Схемы накачки

Рис. 5.5. Схемы создания инверсии заселенности в системах с оптической накачкой а — трехуровневая (рубиновый лазер) б — четырехуровневая (Nd-лазер) в — четырехуровневая (лазер на красителе).

Рис. 15.4. Схема лазера непрерывного действия 1 — поток раствора красителя г — сферические зеркала резонатора З — выходное зеркало 4 — зеркала селектора мод Л — пьезокерамика, перемещающая зеркала 6 — эталоны Фабри — Перо 7 — призмы под углом Брюстера — свет накачки от аргонового лазера 9 — светоделительная пластинка селектора мод.

Рис. 14.65. Схема лазерного фотоионизационного спектрометра для анализа вещества в вакууме 1 — УФ-лазер накачки 2,9 — зеркала 3. 4 — лазеры на красителях

Оптич. накачку осуществляют чаще всего с помощью газоразрядных ламп в импульсном или непрерывном режимах работы. Поскольку их излучение имеет широкий спектр, в качестве активной среды необходимо применять материалы с широкими полосами поглощения. Однако с ростом ширины спектральной линии уменьшается сечение а и потому трудно достичь пороговых значений АЫ , согласно (I). Задачу решают для разл. активных сред по-разному. Рассмотрим, напр., схему накачки рубинового Л., в к-ром для создания инверсной населенности используют Энергетич. уровни иона Сг , внедренного в решетку [c.562]

Аналогична схема накачки для Л. на основе стекол и иттрий-алюминиевого граната, активированных N<1, и нек-рых др. твердотельных Л., в к-рых для создания инверсной населенности используют энергетич. уровни примесных ионов. Оптич. накачку применяют также в Л. на красителях (жидкие активные среды) и ряде др. [c.563]

Возможность генерации излучения в этой схеме определяется благоприятным сочетанием скоростей различных релаксационных процессов, характерных для рабочих уровней. Нижний рабочий уровень 10 0 и исходный для накачки уровень 02°0 благодаря ферми-резонансу (взаимодействие колебательных уровней близкой энергии и подходящей симметрии, в результате которого уровни отталкиваются друг от друга и приобретают смешанный характер в данном случае смешаны фундаментальное валентное полносимметричное колебание и обертон дважды вырожденного деформационного колебания молекулы СОг) сильно взаимодействуют друг с другом. Из-за этого взаимодействия и небольшого различия в энергии уровней ( 103 см ) нарушенное соотношение их термодинамически равновесных заселенностей восстанавливается при столкновениях молекул весьма быстро, за время с-Па, сравнимое с временем релаксации вращательных уровней. Кроме того, молекулы в состояниях 10°0 и 02°0 эффективно теряют энергию возбуждения при столкновениях с менее колебательно-возбужденными и невозбужденными молекулами. В частности, время колебательной релаксации нижнего рабочего уровня 10 0 с-Па. Верхний же рабочий уровень 00°1 [c.180]

С развитием криогенной, в частности сверхпроводниковой СВЧ электроники, джозефсоновские генераторы могут стать основой миниатюрных СВЧ схем (например, генераторов накачки сверхпроводящих параметрических усилителей), работающих при температурах жидкого гелия. [c.531]

Схема импульсного рубинового лазера показана на рис. 5.2, а. Лазер состоит из рубинового стержня 1, импульсной лампы-вспышки 2, электрода поджигав и двух источников питания системы поджига и лампы вспыщки 5. Уровни энергии встроенных в решетку оксида алюминия (А12О3) примесных атомов хрома (Сг +) с концентрацией 0,05% показаны на рис. 5.2, б. При активации импульсом света лампы-вспышки (накачке) электроны переходят из основного состояния 1 на полосу 2, а с этой полосы за очень короткое время в результате взаимодействия с кристаллической решеткой переходят на узкий нижележащий уровень 3. [c.98]

Чтобы некоторую систему можно было использовать для получения лазерного излучения, она должна иметь по крайней мере три, а предпочтительнее четыре или больше энергетических уровня, обладающие особыми свойствами. Схемы таких уровней показаны на рис. 8.10. В трехуровневой системе низшее энергетическое состояние (1) опустошается в результате некоторого процесса возбуждения, который мы условно обозначим как стадия а (он может представлять собой поглощение излучения, электрический разряд или какой-либо иной процесс). Состояние (3) заселяется через состояние (2) обычно в ходе безызлучательного процесса, обозначаемого как стадия Ь. Если стадии а и протекают быстрее, чем испускание из состояния (3), то в системе может создаться инверсная заселенность Ыз/М1. Это позволяет получить лазерное излучение (стадия с). Лазер с трехуровневой схемой действия требует большой мощности накачки для получения инверсной заселенности. В лазерах с четырехуровневой схемой оба состояния, [c.188]

Лазер состоит из трех принципиально важных узлов излучателя, системы накачки и источника питания, работа которых обеспечивается с помощью специальных вспомогательных устройств. Упрощенная конструктивная схема гелий-неонового лазера показана на рис. 6.1. [c.227]

Рис. 10.9. Схема измерительных систем, использованных для диагностики радиочастотной (и-Г-Аг)-плазмы с применением абсорбционной и эмиссионной спектроскопии 1 — инжектор ПРе 2 — самописец 3 — радиометр 4 — генератор сигналов для сканирования зеркала 5 — самописец 6 — процессор 7— лампа 8 — ионное устройство для накачки лазера 9 — лазер 10— спектроанализатор 11 — вращающееся зеркало 12 — измеритель мощности 13 — разделитель лучей 1 — фиксированный фронт поверхности зеркала 15 — подвижное зеркало 16 — монохроматор 17 — фильтры 18 — высоковольтный источник электропитания 19 — прерыватель для сканирования поглощения 20 — индикатор 21 — детектор и усилитель изменения фазы 22 — ленточный самописец 23 — сигнал 2 — линза 25 — фиксированный фронт поверхности зеркала 26 — схематический поворот на 90° для простоты изображения Й7 — к детектору 28 — прерыватель, использованный для сканирования поглощения 29 — линза 30 — заслонка для сканирования излучения 31 — разрядная камера 32 — плазма 33 — регулируемый держатель зеркала 3 — фиксированный фронт поверхности зеркала 35 — коллиматор 36 — ввод в кожух разрядной камеры 37 — фиксированный фронт поверхности зеркала

Схемы оптической накачки активных сред лазеров на основе органических соединений лазерным излучением [c.168]

На рис. 5.1 представлены типичные схемы оптической накачки активных сред лазеров на основе органических соединений излучением лазеров других типов. При продольной (рис. 5.1а) или зигзагообразной (рис. 5.16) накачке в случае газообразных активных сред со слабым поглощением на длине волны излучения накачки (колебательно-вращательные переходы) протяженность активной среды составляет примерно 0,5—5 м, в случае интенсивного поглощения излучения накачки (электронные переходы, растворы и пары сложных органических соединений) — около 0,05— 5 см. При поперечной накачке (рис. 5.1в) из-за малого сечения лазерного пучка накачки длина возбужденной зоны активной среды составляет обычно 1—3 см. Широко распространенная теперь [c.168]

Правила отбора для вращательных переходов в данном колебательном состоянии, например, основном (рис. 5.2а), разрешают переходы только между соседними уровнями, так что оптическое возбуждение такого перехода может лишь выравнять заселенности уровней, но не приведет к инверсии заселенностей. Поэтому ДИК-лазеры работают в основном по схеме, представленной на рис. 5.26, когда накачка осуществляется на колебательно-вращательном переходе, а генерация — на вращательных переходах в верхнем и, возможно, нижнем колебательных состояниях. Инверсия заселенностей в возбужденном колебательном состоянии возникает за счет увеличения заселенности верхнего рабочего в лазерном переходе уровня, так что могут возникнуть каскадные переходы типа —1)—>-(/ —2)— 1 —3) —>... В нижнем (основном) колебательном состоянии инверсия создается за счет обеднения при накачке заселенности нижнего рабочего в лазерном переходе уровня при достаточной тепловой заселенности верхнего рабочего уровня. В этом случае могут возникнуть каскадные переходы (/"+ )—>,/", ... (рис. 5.26). Понятно, что в возбужденном колебательном состоянии, когда с начала возбуждения до времени заметного развития релаксационных процессов вращательные уровни практически пусты, инверсия заселенностей осуществляется легче, чем в основном состоянии, когда при комнатных температурах имеет место существенное заселение вращательных уровней. По-видимому, большинство наблюденных к настоящему времени лазерных ДИК-нереходов относится к вращательным переходам в возбужденных колебательных состояниях. Встречаются, однако, лазерные переходы и в основном колебательном состоянии. Здесь следует заметить, что пока более или менее однозначно интерпретирована лишь малая доля всех реализованных лазерных ДИК переходов. Это объясняется прежде всего совершенно недостаточным знанием вращательных спектров и молекулярных констант для возбужденных колебательных состояний. Поэтому среди этих переходов в рассматриваемом диапазоне спектра вполне могут быть и колебательно-вра-щательные лазерные переходы между различными типами колебаний. [c.170]

Диоксид углерода — классическая активная среда уже реализованных лазеров нескольких диапазонов ИК-спектра (табл. 5.2), потенциальные возможности которой в этом отношении, вероятно, еще не исчерпаны [72]. Спектрально-люминесцентные свойства этой молекулы хорошо изучены, поэтому действие лазеров на СО2 с оптической накачкой как в этой, так и в некоторых других схемах уместно рассмотреть несколько подробнее. [c.179]

Рис. 5.6а иллюстрирует другую схему оптической накачки активной среды ИК-лазера, в которой возбуждается обертон какого-либо колебания, а генерация осуществляется на переходах между возбужденными уровнями того же колебания. Примером здесь служит лазер на молекулах серооксида углерода 0С5 [75—77]. Излучением СОг-лазера с длиной волны 9,57 мкм (переход Р 22) в полосе 00°1—02 0) возбуждается первый обертон деформационного колебания молекулы 0С5 на переходе (Уг = 0, /"=5)— —у..и=2, /=4) в полосе поглощения (00°0—02°0). Генерация возникает на колебательно-вращательных переходах С (4) и Р(5) [c.181]

В работе [58] подробно рассмотрена схема ИК-лазера, в которой оптическая накачка с возбуждением фундаментальных колебаний активных молекул и генерация излучения происходят ка переходах в одних и тех же колебательно-вращательных полосах. Если в системах вращательных уровней в основном и возбужденном колебательных состояниях быстро устанавливается термодинамическое равновесие и если можно пренебречь колебательной релаксацией возбужденных молекул за время действия импульса накачки, насыщающей переход с поглощением, то на переходах, более длинноволновых, чем возбуждаемый, может быть получена генерация ИК-излучения на новых частотах с квантовым к. п. д. т], очевидно, близким к 100%. Эта схема, по-видимому, пока не реализована для случая органических молекул. Результаты работы [78], в которой получена генерация излучения в этилене на переходах с длинами волн 10,98 и 10,53 мкм в той же колебательно-вращательной полосе, где молекулы возбуждались СОг-лазером (переходы 10,27 и 10,32 мкм соответственно), трактуются ее авторами совершенно с другой точки зрения. Однако работающий по этой схеме лазер на МНз [79] — самый эффективный и мощный лазер ИК-диапазона с оптической накачкой. Лазер генерирует излучение на нескольких переходах в колебательно-вращательной полосе моды 2 в области 11,5—13 мкм при накачке молекул в той же полосе поглощения излучением СОа-лазера (табл. 5.2). Его энергетический к. п. д. т]э в случае генерации одновременно на четырех линиях в диапазоне 12—12,8 мкм достигает 16%, а средняя мощность излучения при частоте повторения импульсов 100 Гц — очень высокого значения в 20 Вт [80], уже вполне достаточного для многих целей. [c.182]

При возбуждении фундаментальных колебаний молекул можно получить генерацию излучения на составных частотах. Эта схема была реализована в одной из первых работ [81], посвященных ИК-лазерам с оптической накачкой. Для прямого оптического возбуждения колебательно-вращательного перехода Р(20) моды л)з (полоса 00°0—00°1) (см. рис. 5.5) молекулы СОг был использован электроразрядный дискретно перестраиваемый лазер на [c.182]

Получение генерации в лазере на СОг с оптической накачкой в обычных диапазонах около 9,6 и 10,6 мкм (т. е. там, где эффективна генерация и в электроразрядных СОг-лазерах) и при обычных давлениях газа, когда невозможна непрерывная перестройка частоты генерации, конечно, не представляет большого практического интереса. Попытки получить генерацию излучения в других диапазонах спектра привели к разработке нового метода двойной оптической накачки [82], в котором излучение одного лазера накачки возбуждает какое-либо фундаментальное колебание молекулы, а излучение другого стимулирует радиационный переход молекулы с возбуждаемого первым лазером уровня на верхний рабочий уровень нужного лазерного перехода. В описанной выше схеме с накачкой уровня 00° 1 молекул СОг излучением в полосе 10 0—ОГО, а стимуляция перехода 00°1—02°0 (СОг-лазера с длиной волны 10,6 мкм может обеспечить необходимые условия для генерации излучения в диапазоне 14 мкм на переходах в полосе 10°0—ОГО, а стимуляция перехода 00°1—02°0 (СОг-ла-зер, 9,6 мкм) —генерацию вблизи 16 мкм в полосе 02°0—ОГО (см. рис. 5.5). Расчеты [83] показывают, что в последнем случае энергетический к. п. д. т)э 16 мкм-лазера может достигать 6,5% относительно поглощенной энергии излучения НВг-лазера. [c.183]

Рис. 5.4. Схема лазерной системы. Светлые кружки — верхнее состоянне излучающих частиц, а темные — нижнее состояние. Интенсивность нынужденного излучения нарастает с числом проходов в резонаторе между зеркалами а — полностью отражающее зеркало б — материал накачки в — частично прозрачное зеркало г—поток излучения. (Схема частично воспроизводит рисунок из работы Pimentel G. С., Sei. Am., 214(4), 32 (1966).)

Известен параметрический ЭПР-спектрометр с частотой накачки 700 Мгц и частотой сигнала 220 Мгц [79]. Как показано на блок-схеме этого спектрометра (фиг. 13.28), ампула с образцом установлена в катушке параметрического усилителя. Для регистрации сигнала на самописце (после усиления фильтрации и синхронного детектирования) используется генератор 1 кгц. Для визуального наблюдения сигнала служит генератор 100 гц. [c.529]

Впервые генерация излучения на красителе была получена в 1966 г. [48. Общую схему получения спектрально узкого и перестраиваемого по длине волны излучения можно рассмотреть на примере широко распространённого генератора с решёткой в скользящем падении. На кювету, содержащую краситель, направляется сфокусированный луч накачки (рис. 8.2.33). Флуоресцентное излучение красителя проходит через дисперсионные элементы резонатора и возвращается обратно. Однако возвращается только малая часть всего спектра люминесценции красителя, которая определяется углами взаимного расположения кюветы, дифракционной решётки и 100% зеркала. Это излучение усиливается в кювете и снова возвращается в резонатор. В результате многократных проходов всё большая часть люминесценции за счёт индуцированного излучения переходит в лазерное излучение. Так формируется импульс выходного излучения с весьма узкой спектральной шириной. [c.421]

Рис. 9.8. Схема лазерного усилителя на красителе (показано пересечение лучей лазера на красителе (1) и лазера накачки (2) в усилительном канале)

Для лазерной накачки рассматривались два лазера на парах меди и на хлориде ксенона. Лучше разработан лазер на парах меди, но лазер па хлориде ксенона потенциально более дешевый. Лазеры накачки генерируют свет, питающий энергией второй лазер, который испускает свет, используемый в разделительном процессе. В такой схеме разделены требования по КПД и точности по длине волны. Вторая система состоит из лазеров на красителях (рис. 9.8), которые преобразуют свет лазеров накачки в технологический свет она является точно настраиваемой и надежной. Лазеры на красителях эффективно преобразуют зеленый и желтый свет в точно настроенный красный, соответствующий линиям поглощения атомов урана. Лазеры на красителях, применяемые для обогащения урана, представляют собой компактные трехосные установки, в которых свет лазера накачки, движущийся поток красителя и пучок лазера на красителях пересекаются в небольшом канале потока. Свет лазера накачки преобразуется в свет лазера на красителях, усиливая тем самым пучок последнего. [c.478]

Схема энергетических уровней рубина показана на рис. 68. Полоса поглощения 5500 А, отвечающая возбуждению уровня 5ь сравнительно широка, что благоприятствует эффективной накачке при помощи интенсивного источника света. Время жизни состояния 5, по отношению к излучению очень мало (менее 10 сек) нижеследующее состояние (дублетное) имеет время жизни около 10 сек, что и обеспечивает появление вынужденного излучения света с длиной волны 6943 А. [c.300]

Источником накачки служит спиральная импульсная лампа, в которую помещают рубиновый стержень (рис. 54). Лампа работает в импульсном режиме, электрическая схема ее питания аналогична схеме импульсной искры. Режим работы лампы можно в некоторых пределах изменять, увеличивая или уменьшая энергию и продолжительность отдельных импульсов. Импульсный режим накачки используется потому, что только часть энергии идет на создание заселенности уровней, а остальная энергия идет на нагрев рубинового стержня. При сильном нагреве кристалл рубина может потерять оптическую однородность и нужные для лазера качества. [c.103]

Основными источниками питания генераторов являются промышленная сеть переменного тока или специальные преобразователи постоянного тока. Напряжение этих первичных источников служит для зарядки батарей конденсаторов, разряд которых используется для зажигания ламп накачки. Все эти элементы системы возбуждения объединяют в электрическую схему генератора. [c.79]

Схема работает следующим образом. При включении переключателя К в положение 1 напряжение от сети подается на трансформаторы Тр1 и Тр2. Со вторичных обмоток этих трансформаторов напряжение подводится к выпрямителям. Выпрямленное напряжение заряжает конденсаторы С1 и С2. При этом конденсатор С/ подключен к лампам накачки. После этого переключением переключателя К в положение 2 осуществляется запуск схемы. В этот момент силовые трансформаторы Тр1 и Тр2 отключаются от сети, а конденсатор С2 разряжается через трансформатор ТрЗ, с вторичной обмотки которого на запускающий электрод лампы подается импульс тока напряжением до 40 /се, вызывающий ионизацию газа в лампе накачки. Внутреннее сопротивление лампы резко падает и через нее разряжается конденсатор С1, вызывая мощный световой импульс. Этим импульсом обеспечивается возбуждение атомов хрома в кристалле рубина. Для получения новой вспышки необходимо снова зарядить конденсаторы. [c.80]

Рис. 1.10. Схемы оптической накачки.

Принцип действия ИК-лазеров с оптической накачкой и основные схемы накачки активной среды и генерации излучения в них рассмотрели Голгер и Летохов [58]. В одной из этих схем, пока наиболее часто используемой, накачка осуществляется в полосе поглощения, соответствующей какому-либо составному колебанию молекулы, а генерация — на переходах между возбужденными колебательными уровнями. Примером, иллюстрирующим ее, может служить лазер на молекулах тетрафторметана, С 4. [c.177]

Многоквантовое ИК-поглощение дает уникальный способ получения высокой степени внутреннего возбуждения молекул, обеспечивая новые экспериментальные методы для исследования мономолекулярной диссоциации. К тому же при ИКМКД продукты обычно образуются в основном электронном состоянии, что не всегда обеспечивается стандартной однофотонной диссоциацией под действием ультрафиолетового или видимого излучения. Продукты, образующиеся при ИКМКД, схожи с получаемыми при термической диссоциации или пиролизе, однако при этом нет необходимости нагревать весь образец до высоких температур. Этот метод привлек особое внимание теми возможностями, которые можно реализовать в изотопно-селективной химии. Во многих экспериментах показана решающая роль нескольких первых дискретных стадий поглощения во всей схеме возбуждения. Так как изотопный сдвиг в колебательных спектрах может быть относительно велик, то существует возможность селективно диссоциировать частицы, содержащие выбранный изотоп, настроив лазер на соответствующий переход v = l- v = 0. Двухчастотные эксперименты продемонстрировали, что маломощный, но имеющий узкую линию лазер может быть использован для прохождения первых уровней области I, тогда как мощный лазер, частота излучения которого часто несущественна, обеспечивает возбуждение молекулы в области И и последующую диссоциацию. Например, диссоциация UFe осуществляется накачкой полосы V3 (615 см- ) излучением маломощного лазера и использованием более мощного СОг-лазера, облучение которым само по себе не приводит к диссоциации. Потенциальные применения лазерных методов разделения изотопов очевидны они дополняют стандартные методы, представленные в разд. 8.10. [c.78]

Рис. 5 Пршщипиальная схема энергетич уровней рубина Стрелками вверх указано поглощение энергии накачки Луз , стрелками вниз-безызлучат переходы Двойная линия лазерный переход иа частоте Уз,

Мощное узкополосное ДИК-излучение (в данном случае с Агг 30+60 МГц) может быть получено путем использования схемы генератор плюс усилитель [19—21]. В настоящее время разработаны узкополосные импульсные ДИК-лазеры на фторметане с выходной мощностью на уровне мегаватт [22—24]. В работах [20,25] продемонстрирована возможность плавной перестройки частоты узкой линии генерации (30+60 МГц) с длинами волн 496 мкм на 200+460 МГц [20, 25] и 452 мкм на - 350 МГц 20] с помощью соответствующего изменения длины резонатора. Лроблема получения достаточно интенсивного ДИК-излучення, плавно перестраиваемого по частоте в значительно больших пределах, будет, несомненно, решаться и путем развития методов генерации суммарных и разностных частот лри смешении излучения ДИК-лазера и источника перестраиваемого по частоте микроволнового излучения, например, клистрона. Уже сейчас в таких схемах получено ДИК-излучение, перестраиваемое по частоте на десятки ГГц [26, 27]. Что касается дискретной перестройки (генерация на различных переходах), то и в этом и в других ДИК-лазерах она часто обеспечивается перестройкой длины волны излучения лазера накачки. [c.173]

Др. схема оптич. накачки основана на том, что при поглощении широкополосного спектра излучения происходит фотолиз молекул с появлением радикалов и возбужденных атомов, последние и образуют активную среду Л. Напр., при фотолизе молекулы СдР, под действием УФ излучения с длшюй волны 200-250 нм возникает возбужденный атом I в состоянии [c.563]

Необходимым условиям ВРЛС удовлетворяют лазеры со следующими активными средами стекло, активированное неодимом растворы органических красителей щелочно-галоге-нидные кристаллы с центрами окраски кристаллы типа Т1 сапфир и др. Применяют лазеры, работающие как в импульсном, так и в непрерывном режимах. При работе в импульсном режиме удобно пользоваться ламповой накачкой, которая обеспечивает большое время генерации. Непрерывная генерация лазеров на красителях осуществляется с применением для накачки ионных аргоновых и криптоновых лазеров. Типичная схема установки показана на рис. 5.2. Наиболее часто метод ВРЛС применяют для исследований в статическом реакторе в сочетании с импульсным фотолизом. Характеристики ВРЛС даны в табл. 5.2. [c.119]

Получение ксантин-9-карбоновой-С кислоты подробно описано в работе Накаи [7] приведена схема прибора, приспособленного для встряхивания вручную. Реакция обмена галоида на металл проводилась при нагревании с обратным холодильником В течение 30 мин. 2,0 г ксантина и 12,5 жмоля бутиллития. Кар- [c.446]

Рис. 4.5.1. а — схема основного эксперимента по кросс-поляризации во вращающейся системе координат после (т/2)х-импульса намагниченность распространенных ядер I (т. е. протонов) захватывается вследствие спин-локинга полем Вц вдоль оси у, и при наложении поля Ди, такого, что выполняется соотношение Хартманна — Хана [равенство (4.5.15)], поляризация переносится к редким спинам 5 (например, к углероду-13, азоту-15 и т. п.) во время наблюдения спада сигнала свободной индукции возможна развязка от протонов б — схема с многократными контактами спад сигнала свободной индукции наблюдается многократно в ходе повторяющейся накачки кросс-поляризацией в — косвенная регистрация прецессии спинов 5 по спаду намагниченности спинов / [4.176] г — схема для измерения и Т д — остаточная намагниченность спинов 7, которая остается запертой, после эксперимента может быть возвращена на ось г востанавливающим импульсом [4.184] е — использование кросс-поляризации в качестве процесса смешивания в гетероядерной двумерной корреляционной спектроскопии. [c.232]

Рис. 2. Схема импульсной обработки материалов аучками света от твердотельного лазера I генератор излучения (а — непрозрачное зеркало б — импульсная лампа накачки кристалл рубина или стекла о неодимом г— полупрозрачное зеркало в—> яуч лазера) 2 источник питания а— поворотное зеркало 4 — фокусирующая система обрабатываемое изделие в стол о механизмом перемещения.

В очень малых объемах и получать большие плотности излучения. Это дает возможность проводить анализ по спектрам комбинационного рассеяния с очень малыми количествами веществ— до 10 г. Различные способы построения лазерных спектрометров для анализа по спектрам комбинационного рассеяния описаны в работе [15.9]. Схема одного из таких спектрометров показана на рис. 15.2. Он приспособлен для изучения спектров рассеяния газов, кристаллов и жидкостей. Спектр комбинационного рассеяния исследуется с помощью двойного термостатированного монохроматора. В качестве источника накачки применяется Не — Ке лазер мощностью 50 мет с длиной волны излучения 6328 А- Возможно использование других лазеров, например, аргонового (А, = 4880 А и = 5145 А). На рис. 15.3 представлен спектр комбинационного рассеяния циклопептана, полученный на этом приборе. [c.379]

Большинство ранних работ из числа цитированных в конце главы содержит описание прототипных схем. Более подробные сведения о современной аппаратуре ЯМР следует искать в книгах по ядерному резонансу [149—151]. В [152] проведено изучение неоднородного уширения сигналов / -цептров в КС1 [153—156] путем насьщепия в одной точке резонанса и измерения интенсивности при небольшом уровне мощности в соседних точках. Цилиндрический резонатор с образцом был настроен на две ортогональные моды ГМцо с частотами накачки и детектирования. На фиг. 10.15 представлена блок-схема этого спектрометра, а на фиг. 10.16 — детали его резонатора. Аналогичное исследование по двойному резонансу с частотой накачки 3,9 Ггц и частотой [c.362]

Рис. 9.7. Принципиальная схема метода AVLIS 1, 4 коллекторы сбора урана, обогащенного и обедненного по нуклиду U-235 2 — лазер на красителе и лазер накачки на парах меди 3 — лазерный усилитель на красителе 5 — лазерный луч 6 — пары урана 7 — электронно-лучевой испаритель

Интересный путь интенсификации процесса электросинтеза гидроксиламина состоит в применении поверхностно-текучего ртутного катода [449, 455J, схема которого представлена на рис. 65 [455]. Стеклянная трубка 1 погружена в ртутный катод 2 на 0,5—3 мм. Исходный раствор (85 г/л NaNOg и 110 г/л НС1), находящийся в трубке 1, отделен от анода 3 диафрагмой 4. При электролизе на рабочей поверхности катода — ртути, находящейся в трубке 1, возникает ее интенсивное движение от центра к периферии, вызываемое неравномерной поляризацией ртути в трубке. Движение ртути перемещает слои раствора, прилегающие к катоду, и выносит раствор из-под трубки на внешнюю поверхность ртути, с которой раствор, содержащий готовый продукт, сливается через штуцер 5. Авторы данной конструкции утверждают, что гидроксиламин может быть получен с выходом по току около 90% при очень высокой катодной плотности тока — до 50 кА/м [449]. При этом в конечном растворе накаили-вается до 100 г/л гидроксиламина при содержании свободной кислоты 70—110 г/л. [c.140]

Рис. 1.29. Схема устройства Блюмлянна для накачки азотного или водородного лазера.

Справочник химика 21

Химия и химическая технология