Электрона уровень энергии

Опытное значенне предэкспоненты (см. табл. VI,3) равно 1,9- 10 сек-. Поскольку активация в мономолекулярных реакциях является процессом накопления колебательной энергии на внутренних степенях свободы молекулы и не сопровождается переходом на возбужденный электронный уровень, т. е. является процессом существенно адиабатным, трансмиссионный коэффициент близок к единице, и полученные расчетные и опытные значения предэкспоненты сопоставимы. Как видно, совпадение в данном случае получено вполне удовлетворительное. [c.173]

В последнее время магнитные методы снова получают широкое распространение в связи с развитием динамического метода измерения парамагнетизма — метода электронного парамагнитного резонанса (ЭПР). В магнитном поле энергетический уровень неспаренного электрона расщепляется на два подуровня — эффект Зеемана. Эти подуровни отвечают разной ориентации спина электрона. Разность энергии этих двух состояний равна где — напряженность постоянного магнитного поля g — фактор спектроскопического расщепления, который для свободного электрона равен 2,0023 р — магнетон Бора. [c.23]

МИ, такая орбиталь энергетически более выгодна, чем атомные орбитали. Наоборот, на разрыхляющей орбитали электронная плотность концентрируется за ядрами, поэтому подобная орбиталь энергетически менее выгодна, чем исходные атомные орбитали. Уровень энергии связывающей орбитали на схеме располагают ниже, а разрыхляющей орбитали выше уровня исходных атомных орбиталей. [c.46]

В магнитном поле энергетический уровень неспаренного электрона расщепляется на два подуровня (эффект Зеемана). Эти подуровни соответствуют разной ориентации спина электрона. Разность энергии этих двух состояний равна рЯ,з, где Н — напряженность постоянного магнитного поля g — фактор спектроскопического расщепления, который для свободного электрона равен 2,0023 р — магнетон Бора. [c.22]

При этом в качестве электрофильной частицы генерируется не катион, а нейтральный дихлоркарбен (79), в котором атом углерода имеет незаполненный внешний электронный уровень. Далее дихлоркарбен взаимодействует как электрофил с фенок-сид-ионом. Образовавшийся анион (79а) претерпевает перегруппировку, так как атом углерода, несущий полный отрицательный заряд, обладает сильноосновными свойствами, и отщепление протона от кольца сопровождается выигрышем энергии вследствие восстановления ароматической структуры. [c.395]

Расчеты показали, что хотя ССП АО и отличаются от орбиталей атома водорода, но они характеризуются такими же квантовыми числами и сохраняют характер распределения электронной плотности, присущий атому водорода. В отличие от атома водорода энергия многоэлектронного атома зависит не только от главного квантового числа п, но и от побочного числа I. Уровень энергии с данным п расщепляется на подуровни, определяемые квантовым числом /. [c.23]

Каждый уровень энергии с /г>1 (п=2, и=3, п=4,. . . ) имеет набор из трех р-орбиталей, формы и направления этих орбиталей (сосредоточение основной части электронной плотности) сохраня-Ю1х я. [c.61]

Уравнение (11.13) выражает наименьший (основной) уровень энергии в атоме водорода (п = 1). Знак минус означает, что для разведения электрона и протона на бесконечно большое расстояние требуется затрата энергии. Величина а = Л /4я%е совпадает с радиусом аналогичной орбиты в теории Бора. [c.12]

Очевидно, чем больше времени атом проводит в -м состоянии, тем уже уровень энергии данного состояния. Времена жизни возбужденных электронных состояний атома, как правило, равны десяткам наносекунд, поэтому ширины уровней этих состояний соответствуют значениям порядка см . [c.12]

Определить энергию фотона (в электрон-вольтах), испускаемого атомом водорода при переходе его из возбужденного состояния в основное, если электрон при этом перескакивает с -уровня на К-уровень. Энергия возбуждения составляет 234,14 ккал/г-атом. [c.68]

Анализ по спектрам комбинационного рассеяния. Молекула или атом не могут поглотить фотон, если энергия фотона меньше, чем энергия, необходимая для их возбуждения на ближайший электронный уровень. Если поглощение такого фотона произойдет, то он тут же будет снова излучен. Практически такой процесс поглощения и быстрого испускания фотона происходит, хотя и очень редко, при этом наблюдается очень слабое рассеяние света веществом, даже вполне прозрачным для данной длины волны. [c.338]

Перейдем к выводу уравнения для электронного потенциала. Обозначим (рис. 38) через Z — уровень энергии, необходимый для вырывания положительного иона металла из кристаллической решетки в вакуум, Ш — энергию сольватации иона, Ум — низший колебательный уровень иона в металле, [c.151]

Итак, электроны кристалла, вообще говоря, имеют разрешенные и запрещенные зоны энергии, причем Число энергетических уровней в разрешенной зоне равно числу элементарных ячеек в кристалле, умноженному на 2. Согласно принципу Паули, уровень энергии может. быть заполнен не более чем одним электроном. Поэтому кристаллы в основном состоянии, когда заполнены все самые низкие энергетические уровни, могут быть трех типов, которым со- ответствуют следующие особенности зон энергии [c.170]

Отсюда следует, что при очень большой концентрации дырок уровень электрохимического потенциала электронов практически совпадает с уровнем —Е . Наоборот, при большой концентрации свободных электронов уровень i, совпадает с уровнем полной потенциальной энергии в зоне проводимости при Сд 1 [c.81]

Строение молекулы кислорода целесообразно рассмотреть, пользуясь методом МО. Электроны, заполняющие орбиталь и практически не участвующие в образовании связей, мы рассматривать не будем. Можно сказать, что для образования молекулярных орбиталей в молекуле кислорода имеется по четыре атомные орбитали у каждого атома орбитали 25 и 2р г заняты парами электронов, а на каждой из орбиталей 2ру и 2рх находится по одному неспаренному электрону (их энергии равны до тех пор, пока они не попадают в поле другого атома при взаимодействии атомов энергетические уровни делаются разными — снимается вырождение ). При сближении двух атомов каждый уровень расщепляется на два уровня — связывающую и разрыхляющую орбитали. Следовательно, в молекуле кислорода имеется всего восемь орбиталей (четыре из них — связывающие), на которых размещается двенадцать электронов. Очевидно, помещая на каждую связывающую орбиталь по паре электронов, можно разместить восемь электронов. Четыре придется поместить на разрыхляющие орбитали. Всего получится четыре связывающие и две разрыхляющие орбитали, т. е. в итоге две связи, так как каждая разрыхляющая орбиталь компенсирует действие одной связывающей. [c.185]

Уровень энергии каких электронов для одного и того же атома выше Зз или Зр или 5з 3 или 4р [c.49]

Чаще всего молекулярные орбитали находят с помощью линейной комбинации атомных орбиталей, и тогда метод называется методом ЛКАО МО. При этом молекулярные орбитали рассчитывают сложением или вычитанием волновых функций Г атомов. Волновая функция молекулярных орбиталей обозначается через ф и может быть представлена как комбинация волновых функций нескольких атомных орбиталей. Для двух атомов А и В волновая функция Ф = ЧГд где с — коэффициент, учитывающий долю участия атомных орбиталей атома В в образовании молекулярной орбитали и зависящий от электроотрицательности элемента В. Чем больше потенциал ионизации, тем ниже уровень энергии, соответствующий 1]/ , тем больше времени электрон будет находиться вблизи атома В, и тогда форма молекулярной орбитали будет больше соответствовать атомным орбиталям атома В. [c.83]

ТКП объясняет цвет комплексных соединений переходных металлов. Вследствие сравнительно небольшой разности энергии Д между неэквивалентными 2е- и -орбиталями, возможен переход электрона с низкого на более высокий уровень энергии за счет поглощения выделяемого света, что приводит к окраске комплекса. Например, [Т1(Н20)б] имеет один неспаренный электрон на гг-орбитали, который под влиянием света перехо-дит на е -орбиталь, что сопровождается появлением фиолетового окрашивания. [c.383]

Валентный уровень Энергия ионизации, эВ 13,6 Сродство к электрону, эВ 0,715 Атомный радиус, нм 0,057 [c.411]

Если положить п = 1, то 1 = —13,6 эв. Этот уровень энергии самый низкий для атома Н, прочность связи электрона с ядром наибольшая. Для перехода в другое состояние требуется затратить энергию на возбуждение (нагреванием, электрическим разрядом и т. д.). Из возбужденного состояния электрон стремится опять возвратиться в наиболее устойчивое состояние с п = 1. При переходе с дальней орбиты Пд на более близкую к ядру электрон излучает квант энергии, равный по второму постулату Бора [c.61]

У всех других элементов после водорода состояние электронов также определяется четырьмя квантовыми числами. Однако движение каждого электрона в многоэлектронных атомах зависит от влияния не только ядра, но и других электронов, поэтому энергия электронов зависит не только от п, но и от I растет с ростом nul. Таким образом, энергетический уровень расщепляется на подуровни, определяемые числами I. С ростом числа электронов в атоме I влияет все сильнее и даже может перекрыть влияние числа п (рис. 18). В общем энергетические уровни в многоэлектронных атомах растут в порядке роста суммы (п + О- Эта закономерность определяет порядок заполнения электронных оболочек атомов. [c.67]

Водород-восстановитель, в частности, превращает ЫАВР в NADPH, значительно поднимая электронный уровень энергии этого соединения. [c.357]

Из этого правила следует, что введение заместителя винпльпо-го или фенильного типа в молекулу, у которой имеется несвязывающий я-электронный уровень энергии, не приводит к появлению замкнутой электрон- ной оболочки. В общем случае ответ на вопрос, содержится ли в спектре МГ нулевая точка, может быть дан в терминах определителя матрицы смежности. Формула Захса для коэффициентов характеристического полинома оказывается в ряде случаев полезной для нахождения условий равенства нулю определителя матрицы смежности. Однако для дву- линейный граф (а), изо-дольных графов существует спектральные МГ S , и S s (б). [c.51]

Температуры, существенно превышающие уровень температур в печах и камерах сгорания, наблюдаются в дугах, в ударно нагретых газах перед движущимися с гиперзвуковон скоростью аппаратами, такими, как планетарные зонды, возвращающиеся космические корабли, и в ядерных взрывах. При столь высоких температурах в спектрах появляются линии одноатомного газа и электронные системы полос многоатомных газов, обязанные переходам между электронными уровнями энергии — связанно-связанным переходам. Фотоионизация, или свя-занно-свободные переходы, возникают в том случае, когда процессы с участием фотонов и термического возбуждения достаточны для ионизации газа. Эти переходы дают непрерывный спектр, являющийся противоположностью линиям или полосам поглощения, поскольку фотон, обладая энергией ниже требующегося для ионизации минимального значения, тем не менее может вэаи- [c.487]

Интересующие нас квантовые системы, как мы видели, обладают свойством изменять частоту излучения, вообще трансформировать энергию. Их внутренняя энергия складывается из электронной и вибрационной (тепловой) энергии, причем запас ее может пополняться или уменьщаться при взаимодействии, с излучением и с соприкасающимися веществами — другими квантовыми системами. Изменение уровня электронной энергии сопровождается изменением уровня вибрационной энергии и, наоборот, увеличение или уменьшение запаса последней влечет за собой соответствующее изменение электронной энергии. Дело в том, что упругие силы, действующие между атомами, зависят от энергетического состояния электронов в то же время шругие колебания атомов деформируют электронные оболочки, т. е. изменяют уровень энергии электронов. Другими словами, в твердом веществе существует электронно-фононное взаимодействие, причем передача и трансформация энергии происходят путем столкновения электронов с фононами. Представляя собой систему большого числа взаимосвязанных вибраторов, твердое вещество имеет сплошные спектры поглощения. Благодаря этому соударение с твердым телом возбужденных молекул или комплексов, в частности продуктов экзотермических реакций, позволяет им освобождаться от избыточной энергии, прежде чем наступает их диссоциация. Твердое тело может вместе с тем легко передавать из своих запасов дополнительную энергию адсорбированным молекулам или атомам и таким путем активировать их, что при определенных условиях позволяет ему служить катализатором химических реакций. [c.132]

Необходимость выполнения принципа Франка — Кондона для перехода электрона обусловливает следующий механизм элементарного акта разряда. Благодаря флуктуациям растворителя распределение его диполей в зоне реакции может оказаться таким, что электронные энергии начального и конечного состояний станут одинаковыми (точка пересечения термов). В этих условиях оказывается возможным квантовомеханический (туннельный) переход электронов из металла на реагирующую частицу. Если такой переход осуществляется, то система переходит на конечный терм и релаксирует по нему в равновесное состояние. Точка пересечения термов может быть реализована лищь при классическом поведении медленной подсистемы. В противном случае уровень энергии, отвечающий точке пересечения, может оказаться запрещенным. Таким образом, при делении системы на быструю и медленную подсистемы необходимо выполнять условие, по которому медленная подсистема должна одновременно являться и классической подсистемой. Границей такого деления является величина 4-101 частицы с частотами колебаний Т/А относят к медленной подсистеме, а с частотами — к быстрой. Рассмотренное разде- [c.286]

Точка пересечения термов может быть реализована лищь при классическом поведении медленной подсистемы. В противном случае уровень энергии, отвечающий точке пересечения, может оказаться запрещенным. Таким образом, при делении системы на быструю и медленную подсистемы необходимо выполнять условие, по которому медленная по/ч истема должна одновременно являться и классической подсистемой. Границей такого деления является величина кТ Н 4 10 частицы с частотами колебаний кТ П относят к медленной подсистеме, а с частотами кТ1Л — к быстрой. Рассмотренное разделенре электронов и молекул растворите ля удовлетворяет этим требованиям 10 4-10 << 10 . [c.304]

В основу модели атома Шрёдингер положил математическое описание стоячей волны, включив в него соотношение де-Бройля. Такой метод дает стационарный характер движения электрона в пространстве, удовлетворяя требованиям принципа неопределенности. Решение получающегося уравнения оказывается возможным не при всех значениях энергии Е, а лишь при некоторых, называемых собственными значениями энергии. Соответствующие им функции г) называются собственными функциями. Иногда для одного собственного значения имеется т различных собственных функций. Тогда говорят, что данный уровень энергии т-кратно вырожден. Дискретный характер собственных значений энергии правильно отражает квантовые свойства микросистем, являясь естественным результатом решения волнового уравнения. Ранее это важнейшее положение было введено в теорию Бора как постулат. [c.164]

В опытах Франка и Герца атомы газов (пары ртути, криптон и др.) бомбардировали электронами. При этом можно было оценить потери энергии электронов при столкновении их с атомами газа. Исследование показало, что при энергии электронов меньше некоторой величины, они упруго отражаются от атомов газа, практически не передавая им энергии. Это наблюдаетря, например, при бомбардировке ртутного пара электронами с энергией, меньшей 4,9 эВ. При энергии бомбардирующих электронов более 4,9 эВ они передают энергию атомам ртути. Отсюда можно сделать вывод, что 4,9 эВ — это энергия, необходимая для перевода атома ртути с наиболее низкого энергетического уровня на следующий энергетический уровень. [c.17]

Так как резонансный интеграл р отрицателен, энергия наинизшего уровня равна Е , следующего Е и т. д. В соответствии с принципом Паули из 4-х я-электронов бутадиена 2 электрона занимают уровень с энергией Е , 2 электрона — уровень с 2 (рис. 9). Полная энергия четырех электронов на уровнях Е и Е составляет Е =2 (Е + + Е2) = 4а + 4,472р. Для нахождения МО следует использовать систему вековых уравнений и условие нормировки УрЧу = С1 + [c.31]

Потенциальная энергия молекулн слагается из энергии электронов прк неподвижных ядрах и энергии отталкивания ядер (см, 17). Эту энергию мы назвали электронной (полной) энергией е(г). В положении минимума ей отвечает единственное значение с(г,)= (электронный уровень Е). [c.171]

В атоме марганца = 25) первый и второй слои полностью заселены электронами в третьем М-слое целиком заняты з- и р-орбита-ли, после которых происходит заполнение з-орбитали (п = 4, / = 0) четвертого ЛГ-слоя. Затем заполняются оставшимися пятью электронами -орбитали М-слоя (п = 3, I = 2), так как им приписывается больший уровень энергии (1,5л 1 = 6,5), чем 4з-орбитали (1,5л -Ь / = = 6,0). Электронная формула атома Мп — ls 2s 2p Зs ЗpHs Зd . [c.46]

При переходе электрона к атому бора последний заряжается отрицательно, а вблизи атома кремния, откуда ушел электрон, локализуется дырка. Примеси, ведущие себя в кремнии подобно бору, называются акцепторами. Уровень энергии акцепторного атома располагается внутри зоны запрещенных энергий вблизи потолка валентной зоны и отделен от последней энергетическим зазором Д а (энергией активации акцептора) (рис. 133, б). Возбуждение электрической проводимости связано с захватом валентного электрона кремния акцепторной примесью и появлением дырки в валентной зоне. При этом электроны в зоне проводимости отсутствуют. При приложении внешнего электрического поля дырки в валентной зоне перемещаются за счет скачкообразного перехода электронов, как это происходит в собственном полупроводнике. Полупроводник, легированный акцепторной примесью, обладает только дырочной проводимостью и называется полупроводником р-типа (от positive — положительный). Электрическая проводимость описывается уравнением [c.315]

Природу, структуру и электронное состояние промежуточного продукта. Для абсорбционной спектроскопии можно использовать источник белого света в сочетании со спектрографом для получения фотографически зарегистрированного обзорного спектра поглощающих соединений в реакционной системе. В других случаях для сканирования спектрального диапазона может применяться монохроматор с фотоэлектрическим приемником. Многие исследуемые короткоживущие интермедиаты обладают достаточно большим оптическим поглощением из-за наличия разрешенного электронного дипольного перехода на более высокий уровень энергии, В этом случае, например, триплетные возбужденные состояния могут наблюдаться по их триплет-триплетному поглощению. В общем случае индивидуальные полосы поглощения имеют тем большую амплитуду, чем они уже. Вследствие этого эффекта атомы имеют разрешенные линии поглощения с особенно большими амплитудами. При количественных измерениях поглощения обычно выбирается длина волны, при которой наблюдается сильная полоса поглощения и на нее не накладываются полосы поглощения других соединений, В экспериментах по оптическому поглощению в качестве источника света можно применять лазеры. Очень эффективны в лазерных абсорбционных исследованиях перестраиваемые лазеры на красителях, особенно для веществ с узкими полосами поглощения (таких, как атомы и малые радикалы), поскольку лазерное излучение отличается высокой монохроматичностью и узкой спектральной полосой. Повышения поглощения можно достигнуть, заставив световой пучок многократно пересекать образец с помощью соответствующего расположения зеркал в многопроходовом абсорбционном эксперименте. Вновь для этой цели превосходно подходят лазеры благодаря малой расходимости лазерного пучка. В ряде случаев можно создать источник света, который спектрально адекватен абсорбционным свойствам именно исследуемых соединений. Например, можно сконструировать электрические разрядные лампы, содержащие подходящие газы и испускающие резонансные спектральные линии (при переходе из первого возбужденного состояния в основное) многих атомов и простых свободных радикалов. Очевидно, что резонансные спектральные линии точно соответствуют длинам волн поглощения этих же веществ, соответствующим переходу из основного электронного состояния. Если эти атомы или простые радикалы присутствуют в реакционной смеси, то будет наблюдаться резонансное поглощение. Если спектральные ширины полосы испускания источника и полосы поглощения объекта исследования совпадают, то чувствительность абсорбционных измерений может быть высокой при различающейся избирательности, так [c.195]