Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Электронное давление

    Масс-спектр воздуха обнаруживает пики различной интенсивности при перечисленных ниже значениях т/е (т — атомный вес в атомных едини- цах массы, е — заряд частицы в единицах заряда электрона). Давление воздуха, впущенного в масс-спектрометр, 5 10 мм рт. ст. Каким частицам можно приписать каждый из указанных ниже пиков  [c.86]

    Поскольку на левом электроде образуется избыток электронов, а реакция на правом электроде не может протекать без участия электронов, достаточно соединить между собой электроды проволочкой, чтобы по ней устремился поток электронов. (Это аналогично открыванию вентиля баллона со сжатым газом сжатый газ превращается в газ под атмосферным давлением без совершения какой-либо полезной работы.) Способность электронов перетекать с одного электрода на другой, или электронное давление , измеряется разностью потенциалов двух электродов. Чтобы приостановить поток электронов, следует приложить -напряжение, численно равное напряжению, возникающему в концентрационном элементе, но про- [c.159]


    Потенциалы полуреакций уже рассчитаны на один электрон и поэтому не должны предварительно изменяться при суммировании соответствующих полуреакций. Обращаясь снова к гидростатической аналогии, можно сопоставлять с потенциалами окислительно-восстановительных реакций электронное давление , но не энергетические величины. Давление воды, удерживаемой плотиной определенной высоты, не зависит от того, какими порциями расходуют эту воду внизу, но работа или энергия зависят от порции расходуемой воды. [c.180]

    Остаточное давление при закрытом Диаметр золотника в мм. ... 50 всасывающем штуцере (предель- Габариты (с рамой и электронов давление) в мм рт.. ст.. .. 8 двигателем) в мм.  [c.456]

    Замещение в орто- или пара-положении -ЬЛ -груипами, например —ОСНз или —ННз, еще более увеличивает электронное давление фенильного остатка и тем самым также способность соответствующей бензильной системы к -реакциям. [c.152]

    Нуклеофильные вещества влияют на скорость реакции, так как они оказывают электронное давление с обратной стороны молекулы субстрата и тем самым до некоторой степени вытесняют из молекулы подлежащую замещению группу  [c.170]

    В соответствии с этим в результате реакции образуется просто енолят карбонильного соединения, что вызвано электронным давлением сильно основного иона гидроксила ориентация этого аниона, благоприятствующая реакции, обеспечивается взаимодействием карбонильный кислород — катион металла — гидроксил. При этом безразлично, протекают такие электронные переходы синхронно или нет. [c.291]

    Зависимость степени ионизации элементов (х 10 от величины кажущегося потенциала ионизации ( элемента и температуры Т плазмы источника при электронных давлениях ре в источнике 4 10 ат (верхняя строчка) и 4 10 ат (нижняя строчка) [c.92]

    НИМИ, полученными в результате ряда экспериментов. Погрешности вычислены как максимальные отклонения от средних значений. Эти результаты получены в различное время и при различных условиях. Результаты практически не зависели от изменений таких параметров, как ток ионизирующих электронов, давление, условия фокусировки электронного пучка, положение магнита ионного источника и энергия ионов. Изломы на кривых ионизации для однозарядных и двухзарядных ионов могут быть скоррелированы со спектроскопически определенными энергетическими уровнями. Для ионов более высокого заряда нет, к сожалению, сведений об энергетических уровнях. Несколько известных уровней для иона Хе не соответствуют изломам на кривой появления этого иона. [c.399]


    Для случая полного испарения элемента из анода угольной дуги постоянного тока на основании выражений (72) и (73) вычислены относительные интенсивности 232 сильнейших линий (главным образом, атомных) 53 элементов при 5000, 5600 и 6200° К и электронном давлении Ре = ат [983]. Расчет произведен для неизменных Г, Пе, у и г 7 во время экспозиции и случая полной диссоциации молекул определяемых элементов. Эти данные могут быть полезными для выбора аналитических линий и оптимальных условий определения следов элементов в стабилизированной дуге постоянного тока.,  [c.117]

    Изучение характера изменения во времени может дать ценную информацию, касающуюся выбора аналитических пар линий для тех спектральных методов, которые основаны на использовании общего излучения за все время экспозиции. Для спектрографического анализа наиболее подходящими оказываются такие пары линий X я г, для которых наблюдается одинаковый характер изменения X и г во времени. Или, выражаясь точнее, для количественного анализа в большей степени подходит пара линий, для которой величина 1х/1г изменяется во времени меньше всего, т. е. отношение интенсивностей меньше зависит от изменений в условиях возбуждения (например, температуры плазмы, ионного и электронного давления и т. д.). С учетом небольшого изменения этого практического правила его придерживаются и в спектрометрическом анализе. В этом случае вместо максимума интенсивности измеряют суммарную интенсивность линий на некотором участке длин волн (разд. 6.6). Поэтому при изучении изменений отношения интенсивностей линий пары х и г следует принимать во внимание интегральную интенсивность линий для их полных контуров. [c.272]

    Более сложный способ учета матричного эффекта требуется в том случае, когда неизвестно непосредственное влияние мещающих элементов на интенсивность аналитических линий или вообще не определена концентрация мешающих элементов, или, наконец, неизвестны элементы, ответственные за матричный эффект. Следовательно, возможность введения поправки зависит от двух условий. Прежде всего необходимо полное испарение (полное сжигание), т. е. должна быть исключена возможность любых изменений в условиях испарения пробы, приводящих к матричному эффекту. При этих условиях взаимное влияние элементов проявляется исключительно в плазме. Далее, должны быть известны значения параметров плазмы и количественная зависимость от них интенсивностей аналитических линий. Наиболее важными такими параметрами являются температура и электронное давление. Так, знание соответствующих соотношений и физических постоянных позволяет построить зависимость изменений интенсивности данных аналитических линий от температуры и электронного давления в плазме. Следовательно, если вследствие взаимного влияния элементов меняется температура и электронное давление в плазме, то можно рассчитать изменение отношения интенсивностей аналитических линий элементов, присутствующих в плазме в постоянных концентрациях. Таким способом отношение интенсивностей аналитических линий можно привести к стандартным условиям с заданными температурой и электронным давлением в плазме. В действительности это означает умножение на коэффициент, зависящий от температуры и электронного давления в плазме. Эти коэффициенты не зависят от концентрации определяемого элемента. Поэтому для введения соответствующих поправок к отношению интенсивностей можно построить аналитические кривые для данных стандартных температуры и электронного давления (разд. 4.4.2). [c.166]

    Программа для автоматической обработки включает кроме обработки аналитических пар линий, пар линий, необходимых для определения температуры и электронного давления в плазме, и изме ренных значений фона еще и вычисление отношения интенсивностей после учета фона, температуры и электронного давления в плазме [c.166]

    Облучение ускоренными электронами производилось в стеклянном приборе 2 (рис. 1), который был герметично соединен с электронной трубкой 3. В целях улавливания газообразных продуктов радиолиза, а также в целях поддержания стабильности в работе трубки 3 облучаемое вещество было отделено от трубки алюминиевой фольгой 1 толщиной 7—9 1. Потери энергии электронами при прохождении через алюминиевую фольгу не превышали 2—3%. Во всех случаях облучения ускоренными электронами давление над облучаемым веществом по превышало 10 мм рт. ст. [c.241]


    Вытесняемый заместитель может быть и частью циклической системы (эпоксиды, этиленимины, эписульфиды). Реакции, в которых нуклеофил одновременно является растворителем, называют реакциями сольволиза. Реакционная способность нуклеофилов возрастает с увеличением электронного давления в них, о чем подробнее будет речь в разд. 4.9. [c.151]

    Образование енолятов по схеме (6.45) вызывается главным образом электронным давлением сильноосновного иона КО , благоприятная ориентация которого обеспечивается взаимодействием между катионом металла и карбонильной группой. [c.340]

    Чрезвычайная легкость, с которой происходит дегидрирование групп ОН и 5Н, связанных с ароматическим кольцом или атомом азота, указывает на то, что образование нового радикала НХ требует некоторого электронного давления (К должен быть донором электронов). Этим условиям наиболее полно удовлетворяют бя-электронная система ароматического кольца или неподеленная пара электронов атома азота. Другими словами, легкость протекания процесса дегидрирования объясняется существованием подвижного равновесия  [c.133]

    Из данных таблицы -следует, что усиление спектральных линий элементов зависит от потенциала ионизации элемента для всех типов магнитного поля. Интенсивность спектральных линий микроэлементов может повышаться в результате пространственного изменения температуры и электронного давления плазмы, а также изменения распределения в ней микроэлементов. На рис. 2.23 приведено радиальное распределение температуры и электронного давления в горящей дуге и в дуге под давлением различных типов магнитного поля. Анализ кривых показывает, что радиальным распределением в объеме плазмы температуры [c.98]

    Соединения, реагирующие подобным образом, называют крип- доснованиями, поскольку у них основные свойства в известной мере находятся в скрытом виде. К такого рода соединениям относятся некоторые металлорганические соединения и гидриды металлов, алкильные остатки (или водородные атомы) которых негати-вированы +/-эффектом металла. Водородные атомы, связанные с атомом углерода, также могут быть перенесены со своими образующими связь электронами, если они подвержены сильному электронному давлению , как, например, в изопропилат-анионе  [c.178]

    Окислительно-восстановительные реакции, также назьсваемью редокс-реакциями, — это реакции обмена электронами между реагентами. Мы уже научились описывать давленне протонов, связанное с г ктивностью протонов в растворе, через pH, хотя мы и знаем, что в растворе отсутствуют несвязанные протоны. Подобным же образом можно описать окислительновосстановительное состояние раствора через гипотетическое электронное давление р , связанное с активностью электронов. [c.173]

    I суть, по-существу, заключается в том, что в щелочной среде резк встает концентрация фенолят-иона I, кислород которого, являяс 1ым донором электронов, создает электронное давление н 0-связь, способствуя ее разрыву. При этом образование сравни но стабильного хинонметида II способно компенсировать энерг ские затраты на разрыв связи (схема 5.2). [c.221]

    Согласно вышесказанному, способность сложного эфира к кислотному гидролизу с расщеплением связи кислород—алкил основана на электронном давлении алкпла, входящего в спиртовый остаток. Другими словами, склонность системы к образованию алкил-катиона, бедного энергией, определяет ход гидролиза. Поэтому следует еще раз указать на факторы, которые благоприятствуют образованию алкил-катиона (ср. стр. 148 и далее). [c.279]

    Координация карбонильных соединений с алюминием изменяет электронную плотность на отдельных атомах карбонильный углерод сильнее позитивируется и тем самым становится более реакционноспособным электронная плотность на атоме алюминия возрастает, благодаря чему возникает большее электронное давление на алкоксильный остаток, которое делает водород способным перемещаться к карбонильному углероду вместе с электронами, образовавшими связь. Другими словами, окислительно-восстановительный процесс в целом подвергается бифункциональному катализу. [c.315]

Рис. 43. Зависимость мощности W, температуры Го дуги, электронного давления ре в среднем сечении столба и температуры Та анода от силы тока I дуги при испарении пробы, сме-ша ной с буфером ВаРд (1 1), из канала анода (/ = 9 мм) 1Ш31]. Рис. 43. <a href="/info/923433">Зависимость мощности</a> W, температуры Го дуги, <a href="/info/14113">электронного давления</a> ре в <a href="/info/21998">среднем сечении</a> столба и температуры Та анода от <a href="/info/134041">силы тока</a> I дуги при <a href="/info/1262937">испарении пробы</a>, сме-ша ной с буфером ВаРд (1 1), из канала анода (/ = 9 мм) 1Ш31].
    Измерения показали, что зависимость г от п рь/ро) близка к линейной (рис. 7.4.5). Коэффициент пропорциональности к в зависимости S = к п рь/ро) при низких начальных давлениях (Кг и Хе, р = (1-3) 10 Тор) примерно равен /Jl (зависимость 2, рис. 7.4.5). Однако в основном к > /Jl. С увеличением начального давления р до 1 Тор, величина 1п(рь/ро) в криптоне и ксеноне уменьшается в 10-20 раз, величина же — всего в 2-3 раза. На рис. 7.4.6 представлена зависимость коэффициента обогащения в криптоне от начального давления р. Следует учитывать, что из-за наличия балластных объёмов средняя плотность частиц в разряде всегда ниже той, которая соответствует начальному давлению р (вследствие нагрева газа в разряде и влияния электронного давления). Так при р = 1 Тор (рис. 7.4.6) величины р и ро равны, соответственно, 1,9 и 1,7 Тор. При указанном выше соотношении рабочего и балластных объёмов такое распределение газа означает, что в области разряда находится не более 20% от его первоначального количества. Для сравнения на рисунке показаны штрихом значения е, которые должны были наблюдаться, если бы разделение соответствовало бародиффузии в неионизованном газе г = (1/д) 1п(р /ро). Видно, что разделительный эффект не следует бародиффузионной формуле. В данных экспериментах, как и в работе [4], величина эффекта по существу определялась рассеиваемой в плазме мощностью W. В то же время трудно полностью связывать наблюдаемое разделение изотопов и с термодиффузией, поскольку максимальные значения екг и гхе (3,5%) получены в условиях, когда практически отсутствует вклад от термодиффузии. Оценка этих условий имеется в работе [И]. [c.342]

Рис. 46. Здвнсимость мощности Ш, температуры Т, электронного давления ре (в среднем радиальном сеч НИИ столба угольнйй дуги постоянного тока) и температуры анода Га от длины электродного промежутка (испарение из анодного Канала с заостренными стенками пробы в смеси с КР (1 1) = 9а) [1031]. Рис. 46. Здвнсимость мощности Ш, температуры Т, <a href="/info/14113">электронного давления</a> ре (в среднем радиальном сеч НИИ столба угольнйй <a href="/info/21391">дуги постоянного тока</a>) и температуры анода Га от длины электродного промежутка (испарение из анодного Канала с заостренными стенками пробы в смеси с КР (1 1) = 9а) [1031].
    Для расчета величины riaslna в соответствии с уравнением (4.4.2.3) необходимо определить электронное давление ре и константу равновесия S. Первое может быть определено в результате измерения соотношения интенсивностей атомных и ионных спектральных линий, принадлежащих подходящему для этого элементу (разд. 2.2.6 в [11а] и [19]). Если в качестве такого элемента использовать магний, то измерение нужно проводить по парам линии (Mg I 2780/Mg И 2796) и (Mg I 2852/Mg И 2796). Выбор этих пар обусловлен тем, что они обеспечивают наибольшую точность измерения интенсивностей. Для расчета электронного давления пригодна следующая формула [17]  [c.228]

    Взаимное влияние элементов, проявляющееся во время полного испарения диэлектрических материалов, может быть подавлено с помощью относительно сложного способа учета попрайО с, требующего измерения температуры и электронного давления плазмы. [c.229]

    Химическое и физическое состояние плазмы, излучающей в аналитическом промежутке, не постоянно в пространстве и во времени. Факторы, определяющие излучение, флюктуируют в пространстве и во времени. Такими факторами являются концентрация ионов, атомов, свободных радикалов, образовавщихся из соединений и иногда из молекул, электронное давление, газовая температура, ионно-электронная температура, градиент потенциала, разная по природе и направлению диффузия, например амби-полярная диффузия или диффузия излучения, и т. д. Эти процессы обсуждены в другой книге (разд. 2.2 и 3.7 в [1]). [c.266]

    Реагирующие таким образом соединения называют криптооснованиями, так как их основные свойства в известной степени скрыты. К подобным соединениям относятся некоторые металлоорганические соединения и гидриды металлов, алкильные группы или водородные атомы которых негативированы -н/-эффектом металла. Соединенные с углеродным атомом атомы водорода также могут быть перенесены со своими связывающими электронами, если они подвержены сильному электронному давлению , как, например, в изопропилат-анионе  [c.196]

    Координация карбонильного соединения с алюминием изменяет распределение электронной нлотности на отдельных атомах. Карбонильный атом углерода сильно нозитивируется и тем самым становится более реакционноспособным атом алюминия негати-вируется, что увеличивает электронное давление на алкоксил это давление способствует отрыву водорода вместе со своими связующими электронами и переходу его к карбонильному углероду. Иными словами, весь окислительно-восстановительный процесс имеет форму бифункционального катализа комнлексообразование с кислотой Льюиса обеспечивает необходимое для реакции расположение и необходимые расстояния, благодаря чему из-за близкого расположения партнеров силы взаимодействия между ними велики и поэтому электроны могут легко перепрыгнуть . Направление движения электронов показано на схеме (6.70) стрелками. [c.364]

    Большую роль в этом случае играет электрическое поле между электродами, сильно влияющее на скорость движения ионов к катоду, что согласуется с вычислениями Боуманса. В присутствии носителей излучающие частицы распределены по всему объему плазмы. Однако для элементов с низким потенциалом ионизации большая концентрация частиц наблюдается у катода, с увеличением потенциала ионизации заметна тенденция смещения максимума излучения к аноду. Такое распределение можно объяснить тем, что присутствие, например, галлия изменяет условия в плазме, уменьшая температуру дуги с 6500 до 5800 К, увеличивая электронное давление с 2,1-10 Па до 3--10 Па и уменьшая степень ионизации атомов. В связи с этим электрическое поле по-другому влияет на движение и распределение частиц. Следовательно, носители способствуют равномерному распределению излучающих атомов и ионов по всему объему плазмы. Это приводит к уменьшению атомной и ионной плотностей в каждой точке объема плазмы, что, в свою очередь, должно приводить к уменьшению столкновений. Это вызывает увеличение почернения линий микроэлементов в присутствии галлия. Причем наибольшее почернение линий наблюдается для 2п и А1 — элементов с высоким потенциалом возбуждения и [c.74]


Смотреть страницы где упоминается термин Электронное давление: [c.160]    [c.194]    [c.320]    [c.626]    [c.639]    [c.242]    [c.251]    [c.128]    [c.160]    [c.226]    [c.153]    [c.293]    [c.550]    [c.577]   
Эмиссионный спектральный анализ Том 2 (1982) -- [ c.2 , c.166 , c.228 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

АДСОРБЦИОННАЯ И ЭЛЕКТРОННАЯ СОСТАВЛЯЮЩИЕ РАСКЛИНИВАЮЩЕГО ДАВЛЕНИЯ

Ионизация электронным ударом в газах при низком давлении

Коэффициент давления электронов

Метод изучения быстрых реакций, скачок давления электронного парамагнитного резонанса

Об аномалиях электронных характеристик металла в области больших давлений

Регулятор давления электронный по Крелю

Сергеенкова, С. С. Васильев. Молекулярные и электронные температуры и градиент потенциала в электрических разрядах при средних давлениях

Электронный парамагнитный резонанс при высоких давлениях

Электронный регулятор давления

Эффект Мессбауэра при высоких давлениях и электронная конфигурация металлического железа



© 2025 chem21.info Реклама на сайте