составляющих электромагнитного поля, образующегося в результате взаимодействия между полем падающих волн и полем, создаваемым частицами, как вторичными излучателями под воздействием падающих волн. Общее решение этой задачи показывает, что эффективность ослабления излучения, проходящего через поглощающую и рассеивающую среду, каковой и является конденсат, зависит от размеров отдельных кристалликов, спектра длин волн излучения, а также показателей преломления и поглощения вещества конденсата, зависящих, в свою очередь, также от спектра длин [c.149]

Радиоизотопные анализаторы подразделяют на ионизационные, по проникновению излучения, по рассеянию излучения, с вторичным электромагнитным излучением, активационные и т. д. [c.121]

Рентгеновское у-излучение представляет собой электромагнитные излучения с широко перекрывающимися частотами и длинами волн, у-излучение возникает в радиоактивных изотопах в результате ядерных преобразований, тогда как рентгеновское излучение представляет вторичную эмис- [c.469]

Быстро развивается и показывает хорошие результаты рентгенофлуоресцентный метод, основанный на том, что падающее первичное излучение создает при взаимодействии с материалом покрытия характеристические электромагнитные волны [25], имеющие кванты определенных длин волн и интенсивности. Спектральный состав излучения зависит от того, какие элементы имеются в материалах контролируемого объекта, а интенсивность — от массы данного элемента. Подбирая фильтры, выделяющие необходимую спектральную линию, характерную для материала покрытия, анализируя интенсивность и энергию квантов вторичного излучения с помощью различных электронных дискриминаторов, можно определить толщину одного или нескольких не очень толстых покрытий. Используемые при рентгенофлуоресцентном методе эффекты более сложны в приборной реализации, поэтому аппаратура на базе этого метода пока не выпускается крупными сериями. Вместе с тем имеются примеры успешного внедрения таких приборов в практику неразрушающего контроля толщин покрытий при разных сочетаниях материалов хром, олово, цинк, алюминий, титан или серебро на стали, медь на алюминии, хром на цинке, кадмий на титане и др. Решающим фактором применимости рентгенофлуоресцентного метода является наличие достаточной интенсивности вторичного излучения в диапазоне, где его регистрация эффективна. Также его ценным качеством является возможность из гpeний толщины многослойных покрытий, причем, когда их толщины соизмеримы, можно проводить в ряде случаев раздельный контроль. Успешно производится измерение толщины серебра на фотобумаге и ферролаковом покрытии. [c.352]

Здесь мы ограничимся несколькими общими замечаниями о рентгенографическом и электронографическом методах и остановимся подробно только на рассмотрении полученных этими методами данных. Сравнение достоинств обоих методов приводит к заключению, что каждый из них имеет свою область применения Для исследования кристаллических структур (в случае углеводородов — это молекулярные кристаллы ) рентгеновы лучи более применимы вследствие их большей проникающей способности. Для определения расположения атомов в газовых молекулах дифракция быстрых электронов более применима, во-первых, вследствие более сильного взаимодействия электронных лучей с материей, чтэ значительно снижает ( в 10000 раз) длинные выдержки, обусловленные малой плотностью рассеивающих центров, и, во-вторых, вследствие того, что электроны (как корпускулярные лучи) рассеиваются преимущественно ядрами атомов, тогда как рентгеновы лучи (как электромагнитные) рассеиваются атомными электронами (вторичное излучение электронных оболочек). В обоих методах влияние атомов, рассеивающих рентгеновы или электронные лучи, связано с зарядом их ядра и увеличивается с увеличением по1)ядкового номера элемента. [c.420]

Наряду с описанным процессом ядерного рассеяния электронов возможно превращение их энергии в электромагнитную энергию, т. е. в энергию рентгеновских лучей, в результате неупругого рассеяния под дейсгвием поля ядра. Этот вид вторичного излучения, так называемое [c.25]

На самом же деле дифракция рентгеновских лучей происходит на атомах. Рентгеновские лучи, пепадая на атом, приводят в колебания электроны атома. А так как всякое колебательное движение заряженной частицы сопровождается излучением электромагнитных волн во всех направлениях, с частотой, равной частоте колебания этой частицы, то происходит как бы рассеяние падающего на электрон излучения во все стороны, и интенсивность этих вторичных рентгеновских лучей, рассеянных электронами в силу законов интерференции в разных направлениях, оказывается разной. Дифракция рентгеновских лучей в кристалле является результатом когерентного, без изменения длины волны, рассеяния лучей электронами атомов кристаллической решетки. [c.68]

Здесь имеются в виду методы, которые основываются на явлениях фотоэффекта, получаемого при использовании монохроматического электромагнитного излучения, и вторичной электронной эмиссии. Собственно фотоэлектронной спектроскопией (ФЭС) называют метод, в котором вещество облучают в вакуумной УФ области электромагнитного спектра. Приоритет открытия явления эмиссии фотоэлектронов в газах под действием УФ облучения, положившего начало развитию метода ФЭС, принадлежит Ф. И. Вилесову (СССР). В рентгеноэлектронной спектроскопии (РЭС, или ЭСХА, что означает электронная спектроскопия для химического анализа) используют монохроматическое рентгеновское излучение. Создателем этого метода применительно к изучению поверхности твердых тел является шведский ученый К. Зигбан. Для возбуждения эмисии электропов может использоваться также электронный пучок, тогда говорят о методе индуцированной электронной эмиссии спектроскопии . [c.134]

При прохождении любого электромагнитного излучения, в том числе и рентгеновского, через вещество происходит частичное рассеивание излучения. Под действием периодически изменяющегося электрического поля возникают колебания электронов вещества с частотой, равной частоте падающего излучения. Колеблющиеся электрические заряды становятся источникями вторичного электромагнитного излучения той же частоты, которое распространяется во всех направлениях и наблюдается как рассеянное излучение. Пучок рассеянного излучения, выбранный в некотором направле- [c.182]

Рентгеновская спектроскопия. Рентгеновское излучение имеет ту же электромагнитную природу, что и световое излучение, у-излучение и радиоволны. Рентгеновские спектры получают при бомбардировке вещества, находящегося непосредственно на аноде рентгеновской трубки, электронами высокой энергии, испускаемыми катодом (рис. 80). Получаемый ренгеновский спектр называется первичным. Вторичный рентгеновский спектр получается при облу- [c.181]

ИОНИЗАЦИИ ПОТЕНЦИАЛ, см. Потенциал ионизации. ИОНИЗЙРУЮЩИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ, потоки фотонов или частиц, взаимод. к-рых со средой приводит к ионизации ее атомов или молекул. Различают фотонное (электромагнитное) и корпускулярное И.и. К фотонному И.и. относят вакуумное УФ и характеристическое рентгеновское излучения, а также излучения, возникающие при радиоактивном распаде и др. ядерных р-циях (гл. обр. 7-излучение) и при торможении заряженных частиц в электрич. или магн. поле - тормозное рентгеновское излучение, синхротронное излучение. К корпускулярному И. и. отиосят потоки а- и Р-частиц, ускоренных ионов и электронов, нейтронов, осколков деления тяжелых ядер и др. Заряженные частицы ионизируют атомы или молекулы среды непосредственно при столкновении с ними (первичная ионизация). Если выбиваемые при этом электроны обладают достаточной кинетич. энергией, они также могут ионизировать атомы или молекулы среды при столкновениях (вторичная ионизация) такие электроны наз. 5-электрона.ми. Фотонное излучение может ионизировать среду как непосредственно (прямая ионизация), так и через генерированные в среде электроны (косвенная ионизация) вклад каждого из этих путей ионизации определяется энергией квантов и атомным составом среды. Потоки нейтронов ионизируют среду лишь косвенно, преим. ядрами отдачи. [c.254]

Универсальность растрового электронного микроскопа при исследовании твердых тел в большей мере вытекает из обширного множества взаимодействий, которые претерпевают электроны иучка внутри образца. Взаимодействия можно в основном разделить на два класса 1) упругие процессы, которые воздействуют на траектории электронов пучка внутри образца без существенного изменения их энергии 2) неупругие процессы, при которых происходит передача энергии твердому телу, приводящая к рождению вторичных электронов, оже-электро-нов, характеристического и непрерывного рентгеновского излучений, длинноволнового электромагнитного излучения в видимой, ультрафиолетовой и инфракрасной областях спектра, электронно-дырочных пар, колебаний решетки (фононы) и электронных колебаний (плазмоны). В принципе все эти взаимодействия могут быть использованы для получения информации о природе объекта — формы, состава, кристаллической структуры, электронной структуры, внутренних электрическом или магнитном полях и т. д.. [c.21]

Рассеяние света происходит при взаимодействии электромагнитных волн с электронами рассеивающего вещества Падающие вопны вызывают периодические колебания в системе электронов, испускающих вторичные волны, которые и составляют рассеянное излучение В него входят также дифрагированная претомленная и отраженная составляющие, имеющие большое значение при рассеянии света макроскопическими частицами Существуют два пути рассмотрения явления замена электронов линейным осциллирующим диполем или группой диполей и теория электромагнитного [c.114]

Механизм этих реакций отличается от механизма фотохимических реакций. При воздействии излучений высокой энергии, корпускулярных или электромагнитных, происходит вырывание электронов из внутренних оболочек атомов, причем энергия излучений переходит к вырванным электронам. Первичный процесс отделения электронов сопровождается вторичными — раз-рущением связей между атомами, образованием свободных радикалов и валентно-ненасыщенных атомов, т. е. теми или иными химическими превращениями. [c.195]

С). Получ. электролиз р-ра, содержащего сп., KI (или Nal) и Na2 Oa нагревание ацетона (или сп.) с Ь в присут. щелочей. Наружный антисептик в медицине. ИОНИЗИРУЮЩИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ, при взаимодействии с в-вом ионизируют его атомы и молекулы. К фотонным (электромагнитным) И. и. относят УФ и 7-излучения, рентгеновские лучи, к корпускулярным — потоки а- и Р-ча-стиц, ускоренных электронов, протонов, продуктов деления тяжелых ядер и т. д. Источниками И. и. служат ядерные реакторы, радионуклиды, ускорители заряженных частиц, рентгеновские установки в природе И. и. являются космич. лучи и излучения радиоакт. в-в. Заряженные частицы ионизируют атомы и молекулы прн столкновениях с ними взанмод. с в-вом квантов электромагн. излучения и потоков нейтронов приводит к образованию в среде вторичных заряженных частиц, к-рые ионизируют атомы и молекулы. [c.224]

Со словами другие частицы связано важное ограничение. Рассмотрим случай, когда отдельные молекулы не могут обмениваться электронами или ядрами друг с другом и когда их единственным взаимодействием будет взаимодействие через электромагнитное поле. Определение колебаний заряженных частиц внутри молекул распадается при этом на два этапа 1) нужно найти действующее на частицы молекулы электромагнитное поле, которое складывается из поля первичной волны и полей всех вторичных волн, испускаемых заряженными частицами других молекул (указанную задачу обычно решают с помощью классической теории излучения) 2) нужно найти реакцию молекулы на данное возмущающее электромагнитное поле (эту задачу нугкно решать кванто-вомеханически). В рассмотренном случае другие частицы обозначают частицы, принадлежащие другим молекулам. [c.242]