Захват примесей

I Окклюзией называется вид соосаждения, при котором происходит захват примесей из раствора внутрь кристалла. [c.97]

Кроме неравновесной адсорбции причиной окклюзии может также быть механический захват примесей или растворителя внутрь кристалла при образовании осадка. [c.97]

При захвате примеси растущим кристаллом она может войти в узлы кристаллической решетки, образуя твердый раствор замещения, или в междоузлия, образуя твердый раствор внедрения, а также включения, состоящие из взвешенных частиц. В кристалле при этом будут возникать напряжения или деформация, являющиеся причиной образования дислокации. Это является причиной изменения и механизма и скорости роста кристаллов, что часто сопровождается изменением формы кристаллов (но не типа кристаллической решетки), о чем уже говорилось выше. [c.110]

Таким образом, при использовании кристаллизации для очистки веществ отделяемые в качестве продукта кристаллы будут в той или иной степени загрязнены примесями, содержащимися в исходном расплаве, а также поступающими из внешней среды и из материала разделительной аппаратуры. Захват примеси, образующейся в процессе кристаллизации твердой фазой, в общем случае принято называть соосаждением. Различают гомогенное и гетерогенное соосаждение. Гомогенное, или истинное, соосаждение имеет место тогда, когда очищаемое вещество и захватываемая примесь обладают способностью кристаллизоваться в совместной кристаллической решетке, образуя, как уже отмечалось, твердые растворы замещения или внедрения. Эту разновидность соосаждения называют также сокристаллизацией. [c.110]

Уже в результате однократного кристаллизационного соосаждения иногда удается достичь весьма заметного эффекта разделения. Однако в большинстве случаев эффект разделения бывает невелик из-за включения маточного раствора в трещины и поры образующихся кристаллов, смачивания поверхности кристаллов маточным раствором, адсорбционного захвата примеси твердой фазой и т. д. Степень загрязнения кристаллов примесью в принципе можно уменьшить путем промывки продукта или последующей его перекристаллизации. Промывка кристаллического продукта свежим растворителем (иногда для [c.154]

Захват примесей кристаллами обычно тем меньше, чем выше температура системы и чем она лучше перемешивается, что препятствует накапливанию примесей в диффузионном слое у поверхности граней. Однако, когда Д > 1, интенсификация перемешивания может привести к большему загрязнению. С ростом скорости кристаллизации чистота продукта также увеличивается, за исключением тех случаев, когда при больших пересыщениях на поверхности образующихся кристаллов появляется большое число дефектов, что способствует адсорбции примесей, или образуются агрегированные блоки и сростки, что увеличивает захват содержащего примеси маточного раствора. [c.256]

Окклюзия — это захват примесей раствора внутрь образующегося осадка, а не только его поверхностью. Причиной окклюзии может быть как механический захват примесей, обрастающих затем новыми слоями кристаллической решетки, так и образование химических соединений между основным осадком и соосаждаемой примесью. На практике различные виды соосаждения могут сочетаться, протекать последовательно, осложняться вторичными процессами. [c.103]

Вследствие нарущения равновесных условий роста и захвата примесей при кристаллизации, а также под влиянием разл. рода внеш. воздействий идеальная трехмерно-перио-дич. атомная структура К всегда имеет те или иные нарушения. К ним относят точечные дефекты - вакансии, замещения атомов осн. решетки атомами примесей, внедрение в решетку инородных атомов, дислокации и др. (см. Дефекты в кристаллах). Введение небольшого числа атомов примеси, замещающих атомы осн решетки, используют в технике для придания нужных физ св-в К., как, напр., в случае легирования. [c.540]

Получение диэлектрических пленок для тонкопленочных конденсаторных структур на основе метода термического испарения встречает принципиальные трудности, связанные с тремя побочными явлениями диссоциация окислов при испарении, взаимодействие с материалом испарителя и фоновой атмосферой, поляризационный захват примесей. [c.144]

Редкоземельные металлы осаждаются с гидроокисью бериллия приблизительно в той же области pH, в которой осаждаются эти металлы в отсутствие носителя. Захват кадмия осадком Ве(ОН)2 происходит при pH 7—8 (pH полного выделения гидроокиси кадмия) [646]. В приведенных примерах характер влияния температуры, времени соприкосновения носителя с раствором, концентрация примесей на величину осаждения подтверждают адсорбционную природу захвата примесей гидроокисью бериллия. [c.154]

Скорость роста и интенсивность захвата примеси, равномерно поступающей в раствор при растворении шихты, изменяются периодически либо вследствие изменения градиентов концентрации в камере кристаллизации, связанных с неоднородностью температурного поля конвекционных потоков, либо вследствие внешних возмущений. [c.46]

При изучении закономерностей распределения неструктурной примеси в синтетическом кварце методом отжига кристаллов получены следующие результаты. В интенсивно опалесцирующих и мутнеющих после отжига кристаллах спектрофотометрическим методом обнаружено повышенное содержание натрия. Коэффициент захвата примеси натрия, а также интенсивность помутнения кристаллов после отжига возрастают с увеличением скорости роста и существенным образом зависят от природы грани. Вследствие этого распределение неструктурной примеси в кристалле носит отчетливо выраженный зональный и секториальный характер. [c.113]

Для температурной области кристаллизации 300—400 °С отмечается обратная температурная зависимость коэффициента захвата примеси структурного алюминия от скорости роста. При более высоких температурах, вероятно, вследствие увеличения растворимости шихтового кварца и соответственно увеличения содержания алюминия в гидротермальном растворе с одновременным уменьшением концентрации коллоидальных комплексов интенсивность захвата алюминия в структурные позиции кристаллической решетки кварца возрастает. Кристаллы с заданной интенсивностью радиационной дымчатой окраски могут быть выращены на затравках, параллельных плоскости отрицательного ромбоэдра, при температурах 350—370 °С со скоростью 0,4— 0,6 мм/сут из растворов гидроокиси и карбоната натрия. Для проявления потенциальных центров окраски достаточно облучения от источника Со дозами порядка 1—3-10 . Для выращивания морионов необходимо вводить примесь алюминия в исходный шихтовый материал. [c.181]

Известно, что захват неструктурных примесей в алмазах осуществляется главным образом пирамидами роста граней 100 , а интенсивность его возрастает при понижении температуры кристаллизации, что обусловливают изменение окраски кристалла, которая может быть зафиксирована визуально. Кратковременное пребывание системы в области низких температур и последующий перевод ее в область высокотемпературной кристаллизации приводит к появлению в кристалле темных полос (результат интенсивного захвата примесей), параллельных граням куба (рис. 125), При введении многократных возмущений образуется система полос (зон), каждой из которых можно поставить в соответствие время, фиксируемое в момент изменения температурных условий. [c.363]

Введение в шихту элементов 1п, Оа или 5Ь, которые слабо взаимодействуют с углеродом и азотом и снижают скорость роста алмаза, также приводит к понижению в нем содержания парамагнитного азота. Поэтому можно предположить, что существует прямо пропорциональная зависимость коэффициента захвата примеси азота от скорости роста алмаза. В кристаллах, синтезированных с добавками к шихте одновременно бора и 1п или Оа, концентрация парамагнитного азота невелика и отличается незначительным разбросом величины для отдельных образцов, полученных в одинаковых контролируемых условиях. [c.409]

Влияние геометрии теплового поля кристаллизатора на качество кристаллов. Влияние формы поверхности фронта кристаллизации (ПФК) на качество выращиваемых кристаллов общеизвестно. Различают ПФК плоскую, вогнутую или выпуклую по отношению к расплаву. Лучшие кристаллы фторфлогопита получены при плоской ПФК, отражающей отсутствие радиальных градиентов в кристаллизаторе. При выпуклой и особенно вогнутой ПФК всегда существует возможность поликристаллического или дендритного роста кристалла, возникновения термических напряжений в кристалле, захвата примесей на фронте кристаллизации 64 [c.64]

Флуктуации температуры в зоне роста вызывают флуктуации скорости роста и, как следствие, неравномерный захват примесей и нарушение стехиометрии, что приводит к возникновению напряжений, различию показателя преломления, образованию полосчатости [18], [c.208]

Окклюзия. При окклюзии загрязняющие вещества находятся внутри частиц осадка. Окклюдированные вещества не участвуют в построении кристаллической решетки осадка, хотя в некоторых учебниках образование смешанных кристаллов изоморфизм) рас-смагривается как частный случай окклюзии. Таким образом, окклюзия отличается от адсорбции тем, что соосажденные примеси находятся не на поверхности, а внутри частиц осадка. Окклюзия может быть вызвана различными причинами, а именно захватом примесей в процессе кристаллизации, адсорбцией в процессе кристаллизации, образованием химических соединений между осадком и соосаждаемой примесью. [c.113]

При изучении зависимости активности катализаторов от температуры С.З.Рогинским замечен компенсационный эффект между предэкс-поненциалышм множителем и энергией активации. С.З.Рогинским высказаны предположения насчет принципов подбора промоторов реакции в зависимости от химизма процесса. Он придавал большо( значение способу пересыще1яия поверхности катализатора фазового или химического, связанного с захватом примесей. [c.87]

Металлические пленки, получаемые испарением металла и последующей его конденсацией, также захватывают примеси из вакуума . Во время получения этих пленок за счет испарения металла достигается очень высокий вакуум. После этого происходит загрязнение пленки следами газов, выделяющихся из различных частей прибора. Однако благодаря весьма большой величине поверхности пленки могут сохраняться в чистом состоянии значительно дольше, чем нити. Многие пленки, по-видимому, имеют еще и то преимущество, что их поверхность образована преимущественно одной кристаллографической плоскостью. При этом методе приготовления металлических поверхностей создаются необычные условия для процесса кристаллизации [11], и поэтому возможно, что образующаяся кристаллическая грань отличается от граней, возникающих при получении исследуемого металла другими методами. Использование пленок имеет, однако, один недостаток. Вследствие исключительно большой величины поверхности пленок на единицу веса металла [262] они обладают высокой поверхностной энергией. Средняя толщина первичных слоев, из которых состоит вся пленка, очень мала, и поэтому пленки по своим электрическим свойствам отличаются от обычных металлов [263], Во многих случаях у пленок наблюдается некоторое увеличение параметров решетки, достигающее 1—2% [264]. Лишь после сильного спекания их структура приближается к более нормальному состоянию металла. Согласно наблюдениям Миньоле [259], у пленки работа выхода в процессе спекания возрастает, приближаясь к величине, характерной для нормального металла. Вполне возможно, что во время процесса спекания происходит захват примесей. На получение пленок с сильно развитой поверхностью, а следовательно, с предельно открытой структурой большое влияние оказывает скорость испарения и конденсации металла. Пленки вольфрама по своим свойствам несколько более приближаются к нормальным металлам, чем не подвергнутые спеканию никелевые пленки. [c.142]

Величина пересыщения поверхности должна зависеть от метода или способа ее приготовления, скорости ее образованпя и от некоторых других условий, в которых происходило формирование поверхностн. В соответствии с этим возможные типы пересыщений классифицируются в теории следующим образом 1) дисперсионные пересыщения, связанные с возникновением больших удельных поверхностей 2) фазовые пересыщения, обусловленные получением необычных нестойких фаз, наличием незавершенных фазовых переходов 3) химические пересыщения, возникающие в условиях получения тел с необычным химическим составом, что чаще всего связано с захватом примесей. [c.137]

Гидролиз тетрахлорида. Очищенный Ge U гидролизуют — при этом осаждается двуокись. Наименьшая ее растворимость наблюдается при концентрации НС1 около 5 н. (см. рис. 46), которая получается при отношении объемов воды и тетрахлорида (6,5 6) 1. Реакция экзотермична (ДЯмз = 27 ккал/моль). Поэтому процесс проводят при охлаждении. Чем ниже температура, тем выше степень гидролиза. Гидролиз в первые минуты идет очень бурно, затем скорость его резко снижается. Практически гидролиз завершается через 1—2 ч, но постепенное незначительное выделение GeOa может продолжаться до нескольких недель [10]. Снижение температуры приближает момент равновесия. Очевидно, при гидролизе на холоду образуются более мелкие зародыши двуокиси с большой реакционной поверхностью, что ускоряет процесс кристаллизации. Скорость гидролиза зависит также от кислотности среды. Наибольшая скорость при кислотности 5 н., отвечающей минимальной растворимости. Вследствие этого лучше всего вести гидролиз непрерывным способом при постоянной оптимальной кислотности. В таких условиях получается менее дисперсная тяжелая двуокись с меньшим содержанием воды, что также уменьшает адсорбционный захват примесей. [c.196]

В некотор). х случаях захватом примеси твердой фалой можно пренебречь в сравнении с преоблалающим загрязнением кристаллов за счет включений маточного раствора. Тогда получаемый на основании экспериментальных данных коэффициент очистки кристаллов Кир будет очень близок к идеальному коэффициенту очистки /С, р. о- [c.73]

Однака но многих случаях нель.чя пе считаться с захватом примеси твердой фазой, который количественно характеризуется коэф4)Ициентом сокристаллизации примсси — О или О. [c.73]

В случаях концентриронания примеси в твердой фазе при одновременной очистке маточного раствора можно пренебречь загрязнением кристаллов за счет включений маточного раствора в сравпении с захватом примеси твердой фазой. [c.75]

В отдельных частных случаях, когда удается вполне надежно установит , структуру аномального твердого раствора, должна идти речь именно о соответствующем уточ 1енном типе твердого раствора. Следует указать и на возможность ошибочных предположений об обраг ова шн асюмзльньи твердых растворов в некоторых случаях истинно изоморфного захвата примеси твердой фазой. [c.86]

Папример, захват примеси РО при кристаллизации сул .-фатов может быть связав не с гетеровалентным изоморфизмом ионоп 50Г и РОГ, а с ис ных ионов 50 " и ЯРО [c.86]

Экстракционные методы отделения и разделения элементов получили широкое применение в аналитической химии. Особенно большое распространение экстракция нашла в технологии ядерных материалов и переработке облученного ядерного горючего, а также для отделения а-ктинидных элементов от примесей и их разделения в лабораторной практике. Это объясняется тем, что экстракционные методы имеют большие преимущества перед другими способами очистки и разделения, в частности перед методами осаждения. Малая поверхность раздела несме-шивающихся фаз практически исключает адсорбционный и механический захват примесей. Кроме того, экстракционные методы характеризуются селективностью, быстрым разделением элементов, возможностью создания непрерывных методов разделения и сравнительной легкостью изготовления дистанционных установок, которые позволяют анализировать высокоактивные растворы. К достоинствам экстракции следует отнести также возможность извлечения очень малых количеств элемента, концентрация которого может быть ниже предела растворимости обычных осадков. [c.303]

Кроме всего сказанного выше, фильтр не должен насыщать воду веществами, входящими в материалы его конструкции. Это, а также необратимость захвата примесей и береж юе отношение к полезным минералам — обязательства производителей фильтров перед нами, пользователями. Мы же, в свою очередь, должны понимать, что вечных фильтров не бывает, и должны эксплуатировать их в соответствии с инструкцией. [c.108]

Соосаждение. Процесс образования осадков может сопровож даться вторичным явлением—соосаждением. Соосаждение пред ставляет собой захват примесей осадком микрокомпонента Примеси, захваченные осадком, очень часто сами по себе хорош< растворимы и в данных условиях не осаждаются. Явлени соосаждения весьма распространено. Например, осадок BaSO, может захватить из раствора Fe -, Са С1 NO3-ионы а осадок Ре(ОН)з захватывает ионы Си при осаждении желез NH4OH. Сама медь с используемым осадителем NH4OH дае хорошо растворимый аммиачный комплекс. [c.226]

Для исследования причин нестабильности физических свойств синтетического кварца и факторов, влияющих на образование ростовых дефектов кристаллов, во ВНИИСИМС в 1957 г. на базе систематического анализа результатов лабораторных и опытнопромышленных циклов кристаллизации был оптимизирован процесс синтеза и совместно с технологами опытного производства разработаны вначале технологический регламент синтеза пьезокварца для серийного завода, а в дальнейшем — промышленные процессы получения всех разновидностей технического кристалло-сырья кварцевой группы. В распоряжение института поступили результаты опытов по синтезу кварца, проведенных на разнотипном автоклавном оборудовании объемом от 1 до 12 000 л в широком диапазоне физико-химических условий при температурах до 500 С и давлении до 280 МПа. Такое положение достаточно наглядно характеризует значительное расширение экспериментальных возможностей ВНИИСИМС в период отработки промышленного метода синтеза пьезокварца. Экспериментальные исследования показали, что пониженное качество кристаллов связано с захватом примеси коллоидно-дисперсной фазы, выделяющейся из раствора. Для производства кристаллов пьезокварца, удовлетворяющих по качеству требованиям радиопромышленности, были отработаны режимы кристаллизации, исключающие захват этой примеси. Выявлены и устранены также факторы, вызывающие образование трещин и включений в кристаллах, детально исследован механизм формирования ростовых дислокаций в кварце и их влияние на оптические свойства синтетического кварца. Результаты технологических исследований были сопоставлены с данными измерений внутреннего трения в кварце, проведенных [c.12]

Особенности такого строения и определяют внутреннюю морфологию кристаллов кварца. Макроскопическое распределение примесей осложняется явлением вторичной секториальности (образованием паразитных пирамид роста, по Г. Г. Леммлейну) и двойникованием кварца. Известно, что реальные грани даже в случае медленного роста, не говоря уже о стабильных и быстро нарастающих поверхностях, не являются идеальными плоскостями, а имеют характерный для данной грани или поверхности рельеф, состоящий либо из акцессорий (холмиков) роста, либо из участков гранен других индексов ( поверхности вырождения ). Поскольку коэффициент захвата примесей чрезвычайно чувствителен к изменению ориентации растущей поверхности, нарастание такой рельефной грани приводит к образованию вторичной секториальности в пределах данной пирамиды роста. Аналогичные искажения вносят также ростовые двойники. [c.22]

Выше отмечалось наличие сравнительно грубой зональности, порождающей в растущих кристаллах свили, обусловленные часовыми, суточными и другими колебаниями режима или состояния окружающей среды. Однако с помощью более информативного способа выявления зональных неоднородностей — гидротермального травления — обнаруживается значительно более тонкая ритмическая свилеватость, отражающая колебания условий кристаллизации и захвата примеси с периодом порядка 15—20 мин. В пределах этого периода наблюдается, как правило, убывание концентрации примеси. Следует также указать на существование еще одной разновидности микрозональности, которая обусловлена поверхностной тангенциальной миграцией уступов, образуемых эшелонами слоев роста. Эта разновидность, которая в сущности является псевдозональностью, также образует иногда чередующиеся свили, однако это явление требует более детального изучения. [c.47]

Таким образом, элементы структуры (в данном случае кислородные тетраэдры), эквивалентные в объеме кристалла, становятся неэквивалентными, располагаясь на поверхности грани, собственная симметрия которой в общем случае ниже симметрии кристалла. Сказанное в равной мере относится к любому месту в структуре, в том числе и к междуузлиям — структурным пустотам. Не исключено, что неравномерность заселенности тетраэдров определяется не только различием коэффициентов захвата примеси алюминия в них, но и различием этих коэффициентов для ионов-компенсаторов в междуузлиях. Вхождение этих ионов, как известно, должно сопровождать микроизоморфное замещение четырехвалентного кремния трехвалентным алюминием в кварце. Наличие выделенных положений центров окраски неизбежно 74 [c.74]

Специально проведенные опыты, в которых кристаллы выраши-вались на затравках, ориентированных параллельно устойчивым в высокотемпературной области поверхности роста (—л , +х, г), позволили исследовать зависимость v (Tк) в более широком температурном интервале. Для всех перечисленных граней сохраняется тенденция возрастания функции (7) с повышением температуры (см. рис. 33). При температурах выше 400 "С кристаллы с неструктурной примесью получили только на затравках, параллельных грани — X. Скорость роста других граней не удалось повысить до предела, при котором начинается захват примеси. Последнее характерно для плоскостей ромбоэдров, которые растут без вырождения во всем температурном интервале устойчивости модификации кварца. Установленная закономерность подтверждена даннымм инфракрасной спектрометрии. Интенсивность поглошения на частотах, связанных с ОН-дефектами, снижается по мере повышения температуры вырашивания (действие температурного фактора аналогично эффекту, вызываемому снижением скорости кристаллизации). [c.120]

Внесение температурных возмущений в процессе кристаллизации может производиться как в ручном, так и в автоматическом режиме путем изменения электрической мощности. Степень изменения указанного параметра выбирается с учетом заранее установленного характера зависимости температуры в реакционном объеме от электрической мощности. В наших условиях наиболее удобным представлялось использование стандартного программного устройства РУ5-02М, который сопрягался с высокоточным регулятором температуры ВРТ-3, работающим в режиме регулятора мощности. Управление блоком РУ5-02М производится с помощью программ, графически наносящихся на перфоленту. Минимальное время между двумя температурными возмущениями определяется тепловой инерционностью используемой камеры высокого давления (гл. 15). Эксперименты показывают, что снижение температуры с 1470 К до 1420 К (температура, при которой визуально отмечается захват примеси в камерах с размером реакционного объема 0,7- 10 м ) осуществляется за время, не превышающее 30 с, которое и может быть выбрано в качестве минимального интервала Ат между двумя температурными возмущениями. [c.364]

Следовательно, кинетика и механизм процессов захвата примесей бора и азота во многом сходны. Это находит подтверждение в снижении до 2—3 порядков степени анизотропии сопротивления кристаллов, росших в среде с массовым содержанием В 3— 0,5 %, а также в самом факте образование В—N-кoмплeк oв в алмазе. [c.456]

Спектры люминесценции допированного BI4Ge30i2 изучены в [340]. Показано, что ионы редкоземельных элементов действуют как доминирующие центры рекомбинации и определяют спектр эмиссии. Это объясняют прямым переносом заряда от внутренних дефектных ловушек к редкоземельным центрам рекомбинации. Влияние добавок ионов меди и иттербия на сцинтилляционные свойства ортогерманата висмута показано в [341]. Область гомогенного и гетерогенного захвата примесей, точечных и линейных дефектов, связанных с люминесценцией чистых монокристаллов Bi4Ge30i2, а также допированных ванадием, иттербием, хромом и железом, изучены в [342]. Исследован спектральный состав быстрой катодолюминесценции. Обнаружены изменения интенсивности и длины волны катодолюминесценции в зависимости от типа примесей и конфигурации дислокаций. [c.297]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология