Перемешивание рост кристаллов

Нойес и Уитни нашли, что скорость растворения кристаллов определяется диффузией из насыщенного слоя, находящегося на поверхности, в глубь раствора. Различные попытки описать скорость роста кристалла с помощью механизма обратной диффузии оказались в общем безуспешными. Марк тщательно исследовавший процесс роста кристаллов, показал, что в большинстве случаев это процесс второго порядка, а не первого, как того требует диффузионный механизм. По достижении некоторой определенной скорости перемешивания, скорость роста кристаллов становится независимой от скорости перемешивания. Рост кристаллов часто задерживается или совсем подавляется вследствие адсорбции красителей, тогда как на скорость растворения они не оказывают заметного влияния. Это указывает, что какой-то другой фактор, а не диффузия, решающим образом определяет скорость роста кристаллов. [c.157]

Горячий водный раствор вещества X непрерывно поступает в реактор смешения, снабженный холодильником. Интенсивность перемешивания достаточна, для того чтобы получающиеся в результате кристаллы были невелики и концентрация их была одинаковой во всем объеме реакционной смеси и на выходе из аппарата. В аппарате поддерживают стационарное пересыщение и постоянную температуру. Кристаллы зарождаются спонтанно, и скорость кристаллообразования зависит только от степени пересыщения и от температуры. Скорость роста кристаллов, которые с некоторым приближением можно рассматривать как сферические, также зависит только от степени пересыщения и температуры. В частности, линейная скорость роста кристаллов в направлении, перпендикулярном к их поверхности, не зависит от размера кристаллов. [c.132]

Наиболее благоприятные условия для правильного роста кристаллов возникают при постоянном перемешивании содержимого кристаллизатора [c.117]

В случае медленного прибавления по каплям второго растворителя при интенсивном перемешивании создаются условия для равномерного роста кристаллов. Такой метод осаждения, по существу, является разновидностью кристаллизации и обеспечивает высокоэффективную очистку. Основное вещество, так же как и при упаривании, может быть выделено полностью в виде фракций кристаллов различной степени очистки. Чтобы получить хорошие кристаллы, растворитель добавляют по каплям иногда несколько часов, поэтому перемешивание проводят не вручную, а с помощью электромотора растворитель добавляют из капельной воронки. [c.120]

Одним из основных вопросов, решаемых при расчете кристаллизаторов, является описание кинетики кристаллизации, состоящей из стадий создания пересыщения, -образований зародышей и роста кристаллов. Она также зависит от перекристаллизации осадка, коалесценции и дробления кристаллов в результате столкновения между собой и со стенками аппарата. На кинетику массовой кристаллизации существенно влияют температура, степень пересыщения раствора, перемешивание, наличие примесей, физикохимические свойства раствора, конструкция аппарата и т. д. Детальное описание явлений и факторов, сопровождающих процессы массовой кристаллизации из растворов и газовых смесей, дано в монографии [17]. Важное значение имеет также описание условий равновесия между сосуществующими фазами (твердое вещество—жидкость, твердое вещество—газ (пар)). На основании условий фазового равновесия в первом приближении возможен выбор необходимого растворителя для процессов кристаллизации, а также перекристаллизации. [c.90]

Проведенные исследования подтверждают гипотезы, положенные в основу модели кристаллизации (3.250) —(3.254), (3.255) — (3.257) 1) рост кристаллов происходит в диффузионной области из-за сильного влияния перемешивания 2) вторичные центры образуются за счет истирания кристаллов несущей фазы в зависимости от критерия Вебера 3) явления дробления и агрегации отсутствуют. [c.314]

Как показывают опытные данные, при кристаллизации из чистой жидкости скорость роста кристаллов при температуре равновесия между фазами равна нулю и увеличивается по мере понижения температуры до некоторого предела. При значительной теплоте отвердевания и при малой теплопроводности вещества выделяющаяся теплота способствует установлению на поверхности раздела температуры равновесия, и только отвод теплоты от системы приводит к одностороннему течению процесса. Чем больше скорость этого отвода теплоты, тем больше, до известного предела, и скорость кристаллизации. Если теплопроводность материала невелика, то процесс может тормозиться недостаточной скоростью передачи теплоты от поверхности соприкосновения фаз к источнику охлаждения. В таких системах перемешивание жидкости, [c.487]

При исследованиях реакторов из уравнения (V. 1) вычисляют к. Для процесса кристаллизации к определяется скоростью реакции между компонентами раствора (скоростью зарождения кристаллов) и скоростью роста кристаллов, зависящей от температуры и степени перемешивания. От температуры и интенсивности перемешивания зависят, в частности, размеры выпадающих кристаллов и возможность их выделения из раствора фильтрованием или другими способами. В реакторах периодического действия концентрации реагентов изменяются во времени [см. уравнение (11.42)], также как и в проточных аппаратах вытеснения по вы- [c.192]

Образование зародышей может происходить путем самопроизвольной кристаллизации. При этом оба процесса (образование зародышей и рост кристаллов) протекают одновременно. Если скорость образования зародышей больше скорости их поста, получается большое количество мелких кристаллов. Если же скорость роста больше скорости образования зародышей, получается меньшее количество крупных кристаллов. Изменяя факторы, влияющие на скорость образования зародышей и скорость их роста, можно регулировать размеры кристаллов. Быстрое охлаждение, перемешивание раствора, высокая температура и низкий молекулярный вес кристаллов способствуют образованию зародышей и получению мелких кристаллов. Наоборот, медленное охлаждение, неподвижность раствора, низкая температура и высокий молекулярный вес способствуют процессу роста и получению крупных кристаллов. [c.513]

Ответственной стадией процесса является охлаждение мыльно-масляного расплава. Изменяя скорость охлаждения, можно значительно воздействовать на структуру, а следовательно, и на свойства смазок. Кристаллизация мыла, протекающая при охлаждении расплава, сопровождается образованием центров кристаллизации, ростом кристаллов и связыванием их друг с другом с образованием структурного каркаса смазки. В зависимости от типа и требуемого качества смазки охлаждение можно проводить с постоянным понижением температуры (медленно) или при резком перепаде температур (быстро) как в динамических, так и в статических условиях. При медленном охлаждении смазки в покое или перемешивании образуются крупные мыльные волокна, быстрое охлаждение способствует образованию мелких волокон. [c.255]

Интенсивное перемешивание в условиях псевдоожижения увеличивает скорость подачи материала путем диффузии его к граням растущих кристаллов, что ускоряет их рост. При этом быстро уменьшается степень пересыщения раствора. При больших скоростях раствора, как известно, увеличивается скорость образования зародышей это может привести к снижению размеров кристаллов. При одинаковых температурах и гидродинамических условиях с уменьшением степени пересыщения скорость роста кристаллов возрастает в большей степени, чем скорость образования зародышей. Обычно таким способом осуществляют кристаллизацию относительно слабо пересыщенных растворов вблизи нижней границы метастабильной области, регулируя степень пересыщения, температуру. [c.642]

Таким образом, скорость роста кристаллов пропорциональна абсолютной величине пересыщения. Для образования крупнокристаллических осадков скорость роста кристаллов должна быть значительно больше, чем скорость зародышеобразования. Этому способствует перемешивание, которое, с одной стороны,. предотвраш,ает локальное обеднение раствора, окружающего [c.201]

Созревание по Оствальду представляет собой упорядочение роста кристаллов больших размеров при одновременном растворении мелких кристаллов. Это представление является классической концепцией старения осадков. Согласно последним исследованиям, такой механизм старения не является столь общим, как предполагалось ранее, поскольку установлено, что скорость старения многих малорастворимых осадков не зависит от перемешивания. Интенсивное созревание происходит в случае осадков бромида серебра в бромидных растворах и коллоидных осадков хлорида серебра. Поэтому можно принять, что такой механизм старения верен в случае довольно хорошо растворимых осадков. [c.207]

Для получения крупнокристаллических осадков осаждение необходимо вести из нагретых разбавленных растворов в присутствии посторонних солей, медленно добавляя осадитель при перемешивании. Затем осадок настаивается. При настаивании происходит рост кристаллов, так как мелкие кристаллы имеют большую растворимость, чем крупные, и поэтому растворяются, а крупные за счет этого растут. [c.41]

Скорость вращения суспензии при кристаллизации (в результате механического воздействия мешалки) является одним из важнейших факторов, определяющих размер получаемых кристаллов (см. также гл. 9). Обработка данных (табл. 4.7) для одной и той же мешалки [128] с учетом Уо, Л и фа показывает, что уменьшение размеров кристаллов при усилении перемешивания наблюдается для тех веществ, которые в растворе характеризуются меньшим коэффициентом активности, а твердая соль — большим структурным показателем. Кроме того, значение фц становится больше, а Ата, наоборот, уменьшается. При исследовании влияния перемешивания на кристаллизацию до сих пор уделяли внимание главным образом частоте вращения мешалки, без учета указанных физико-химических характеристик раствора и твердого вещества. Согласно [202], имеется взаимосвязь между линейной скоростью роста кристалла, интенсивностью перемешивания и рядом таких физических характеристик раствора и растущего кристалла, как коэффициент диффузии О, вязкость т), плотность раствора рр и твердой фазы р. . [c.110]

Рост кристаллов ири перемешивании также ускоряется, но в меньшей мере, чем образование зародышей. Скорость обтекания при малых размерах кристаллов незначительно возрастает с ускорением перемешивания и лишь до определенного предела. Некоторое ускорение роста кристаллов при перемешивании не может компенсировать уменьшение их размеров вследствие ускорения образования зародышей. [c.249]

Для получения высокодисперсной системы необходимо, чтобы скорость образования зародышей намного превышала скорость роста кристаллов. Практически это достигается путем вливания концентрированного раствора одного компонента в очень разбавленный раствор другого при сильном перемешивании. Наоборот, уменьшение числа зародышей (в условиях минимального пересыщения) приводит к росту больщих монокристаллов. К сожалению, в земных условиях этот медленный рост нарушается конвективными потоками жидкости вдоль поверхности кристалла, связанными с действием силы тяжести на слои различной плотности. Эксперименты, проведенные советскими учеными в Космосе, позволили получить совершенные монокристаллы (практически лишенные дефектов), используемые для изготовления полупроводниковых устройств и других современных приборов. [c.25]

Опыт 35.4. Каплю исследуемого раствора поместить на предметное стекло. На горелке осторожно упарить ее досуха. Рядом поместить каплю уксуснокислого раствора уранилацетата и02(СНзСОО)2 и стеклянной палочкой привести в соприкосновение с сухим остатком. В присутствии ионов Ыа+ образуются характерные бледно-желтые кристаллы двойной соли натрий-уранилацетата в виде тетраэдров или октаэдров (рис. 101). Перемешивание и потирание стеклянной палочкой ускоряют рост кристаллов. Через 2—3 мин после смешения рассмотреть их под микроскопом. Уравнение реакции [c.279]

Но, как отмечалось выше, рост кристаллов зависит от того, как быстро происходит перемещение кристаллизуемого продукта из раствора непосредственно к граням кристаллических центров. Поэтому для ускорения кристаллизации необходимо либо искусственно уменьшить длину пути к центрам кристаллизации, либо создать путем перемешивания интенсивные токи жидкости. [c.642]

Перемешивание раствора уменьшает размер кристаллов, поскольку скорость образования зародышей при интенсивном перемешивании, видимо, увеличивается быстрее, чем скорость роста кристаллов. Кроме того, интенсивное перемешивание может приводить к заметному истиранию кристаллов, что уменьшает их размеры н обусловливает появление дополнительных центров кристаллизации, Дробление кристаллов при интенсивной циркуляции рас- [c.140]

При анализе массовой кристаллизации кинетические характеристики процесса — скорость роста линейного размера кристаллов к и скорость образования зародышей / — полагаются известными как некоторые функциональные зависимости от определяющих параметров. Так, скорость роста в общем случае считается зависящей от пересыщения раствора и размера кристалла dr/dx = Я(со, г), а скорость образования зародышей — от пересыщения раствора /(ш). Обычно зависимость X от а обусловливается скоростью процесса собственно кристаллизации на гранях кристалла, а зависимость скорости роста от размера кристалла следует из характера сопротивления диффузионному переносу вещества от раствора к поверхности. Интенсивность перемешивания раствора и некоторые другие факторы, влияющие на кинетику образования и роста кристаллов, считаются неизменными. [c.141]

Б заключение анализа массовой кристаллизации отметим, что большинство имеющихся решений основано на предположении о полном перемешивании кристаллизующегося объема вещества. Кинетика линейного роста кристаллов и интенсивность образования зародышей минимального размера полагаются известными. Эффекты истирания и дробления кристаллов и их агрегация считаются отсутствующими. [c.157]

Широкое распространение в промышленности получили разнообразные по конструкции объемные кристаллизаторы с псевдоожиженным слоем кристаллов. Интенсивное перемешивание при псевдоожижении увеличивает массоперенос, что приводит к ускорению роста кристаллов. Степень пересыщения раствора при этом достаточно быстро снижается. Если температуры и гидродинамические условия одинаковы, то в этом случае с уменьшением степени пересыщения раствора скорость роста кристаллов увеличивается быстрее, чем скорость образования зародышей. Поэтому метод псевдоожижения применяют для кристаллизации относительно слабо пересыщенных растворов вблизи границы метастабильной области. При этом необходимо регулировать степень пересыщения, температуру, время пребывания кристаллов в аппарате. Более крупные кристаллы быстрее осаждаются на дно, а кристаллы меньших размеров продолжают расти в псевдоожиженном слое. Тем самым в кристаллизаторах с псевдоожиженным слоем кристаллов возможно регулирование их размеров. [c.306]

Образующиеся при нейтрализации кристаллы сульфата кальция чрезвычайно малы. Для того чтобы эти кристаллы можно было удалить из щелока, их необходимо довести до размеров, соответствующих эквивалентному радиусу не менее 10— 20 мкм. Протекающее во времени созревание кристаллов ускоряют механическим воздействием — перемешиванием щелока с помощью мешалки или воздуха, а также созданием центров кристаллизации путем введения в количестве 0,1—0,15 кг/м щелока свежеприготовленных затравочных кристаллов сульфата кальция (приготовление затравки, применяемой и для предотвращения отложения минеральной накипи в теплопередающих аппаратах, описывается в гл. 9). Следует учитывать, что затравка проявляет активность лишь в период роста кристаллов, завершающегося за 5—6 ч, после чего она представляет собой обычный шлам. Операцию созревания кристаллов выполняют в емкости, получившей название выдерживателя. [c.255]

После перемешивания для лучшего роста кристаллов осадок удаляют отстаиванием и фильтрацией. Фильтровальную лепешку высушивают и прокаливают. При прокаливании сульфита цинка выделяется газ, содержащий 70% воды и 30% ЗОз, который охлаждением, сушкой и сжатием может перерабатываться для получения почти чистого ЗОз в качестве товарного жидкого продукта. Окись цинка, образующаяся при прокаливании, снова возвращается в процесс. Как в большинстве других процессов выделения из дымовых газов, некоторые осложнения вызываются окислением 30 до серного ангидрида. [c.164]

Превращение центров кристаллизации в более крупные частицы происходит, в основном, за счет диффузии вещества к поверхности и последующего осаждения. Если бы скорость диффузии в растворе была лимитирующей стадией, то скорость роста кристаллов (за исключением тех случаев, когда имеет место высокая степень пересыщения), была бы выше, чем обычно наблюдается. Марк [33], тщательно исследовавший процесс роста кристаллов, показал, что в большинстве случаев этот процесс второго порядка, а не первого, как это соответствует диффузионному механизму. По достижении некоторой определенной скорости перемешивания, скорость роста кристаллов становится независимой от скорости перемешивания. Рост кристаллов часто задерживается или совсем подавляется вследствие адсорбции на них красителей, тогда как на скорость растворения они не оказывают заметного влияния. Это указывает, что какой-то другой фактор, а не диффузия, решающим образом определяет скорость роста кристаллов, особенно в случае мелких частиц, для которых характерно наивысшее значение диффузионного потока. Скорость потери молекул растворителя сольва-тированными ионами ряда металлов намного меньше, чем скорость диффузии [34], и высвобождение растворителя может стать фактором, контролирующим скорость роста. При завершении роста кристаллов диффузия, которая, безусловно, всегда играет какую-то роль, может оказаться определяющим фактором [35. Если в растворе присутствуют посторонние вещества, индукционный период, скорость роста кристаллов и даже форма кристаллов могут измениться. Например, добавление желатина при осаждении сульфата бария значительно удлиняет индукционный период и снижает скорость роста кристаллов. Дейвис и Нанколлас [36] обнаружили, что многие органические вещества, например бензоат калия, даже при низких концентрациях уменьшают скорость перекристаллизации хлорида серебра. Эозин может вообще предотвратить рост кристаллов. [c.168]

Скорость осаждения кристаллов зависит от скорости охлаждения топлива, интенсивности его перемешивания, сонцентрации парафиновых углеводородов в топливе, его вязкости и наличия в нем поверхностно-активных веществ [17]. Поверхностно-активные вещества (депрессорные присадки, серу- и кислородсодержащие соединения) препятствуют росту кристаллов парафиновых углеводородов и увеличивают разрыв между температурами начала кристаллизации и застывания. [c.31]

В качестве примера рассмотрим процесс кристаллизации в многоступенчатом реакторе смешения, в котором раствор поступает на первую ступень и в каждой ступени которого степень перемешивания достаточна для поддержания кристаллов в суспензированном состоянии. В алпаратах реактора могут иметь место два различных процесса возникновение зародышей и рост зародышей, приводящий к образованию кристаллов значительных размеров. Отсюда следует, что суспензированное в жидкости кристаллическое вещество на выходе из -й ступени кристаллизатора состоит из кристаллов, образо1вавшихся в данной ступени, и кристаллов, которые образовались в предыдущих ступенях, а в -й ступени лишь росли. Учитывая эти факторы и используя соответствующие выражения для скорости зарождения и роста кристаллов, можно теоретически айти распределе- [c.117]

Кристаллизаторы депарафинизационных установок предназначены для проведения процесса кристаллизации компонентов масляных фракций из охлажденных растворов (рафинатов и гачей) в избирательных полярных и неполярных растворителях при прохождении через них с различными скоростями. Для получения и роста кристаллов необходимо обеспечить перемешивание раствора и оптимальный тепловой и гидродинамический режим. Перемешивание и охлаждение раствора улучшает диффузию кристаллизующегося вещества к поверхности кристалла и ускоряет его рост. Одновременно с этим происходит выравнивание температуры раствора в объеме и на поверхностях охлаждения. Ввиду более низкой температуры поверхностей охлаждения на них усиленно идет зародышеобразование и рост кристаллов, которые снижают эффективность теплообмена. Образующиеся отложения кристаллов на внутренних поверхностях трубчатых теплопередающих устройств снимают скребковыми устройствами, вращающимися внутри труб с небольшой частотой. [c.379]

Характер кристаллизации парафинов (церезинов) при охлаждении топлив и масел зависит от скорости зарождения кристаллизационных центров н скорости рост.з кристаллов. Чем ниже температура, тем выще скорость зарождения центров кристаллизации, но меньше скорость роста кристаллов. Поэтому обычно при относительно высоких температурах образуется небольшое число крупных кристаллов, а при низких темпеэатурах— много мелких. Кроме того, на кристаллизацию оказывают Е лияние свойства кристаллизующихся компонентов (температура и теплота плавления) и среды (вязкость) их растворимость в данной нефтяной фракции наличие в составе нефтепродукта поверхностно-активных веществ и различных примесей скорость охлаждения нефтепродукта, степень перемешивания и разность между температурой нефтепродукта и температурой насыщения. [c.52]

Для получения высокодисперсной промывочной жидкости таким способом необходимо, чтобы раствор был пересыщенным по выделяемой фазе, и в нем надо создать условия, обеспечивающие одновременное возникновение огромного числа зародышей дисперсной фазы. При этом скорость образования зародышей должна быть намного больше скорости роста кристаллов. Практически это достигается путем введения химических реагентов (КМЦ, крахмала, КССБ и др.) при сильном перемешивании. Происходит не только достижение требуемой дисперсности, но и закрепление этого состояния, стабилизация системы. [c.41]

Скоросуь роста кристаллов зависит от большого числа факторов, из которых важнейшими являются вязкость среды, скорость охлаждения, интенсивность перемешивания, концентрация кристаллизующегося вещества, растворимость и свойства данного вещества и др. [c.226]

Температура электролита. Повыщение температуры электролита так же, как и перемешивание, способствует интенсификации процесса электроосаждения металлов. При нагревании электролита возрастают катодный и анодный выходы по току (устраняется пассивирование анодов), увеличивается растворимость солей металлов и электропроводимость растворов, улучшается качество осадков вследствие снижения внутренних напряжений. В ряде случаев при комнатной температуре компактные, доброкачественные осадкк вообще не образуются-(станнатные) или качество осадюв существенно ухудшается (пирофосфатные электролиты), поэтому электролиты нагревают до 50—80°С. При этом появляется возможность работать при более высоких плотностях тока. Вместе с повышением температуры обычно снижается катодная поляризация, а в этих условиях скорость роста кристаллов преобладает над скоростью возникновения активных, растущих кристаллов, что должно приводить к образованию крупнозернистых и более пористых осадков, В то же время в горячих электролитах можно значительно увеличить допустимую плотность тока и как бы нейтрализовать отрицательное влияние температуры на структуру осадков. [c.252]

В промышленных кристаллизаторах непрерывного действия образование и рост кристаллов происходят одиовремепно. Относительные скорости образования и роста определяют распределение получаемых кристаллов по размерам. Данные об этих скоростях, пригодные для проектных расчетов, практически отсутствуют. Однако детальное рассмотрение процесса позволяет сделать некоторые выводы, подтвержденные опытом эксплуатации промышленных кристаллизаторов. При низких степенях пересыщення растворов рост кристаллов преобладает над их образованием и поэтому получаются крупные кристаллы. При высоких степенях пересыщения существует обратная зависимость и получаются мелкие кристаллы. Как правило, для получения крупных кристаллов требуется низкая степень пересыщения, так как в противном случае независимо от типа применяемого оборудования и режима работы образуется слишком большое число ядер кристаллизации. Это неизбежно ведет к снижению производительности кристаллизаторов и необходимости в круппогабаритном оборудовании. Следовательно, задача сводится к достижению максимальной ироиз-водительности кристаллизаторов, совместимой с низкой скоростью образования ядер кристаллизации. Тип применяемого кристаллизационного оборудования, скорость перемешивания, температурный градиент, вязкость жидкой фазы й другие факторы определяют в весьма сложной форме степень пересыщения, которая допустима при необходимости получения крупных кристаллов. Однако оптимальный режим, требуемый для получения кристаллов заданных размеров, может быть выбран только па основе производственного опыта. [c.70]

Явления агрегирования и измельчения тпердой фазы, а также процессы ее рекристаллизации зависят п значительной мере от иЕ тенсивности перемешивания раствора в процессе кристаллизации. От этого зависит также скорость образования кристаллических зародышей и роста кристаллов. Преимущеетвеиное влияние того или ииого фактора в сложных явлениях выделения твердой фазы из растворов зависит от метода и условий проведении процесса кристаллизации. [c.94]

Аппарат полного перемешивания. В процессе непрерывной работы кристаллизатора объем раствора, в котором происходит зарождение и рост кристаллов, температура суспензии, общее количество кристаллов в аппарате и пересыщение раствора остаются постоянными. При интенсивном перемешивании и отсутствии классификации кристаллов составы выгрз жаемого продукта и суспензии в аппарате одинаковы. [c.148]

Величина eje называется степенью пересыщения. На стадии роста кристаллов происходит образование крупных кристаллов за счет массообмена с жидкой фазой. Стадии образования зародышей и роста кристаллов могут проходить быстрее при увеличении степени пересьпцения, при более высокой температуре, при интенсивном перемешивании и добавке нерастворимых твердых частиц ( затравки ). [c.297]

Зависимость v = f (AT) по этому уравнению имеет экстремальный характер максимальная скорость роста достигается при определенном переохлаждении (рис. XV-3, б). Как показали экспериментальные исследования, последнее уравнение лишь качественно подтверждается, так как оно не учитывает ряда факторов, влияющих в реальных условиях на скорость роста кристаллов (перемешивание исходной фазы, наличие в ней примесей и др.). Заметим, что скорости роста кристаллов разных веществ могут сильно различаться. Так, например, для глицерина Умако == = 0,11 мм/мин, а для бутилфенола 1117 мм/мин. [c.687]

Перемешивание раствора интенсифицирует диффузию кристаллизующегося вещества к поверхности кристалла и ускоряет его рост. Это, однако, справедливо до тех пор, пока в результате перемешивания удаление блоков с поверхности кристалла не превышает эффекта ускоренного диффузионного переноса вещества при чрезмерной интенсивности перемешивания скорость роста кристаллов падает. Перемешивание раствора способствует равномерному притоку кристаллизующегося вещества ко всем граням кристалла, обеспечивая его правильную форму. Следует, однако, иметь в виду, что с увеличением интенсивности перемеишвани я уменьшается размер кристаллов как за счет нх механического [c.688]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология