Подложки технологические

Скорость массопереноса, характеризуемая коэффициентами диффузии газов в конденсированных средах, невелика и обычно на несколько порядков меньше, чем в объемной газовой фазе или при свободномолекулярном течении. Поэтому для получения мембран удовлетворительной проницаемости стремятся уменьшить толщину плотного слоя, который принято называть селективным или диффузионным. Наиболее перспективны асимметричные и двухслойные мембраны, протяженность селективного слоя которых порядка м. Механическая прочность и другие технологические свойства мембраны обеспечены пористым слоем подложки толщиной 30—500 мкм, диффузионное сопротивление которого незначительно. [c.71]

На величину остаточных напряжений значительно влияет поверхность подложки, улучшение качества которой при прочих равных технологических параметрах приводит к их увеличению (рис. 4). Это обусловлено [c.187]

Экспериментальный лак П-45 (концентрированный органозоль металлополимера) обладает высокими магнитными и электроакустическими свойствами, легко регулируемыми благодаря изменению состава металлополимера и технологических параметров его получения и нанесения. По сравнению с промышленным лаком ЛМП-35 он проявляет повышенное адгезионное взаимодействие с используемыми на предприятиях и в лаборатории подложками. [c.253]

Изучение пористости пленок ЗЮ на кремнии. Пленки ЗЮ , используемые в технологии полупроводниковых приборов, не должны содержать сквозных пор. Неудовлетворительная сплошность пленок часто является причиной технологического брака. Макродефекты структуры пленки обычно представляют собой поры, образую-ш,иеся при несовершенном росте окисла, границы кристаллов (если стеклообразная пленка склонна к рекристаллизации) микротрещины, формирующиеся из-за несоответствия коэффициентов термического расширения подложки и пленки. Последние два вида макродефектов встречаются на относительно толстых пленках и могут быть устранены изменением технологического режима. Причиной порообразования могут быть определенные виды загрязнений и структурных дефектов на исходной поверхности кремния. Часто поры могут образовываться за счет окклюзии (захвата) газов, а также при слиянии точечных дефектов (вакансий) в кластеры. Наличие пор в значительной мере осложняет использование оксидной пленки в качестве маскирующего покрытия (поскольку поры являются каналами диффузии) и для изоляции (вследствие возможных замыканий алюминиевой разводки на тело прибора). Как пассивирующее покрытие пленка также непригодна, потому что при этом не обеспечивается герметичность структуры. [c.122]

Перспективной для использования в производстве ИС является сухая микролитография , при которой не используются жидкие реактивы. Она должна способствовать повышению качества и выхода приборов, упрощению технологии и повышению ее уровня. Сухая микролитография заключается в сухом нанесении резиста (например, сублимацией или путем синтеза полимерной пленки из мономеров на подложке), сухом проявлении (например, экспозиционном, термическом, плазменном), сухом травлении подложки и удалении резиста. Две последние операции удается провести с помощью плазмы, две первые находятся в стадии интенсивной разработки. Хотя изучается применимость существующих резистов или их модификаций в новой технологической цепи, очевидна необходимость разработки новых материалов для всего цикла сухой литографии и усовершенствования ее методов [31]. [c.187]

Чувствительность сополимеру глицидилметакрилата с этилакрилатом (70 30 Mw = 160000 Mw/Mn = 2,3), обозначаемого СОР, Dr = 3,2-10- Кл/см , 7= 1,0 [95]. По данным ДТА сополимер при нагревании структурируется, поэтому температура предварительной термообработки рекомендована в интервале 60—75°С, продолжительность термообработки 3—15 мин. При проявлении в метилэтилкетоне наблюдали деструкцию возникших структур из-за набухания сшитого полимера. Эта деструкция была подавлена при проявлении в смеси метилэтилкетона с этанолом (5 2). Температура доотверждения рекомендована в пределах 100—150°С. Испытания показали очень хорошие литографические свойства СОР как при изготовлении хромовых масок, так и в некоторых случаях при прямом экспонировании на кремниевых подложках [96]. Минимальный размер элементов в технологических процессах составляет 1 мкм. Существенным недостатком при использовании этого сополимера для прямого экспонирования на кремниевых подложках является его низкая температура стеклования (Тс 10°С), что на стадиях обработки при повышенной температуре ведет к деструкции образованной структуры. СОР стал первым промышленно производимым электронным резистом, предназначенным для производства хромовых масок. Подобные резисты запатентованы в ФРГ [пат. ФРГ 2543553, 2849996, 2450381]. [c.246]

ХБК пригоден для использования в качестве футеровочного материала. Большая скорость вулканизации (при подборе соответствующей вулканизующей системы) позволяет вулканизовать обкладки на месте при низких температурах, что выгодно отличает ХБК от БК. Существенное достоинство обкладок из ХБК — химическая стойкость, низкая проницаемость, адгезия к металлам я другим подложкам. Смесь вулканизуется с комбинацией дифенил- и диэтилтиомочевины горячей водой при 80 °С в течение 16 ч. бариты вводятся для придания резине максимальной стойкости к воздействию кислот, а технический углерод и низкомолекулярный полиэтилен—для улучшения технологических свойств смеси. [c.192]

Технологический процесс пайки в целом представляет собой совокупность технологических операций при изготовлении паяного изделия. При монтаже РЭА пайка й лужение входят в сложный комплекс процессов, включая лужение, консервацию и расконсервацию соединяемых поверхностей, обрезку в размер, формовку выводов, установку и фиксацию электрорадиоэлементов (ЭРЭ) и микросхем (МС) на платы (подложки), флюсование и пайку соединений, удаление остатков флюсов (отмывка). [c.21]

Технология конверсионных покрытий (оксидирование, хроматирование и фосфатирование металлической поверхности) представляет собой технологические процессы, основанные на электрохимическом (на аноде) или химическом воздействии на металлическую подложку в тонком приповерхностном слое с целью образования на металле изоляционного, защитного или декоративною слоя, состоящего из нерастворимых соединений металла основания в виде окислов, хроматов, фосфатов и др. Слои обладают особой прочностью сцепления с металлическим основанием, которое служит для них материнским материалом. Это позволяет получать слои высокой плотности, причем минимальная толщина, при которой получается сплошной слой, на порядок величины меньше, чем при других способах обработки. [c.108]

Использование ионной бомбардировки подложки в дополнительном разряде позволяет получать чистые пленки тантала на технологических вакуумных установках, обеспечивающих при предварительной откачке давление фоновых газов 10 Па. [c.151]

Адгезия органических покрытий к поверхности обрабатываемых изделий. Прочность сцепления органического покрытия с подложкой является исходным условием в покровных и печатных технологических процессах. [c.161]

Таким образом, не вызывает сомнения то, что стабильный технологический процесс выделения металла нз органического растворителя осуществить гораздо труднее, чем из водного раствора. Здесь предъявляются более жесткие требования к реактивам, к предварительной обработке поверхности подложки и поддержанию технологического режима. Тем не менее получение пленок различных металлов, не выделяемых из водных растворов, в большинстве случаев оказывается более экономичным и легче осуществимым, чем из расплавов или вак /умным напылением. [c.73]

Изучение взаимодействия разнородных частиц имеет исключительно большое значение для многих технологических процессов. К таким процессам следует отнести слипание газовых пузырьков и масляных капель с минеральными частицами при флотации [188, 189], предотвращение осаждения частиц грязи на твердых подложках в промывочной ванне [190], повышение прочности веществ при введении активных наполнителей, склеивание различных материалов и т. д. [c.87]

Некоторые конструкционные фенолокаучуковые клеи (ВК-3, ВК-32-200, ВК-13М) выпускают в пленочном варианте (пленка без подложки). Такие клеящие пленки применяются с подслоем из жидкого клея той же марки или без подслоя. Пленочные клеи имеют технологические преимущества по сравнению с жидкими клеящими составами. Они рекомендуются при склеивании ровных или слегка изогнутых поверхностей. [c.285]

Так, при замене вертикального расположения реактора для роста эпитаксиальных слоев кремния методами газотранспортных реакций на горизонтальное, равно как и при изменении размеров такого реактора, меняются (и весьма значительно) все технологические параметры процесса. Это связано с характером движения газовых потоков в системе. Аналогичная картина наблюдается и при замене, например, резистивного нагрева кассет с подложками на разогрев их токами высокой частоты. Ответить на возникающие при этом вопросы можно только с помощью специальных экспериментов, которые необходимо проводить на каждом этапе масштабирования и при каждом, даже кажущемся очевидным и разумным изменении конструкции технологического оборудования. [c.45]

При выборе типа машины следует учитывать такие факторы, как вязкость раствора, летучесть растворителя и других компонентов формовочного раствора, коррозионную активность раствора и осадителя, продолжительность отдельных стадий процессов, характер физико-химического взаимодействия между раствором и подложкой. Как правило, формовочные машины представляют собой агрегаты, предназначенные для осуществления нескольких стадий технологического процесса получения мембран. [c.123]

Важным технологическим требованием к растворителям при этом способе формования является высокая упругость паров. Это требование определяется необходимостью удаления достаточной части растворителя из формовочного раствора за время, ограниченное скоростью движения подложки с нанесенным слоем раствора и технически обоснованными габаритами машины для формования. [c.131]

В целом процесс разделения газовой смеси в мембранном элементе описывается системой дифференциальных уравнений баланса массы, количеств движения и энергии, записанных для каждой области мембранного элемента — напорного и дренажного каналов, собственно мембраны и пористой подложки. Начальные и граничные условия процессов в каждой области взаимосвязаны, поэтому расчет модуля представляет сложную сопряженную задачу, которая должна быть решена при соблюдении ряда технологических и энергоэкономических требований. Обычно расчет процесса разделения проводят при допущениях, сильно упрощающих аналитические выкладки или процедуру численного расчета. Иногда это приводит к заметному искажению результатов, особенно при разделении неидеальных га- [c.157]

Таким образом, можно констатировать, что при нанесении на стальную поверхность органического защитного покрытия достигается двойной эффект. Во-первых, повышается гладкость поверхности контакта с кристалликами парафина. Известно /30/, что технологическая шероховатость новых стальньк труб, поступающих на промыслы, определяется величиной порядка 190-500 мкм, что соответствует классу чистоты не выше II. Как графически показано в указанной работе, при увеличении шероховатости до глубин впадин, соизмеримых с размерами частиц дисперсной фазы, вероятность чисто механического удержания частиц на поверхности подложки резко возрастает. Учитывая, что около 70 % частиц дисперсной фазы в нефтяных суспензиях имеют размеры порядка 1 мкм /33/, можно ожидать высокую интенсивг ость запарафинирования стальных труб даже за счет чисто механического удержания частиц. Нанесение полимерного защитного покрытия резко снижает шероховатость поверхности контакта. Вновь образуемая поверхность имеет класс чистоты до 13, что практически исключает возможность чисто механического удерживания частиц. Кроме того, как было показано ранее, повышение гладкости поверхности приближает истинную поверхность контакта к номинальной поверхности, что, безусловно, снижает интенсивность образования отложений. [c.142]

Исследована структура фуллеритовых и металл-фуллереновых плёнок с разными массовыми долями компонентов. Плёнки осаждались в вакууме при остаточном давлении воздуха не более 10" Па на подложки из стекла, кремния и Na I. Для получения металл-фуллереновых плёнок использовались два испарителя (отдельно для металла и фуллерена См)- В качестве металлов были выбраны медь, олово и алюминий. Технологическими параметрами являлись 1) температура подложки 2) температура испарителя фуллеренов 3) температура испарителя металла (для металл-фуллереновых плёнок) 4) расстояние между подложкой и испарителем фуллеренов 5) расстояние между подложкой и испар1ггелем металла (для металл-фуллереновых плёнок). [c.209]

Предположим, что исходя из условий эксплуатации и технологических свойств выбран пленкообразователь, например, перхлорвиниловая смола. Однако, при эксплуатации возможна деформация подложки на 5 %, а разрывное удлинение перхлорви-ниловой пленки 2 — 3 %. Возможно применение другого пленкообразователя, что экономически невыгодно, или модификация свойств перхлорвиниловой смолы за счет введения другого компонента. Если в качестве модифицирующего компонента используется низкомолекулярный продукт, такая модификация носит название пластификации. Сами же модифицирующие компоненты, использованные для этого называются пластификаторами. [c.124]

Технологические параметры образования намывного слоя ФВВ (проницаемость фильтрующей перегородки-подложки, кои нечная толщина намывного слоя, концентрация суспензии намываемого вещества, разность давлений, скорость и длительг ность намыва и др.) оказывают существенное влияние на результат последующего процесса (скорость фильтрования освет- [c.186]

Среди большого разнообразия материалов, используемых современной радиоэлектроникой и полиграфией, фото-, электроне- и рентгенорезисты занимают особое положение. Они предназначены для проведения литографии — создания под действием излучения на поверхности подложки в виде рельефного изображения топологии будущей радиоэлектронной схемы или полиграфической печатной формы. С этих технологических операций и начинается длинная цепь этапов производства радиоэлектронных, в том числе и микроминиатюрных, приборов. Если учесть, что размеры элементов современных радиоэлектронных схем составляют менее 1 мкм, то очевиден высокий уровень требований к совокупности свойств таких материалов. Без резистов была бы невозможна современная микроэлектроника. [c.6]

Все реагенты, используемые для создания резистных композиций и при работе с подложками и резистными слоями, должны иметь квалификацию не ниже ч.д.а. Растворы резистных композиций с целью повышения их стабильности и улучшения качества пленок очищают от примесей центрифугированием, а также фильтруют через специальные фторопластовые фильтры с размером пор 0,2 мкм. Растворы резистов постепенно разлагаются при комнатной температуре в основном за счет светочувствительных компонентов, например, азиды, хинондиазиды выделяют азот. Разложение этих компонентов понижает светочувствительность резистов и изменяет их свойства. При хранении из резистов может выкристаллизовываться светочувствительный компонент или продукты его превращений. Повышенное содержание воды в пленках хинон-диазидных резистов может ухудшить адгезию слоя, явиться причиной ряда других технологических осложнений [1—3]. Так как слои позитивных резистов при обработках не теряют светочувствительности, возможна их реэкспозиция. Необходимо во избежание фоторазложения резиста и изменения его характеристик проводить технологические операции при подходящем освещении. [c.15]

Составы поливинилциннамалиденацетатных фоторезистов рекомендованы для производства печатных плат на различных подложках. Образование рельефа возможно при варьировании толщины слоев от 0,2 до 8 мкм, что является технологическим достоинством этого типа фоторезистов. Проявителем может служить ДМФА. В композиции этих фоторезистов включают антиоксиданты (полиалкилфенолы, нафтолы, эфиры гидрохинона), пластификаторы и инертные несветочувствительные полимеры (феноло-формальдегидные смолы, целлюлозу, ПВП и т. д.) [пат. США 4065430]. Такие полимеры могут разносторонне влиять на эксплуатационные характеристики слоев ускорять проявление, повышать стойкость к действию травителей, механическую прочность слоев. [c.172]

Планаризационый резист ограничивает рассеяние в чувствительном слое резиста электронов, отраженных от подложки. Теоретические расчеты показывают, что этим способом можно получить в слое резиста вертикальное изображение краев с меньшими отклонениями при проявлении [5]. Для исключения влияния заряда, накапливающегося при экспонировании резиста на подложке Si02/Si, как и в случае однослойной системы, можно нанести на подложку тончайшие проводящие слои А1 или Ли, либо сильно легированные полупроводниковые слои Si или Ge. Это, однако, является дополнительной технологической операцией. Для большинства электронорезистов, имеющих чувствительность около 1Q- Кл/см , для использования в обычном однослойном варианте требуется высокое значение AR (СОР, FBM, PBS, Sel N). Система МСР дает возможность уменьшить длительность экспонирования при использовании тонкого слоя электронорезиста и толстого слоя планаризационного резиста. При этом можно перенести изображение на подложку с очень высоким значением AR, используя резист с низким значением AR. [c.270]

При экспонировании происходит постепенное повышение прозрачности пленки и за обычное время слой резиста экспонируется главным образом в середине прозрачного участка шаблона, а на краях этого участка слой резиста не получает дозы, отвечающей 5пор (см. рис. 1.8). Результатом является резкое сужение линий образованного рельефа до предела, определяемого длиной волны света. Использование третьего противоореольного слоя между подложкой и резистом дает возможность применять эту систему и на отражающих подложках. Увеличение числа технологических операций и в некоторой мере длительности экспонирования компенсируется возможностью изготовления рельефа с разрешением 0,45 мкм на промышленных фоторезистах с применением обычных проекционных устройств без существенных дополнительных капиталовложений. Этот метод в ближайшее время предполагают внедрить в технологическую практику, его разработка является доказательством того, что еще не в полной мере использованы возможности фотолитографии [37]. [c.278]

Неемотря на указанные достоинства, гальванические износостойкие покрытия еще не получили широкого применения в ремонтном производстве, во-первых, в силу недостаточной производительности процесса, что снижает эффективность использования автоматических технологических линий, и, во-вторых, не всегда гарантирована прочность сцепления покрытий с подложкой (деталью). [c.159]

ЭРЭ или МС с шариковыми выводами 2 — подложка микроузла с облу-женными контактными площадками, смоченными флюсом 3 — фиксатор-теп-лоотвод в виде химико-гальванической реплики с объемного оттиска готового образца микроузла 4 — технологический зазор (0,5 мм) 5 — ИК-поток 6 — усилие прижима [c.44]

Технологические операции сенсибилизации, включая приготовление растворов и обращение с обработанными подложками, следует проводить в затемненных условиях, при неярком желтом свете. Это вызвано светочувствительностью гидроокиси олова, переходящей под действием света в Sn02 и теряющей каталитические свойства. [c.89]

Вакуумными технологическими процессами называют процессы обработки поверхности подложки в условиях вакуума (давление ниже 1 Па). К ним относят процессы вакуумтермической технологии осаждения тонких (0,1 —1,0 мкм) пленок различных веществ и технологии обработки поверхности в низкотемпературной плазме (осаждение, оксидирование, травление). [c.129]

Примерами промышленных платиновых и палладиевых катализаторов, нанесенных на пористые подложки (7-А12О3, силикагель, алюмосиликат, керамика, корунд), могут служить контакты, содержащие 0,5—0,6 % (масс.) Р1 и содержащие 1,4 и 2 % (масс.) Р(1. Им присуща высокая активность. Однако дороговизна, возрастающая дефицитность благородных металлов делает проблематичным применение их в широкомасштабной очистке воздушной среды. Среди оксидных катализаторов, как наиболее дешевых, хорошо зарекомендовали себя оксиды Мп, Со, Си, 2п. Их применение целесообразно для очистки от ЗОз, НаЗ, СО и других соединений высокотемпературных технологических или выхлопных газов двигателей внутреннего сгорания. [c.147]

Большое значение для технологического использования катализаторов, особенно биокатализаторов, имеет методика их нанесения на поверхность мелкозернистых латерпалов (полимеров, силикагеля). Катализатор связывается с поверхностью подложки, при этом [c.74]

Двух,- трехслойные покрытия органосиликатными красками ти-а Ш-30 ( ВН-ЗСШЛТ ), а также эпоксидными эмалями ЭП-773 и П-525 показали хорошие эксплуатационные качества. В частности, осле 20 месяцев эксплуатации при визуальном осмотре покрытия иалью ЭП-773 по опескоструенной поверхности изменений в состоя-ш покрытия не обнаружено. Сохранижсь глянец, блеск и хорошая хгезия покрытия к подложке. Проверка аналогичной системы на дру-)м технологическом потоке в течение 25 месяцев показала, что 12 [c.32]

Клеевые (липкие) ленты. Большой технико-экономический эффект дает использование клеевых лент, представляющих собой пленочную подложку с нанесенным на нее липким клеевым слоем. В качестве подложки применяются ткани, бумага, металлическая фольга, полимерные пленки. Для получения липкого клеевого слоя используют эластомеры, натуральные и синтетические смолы, пластификаторы, наполнители, стабилизаторы. Клеем может быть покрыта одна или обе стороны подложки, в последнем случае получается двусторонняя липкая лента. Липкие ленты удобны в технологическом отношении при склеивании различных поверхностей в конструкциях несилО вого назначения. Они применяются для маркировки, герметизации, упаковки, защиты поверхностей, не подлежащих окрашиванию, временного крепления де талей, электроизоляции проводов, защиты металличе-ских изделий от коррозии и механических повреждений. [c.27]

В результате этих и других работ было твердо установлено, что при облучении в микроскопе объектов в обычных условиях они покрываются слоем углерода. Толщина углеродной пленки в зависимости от условий увзличивается на 1—10 А в 1 мин. благодаря крекингу под действием электронного пучка паров углеводородов, которые всегда в небольших количествах имеются в колонне микроскопа (пары смазки и диффундирующие из объема металла углеводороды, захваченные во время технологического процесса). Если работают с микроскопом, имеющим разрешающую способность 30—50 А, это явление не представляет особой опасности оно в одних случаях равноценно постепенному утолщению подложки и не будет сказываться на потере разрешения при не слишком больших экспозициях, а в других случаях будет приводить к постепенному увеличению размеров частиц (если изучают объекты, оттененные тяжелым металлом, то положение будет наиболее благоприятным в связи со слабой рассеивающей способностью углерода по сравнению с металлом). Но для микроскопов с разрешением в несколько ангстрем, появление которых следует ожидать в недалеком будущем, загрязнение объектов углеродом угрожало бы превратиться в лимитирующий фактор и задержать прогресс в этой области. [c.26]

Бор отличается высокой хрупкостью при низких температурах в пластичное состояние переходит лишь при 2007 К, а начинает пластически деформироваться при 1797 С. Плоскость двойникования в Р-боре (10I1). Для получения изделий из бора применяют горячее нли холодное прессование с последующим спеканием. Довольно широко применяются такие технологические операции с бором, как плавка и нанесение на подложку. [c.155]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология